受到终端市场需求疲弱，存储器产业供过于求影响，存储器产业两大产品DRAM与NAND Flash价格皆在2018年开始走跌。
其中，DRAM价格已于2018年第四季正式反转向下，终结价格连续九季上涨的超级周期(super cycle)，预计2019年合约价将持续走跌。而NAND Flash同样因产出高于预期，加上库存水位仍高，预估全年价格将出现25-30%的跌幅。
先从DRAM价格走势来看，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，DRAM合约价一般都是以季度合约的方式议定，所以价格通常只会一季调整一次。
但受到近期需求疲弱和库存过高的影响，原先议定的第四季合约价已经不具有市场竞争力，DRAM原厂必须透过降价刺激需求，因此在11月罕见出现合约价二次下修的情况。以目前成交方式来看，已有部分比重的DRAM合约价改以月(monthly deal)方式进行议价，显示买方对于DRAM价格后势看法悲观。
展望明年第一季，DRAMeXchange指出，虽然各家对后续新增产能的计划较为保守，但由于1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加，以及三星平泽厂在今年第四季持续增产，整体供给面将较2018年第四季持续增加。
至于需求面，由于每年首季都是传统需求淡季，加上2019年第一季智能手机的出货力道恐怕较往年更为疲弱，可能将造成行动式存储器价格跌幅扩大。从整体DRAM价格来看，明年第一季跌幅较今年第四季更为显著恐怕是不可避免的状况。
我们对明年整体DRAM价格走势的预估为，第一季下跌幅度将超过10%( QoQ decline in low teens)，第二季将较第一季有高个位数(QoQ decline in high single digits)的下跌幅度，第三季与第四季价格也将持续下跌，幅度预估为中个位数(QoQ decline in mid-single digits)。
3D NAND Flash产能续增，2019年NAND Flash价格下跌25-30%
观察NAND Flash价格走势，2018年NAND Flash市场全年处于供过于求。其原因在于NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期；而年底旺季时又受到中美贸易冲突升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素，导致旺季不旺。
展望2019年上半年，尽管原厂对扩充产能态度保守，甚至开始抑制扩产，但由于淡季影响，加上市场库存水位仍高，供过于求的情况只会更加显著，预估第一季NAND Flash合约价将再进一步走跌，跌幅约10%。
从2019年各项产品的需求评估来看，智能手机、笔记本电脑以及平板电脑等主要消费性产品的出货量预估都不乐观。
而服务器/资料中心对于Enterprise SSD需求虽然稳定成长，但由于产品毛利较高，导致Enterprise SSD市场成为各供应商兵家必争之地，使得价格竞争更加激烈，加上第一季服务器需求同样受淡季影响，预期第一季的跌幅将高于10%。
DRAMeXchange认为，2019年下半年NAND Flash原厂是否放缓各自96层转进速度与新产能扩充的脚步，将是影响届时供需缺口的关键。以目前各厂商初步规划来看，2019年第四季NAND Flash整体产能会比2018年第四季增加5%，其中，3D产能将会较2018年第四季大幅增加20%。
因此我们认为，NAND Flash业者未来很可能下修原先对于2019年资本支出的规划。预估2019年全年NAND Flash价格将下跌25-30%。