近日，宁波杭州湾新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司——华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约，为“名城名湾”建设再添“芯”动能。
据宁波杭州湾新区发布指出，该项目系浙江省首个第三代半导体材料项目，项目总投资10.5亿元，计划年产8万片4-6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。
华大宽禁带半导体材料项目专注半导体制造过程的前端工序——半导体材料，而且还是属于时下发展大热门的第三代半导体材料。
第三代半导体材料即以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，已成为半导体技术研究前沿和竞争焦点。碳化硅更被列入“中国制造2025”规划，是国家战略性新兴产业。
可以说，新时期集成电路产业发展背景下，该项目的签约对新区抢占下一代信息技术制高点具有较大发展意义。宽禁带半导体材料项目的“落子”，蕴含着新区完善集成电路全产业链，抢抓半导体材料技术迭代发展机遇的决心。
2019年12月13日，2019中国（珠海）集成电路产业高峰论坛（下简称“高峰论坛”）在珠海国际会展中心隆重召开。众多产业专家和从业人员齐聚珠海，解读当下集成电路发展局势，探索珠海产业未来。珠海市长姚奕生、中国半导体行业协会常务副秘书长宫承和等领导出席了论坛。论坛开幕式由珠海市副市长刘嘉文主持。
集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。作为我国集成电路产业重镇，珠海与集成电路产业有着深厚的渊源。经过20多年的培育和深化，珠海形成了一定的规模聚集效应，打造了应用引导、设计牵头、兼顾制造与封装的产业格局。在珠海举办“2019中国（珠海）集成电路产业高峰论坛”是深入贯彻习近平总书记视察珠海重要指示精神、“努力实现关键核心技术自主可控”的一项重要举措，也是我国集成电路产业发展的一件盛事。
珠海市长姚奕生在高峰论坛开幕式上指出，集成电路产业在珠海具有良好的基础和广阔的前景。经过二十多年的发展，珠海先后涌现出炬力、全志、艾派克、欧比特、杰理等优秀企业，形成了以整机和集成电路设计相结合的应用产业链支撑体系。当前，珠海正积极携手澳门，促进澳门产业多元发展，努力集聚形成集成电路、生物医药、新材料、新能源、高端打印设备等5个千亿级产业集群，加快打造澳珠发展极。
珠海市委副书记、市长姚奕生先生在2019中国（珠海）集成电路产业高峰论坛上致辞
高峰论坛上，举办了珠海先进集成电路创新研究院举行成立揭牌仪式，中国先进半导体一站式IP及定制量产中心成立仪式，中科院上海微系统所与珠海市举行集成电路项目成果转化签约仪式。此外，众多珠海集成电路产业重大项目在会上集中签约。
珠海先进集成电路创新研究院正式揭牌成立
中国先进半导体一站式IP及定制量产中心正式揭牌
其中，珠海先进集成电路创新研究院由珠海市政府与中国科学院上海微系统与信息技术研究所指导共建，并组建专业团队运营。以“强设计，补全链，重创新，育生态，抓应用”为发展主线，通过政府引导扶持、市场化运作，探索“研究院+基金+园区”模式，引进并培育一批高成长创新型企业、行业领军企业，联合攻克集成电路共性关键技术，为珠海“二次创业”提供新动能。
中国半导体行业协会常务副秘书长宫承和表示，珠海先进集成电路创新研究院的成立揭牌，这契合了珠海集成电路产业的发展需求，对于提升珠海集成电路设计产业的整体水平，集聚相关产业的优秀人才，打造自主可控的新一代信息技术产业体系具有重要意义。希望能以此为契机，进一步构建珠海集成电路核心产业集群和完整产业生态，打造具有一流创新能力和国际影响力的新时代“东方硅谷”。
中国半导体行业协会常务副秘书长宫承和先生致辞
最近几年世界宏观经济不确定因素增加，作为全球最大的电子制造业基地，我国集成电路产业发展的好坏直接决定着电子信息产业的供应链安全。中国半导体行业协会副理事长、中国封测联盟副理事长兼秘书长于燮康在题为《中国半导体崛起势在必行》的演讲中，深切认为我国需从集成电路发展历程中总结经验和教训，加强重视、集中人才、政策推进、学习借鉴缺一不可。如今我国设计业处于中低端水平但细分领域有亮点，制造水平、材料和设备都远落后国际大厂，IC封装测试领域已进入发展成熟期但增速放缓。未来，我们需紧抓5G、汽车电子、物联网等产业趋势，做到顶层规划、应用驱动、上下联动、创新发展。做好“打持久战”的准备,要“耐心、坚持、专注”，尤其在“硅周期”低谷时仍要坚持持续投资，最终成为集成电路强国。
新昇半导体总经理邱慈云、北方华创首席科学家刘韶华等产业界资深专家，带来了精彩纷呈的主题演讲。放眼全球产业格局，立足自身研究项目，深入浅出地解读技术、产业的发展与未来趋势，深挖产业痛点与机遇。格力电器董事长董明珠、珠海当地集成电路企业代表炬芯科技董事长兼首席执行官周正宇等参与了主题为“国产芯片替代之路”的圆桌论坛，共论如何实现集成电路产业自主可控。董明珠现场表示：“中国技术必须掌握在自己人手中，我们为什么不能走自主创造的路？别人是人，我们也是人，为什么精英海外历练才能成功？我们对海归派都是仰视，需要反思。国际化，不是拿来用，国际化，是要让海外用。”
格力电器董事长董明珠参与了主题为“国产芯片替代之路”的圆桌论坛
如今珠海集成电路产业已颇具规模，据峰会论坛现场了解，2019年珠海集成电路预计实现主营业务收入68.3亿元，同比增长14.37%，集成电路设计产业规模位列珠三角第二位，居全国规模城市排名第八位。目前注册的集成电路设计企业65家，其中上市公司4家，产值过亿的企业9家，规模以上企业17家。展望未来，珠海市集成电路产业还有很大的提高空间，需从产业结构、人才培育、政策优化、资本投入等多角度入手，凭借20多年集成电路产业的深厚积累，珠海集成电路将不断加大自主权，持续提高创新能力，不断提升细分市场的竞争力。
此次高峰论坛由中国半导体行业协会、珠海市人民政府支持，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、横琴新区管委会、珠海市工业和信息化局、珠海市商务局、珠海市人民政府国有资产监督管理委员会主办，珠海格力集团、珠海华发集团、珠海大横琴投资有限公司、珠海先进集成电路创新研究院、上海新微科技集团协办，共300多名专家、学者、企业家及资深从业者参会。
从“尚未决定”到“最终落户”，三星电子第二阶段二期投资终于落户西安。据最新消息，三星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。在今年5月份，三星电子曾表示，尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划，具体情况将取决于市场状况。
第二阶段80亿美元投资正式启动
12月10日，三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。据了解，这是三星电子在西安闪存芯片项目二期第二阶段投资。
2012年，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目，一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目，于2014年5月竣工投产。
二期项目总投资150亿美元，2018年3月正式开工建设，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。据了解，三星电子闪存芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，带动一批配套电子信息企业落户。
早在2019年5月，“三星电子二期投资即将落地”的传言在业内散开，随后，三星电子公司公开表示，尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划，否认了中国国内媒体的报道。并表示第二期投资情况将取决于存储市场的走势。
“铠侠的跳电事件导致产能下降，加上各厂商的减产等因素，NAND Flash的单价有所回升。”分析师杨俊刚对《中国电子报》记者说。
存储芯片回暖，三星二阶段提前落地
2019年年初，闪存芯片价格大幅下跌，全球许多知名闪存制造商，选择放缓扩张计划，并宣布减产。经过了一年的价位下滑，年底存储市场或将迎来止跌反弹。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新预测，2019年第三季度，NAND Flash厂商营收季增10%，约达到119亿美元。
“明年闪存市场回暖，需求量增加，三星在此时加快扩产在情理之中。”市场分析师黄阳棋对记者说。
11月25日，据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)发布最新预测报告，称三星电子在新产能方面，西安二期仍依规划于2020年上半年投产。十五天后，三星电子二期第二阶段的投资落地，比分析机构预测的提前。
杨俊刚表示，提前决定二厂的投资，将会引进新设备，快速的扩充产能，应对市场的需求。三星这个投资将会增加新制程产能，继续巩固三星存储器龙头的地位，继续加大中国存储器市场份额。
“由于三星在韩国的12厂和16厂，设备比较陈旧，未来应对新的市场机遇将会减产，提升新制程，将产能往西安和平泽转移，届时西安厂将会持续扩大产能，预计达到18万片/月。”杨俊刚说。
“西安将成为三星的主要NAND生产基地，三星的扩产将进一步加大三星在NAND领域的市场份额，扩大优势地位。三星西安工厂的扩产将带动国内下游的存储产业发展。”黄阳棋说。
12月15日，紫光华智数字工厂项目在重庆两江新区鱼复园区开工建设。
紫光集团联席总裁兼新华三首席执行官于英涛表示，重庆市委、市政府对此项目建设高度重视、高位推动，两江新区把 “紫光华智数字工厂项目”作为打造新区数字经济新名片的“领头”项目予以大力支持，仅用半年多时间为项目顺利开工创造了良好条件，充分体现了“两江速度”，充分彰显了新区一流的投资环境。未来，紫光集团将继续深耕重庆，不断加大在云网领域的投入与发展，把产业做深做透，助推重庆产业结构转型升级和数字经济发展，为重庆和两江新区建设“智造重镇”和“智慧名城”贡献紫光力量。
紫光华智数字工厂是紫光集团在渝投资的七大重点项目之一，位于重庆两江新区鱼复园区，占地面积256亩。项目共分两期建设，首期项目占地面积约128亩，预计2021年投产。工厂将通过大数据、云计算、5G、AI、AR/VR等先进技术手段，实现产品从研发到制造全流程的智能研发、智能生产、智能物流和智能运营，有效提升产品质量与客户满意度，并以此带动上下游千亿级关联产业逐步向重庆集聚。
据紫光华智董事长张江鸣介绍，作为智能视频解决方案引领者，紫光华智是紫光集团旗下专注于“视频+AI”产品的研发、制造、销售和服务的企业,紫光华智数字工厂的产品将重构安防产业，“传统的安防产业做的是‘看得见’和‘看得清’，而我们要做的是‘看得懂’，通过构建数字城市视觉中枢，对整个城市的视频数据进行自动化分析和解读、提前预判,最终为智慧城市、安全、交通、应急、环保、医疗等领域提供速度快，成本低，应用场景算法丰富的城市视觉底座，让局部智能变成全城智能，助力城市智能化发展。”张江鸣介绍道。
据了解，紫光集团致力于将该工厂打造成为国内领先的智能制造高端样板，并形成可复制的数字化工厂解决方案并对外推广，为推动中国制造业的数字化转型贡献领先经验。
紫光集团是国内大型综合性集成电路领军企业，实施“创新+合作”双轮驱动，形成了以集成电路为主导、从“芯”到“云”的高科技产业生态链，在全球信息产业中强势崛起。2018年2月，重庆市政府与紫光集团签署战略合作协议及入驻两江新区的落地协议，开启了紫光与重庆合作的序幕，紫光“智能安防+AI”、紫光存储芯片产业基地等7个项目相继落地，目前均在有序推进中。
当前，重庆正深入学习贯彻党的十九届四中全会精神和中央经济工作会议精神，全面贯彻落实习近平总书记对重庆提出的“两点”定位、“两地”“两高”目标、发挥“三个作用”和营造良好政治生态的重要指示要求，聚焦高质量、供给侧、智能化持续发力，把大数据智能化创新作为发展的战略选择，加快数字产业化、产业数字化，推动数字经济和实体经济深度融合，集中力量建设“智造重镇”“智慧名城”。
两江新区作为中国内陆第一个国家级开发开放新区和重庆建设内陆开放高地的重要战略平台，按照市委、市政府部署要求，着力强化“领跑”西部开放开发的担当，以大数据智能化引领转型升级，对标世界顶尖水平，加快高端高质高新产业集聚发展，努力成为重庆扩大开放排头兵、全面体现新发展理念的先行示范区。在科技创新和数字经济发展方面，新区具有良好基础和明显优势，正全力打造礼嘉智慧公园、两江数字经济产业园和两江协同创新区三大创新平台，构建“芯屏器核网”全产业链，培育壮大智能产业集群，加快建设国家数字经济创新发展试验区。目前，两江新区已经聚集了紫光、京东方、万国半导体、超硅半导体、奥特斯、联创电子等一批重点企业，电子信息产业作为新区重要支柱产业发展势头迅猛，前景十分广阔。
近几年，国内不少地区都纷纷建设第三代半导体生产线，种种迹象表明，第三代半导体投资热的戏码正在悄然上演。这轮投资热将对整个产业带来哪些影响？国内发展第三代半导体应注意什么问题？需要采取什么措施？
产业发展如火如荼
以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，凭借其高效率、高密度、高可靠性等优势，在新能源汽车、通信以及家用电器等领域发挥重要作用，成为业内关注的新焦点。
业内人士朱邵歆在接受《中国电子报》记者采访时表示，在5G通信、新能源汽车、光伏逆变器等应用需求的明确牵引下，目前，应用领域的头部企业已开始使用第三代半导体技术，也进一步提振了行业信心和坚定对第三代半导体技术路线的投资。
苏州纳维科技有限公司董事长徐科分析了第三代半导体现在发展如火如荼的原因有三：其一，从技术本身来看，第三代半导体技术的重要性不言而喻，它推动着社会从信息社会向智能社会发展，已经深入到各个领域，从国防、航天，到节能、医疗，再到新能源汽车、手机充电器，与我们每个人的生活息息相关、密不可分。这样的一种技术，必然会吸引社会资本的注入。
其二，从国际范围看，在经历人类历史上几次重大的技术变革后，发展第三代半导体技术渐成趋势。因为它正在悄然改变世界经济格局，国家要安定、人民要富足，先进技术带动经济发展是不变的道理。所以，无论是西方发达国家，还是亚洲发展中国家，都在从不同层面推进全球第三代半导体产业的发展。
其三，从国内层面看，一方面，经济发展转向实体经济；另一方面，是中央和地方政策联动导向，鼎力推进第三代半导体产业的发展，这种抛砖引玉的做法也会带动社会资本的注入。
分析师吕芃浩认为，在摩尔定律已接近物理极限的情况下，以新材料、新结构、新器件为特点的超越摩尔定律为半导体产业提供了新的发展方向，因此，第三代半导体成为各国在集成电路领域竞相追逐的战略制高点，它对产业格局产生巨大影响。
目前，我国第三代半导体投资增加，产业链也在逐步完善。同时，我国是世界上最大的半导体市场，这为我国企业发展第三代半导体创造了近水楼台的机会。通过资源聚集，突破从第三代半导体研发、工程化到应用的创新链条与价值链条，为我国集成电路产业发展带来更多活力。
记者注意到，近日在首届中国淄博“芯材料、芯技术、芯动能”高峰论坛上传出消息，山东淄博市临淄区将建设国内首个以第三代半导体材料研发及生产，磁功能材料、芯片及智能制造核心部件生产为主体的集成电路材料产业基地。不久前，在北京顺义举办的“第八届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛智慧能源与智慧交通行业决赛”上，顺义区负责人表示，他们正在打造成全国乃至全世界范围内的第三代半导体产研基地。
投资切忌急功近利
在投资热的背后，业内人士也同时担心是否会像某些产业一哄而上后的“繁花落尽”。徐科告诉《中国电子报》记者，第三代半导体产业在很多应用领域仍然是一些概念性的东西，尚不成熟，投资一定要慎重，避免一哄而上，发展第三代半导体要避免急功近利的想法。针对链条长、链条环节多的产业，往往风险和诱惑最大的地方，就是产业链的末端。
近年来，大家逐渐意识到这个问题，特别是近来发生的中美贸易摩擦问题，更加让人们认识到了第三代半导体产业链的短板。所以，发展第三代半导体产业，一定要加大产业链上游核心材料研发和关键设备的开发投入，正所谓兵马未动，粮草先行。徐科表示：“目前第三代半导体产业发展热火朝天，各地政府加大投资，展开人才争夺战，这势必会导致资源的倾向性，这就要我们保持清醒的头脑，因地制宜，有所为有所不为，避免资源的过度浪费。”
朱邵歆对《中国电子报》记者说，投资热的背后，肯定会存在一些问题，比如是投资“产品”，还是投资“产线”。因为从本质上说，基于第三代半导体的射频器件和功率器件，具有明确的产品属性，需要在了解应用企业需求的情况下进行定制化生产，所以锤炼内功打磨产品和技术，比直接投资产线更加重要和紧迫。在没有明确客户的情况下，不能过早扩充产能。
“早期半导体照明（LED）产业的快速发展使得国内已具有一定的第三代半导体产业基础和人才储备。然而，业内必须认识到，不同于LED产品，第三代半导体的射频器件和功率器件更多的是面向5G基站、新能源汽车等偏工业应用的市场，更多是定制化产品，对企业的设计能力和对应用方案的理解能力要求更高。”朱邵歆说。
吕芃浩分析了目前第三代半导体亟待突破的难点，包括如何降低衬底缺陷、提高良率，如何做到大尺寸、低成本等。碳化硅晶片面临微管缺陷、外延效率低、掺杂工艺特殊、配套材料不耐高温等问题，氮化镓晶片面临高质量、大尺寸籽晶获取问题，都是需要破解的技术难题。
培育龙头做大做强
发展第三代半导体产业已成为业内共识，顺势而为、借力发力是各地政府及企业努力的方向。吕芃浩认为，第三代半导体产业依旧是投入大、周期长的产业，需要长时间的积累，也需要产业界、学术界等各界的通力协作。在产业发展上，除了政策和资金支持外，要培育龙头企业，通过并购重组做大做强，避免遍地开花分散力量。同时，终端厂商也应借助国内的市场优势，积极支持国内第三代半导体企业的发展。
针对国内发展第三代半导体产业，徐科给出了四点建议：首先，政策引导，市场主导。在关键的发展领域和环节，需要自上而下的主导，技术的发展和竞争力交由市场做出判断。
其次，集中攻关，联合发展。我国整体基础实力不弱，但是技术分布零散，需要从产业链条上联合发展，集中攻关共性关键技术。
再次，基础研发投入占比增加。企业为了保持高速发展和核心竞争力，技术开发和基础研发的投入必不可少，也需要持续的加大投入。
最后，“扶上马，走一程”模式在一定时期内存在。国内第三代半导体企业，多为中小微企业，可能技术水平国际领先，市场前景不可估量，但是要想占据市场主导，特别是与国际巨头企业竞争，政府和社会力量的保驾护航也是必不可少。
朱邵歆认为国内第三代半导体企业必须从自身出发，结合自己的技术和市场优势，找准定位，比如是面向5G通信、新能源汽车、光伏逆变器、消费电子电源等，有针对性地开发自己的产品。
他还特别指出，各地政府需要注意第三代半导体项目落地时的信息严重不对称、对第三代半导体的市场定位和发展前景的判断不够准确、扶持政策缺乏可持续性和精准性等问题。
英特尔首席执行官鲍勃·斯旺（Bob Swan）近期公开发表了一些有趣的想法。他表示，如果未来英特尔将精力只花费在“守住90% CPU市场份额”的目的上，将会阻碍公司发展的脚步。鲍勃·斯旺认为，专注于90％的CPU市场份额，是英特尔错过市场机会和转型过渡的原因。他表示，未来英特尔将抢占30％的“全硅”市场，而不再只是大多数CPU市场占比。
抢占“全硅市场”，英特尔转移重点
鲍勃·斯旺表示，“全硅市场”不单单指CPU，这意味着英特尔将致力于把一些技术整合在一起，它包括GPU、Al、FPGA。显然这并不是说说而已，英特尔相关的实际行动早已展开。总结过去几年英特尔投资方向，不难看出其关键技术方面的投资，确实是以“全硅市场”为核心。在5G方面，英特尔通过并购Altera，为“英特尔云”助势，Nervana处理器及其Xe GPU也为英特尔抢占新市场吹起号角。
“英特尔布局全硅市场，应该做比较长时间了。在去年英特尔的数据中心分享会上，他们就表示会在除CPU之外的领域做一些尝试。今年，英特尔打造全硅市场的目的应该更加明确，我认为，英特尔现在以及未来的发展重点，是放在数据中心这一块。”市场分析师陈跃楠对《中国电子报》记者说。
传统市场的竞争已然不再是英特尔最为看中的关注点。鲍勃·斯旺否认了英特尔过去“专注于保护90%CPU市场份额”的做法，他认为这限制了英特尔的思维，阻碍了更大的市场和更多的创新。因此，英特尔决定布局“30%的全硅市场”。
姚嘉洋向记者解释，英特尔选择此举的很大原因，是从系统层面的角度考虑。目前，英特尔的营收主力，依旧来自于CPU市场，但是未来，万物互联将成为趋势，除了CPU之外，越来越多类型的处理芯片打开了更有后劲的市场空间，而这些空间，才是英特尔更为关注的对象。“Intel这几年来的发展，不难发现Intel不断地发动并购，用更为多元的产品线，来满足客户的需求，而不仅是单纯提供CPU产品而已。也唯有如此，可以开拓更为多元的市场机会。”姚嘉洋说。
对手多元化，英特尔未来困境待破
作为行业老牌龙头企业，英特尔的一举一动一直被看作行业风向标。但此次的“全硅”计划，分析师并不认为容易效仿。姚嘉洋表示，英特尔的”全硅”模式，大体上只有规模较大的半导体企业有办法做到，其概念是，以提升半导体产品的市占率为主的策略模式，而不是拘泥于CPU的市占率，毕竟CPU只是众多半导体产品的种类之一。“从此点来看，所谓的全硅发展模式，应是全球半导体营收居于前十名的企业比较合适，如Samsung这类的一级半导体大厂才有办法做到。”姚嘉洋说。
但是即使是英特尔，此次从“专攻CPU”转战“全硅30%”，也没有理想中的那么简单。在CPU领域，英特尔一直是行业翘楚，近几年在XPU、FPGA等市场的探索，不论成功与否，皆为其打造“全硅”市场打下基础。但英特尔攻略新市场之行，还需克服最重要的一关——老牌大厂。
“英特尔目前面对的最大的问题，就是在进入一个新市场之后，如何去跟这些老牌大厂进行竞争。钱烧进去了，但是做出来的效果不一定有老牌大厂好，会导致业内企业购买英特尔产品时，考虑更加慎重。例如英特尔与苹果的基带芯片订单。”陈跃楠说。
半导体是一个专业性非常高的行业，“高精尖”一直是其代名词，不论在设计、设备、封装、测试、材料等各个方向，都有深耕十几年的老牌大厂驻扎。虽然英特尔在CPU领域处在龙头地位，但在瞄准的其他新市场中，英特尔只能算是“新秀”。既然是新秀，那么就避免不了面对老牌大厂在所处领域中的高额占比。因此，为了快速渗入，英特尔目前采取了较为传统的措施——收购。
近期，英特尔收购了深度学习芯片初创公司Habana Labs，在之前，计算机网络初创公司BarefootNetworks、智能视频和视觉系统设计可编程芯片Omnitek公司等皆被其收到麾下。“近几年，英特尔有很大一部分资金用于收购一些企业，计划通过收购进军其他市场，一方面稳固自身技术，另一方面，收购要比自己研发简单得多。”陈跃楠说。
“Intel的这种选择，可以用‘舍小取大’来形容。但Intel在现阶段的营收主力还是来自于CPU，短期内要立即转型成功，或许颇有难度。全硅发展模式对于Intel来说，是一项长期计划，关键在于如何有效地具体推动转型策略。英特尔也因此需要面对不少风险，拓展Intel旗下各类芯片市场的占有率，意味着竞争对手数量大幅增加，以FPGA而言，有Xilinx，以太网络芯片则有Broadcom与Marvell等，WiFi芯片则有Qualcomm、Broadcom与联发科等。Intel舍弃已有的CPU龙头地位，随之而来的，就是面对更多元的竞争对手，在战线扩大的情况下，对手势必也会有所应对。鲍勃·斯旺对此采取哪些措施，相信会是2020年的观察重点。”姚嘉洋说。
近日，上海兆芯集成电路有限公司发布消息称，继今年6月正式发布开先KX-6000和开胜KH-30000系列处理器之后，国产通用处理器再度收获新进展。兆芯自主研发的下一代通用处理器将专门面向高性能服务器产品市场，根据产品序列，这款处理器将被命名为开胜KH-40000系列处理器。
开胜KH-40000系列处理器预计于2021年正式推出，该产品拥有全新的自主CPU 微架构设计，基于16nm工艺，并继续沿用SoC方案，单颗处理器CPU核心数量达到现有开胜KH-30000系列处理器的4倍。同时KH-40000将继续支持双路互联，即系统内最多可达64核心，并支持DDR4内存和PCIe 3.0。
此外，兆芯目前已着手7nm以下工艺产品的定义和研发工作，该处理器将作为KX-6000系列处理器的下一代产品，即开先KX-7000系列处理器。开先KX-7000系列处理器也将采用全新的自主CPU微架构，并延续SoC设计方案，集成显卡支持DirectX12，在内存、USB、PCIe等规范方面，也将瞄准国际同期主流水准。
兆芯以研发具有中国自主知识产权的核心处理器芯片，推动中国信息产业的整体发展为使命。作为国内技术领先的芯片设计研发公司，兆芯拥有一支国内一流、完整、专业化的芯片设计研发团队，同时掌握CPU、GPU、芯片组三大核心技术，具备三大核心芯片及相关IP自主设计研发的能力。
兆芯拥有自主构建的全流程设计规范和设计标准，以及处理器芯片实现的全部环境，全面掌握通用处理器全平台实现技术。包括产品定义、微架构设计、逻辑设计与功能实现、定制电路IP设计、设计集成、设计综合、前端时序优化、全芯片验证、物理设计、芯片功能测试、系统验证等全部芯片设计研发环节，均由兆芯自主完成。
目前，兆芯自主研发的国产通用处理器已形成“开先”、“开胜”两大产品系列，并实现了“从双核心到八核心”、“从1.6GHz到3.0GHz”、“从处理器+芯片组方案到SoC单芯片方案”等多方面的持续发展与创新，产品综合性能大幅提升，已完全具备自主演进发展的能力和条件。
近日，新华社发布了中方关于中美第一阶段经贸协议的声明。
经过中美两国经贸团队的共同努力，双方在平等和相互尊重原则的基础上，已就中美第一阶段经贸协议文本达成一致。协议文本包括序言、知识产权、技术转让、食品和农产品、金融服务、汇率和透明度、扩大贸易、双边评估和争端解决、最终条款九个章节。同时，双方达成一致，美方将履行分阶段取消对华产品加征关税的相关承诺，实现加征关税由升到降的转变。
中方认为，中美两国作为全球最大经济体，处理两国经贸关系必须从大局出发，达成经贸协议有利于中美两国人民和世界人民的根本利益，将在经贸、投资、金融市场等方面产生积极效应。本协议总体上符合中国深化改革开放的大方向，以及自身推动经济高质量发展的内在需要。协议相关内容的落实，将有助于强化知识产权保护，改善营商环境，扩大市场准入，更好维护包括外国企业在内的各类企业在华合法权益，也有利于保护中方企业在对美经贸活动中的合法权益。随着中国国内市场的扩大，中方企业按照世贸组织规则和市场化、商业化原则，增加从包括美国在内的各国进口优质、有竞争力的产品和服务，有助于顺应国内消费升级的趋势，满足人民日益增长的美好生活需要。本协议有利于中美两国加强经贸领域的合作，有效管控和解决经贸领域的分歧，促进中美经贸关系稳定发展。在当前全球经济面临下行压力的背景下，本协议有利于增强全球市场信心，稳定市场预期，为正常的经贸和投资活动创造良好环境。
双方约定，下一步双方将各自尽快完成法律审核、翻译校对等必要的程序，并就正式签署协议的具体安排进行协商。
协议签署后，希望双方能够遵守协议约定，努力落实好第一阶段协议相关内容，多做有利于双边经贸关系发展和全球经济金融稳定的事情，维护世界和平与繁荣。
12月14日，江苏南大光电材料股份有限公司（以下简称“南大光电”）发布公告称，公司分别于2018年12月21日、2019年1月9日召开第七届董事会第十二次会议、2019年第一次临时股东大会，审议通过了《关于投资实施国家“02专项”ArF光刻胶产品的开发与产业化项目的议案》和《关于使用部分超募资金投资“ArF光刻胶产品的开发与产业化”项目的议案》。
据悉，“ArF光刻胶产品的开发与产业化项目”(“光刻胶项目”)投资总额约6.56亿元人民币，其中国拨资金约1.93亿元，地方配套资金约1.97亿元，使用公司上市时的超募资金1.5亿元及其他自筹资金。项目实施主体为公司全资子公司宁波南大光电材料有限公司(以下简称“宁波南大光电”)。
截至公告日，南大光电已使用上述超募资金4,000万元作为资本金投入宁波南大光电，用于实施光刻胶项目。
公告指出，为进一步推动光刻胶项目的顺利实施，满足项目资金需求，宁波南大光电拟以增资扩股的方式融资2.6亿元（含上述已经公司董事会、股东大会审议通过的超募资金使用计划中剩余的1.1亿元）。
公告披露，上述增资扩股方式分为三部分。
第一部分为南大光电拟以货币资金方式对宁波南大光电增资1.5亿元,其中使用上述超募资金使用计划中的剩余资金1.1亿元，自有或自筹资金4000万元。
第二部分为南大光电拟以自有的“光刻胶技术资产组”作为无形资产对宁波南大光电增资，增资金额为3000万元。
第三部分为宁波南大光电引入新的投资方：宁波经济技术开发区金帆投资有限公司、天津南晟贰号企业管理合伙企业（有限合伙）以及许从应个人。经各方友好协商，宁波金帆以3000万元的价格认购宁波南大光电新增注册资本3000万元；天津南晟以4000万元的价格认购宁波南大光电新增注册资本4000万元；许从应先生以1000万元的价格认购宁波南大光电新增注册资本1000万元。
本次增资扩股前，宁波南大光股权结构如下：
本次增资扩股后，宁波南大光股权结构如下：
南大光电称，本次投资，宁波南大光电的注册资本由人民币4,000万元增加到30,000万元，其中新增注册资本人民币26,000万元。宁波南大光电本次增资扩股并引入外部投资者，有利于增强宁波南大光的资金实力，有利于加快公司“ArF光刻胶产品的开发与产业化项目”的建设进度，推动公司在光刻胶板块的战略布局。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在当前各家厂商库存数量下跌，加上资料中心需求持续强劲，以及2020年第1季5G手机市场对于DRAM需求扩大的情况下，近3个月连续走跌的DRAM价格已经触底反弹。
其中，DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的产品上涨了2.88%，而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的产品也上涨了1.04%，显示了DRAM市场从下跌状况走缓，甚至已经开始反弹回温。
有报告显示，2020年在5G智能手机、资料中心等需求的提升，使得业者开始加大对于DRAM的采购力道。
其中，在5G智能手机方面，因为旗舰机种将搭载6G到12G的DRAM，相较4G高端旗舰款手机搭载3G到6G DRAM的规格而言，容量要增加许多，使得市场开始对DRAM的需求增加。
除了在需求面的提升之外，外资报告还指出，韩国存储器龙头三星目前在DRAM生产方面已经开始导入1z纳米制程，三星期望可以透过制程微缩，提升单位生产数量。
此外，到第三代10纳米级的1z纳米制程后，由于未来微缩空间减少，使得成本效益递减，加上三星逐渐导入EUV生产DRAM，生产成本随之提高，这样不仅形成进入产业的高门槛，也限制了未来扩产比例，导致预期供货将维持在一定数量，厂商难以大量收到货源，形成价格的预期上扬。而这对于整体DRAM产业来说，也会是较为健康的发展。
