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根据外媒报导，日前在国际电子元件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM）大会上，晶圆代工龙头台积电官方披露了5纳米制程的最新进展。

而根据公布的资料显示，5纳米制程将会是台积电的再一个重要制程节点，其中将分为N5、N5P两个版本。N5相较于当前N7的7纳米制程，性能要再提升15%、功耗降低30%。N5P则将在N5的基础上再将性能提升7%、功耗降低15%。

报导指出，台积电的5纳米将使用第五代FinFET电晶体技术，EUV极紫外光刻技术也提升到10多个光刻层，整体电晶体密度提升84%。换句话说，以7纳米是每平方公厘9,627万个电晶体计算，则5纳米就将是每平方公里有1.771亿个电晶体。

同时，台积电强调，目前5纳米制程正在进行风险试产阶段，而测试芯片的良率平均已达80%，最高良率可超过90%，只是，相对来说，这些测试芯片的架构相对简单，要真的生产移动或个人电脑处理器芯片上，目前良率可能还有些差距。不过，台积电目前并没有公开正式数据。

另外，台积电还公布了5纳米制程下的CPU和GPU芯片的电压、频率相对关系。目前CPU通过测试的最低值是0.7V/1.5GHz，最高可以做到1.2V/3.25GHz，而GPU方面则是最低0.65V/0.66GHz，而最高则是达到1.2V/1.43GHz。这些公布的结果都是初期的报告，未来正式投产之后，后续将还会提升。

根据先前相关外资所进行的预估，台积电的5纳米制程将在2020年上半年，甚至最快在2020年第1季末就会投入大规模量产，相关芯片产品将在2020年晚些时候陆续登场。

而包括苹果A14、华为海思麒麟系列新一代处理器，以及AMD Zen4架构第四代锐龙(Ryzen)个人电脑处理器都将会采用。而初期的产能规划每月4.5万片，而未来将逐步拉高到8万片的数字，只是初期的产能将可能由苹果吃下70%，其余的就由华为海思包下。

传说中的麒麟1020虽然要到明年秋季才会发布，但网络上已经有各种消息炒得火热。根据业内人士最新爆料称，代号“巴尔的摩”的麒麟下代旗舰处理器不仅会采用5nm工艺制程，而且即将进入（流片）验证阶段。据传有可能隔代提升至A78构架，包括CPU和GPU都会有较大的提升，预计仍会明年秋季的华为Mate 40系列首发登场。

内部代号巴尔的摩

此次有关麒麟下代旗舰处理器的消息来自业内人士@手机晶片达人，所披露的信息看起来似乎比较简单，仅仅表示“5nm的巴尔的摩，准备验证！”不过，由于过去海思芯片内部代号通常会以国外城市命名，加上台积电的5nm制程工艺目前只有苹果和海思两个客户，所以可以确认麒麟下代旗舰处理器已经准备进入流片验证阶段。

尽管当前处理器芯片流片(Tape Out)分为流片前验证和流片后验证，但在9月份的时候@手机晶片达人已经表示5nm的海思处理器已经正式流片，所以应该是流片完成后准备上开发板验证功能是否符合设计预期，然后再进入工程机测试阶段。不过，在一些网友看来如此快的流片和验证速度，则可能会预示着麒麟下代旗舰处理器或许会采用A77构架。

或将隔代升级A78

尽管如此，还是有熟悉业内信息的网友@未消失的亡灵表示，麒麟下代旗舰处理器有望采用A78构架，这样可以挤完牙膏又吹我们提升巨大。因此，倘若海思真的直接跳过A77而升级为A78构架的话，那么坊间传闻的CPU和GPU的性能提升超过40%应该是完全有可能的事情。

当然，现在讨论麒麟下代旗舰处理器的CPU构架还为时尚早，当初麒麟990 5G处理器当初流片后也经历了一些波折，推倒重做后变成了现在的A76构架和集成5G芯片的设计，所以最终是否会隔代升级CPU构架，或许至少要等到明年夏季才会有准确的消息。

Mate 40系列首发

至于麒麟下代旗舰处理器的正式名称方面，暂时还没有明确的说法，无论是麒麟1020还是麒麟1000对于普通用户来说都无关紧要，而真正重要的是5G基带芯片是否会支持毫米波频段，才会将来真正值得关注的地方。此外，传说中的麒麟820处理器则可能受限于5nm工艺的产能，应该还是7nm+工艺制程，预计会在明年年中正式登场。

按照惯例华为新款麒麟旗舰处理器都会在每年秋季推出，然后交由Mate系列新机首发，所以不出意外的话，华为Mate 40系列应该会成为首批搭载5nm制程工艺处理器的机型，并且由于先发的优势在性能上暂时领先对手。

为了做好新的CPU/GPU架构，Intel批量招募了Raja Koduri、Jim Keller等一大批业界牛人，而为了加强新工艺的研发，Intel最近又招揽了前GlobalFoundries CTO、前IBM微电子业务主管Gary Patton博士。

Gary Patton博士在半导体工艺方面造诣深厚，早些年就在IBM挑大梁，2015年GF收购了IBM晶圆制造业务，他也随即进了GF，担任CTO，一直负责尖端工艺的研发。

只不过，GF已经改变投资策略，直接取消了7nm、5nm等更新工艺的研发，不再与台积电、三星正面对抗，改而专注于利润率更高的14/12nm工艺，以及专用性的22FDX、12FDX。

这样一来，Gary Patton这样的顶尖人才就失去了用武之地，离开已是必然，而苦于工艺“落后”的Intel正是最佳去处。

Gary Patton加盟Intel后将担任企业副总裁、设计实现总经理，直接向Intel CTO Mike Mayberry汇报，主要负责建设生态系统、部署特定工艺，以及处理器设计套件开发(PDK)、IP、工具等，促成新工艺满足预设的性能、成本、上市时间需求。

目前，Intel尚未官宣招募Gary Patton，不过在GF的网站上，Gary Patton的名字已经消失。

芯成科技在更名后，分别与开发性金融机构、产业投资基金、上下游产业链企业签署战略合作协议，并希望在未来整合股东的金融和产业资源，打造半导体智能装备综合服务平台。

芯成科技分别与国家开发银行深圳分行、芯鑫租赁（深圳）公司、上海半导体装备材料产业投资基金、河南战兴产业投资基金、闻泰科技、光弘科技签署了战略合作协议。国开行深圳分行、芯鑫租赁（深圳）公司将投贷租协同，为芯成科技提供30亿元人民币意向性融资额度。

芯成科技称，未来将整合股东丰富的金融和产业资源，努力打造新一代半导体智能装备综合服务平台。一方面，公司将发挥融资租赁和装备制造企业的高度协同性，以租赁为纽带，搭建与产业内设备使用方之间的桥梁；另一方面，公司将加大研发投入，拓展产品线，提供集成电路装备整体解决方案，并同时积极寻找海内外优质标的，通过合资、技术合作、并购等多种渠道，努力实现跨越式发展。

目前，集成电路的装备和材料是制约行业发展的瓶颈，国产装备的市场占有率不足10%，而深圳是集成电路产业的聚集地，近期更出台了《进一步推动集成电路产业发展行动计划》，计划到2023年将深圳建成具有国际竞争力的集成电路产业集群，芯成科技称，这将为公司扎根大湾区、面向全球发展创造更好的发展环境。

根据台积电的工艺路线图，2020年Q3季度就要试产5nm工艺了，这一代工艺会全面应用EUV光刻技术。除了光刻机之外，蚀刻机也是半导体工艺中不可缺少的一步，在这个领域中国半导体装备公司也取得了可喜的进步，中微半导体的5nm蚀刻机已经打入台积电的供应链。

日前在首届临港新片区投资论坛上，中微半导体设备公司董事长兼首席执行官尹志尧博士提到了该公司的进展，指出中微半导体正在跟随台积电按照摩尔定律的发展走，后者的3nm工艺已经研发一年多了，预计2021年初就要试产。

尹志尧博士表示中微半导体也在跟着这个路线走，目前已经做到了5nm——尹志尧博士创立的中微半导体主要是蚀刻机、MOCVD等设备，它们与光刻机一并被称为半导体工艺三大关键设备，而这里说的5nm指的是用于5nm工艺的等离子蚀刻机。

据介绍，等离子体刻蚀机是芯片制造中的一种关键设备，用来在芯片上进行微观雕刻，每个线条和深孔的加工精度都是头发丝直径的几千分之一到上万分之一，精度控制要求非常高。

半导体工艺的技术水平是由光刻机决定的，所以中微半导体做5nm蚀刻机并不等于能做5nm光刻，但是这个领域的进展依然意义重大，先进的蚀刻机售价也要数百万美元，而且一条生产线要使用很多台蚀刻机，总价值依然不可小觑。

根据中微半导体的2019年上半年财报，该公司1-6月实现营收8.01亿元，同比增长72.03%；归属于上市公司股东的净利润3037.11万元，与上年同期相比扭亏为盈。