DLP®技术助力汽车照明系统升级 德州仪器面向5大应用场景推出新品

DLP®技术助力汽车照明系统升级 德州仪器面向5大应用场景推出新品

由 中代科技评论关闭

随着汽车电子市场迅速崛起，汽车照明系统越来越受业界关注，呈现快速增长趋势，不少厂商正在用半导体技术促进汽车照明系统的发展升级，老牌半导体厂商德州仪器（TI）是主要代表之一。日前，在“2019德州仪器（TI）汽车照明媒体沟通会”上，德州仪器（TI）介绍了其在汽车照明系统领域的多种解决方案。

把DLP®技术带入汽车照明领域

“自从五十年代德州仪器的科学家Jack Kilby先生发明了第一片芯片后，我们就一直处于半导体技术最前沿，今天在电子行业的各个领域都可看到TI的产品。未来，汽车将是TI的重点投资方向。”德州仪器（TI）LED驱动器产品线经理龚松在媒体沟通会上表示。

沟通会上，龚松针详细介绍了其独有的DLP®技术（Digital light processing数字光源处理技术），并针对汽车照明系统的自适应前照灯系统、动态尾灯、个性化内饰照明、定制化小灯和透明车窗显示等五大应用场景，分别介绍了德州仪器（TI）的解决方案和创新产品。

据了解，DLP®技术由德州仪器公司Larry Hornbeck博士于1987年发明并沿用至今。该技术以一种微机电（MEMS）元件为基础，通过其数以百万计的微镜阵列（DMD）以及每秒高达上万次的切换速度，可灵活地进行光的操控。

自DLP®技术发明以来，德州仪器（TI）不断创新并将该技术深入应用到了众多行业，包括显示、工业、医疗、消费电子等领域，如今把DLP®技术带入汽车照明系统领域。据龚松在媒体沟通会上介绍，现在已有车厂有部分车厂发布了采用DLP®技术的汽车产品，并不断探讨如何把DLP®技术应用得更好。

龚松表示，DLP®技术应用于汽车照明系统领域，可实现高精度、高分辨率投影的效果，包括动态地面投影、在透明的车窗上投影信息以及通过前大灯投影斑马线与行人进行交互等多种应用。

据其所言，DLP®技术事实上已超越了客户对于前大灯像素的需求，其卓越的性能甚至可为客户带来当初意想不到的应用，虽然目前该技术更多只用于实现汽车照明系统的基础功能，但它有着更多的可能性等待发掘。

针对五大应用场景推出解决方案

在这次媒体沟通会上，德州仪器（TI）介绍了其针对前自适应前照灯系统、动态尾灯、个性化内饰照明、更亮的定制化小灯和透明车窗显示这五个应用场景的解决方案，其中多个方案采用了DLP®技术。

自适应前照灯系统方面，德州仪器（TI）这次带了TPS92682-Q1与TPS92520-Q1两款最新产品以及TPS9266X-Q1解决方案。

据龚松介绍，TPS92682是双通道的LED controller，最大特点是灵活、易配置，支持各种拓扑结构，还可实现CC或CV输出模式，输入电压范围特别广等。TPS92520-Q1据称是业界首款具有SPI的单片双路同步降压LED驱动器，开关频率达2.2MHz，裸露顶侧焊盘具有更强的热性能；TPS9266X-Q1这款产品叫LED矩阵管理器，可自适应前照灯系统的像素级控制，拥有多达372个具有诊断功能的独立可控像素。

汽车尾灯方面，相较于以实现信号功能为主的传统尾灯，德州仪器（TI）推出了可实现贯穿式尾灯系统的TPS929120-Q1。该芯片是12个通道的LED Drive，每个通道可驱动1-3颗LED，可多颗芯片集连在一起驱动上百颗LED芯片，其新架构可通过非车载支持实现复杂而稳定的动画。龚松透露称，目前该款芯片正处于大量sample阶段，即将量产。

个性化内饰照明方面，德州仪器（TI）推出了三款芯片产品，分别为LMR33630-Q1、TLC6C5724-Q1、LDO TPS7B82-Q1。 

LMR33630-Q1，3A同步降压转换器，功率密度特别大，驱动器负载电流可达3A，输入高达36V；采用HotRod封装，极大地提高了热效，且没有引线、减少了EMC与EMI的干扰。TLC6C5724-Q1，全面诊断RGB LED驱动器，拥有24个独立控制通道，每个通道最大输出电流为50mA，各通道具有7位点校正，拥有全面诊断和故障检测的功能。LDO TPS7B82-Q1，这是一颗300mA的高压超低IQ的LDO，电压输入范围为3V-40V，不但满足通常的运营条件，同时满足在最恶劣的冷启动和启停条件下运行。

更亮的定制化小灯方面，德州仪器（TI）推出了TPS92613-Q1，4.5V至40V单通道线性LED驱动器，直接连在电池和LED上就可驱动，拥有非常精确的恒流输出，既可满足基本功能，亦可提供高端炫酷的功能需求。

透明车窗显示方面，德州仪器（TI）推出了基于DLP®技术的DLP®3034-Q1和DLP®5534-Q1。这两颗芯片均为汽车级认证的芯片，DLP®3034-Q1是DLP汽车0.3英寸405nm数字微镜器件，支持405nm波长照明源、864×480分辨率。DLP®5534-Q1为DLP汽车0.55英寸405nm数字微镜器件，支持1152×576分辨率，1.3兆像素DMD，照明光亮度为DLP®3034-Q1芯片组的3倍。

龚松表示，LED在车厂的应用越来越多、在具体车型上使用LED的数量越来越多是目前可看到的两个趋势，他看好LED驱动市场；至于整车市场，他认为整车市场的需求量受很多因素影响，但半导体在汽车上的应用呈现增长的趋势。

闪存工艺之争再升级 128层3D NAND明年渐成主流

闪存工艺之争再升级 128层3D NAND明年渐成主流

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第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。

市场回暖，闪存业现10.2%正增长

受益于年底购物季到来，消费电子终端厂商提前备货，加上高企的库存被逐渐消化，NAND闪存持续一年有余的市场寒冬终于在第三季度开始转暖。根据集邦咨询的调查，2019年第三季度NAND闪存出货量增长，增长率接近15%，营业收入平均增长10.2%，达到约119亿美元。

几家存储大厂营业状况也表现良好。三星第三季度出货量比第二季度增长10%，由于库存水位表现平稳，因此产品销售单价跌幅也收敛到5%，营收达到39.87亿美元，比第二季度增长5.9%。SK海力士由于第二季度出货大幅增长40%，第三季度出货量略有放缓，环比减少了1%，但是因为销售价格稳定，因此整体营收也比较稳定，达11.46亿美元，环比增长3.5%。至于铠侠虽然此前的四日市工厂断电事故余波仍在，但在整个大市转暖的影响下，营收达到22.27亿美元，季增长14.3%。西部数据第三季度出货量环比增长9%，营收达16.32亿美元，环比增长8.4%。美光第三季度收入增长4.7%，达15.3亿美元。

总之，在年底销售旺季的推动下，加上对库存的消化，NAND市场已经逐渐回暖，整体市况正在向好的方向发展。集邦咨询在对第四季度展望中表示，旺季市场需求回温将有助于各供应商获利表现的改善。

技术之争升级，3D NAND上看128层

技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。随着存储市场由弱转强，处于新旧转换的节点，美光、三星、SK海力士、英特尔等纷纷加大新技术工艺的推进力度，以图通过新旧世代的产品交替克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。目前来看，NAND闪存的技术工艺之争已经推进到了128层。

10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片出样。第四代3D NAND基于美光的RG架构，采用128层工艺，预计2020年开始商用。在“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。

SK海力士也在11月宣布开始出样128层3D NAND闪存产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，SK海力士推出了96层3D NAND产品。

相比而言，三星的动作更快。今年8月，三星即宣布推出首个100+层的新一代3D NAND闪存。 据三星介绍，该产品采用“通道孔蚀刻”技术，使前代96层的堆叠架构增加了约40%的存储单元。同时，三星还优化了电路设计，使其可实现最快的数据传输速度，写入操作的数据传输速度低于450μs，读取速度低于45μs。

从进度表来看，128层3D NAND需要到明年才能大量进入企业存储市场，逐渐成为主流。但是从此亦可看出，存储厂商间的新一轮技术升级之争亦将变得更加激烈。半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换时，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。

追赶国际水平，量产能力是关键

相比国际先进水平，中国存储业有多大差距呢？今年9月，长江存储宣布量产64层3D NAND。长江存储表示，未来将扩大产量，但并没有发布具体扩产计划。有业内人士预估，到明年年底晶圆产量将达到每月6万片的规模，约可占全球产量的5%。

在市场方面，紫光旗下的新华三集团表示将引入紫光存储SSD的产品，应用于其企业级服务器产品中。另有消息人士称，长江存储的NAND闪存已接到其他部分知名企业的订单，如联想计划在其电脑中使用NAND闪存芯片。

尽管有所进展，但中国存储产业仍然弱小。莫大康认为，表面来看，国内企业64层3D NAND与国际大厂128层仅相差两代。实际的差距却并不止此。考量因素不仅包括技术的开发、量产工艺的精进、成品率的提升，也包括市场占有率的扩大等。2020年年底产能能否达到量产6万片/月十分关键，是否能在产能提升的同时提高成品率，产能爬坡速度对企业来说是一个痛点。

技术上从2D到3D的改变，对中国存储业来说是一个难得的发展机遇，但是如何抓住这个机遇仍具挑战。国外资深半导体分析师Mark Li表示：“未来12个月将是关键时期。”

全球前十大IC设计厂商最新营收排名出炉

全球前十大IC设计厂商最新营收排名出炉

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根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院最新调查，第三季受到中美贸易摩擦影响持续，加上华为仍未脱离实体列表，导致部分美系IC设计业者的营收衰退幅度扩大，其中以高通(Qualcomm)最为显著，衰退逾22%。

拓墣产业研究院资深分析师姚嘉洋表示，排名第一的博通(Broadcom)，因主力客户为华为关系企业，在华为仍未脱离实体列表的禁令下，营收受到影响最为明显，已连续三季呈现年衰退，第三季衰退幅度更扩大至12.3%。

排名第二的高通同样受到中美贸易摩擦影响，在华为以自有处理器搭配手机的策略下，持续拉高出货，进一步压缩其他Android手机品牌市占，也直接影响了高通的芯片营收表现。此外，高通亦面临联发科(MediaTek)与紫光展锐(Unisoc)的急起直追，加上智能手机市场仍未进入5G换机需求，导致第三季衰退幅度扩大至22.3%，幅度居前十大业者之冠。

位居第三名的英伟达(NVIDIA)，透过持续控制游戏显卡的库存水位，第三季营收衰退幅度相较前两季已经大幅缩小，约9.5%。

至于超威(AMD)与赛灵思(Xilinx)则是唯二营收成长的美系芯片业者。超威因英特尔CPU缺货问题未解，得以进一步扩大在NB与PC市场的市占，带动第三季营收年成长9%，而赛灵思(Xilinx)则是旗下所有产品线皆有成长表现，包含数据中心、工业、网通、车用等，第三季营收年增率维持11.7%的双位数成长。

排名第七的美满(Marvell)由于近期存储应用需求优于预期，所以今年上半年营收表现亮眼，但第三季由于需求减缓，加上华为亦是Marvell重要的网通芯片客户，在受到实体列表政策影响下，第三季营收较去年同期衰退16.5%。

台系业者中以瑞昱(Realtek)营收表现最亮眼，第三季年增达30.5%，主要由音频、以太网络与电视等产品挹注。联发科在以美元为计算基础下，营收相较2018年同期下滑1.4%；但若以台币计算，则是小幅成长0.3%，主要受惠于智能手机市场表现出色，加上消费性电子需求回温。

综观2019年全年，由于前三大美系IC设计业者表现不佳，全球IC设计产业的产值将呈现衰退。进入2020年，若美系业者能顺利调整营运方向，规避中美贸易摩擦的限制，加上服务器与智能手机等终端产品有望复苏，以及5G、AI发展推升需求，IC设计市场预期将恢复成长。

消息称台积电下一代5纳米制程良率进展超预期

消息称台积电下一代5纳米制程良率进展超预期

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此前台积电7纳米产能题材炒热股市，市场预期明年上半年将淡季不淡，不过如今又有新消息接上，下一代5纳米制程良率进展也超乎预期。

此前就有消息指出，台积电5纳米制程已顺利研发完成，正进入风险试产，且最快明年第1季就量产，但更令人关注的是，良率已达到50%，且目前半导体市场需求超乎预期，未来不排除上看到8万片产能。

台积电表示，采用5纳米制程芯片逻辑密度能再提高1.8倍或降低功耗30%。目前除苹果以外，海思新一代的麒麟1000处理器也传流片成功，还有新AMD Zen4处理器预计也将采用5纳米，未来订单可期，于明年7月就可望大规模量产。

目前台积电各制程产能已纷纷满载，在此状况下，先进制程仍继续维持良好前景，未来竞争力强劲，外资续看好台积电，目标价已提高到新台币350元。甚至连带相关厂商也水涨船高，EUV光罩盒供应商家登近2个月以来，股价飙涨近1.5倍。市场认为，在先进制程订单得以保证下，贵10倍的EUV光罩盒当然也利润可期。

且据中国台湾《经济日报》报导，台积电预期将在5日的年度供应链管理论坛上，号召供应链厂商将重心转移至5纳米制程相关业务，包括应材备品代工厂京鼎、后段湿式制程设备弘塑、晶圆分析的闳康、承包无尘室工程厂汉唐、帆宣；自动化及周边设备的迅得、信紘科等股价也都相当强势。

高通中国董事长孟樸：2020年或没有只支持4G的旗舰手机

高通中国董事长孟樸：2020年或没有只支持4G的旗舰手机

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12月4日消息，今天骁龙技术峰会在夏威夷举行，高通推出两款骁龙5G移动平台和5G模组化平台。高通中国董事长孟樸表示，5G的商用会催生更多的竞争，高通不担心搭载骁龙865芯片的旗舰5G手机发布时间带来的影响。此外，他还表示，中国厂商在2020年很有可能不会再发布只支持4G的旗舰手机。

“5G的出现，我相信智能手机的竞争格局也会改变，不只是有四家大企业在竞争。还会有新的机会。”孟樸表示，高通不担心搭载骁龙865芯片的旗舰5G手机发布时间带来的影响，因为除了华为之外，目前中国市场上的5G手机使用的都是高通的骁龙芯片。

在高通发布骁龙865芯片后，高通在中国的合作伙伴小米和OPPO先后公布将会发布搭载骁龙865芯片的旗舰级5G手机，其中小米10发布时间未定，而OPPO的产品则会在2020年第一季度发布。

而其他两家厂商，华为和vivo在未来的旗舰5G手机上均没有采用骁龙芯片，其中华为的Mate系列5G产品使用的是华为自研的麒麟芯片，而vivo即将发布的X30则采用的是和三星合作研发的Exynos 980芯片。

孟樸还表示，高通正在全力推动毫米波在中国的商用，他预计中国有希望于2021年实现毫米波商用，而北京冬奥会则是毫米波在中国商用的一个重要契机。他还认为，2020年中国手机厂商推出的旗舰手机基本将以5G手机为主，很可能不会再发布只支持4G的旗舰手机。而针对中低端市场，高通将会把5G芯片扩展至6系列，以支持更多的中低端产品可以获得5G网络服务。

上海新阳：ARF193nm光刻胶配套光刻机12月底到货

上海新阳：ARF193nm光刻胶配套光刻机12月底到货

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近日，上海新阳在投资者互动平台上表示，公司用于KRF248nm光刻胶配套的光刻机已完成厂内安装开始调试，ARF193nm光刻胶配套的光刻机预计12月底到货。

上海新阳指出，ARF193nm光刻胶是芯片制造进入90nm铜互联制程后最重要的主流光刻胶产品，一直是国内空白。公司研发该款光刻胶意在填补国内空白，实现芯片制造在关键工艺技术和材料技术的自主可控。经过近三年的研发，关键技术已有重大突破，已从实验室研发转向产业研发。

光刻胶技术作为上海新阳核心战略突破口，上海新阳已经确定在未来5-10年，将集中各种资源，对国内尚属空白的各类高端半导体光刻胶和光刻胶配套材料进行研发，逐步形成公司第三大核心技术-电子光刻技术。

目前，新引进的技术专家团队已到位，各品类研发在正常进行，各项关键技术均有突破。其中，KRF光刻胶配套的光刻机已完成厂内安装开始调试，预计明年上半年开始中试。

闪存工艺之争再升级 128层3D NADN明年渐成主流

闪存工艺之争再升级 128层3D NADN明年渐成主流

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第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。

市场回暖，闪存业现10.2%正增长

受益于年底购物季到来，消费电子终端厂商提前备货，加上高企的库存被逐渐消化，NAND闪存持续一年有余的市场寒冬终于在第三季度开始转暖。根据集邦咨询的调查，2019年第三季度NAND闪存出货量增长，增长率接近15%，营业收入平均增长10.2%，达到约119亿美元。

几家存储大厂营业状况也表现良好。三星第三季度出货量比第二季度增长10%，由于库存水位表现平稳，因此产品销售单价跌幅也收敛到5%，营收达到39.87亿美元，比第二季度增长5.9%。SK海力士由于第二季度出货大幅增长40%，第三季度出货量略有放缓，环比减少了1%，但是因为销售价格稳定，因此整体营收也比较稳定，达11.46亿美元，环比增长3.5%。至于铠侠虽然此前的四日市工厂断电事故余波仍在，但在整个大市转暖的影响下，营收达到22.27亿美元，季增长14.3%。西部数据第三季度出货量环比增长9%，营收达16.32亿美元，环比增长8.4%。美光第三季度收入增长4.7%，达15.3亿美元。

总之，在年底销售旺季的推动下，加上对库存的消化，NAND市场已经逐渐回暖，整体市况正在向好的方向发展。集邦咨询在对第四季度展望中表示，旺季市场需求回温将有助于各供应商获利表现的改善。

技术之争升级，3D NAND上看128层

技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。随着存储市场由弱转强，处于新旧转换的节点，美光、三星、SK海力士、英特尔等纷纷加大新技术工艺的推进力度，以图通过新旧世代的产品交替克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。目前来看，NAND闪存的技术工艺之争已经推进到了128层。

10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片出样。第四代3D NAND基于美光的RG架构，采用128层工艺，预计2020年开始商用。在“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。

SK海力士也在11月宣布开始出样128层3D NAND闪存产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，SK海力士推出了96层3D NAND产品。

相比而言，三星的动作更快。今年8月，三星即宣布推出首个100+层的新一代3D NAND闪存。 据三星介绍，该产品采用“通道孔蚀刻”技术，使前代96层的堆叠架构增加了约40%的存储单元。同时，三星还优化了电路设计，使其可实现最快的数据传输速度，写入操作的数据传输速度低于450μs，读取速度低于45μs。

从进度表来看，128层3D NAND需要到明年才能大量进入企业存储市场，逐渐成为主流。但是从此亦可看出，存储厂商间的新一轮技术升级之争亦将变得更加激烈。半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换时，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。

追赶国际水平，量产能力是关键

相比国际先进水平，中国存储业有多大差距呢？今年9月，长江存储宣布量产64层3D NAND。长江存储表示，未来将扩大产量，但并没有发布具体扩产计划。有业内人士预估，到明年年底晶圆产量将达到每月6万片的规模，约可占全球产量的5%。

在市场方面，紫光旗下的新华三集团表示将引入紫光存储SSD的产品，应用于其企业级服务器产品中。另有消息人士称，长江存储的NAND闪存已接到其他部分知名企业的订单，如联想计划在其电脑中使用NAND闪存芯片。

尽管有所进展，但中国存储产业仍然弱小。莫大康认为，表面来看，国内企业64层3D NAND与国际大厂128层仅相差两代。实际的差距却并不止此。考量因素不仅包括技术的开发、量产工艺的精进、成品率的提升，也包括市场占有率的扩大等。2020年年底产能能否达到量产6万片/月十分关键，是否能在产能提升的同时提高成品率，产能爬坡速度对企业来说是一个痛点。

技术上从2D到3D的改变，对中国存储业来说是一个难得的发展机遇，但是如何抓住这个机遇仍具挑战。国外资深半导体分析师Mark Li表示：“未来12个月将是关键时期。”

联电工艺路线差异化转型持续取得进展

联电工艺路线差异化转型持续取得进展

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近日，业界有消息传出，联电获得三星LSI的28纳米5G智能手机图像系统处理器（ISP）大单，明年开始进入量产。此外，联电还将为韩国AnaPass代工28纳米OLED面板驱动IC、为韩国Magnachip代工40纳米OLED面板驱动IC及80纳米TDDI，这两家公司均是三星OLED面板主要芯片供应商。一系列消息显示，联电自2017年启动的强化成熟工艺市场、实现差异化转型策略正在取得进展。未来，联电的盈利表现将有进一步的提升。

市场转型成功业绩向好

日前，有消息称，联电已争取到了OLED面板驱动IC、整合触控功能面板驱动IC（TDDI）等新订单，包括为韩国AnaPass代工28纳米OLED面板驱动IC、为韩国Magnachip代工40纳米OLED面板驱动IC及80纳米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面板的主要芯片供应商，这意味着联电打入了三星的供应链。

近日，又有消息传出，三星LSI设计专用ISP已在近期完成设计定案，并将在明年第一季度交由联电代工，季度投片量约为2万片。随着三星及其芯片供应链对联电陆续释放出新的28纳米或40纳米订单，联电8英寸及12英寸产能利用率将持续提高，明年第一季度有望达满载水平。

加上联电10月1日完成了对日本三重富士通半导体12英寸晶圆厂的100%并购，让联电在晶圆代工市场占有率突破10％，重回全球第二大厂宝座。淡季不淡，一系列亮眼的业绩表明，联电此前开启的市场转型策略正在取得成效。

2017年7月，联电开始采用共同总经理制，新接任的王石和简山杰进行了重大市场策略调整，逐渐淡出先进制程的较量，转向发挥在主流逻辑和特殊制程技术方面的优势，强化对成熟及差异化工艺市场的开发。上述情况显示，联电专注于成熟及差异化工艺的市场策略正在取得成功。

根据第三季度财报，联电对第四季度业绩展望乐观，包括在5G智能手机中所使用的射频IC、OLED面板驱动IC，及用于电脑周边和固态硬盘（SSD）的电源管理IC等需求回升，加上增加日本新厂的贡献，预估第四季度晶圆出货较上季度增加10％，产能利用率接近90％。预估联电第四季度合并营收将季增10％，可望创下季度营收历史新高。

联电的这一转变也获得了资本市场的认可。摩根斯坦利分析师詹家鸿在7月份的报告中认为，联电“把钱花在了正确的地方”，并上调联电的投资评级等；UBS（瑞银集团）也给予买进评级。

中国大陆市场将成为有力支撑

中国大陆市场对于联电的转型发展也十分重要。根据调研公司Gartner的数据，2019年全球半导体产值为4290亿美元。中国大陆一直是全球最大的半导体市场，约占全球市场需求的1/3。同时，中国大陆存在晶圆制造产能的巨大缺口。集邦咨询报告称，2016—2022年，中国集成电路设计业代工需求本土满足比一直低于40%，并在2018年达到30%的最低点。据集邦咨询测算，若中国市场使用的集成电路中五成在本土制造（含IDM和Foundry，不含存储），到2022年，90nm以上制程制造能力缺口为20万片（合12英寸），28nm~90nm（含90nm，不含28nm）制造能力缺口为15万片，28nm及以下缺口为30万片。

在此情况下，联电对于中国大陆市场非常重视，持续投入中国市场发展。和舰芯片副总经理林伟圣此前接受记者采访时曾表示，联电的发展战略仍是以提升公司整个获利与市占为优先。在中国大陆，联电与厦门市政府及福建省电子信息集团合资成立了联芯集成的12英寸晶圆代工厂。联电在中国大陆也有8英寸厂支持成熟特色工艺。联电将把相关产品做得尺寸更小、功耗更低、性能更高，以满足市场需求。

据了解，因市场需求旺盛，联电苏州和舰8英寸厂、厦门联芯12英寸厂产能都已爆满，供不应求。业界看好中国大陆市场物联网、人工智能、通信、消费电子等需求，预计未来这部分需求将进一步增加，为联电的转型发展提供有力支撑。

魏少军：目前的AI芯片并不是真正的AI，要从架构上突破

魏少军：目前的AI芯片并不是真正的AI，要从架构上突破

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12月3日，一年一度的Imagination Inspire在上海拉开序幕，同期第十代PowerVR图形处理器架构IMG A系列新品推出。会议邀请了业内人士探讨AI芯片发展趋势和方向。清华大学、北京大学双聘教授魏少军出席会议并发表题为“深度学习与智慧芯片-路径与架构”的演讲。

架构创新推动智能化

“将AI芯片的计算能力与人类的计算能力比较，是走了一条错误的路线。与AI芯片相比，人脑的计算能力着实有限。”魏少军表示，在计算能力方面，机器的计算能力远超人类，可比性很小，多样性的适应能力才是最大的差距。人类大脑具备适应多种不同神经网络的功能，这是AI芯片最难完成的功能之一。此外，功耗也让两者产生巨大差距。“人食三餐，就可以适应多样化的神经网络。但是一台装上AI芯片的设备，很可能需要一台发电机为其专有供电，功耗可达2400W。”魏少军说。

“所以，目前的AI芯片并不是真正的AI。”他认为，真正的AI芯片要从架构方面进行突破。目前市场厂商流行的架构包括CPU+SW、CPU+GPU、CPU+FPGA等方式，“但这些都不是AI的理想架构。”魏少军表示，宏观上看，计算、软件、优化、演进、训练是AI芯片的几个重要的架构模块，而在完成这些重要模块的同时，是否可以设计出类似通用CPU独立存在的“通用AI处理器”?如果存在的话，他的架构应该是怎样的?

可重构的神经网络计算架构或许可以给出答案，这是魏少军认为最有可能迎接未来复杂人工智能市场的AI架构。该架构的可重构性和可配置性为AI芯片适应多重神经网络架构提供可能，实现最佳能源效应。通过应用来决定神经网络的选择，实现“定制化AI芯片”，打造可重构的神经网络计算架构“高效能、低功耗”的训练引擎。

“架构创新让AI芯片变得更智慧，让机器模仿人的行为，教机器学会人能做的事情。”魏少军说。

AI芯片发展新增三要素

架构创新带来了AI芯片基本要素发生微妙的变化。

传统上，为了更好的适应算法的演进和应用的多样性，AI芯片首先应该具备一定的可编程性。其次，AI芯片需要适应不同的算法，实现高效计算。因此，架构需要具备一定的动态可变性。“低开销、低延迟”属性也需要AI芯片具备高效的架构变换能力。高计算效率也是AI芯片避免使用指令类低效率的架构的方法之一。“这些是AI芯片应该具备的基本要素。”魏少军说。

但即使具备这些要素，AI芯片依旧“还不够智慧”。“更加智能”的需求带来了架构的创新，由此，类似于“软件定义芯片”可重构的神经网络计算架构等创新带来了AI芯片基本要素的变化。

魏少军表示，架构创新后，AI芯片需要增加学习能力、接受教育并成长的能力。人类差异性的来源是教育和学习，芯片也如此。如果AI芯片可以接受教育并成长，其不可替代性将会逐渐加强。因此，算法和软件的自主演进能力也成为了“智慧AI芯片”新增的基本要素之一。“更加智慧的AI芯片，还需要具备自主认知、自主判断、自主选择和自主决策等基本要素。”魏少军说。

国家集成电路产业战略布局 厦门进入第一梯队

国家集成电路产业战略布局 厦门进入第一梯队

由 中代科技评论关闭

随着日前工信部正式批复同意厦门建设国家“芯火”双创基地，厦门市成为全国第10个获批城市，正式进入国家集成电路产业战略布局的第一梯队，将极大推动厦门市集成电路产业创新集聚发展。而处于集成电路产业链最前端的集成电路设计产业，是产业链上最重要的一环，也是厦门市重点培育的十大未来产业之一。日前，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军接受记者采访，长期以来密切关注着厦门集成电路产业发展的他，为厦门深度剖析发展集成电路设计业的优势与机遇，为厦门市集成电路设计产业的未来发展出谋献策。

产业链布局日益完善

记者:此次厦门将集成电路设计列入十大未来产业，将为产业的转型发展带来哪些契机和重要意义？

魏少军:集成电路设计业是我国集成电路产业链上最重要的环节，承担了发展集成电路产品的主要责任。因此，谁抓住了这一产业，谁就站在了电子信息产业的制高点。随着信息时代的来临，人工智能、物联网、大数据等新兴市场发展迅速，与之相关的集成电路芯片需求将会迎来爆发期。

2006年，我曾作为集成电路领域专家受邀来厦。那时，厦门已开始推动集成电路设计业发展。多年来我一直关注着厦门集成电路产业的发展，对厦门集成电路设计产业的整体感受是:虽然起步不算早，但基础扎实，有活力。

近年来，厦门市对集成电路产业高度重视，集成电路设计产业迎来了快步发展期，产业链布局越来越完善，上下游配套越来越多。厦门把设计业作为未来的重点发展方向具有重要现实意义，对于城市自主创新体系建设以及为我国集成电路产业的发展将起到助力腾飞的作用。

这也是厦门大力发展集成电路产业的契机，厦门市可以依托电子信息千亿产业集群，强力推动集成电路与本地整机联动，提升供应链的安全，打造“中国芯”，为全市的电子信息产业发展贡献力量。

产业有望迈上新台阶

记者:目前，厦门集成电路设计企业数量近百家，拥有紫光展锐等一些过亿规模的企业，也有一批活力四射的中小企业，设计业的年产值在40亿元左右，增速已位居全国前十。若要进一步提升集成电路设计产业的行业地位，您有哪些建议？

魏少军:首先是强链补链。厦门具备发展集成电路产业的良好基础。十多年来，依托火炬高新区、海沧区，规划建设了集成电路产业制造和配套集聚区、设计及关联产业园、大学科技园与人才培养基地等在内的空间载体；围绕联芯等龙头项目，引进了美日先进光罩、世禾清洗等上下游产业链关键项目，初步形成覆盖“芯片设计、制造、封装、测试、装备与材料”较完善的产业链。加大对集成电路设计业的支持力度，可拉动上游的发展、满足下游的需求，增强产业链配套。

与此同时，华南沿海(福建及珠三角地区)是全国四大集成电路产业聚集地之一，厦门是福建省集成电路产业发展的重要承载地之一，在积极发挥其带动作用的同时，应注重与福建省“十三五”规划纳入重点发展建设的其他集成电路产业基地协同发展。与台湾地区隔海相望是厦门发展集成电路产业的重要区位优势，目前集成电路设计业的在厦台企约占全市企业产值的一半左右。要大力加强对台交流与合作，吸引、鼓励台湾优质的集成电路设计企业来厦发展。

今年5月份世界半导体理事会(WSC)在厦门的成功举办，也让世界上重要的半导体企业对厦门留下美好的印象，相信随着厦门集成电路设计业的不断向前发展，厦门集成电路设计产业有望迈上一个新台阶。

优化产业生态系统

记者:产业发展离不开企业这一市场创新主体，在培育与支持集成电路设计企业的发展方面，厦门还可以从哪些方面着手？

魏少军:营造良好的创新创业环境和更有吸引力的投资环境、优化提升产业生态系统。厦门拥有经济特区、自主创新示范区、自贸试验区、对台综合配套改革实验区、海丝核心区等多区叠加的政策优势，可以大力引进产业链上下游相关企业在厦聚集，形成良性循环、同步发展的全产业链的增长擎，积极探索设计企业与上下游关联企业共生关系。

进一步健全及完善公共服务体系。应充分利用以厦门集成电路设计公共服务平台等为主的专注服务集成电路中小企业的国家级公共示范平台，把获准实施“保税研发”的试点平台和享受科技创新进口免税资质的政策用好用足，为企业提供“一站式”全流程服务，解决初创企业发展中面临的难题，让企业能够专注研发、提升技术而无后顾之忧。

要重视企业基础能力的提升，特别是产品设计能力的提升，鼓励企业加大研发投入，这需要政府部门加大支持力度，充分发挥财政资金引导作用，搭建产业与资本对接平台，为企业建立多样化的融资渠道，助力企业做大做强。还可鼓励集成电路设计企业与主流芯片制造厂商合作，特别是本地的芯片制造厂商，可以有效降低集成电路设计业的研发成本，形成本地配套能力，增强竞争力。

同时，也要鼓励集成电路设计企业与主流设备厂商合作，打造超前和独特的工艺技术和工艺流程，形成先发优势。

集成电路是人才和技术密集型的行业，人才的培养引进尤为关键。一是要引得进人，二是要留得住人，在这两方面下功夫，千方百计为集成电路设计人才在厦发展创造条件。同时，提升在岗的集成电路设计人才专业能力水平。这就需要发挥专业集成电路人才培训基地、科研院所的作用，为专业人员提升水平提供途径。

【人物名片】

魏少军，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长，“核高基”国家科技重大专项技术总师，国家集成电路产业发展咨询委员会委员，清华大学微纳电子学系主任、微电子所所长，(美国)电气和电子工程师协会会士(IEEEFellow)，是我国集成电路设计领域的著名学术带头人和领军者，致力于超大规模集成电路设计方法学的研究和可重构计算芯片技术研究。

【名词】

集成电路设计产业