深天马:抢占5G时代先机,助推全球首款LTPS前置双摄5G新机上市

深天马:抢占5G时代先机,助推全球首款LTPS前置双摄5G新机上市

11月26日,华为荣耀旗下首款5G旗舰荣耀V30系列正式发布。据悉,荣耀V30采用了深天马出品的6.57英寸双盲孔LTPS Incell屏幕。

荣耀V30在外观上大幅提升,将此前的“魅眼全视屏”升级为双摄设计,成为荣耀旗下首款前置双摄的旗舰新机。V30从用户自拍角度出发,可支持超广角自拍、自拍人像超级夜景、多人合影矫正边缘人像畸变,全方位满足用户使用前置摄像头需求。

技术方面,双盲孔LTPS Incell屏幕采用超小的跑道型挖孔屏设计,运用盲孔技术在屏幕中开孔。盲孔技术的优势在于让屏幕的开孔孔径更小,从而使得屏幕的占有率更高,拥有更震撼的视觉效果。在容纳提供3200万高清摄影镜头与800万超广角双摄的情况下,升级为双摄机型也对盲孔良率提出了更高的考验。设计上,椭圆形的前置双摄位于屏幕左上方,手机应用与屏幕完美适配,系统UI也对开孔部分进行了优化遮蔽,最大限度降低其对屏占比和视觉体验的影响之余,通过双摄带来了更出色的自拍体验。

在独具特色的双盲孔设计的基础上,深天马对出品屏幕也进行了精细打磨:分辨率达到了FHD+级别,为2400×1080。屏幕比例20:9,屏占比达到了91.46%,视觉冲击力极强。值得一提的是,双盲孔LTPS Incell屏幕的色域值高达NTSC 96%,拥有16.7M色深,支持DCI-P3色域,在显示效果上精准突出色彩的层次感,并且能够通过色温、亮度和灰度控制等进行参数调节,在视频播放与电子书阅读方面获得专业逼真的显示效果。此外,该款屏幕还获得了莱茵低蓝光认证,意味着显示产品的性能与用户健康之间已取得了一个适当的技术平衡点,画面不会因颜色偏黄失真,也不会因为高能量可见蓝光的释放量增加而伤害眼睛健康。

除超清双摄魅眼大屏外,荣耀V30作为业内第一款全系5G双模手机,相比于大部分单模5G手机,在5G速率、低时延、场景应用等方面都具备极大的优势。而荣耀总裁赵明早在9月时就强调,荣耀V30将是年度5G手机爆款。

研究报告显示,5G商用元年为消费者提供了卓越联接体验的同时,预计5G手机的出货量将大幅提升,终端供应链企业也会迎来较大的业绩弹性。参照4G手机的渗透过程,2014年1月至12月,国内4G手机单月出货占比由10%迅速提升至70%。预期随着5G手机的逐步渗透,类似于深天马的5G终端供应链企业或将受益。

【MTS2020】DRAMeXchange刘家豪:IT基础架构转型现商机 服务器内存市场崛起?

【MTS2020】DRAMeXchange刘家豪:IT基础架构转型现商机 服务器内存市场崛起?

在讨论IT基础架构转型之前,刘家豪简要阐述了内存与终端市场概况。他表示,数据中心的需求从终端装置转移向云端、再至边缘运算,数字化转型、企业服务器上云等使得数据中心逐渐茁壮成长。2020年后,数据中心的建设增速将会减缓,5G概念形成及其相对的应用如工业物联网、车联网等将把5G和边缘运算推向落实境地。

2008年之前,PC/NB带动了整个存储器市场发展;2012年,智能终端装置的普及带动市场进入行动式内存新纪元,同时也推动了数据中心的需求,尤其在经历2012年-2016年的涨价后,美国及中国BAT在数据中心的建设上非常积极,把整个原厂投产计划导入Server DRAM市场。2020年后,Server DRAM将迎来结构性转型,边缘运算的节点将逐渐落实。

回顾整个DRAM市场,刘家豪指出,随着数字化转型及数据中心落实驱动,2019年Server DRAM投产比重已超过三成,是原厂目前最着重的领域之一。据其大胆预测,5G落地后,Server DRAM的投产比重会与行动式内存并驾齐驱,整个产出量预计将于2025年达到高峰,有望上升至接近四成。

接着,刘家豪从算力、应用以及整体架构的差异等方面分析了IT基础架构转型面临的商机与挑战,并展望了2020年服务器内存市场发展。

算力方面,刘家豪认为市场对计算性能要求提升,服务器迈向云端连结。2008年之前主要是功能型运算,需要处理的工作非常简单;2012年后,随着联网需求的增加、产业形态的改变、数字化转型的落实等,应用连结越来越重要且复杂、IDC逐渐普及;2020年后,未来车联网、物联网等关键性应用的实现,需要服务器架构的改变,即HPC+cloud概念,其未来服务器算力将更加集中化,外围环绕的是边缘运算节点,处理的是及时、非重要信息,例如自动驾驶的安全性上需要信息的快速传递,这将是未来的新商机。

从应用端看,2020年之前是云对终端装置的连接,2020年之后将多了雾计算或边缘运算,未来的趋势将是传统边缘计算和雾计算的逐渐融合,产品将强化IoT结构中各节点其目标类别是云下各层的解决方案,例如智能设备、工业控制、传感器、网关、边缘服务器等,其中解决方案最主要的两个指标就是Edge Server和Edge Gateway。

从硬件规格看,Edge可根据数据中心的远近分为三类:Far Edge、Mid-near Edge、Near Edge。目前已有阿里巴巴、腾讯等国内企业和谷歌等国际大厂介入Edge市场,单从规格分析,市场上目前提供Edge解决方案最齐全的是英特尔,分别对数据中心提供了双通道、双插槽、四插槽解决方案,对于远到近的Edge分别提供两插槽、四插槽甚至SOC解决方案。

全球目前有非常多的数据中心,数据中心建设主要集中在2016年-2018年,2019年由于中美贸易问题等因素,新增节点开始变缓。刘家豪预估,2020年的市场状况可能会较2019年要好,服务器市场明年呈现较好的成长状况,数据中心的建设大部分是集中在亚太区例如新加坡、中国香港以及中国台湾等地。

2019年-2020年中国区服务器的使用量有所增加,但受到中美贸易摩擦影响,2020年增幅下降,但使用量仍有微幅增加;刘家豪认为,2020年之后,中国在5G的推动上较美国来得更快,这将使得中国的市场份额在2025年后超过30%。

Server DRAM市场方面,刘家豪预计三星、SK海力士和美光三大供应商的Server DRAM供应比例将增加,尤其到2025年将达到高峰,这将压缩一部分PC DRAM、Mobile DRAM的市场。由于PC单元需求下降,PC DRAM在DRAM总输出中所占的份额较小,但明年Mobile DRAM将仍然是每个公司产品组合中最大的细分市场。

从供需情况分析,2016年DRAM迎来反转时期,尤其在2016年下半年,中国手机市场OPPO和vivo备货动作非常强劲,带动了一批成长,随后中国BAT和北美的四大数据中心的需求增加,DRAM持续火热,致使终端客户因担心缺货而加大备货力度,2019年初许多终端客户的库存远高于2016年。

目前,内存价格已历经数个季度的下跌,原厂明确表示明年的资本支出会大幅减少,加上在手库存,所以明年预计Q2价格将有所反转。整个供需来看,刘家豪认为明年平均的供应还能达到8成,原厂通过合理的供给调配,价格涨幅也将有所控制。

刘家豪最后指出,目前服务器DIMM 2018年-2019年的主流配置还是2666Mbps,2020年~2021年将达到2933~3200Mbps。2933Mbps已没有明显价差,预计到明年之后会逐渐恢复供应,其供应比重会随着新平台的投产而大量导入,目前3200Mbps与2600Mbps、2933Mbps仍有5%-7%的价差。

PS:本次峰会集邦咨询分析师演讲讲义现已对外分享,如有需要请关注“全球半导体观察”微信公众号并回复分析师名字即可领取,如“刘家豪”、“郭祚荣”、“叶茂盛”。同时,欢迎识别下方二维码或在微信公众号回复”峰会”观看峰会完整视频回放。

打造智能科技创新园 紫光联合体66.09亿竞得海淀区稀缺用地

打造智能科技创新园 紫光联合体66.09亿竞得海淀区稀缺用地

北京市规划和自然资源委员会官网显示,12月2日,北京市海淀区学院路北端宗地招标出让获得成交,而地块竞得人为紫光集团联合体。

资料显示,该地块竞得人为紫光集团有限公司(以下简称为“紫光集团”)、紫光股份有限公司(以下简称为“紫光股份”)、紫光国芯微电子股份有限公司(以下简称为“紫光国微”)和北京紫光科技服务集团有限公司(以下简称为“科服集团”)联合体,最终成交价格为66.09亿元。

根据紫光国微11月9日曾发布公告称,参与海淀区学院路北端宗地投标,以打造“北京智能科技创新园”。

紫光国微指出,未来联合体中标后,公司拟与紫光集团、紫光股份和科服集团共同出资设立一家名为“北京紫光智能科创有限公司(暂定名)”的项目公司。公告显示,该项目公司拟注册资本为5亿元,其中紫光集团认缴出资3.55亿元,持股71%,紫光股份认缴出资9500万元,持股19%,紫光国微和科服集团各出资2500万元,分别持股5%。

公示信息显示,该地块建设用地面积为7.06万平方米,含约1.5万平方米公交场站用地;总地上建筑规模为28.55万平方米,含约7000平方米公交场站地上建筑规模。该地块用地性质为B4综合性商业金融服务业用地、B23研发设计用地;准入产业类型包括人工智能、集成电路、云计算、大数据。出让年限为商业40年、办公50年。

紫光国微表示,本次联合投标的土地为北京市海淀区稀缺办公用地,拟建设的“紫光全球智能科创总部”项目将成为紫光产业核心聚集区,是紫光的全球总部及人工智能、集成电路、云计算和大数据等的研发中心。

联电宣布22纳米特殊技术成熟 28纳米设计可无痛转移

联电宣布22纳米特殊技术成熟 28纳米设计可无痛转移

联华电子2日表示,在使用USB 2.0测试载具并成功通过硅验证之后,正式宣布更先进的22纳米制程技术就绪。

联电表示,相较于一般的USB 2.0 PHY IP,使用联电制程的测试载具所使用面积是全球最小,已展现联电技术的成熟,且新的芯片设计若要采用22纳米制程,并无需更改现有的28纳米设计架构,客户将可放心地的直接从28纳米制程转移到22纳米。

联电强调,将致力于提供世界领先的晶圆专工特殊技术,并持续推出特殊制程,以应用于快速成长的5G、物联网和车用电子等芯片市场。与原本的28纳米高介电系数/金属栅极制程相比,22纳米能再缩减10%的晶粒面积、拥有更好的功率效能比,以及强化射频性能等特点。

另外还提供了与28纳米制程相同光罩数的22纳米超低功耗版本(22ULP),以及22纳米超低泄漏版本(22ULL),将支援0.6~1.0伏特电压,协助客户在系统单芯片设计中同时享有两种技术优势。

日前联电已与ASIC设计服务商智原在22纳米制程平台上合作推出基础元件IP支援,是市场上需防漏电或长期续行的产品,如机顶盒、数字电视、监视器、穿戴式装置等物联网芯片的理想选择。

目前应用22ULP/ULL制程的基础元件IP已具备进阶的绕线架构,多样的IO元件库包括通用IO、多重电压IO、RTC IO、OSC IO和类比ESD IO,且存储器编译器还具有双电源轨功能、多重省电模式、和读写辅助功能等特色。

十铨明年续攻工控电竞 营运仍看好

十铨明年续攻工控电竞 营运仍看好

存储器模组厂十铨科技总经理陈庆文表示,上半年随景气波动获利虽受影响,但整体营运动仍维持正常,今年公司目标以扩充市场规模为首要,宁可降低利润,亦抢攻全球市占率。明(2020)年根据数据研究机构发表的报告,产业循环有望转向上,十铨将努力提昇市占率及产品线,突破集团营运目标。

陈庆文表示,今年第三季产业供应因5G等相关应用逐步浮上台面,各项基础建设,包括服务器、基站、边缘运算设备等,及5G手机对DRAM及NAND Flash 已可预期备货需求。

在DRAM方面,智能手机、服务器、5G商转,全球明年存储器需求将达17.5%,存储器需求只会增加不会减少,因此,十铨也将不断深化品牌竞争力,加强全球代理、经销商合作,对产品坚持。

此外,在NAND Flash方面,陈庆文则表示,明年全球电竞市场仍蓬勃,十铨持续拉升电竞事业比例,整体营运占三分之一以上,销售量已经超越标准品,整体资源将更聚焦电竞与工控团队发展。亦SSD随NAND Flash制程演进,容量明年起入门将从240/256GB等级起跳,十铨看好价格将让SSD的普及率及搭载的容量呈现倍增。

展望未来市况,陈庆文指出,明年因应产品、业务扩充需求,已进行第一次资本市场发行可转债进行筹资,十铨将持续善用优势,透过研发实力,持续扩大消费性存储器、消费性储存、电竞、行动设计及工控、系统整合产品的销售,扩大营收、创造获利机,将力拼逐季成长态势。

10亿美元!苹果完成收购英特尔智能手机调制解调器业务

10亿美元!苹果完成收购英特尔智能手机调制解调器业务

早在7月份,苹果就宣布以约10亿美元收购英特尔智能手机调制解调器业务。今天,英特尔宣布,它已经完成了向苹果出售其智能手机调制解调器业务。

英特尔首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)在7月份的公告中说:“该协议使我们能够专注于为5G网络开发技术,同时保留我们团队已创建的关键知识产权和调制解调器技术。我们长期以来一直很尊重苹果,我们有信心苹果可以为这个才华横溢的团队以及不断发展的重要资产提供合适的环境。我们期待着全力投入5G,使其最贴近我们全球客户群的需求,包括网络运营商,电信设备制造商和云服务提供商。”

苹果公司硬件技术高级副总裁约翰尼·斯鲁吉(Johny Srouji)表示:“我们已经与英特尔合作了很多年,并且知道该团队与苹果公司一样热衷于设计能够为用户提供世界最佳体验的技术。有这么多优秀的工程师加入我们不断壮大的蜂窝技术团队,苹果感到很高兴,他们将在苹果提供的创意和动态环境中蓬勃发展,加上我们对创新IP的大量收购,将有助于加快我们对未来产品的开发,并使苹果进一步向前迈进。”

目前,苹果公司依靠高通公司为iPhone提供4G LTE和5G调制解调器。通过此次收购,苹果计划在2021年开发自己的iPhone智能手机调制解调器。

北京市委书记蔡奇:努力打造世界一流的集成电路设计产业园区

北京市委书记蔡奇:努力打造世界一流的集成电路设计产业园区

昨天下午,北京市委书记蔡奇到海淀区中关村集成电路设计园调查研究。他强调,要认真贯彻党的十九届四中全会精神,站在加快建设创新型国家高度,进一步完善科技创新体制机制,优化环境,集聚资源,加大研发力度,抢占未来发展先机,努力打造世界一流的集成电路设计产业园区。

中关村集成电路设计园是北京市集成电路产业的重要承载平台,开园一年来,吸引了比特大陆、兆易创新、兆芯等数十家头部企业进驻,年产值240亿元,占北京市集成电路设计领域的42%,聚集了一批行业领军人才。蔡奇详细了解集成电路产业发展情况,走进企业察看技术研发成果。中庆现代公司作为芯片应用企业,研发了具有自主知识产权的集成电路主板,助力智慧教育。

蔡奇在园区座谈时指出,北京正在以“三城一区”为主平台建设全国科技创新中心。各类高新技术产业园区对于营造良好创新生态,带动高精尖产业发展至关重要。好的园区要有头部企业,产生聚集效应;要有优秀设计人才,打造人才聚集高地;要有政策支持,扶持引导战略性产业发展;要有贴心服务,培养优秀的运营服务团队,用好公共科技创新服务平台。

蔡奇指出,集成电路产业是战略性、基础性产业。要强化科技攻关,以头部企业和独角兽企业为引领,着力破解设计领域“卡脖子”问题,努力产出一批核心技术自主可控的设计工具;用好中关村芯园设计服务平台,降低企业研发成本;支持设计企业成果转化落地,支持重点企业在5G、人工智能和区块链等新兴领域加紧布局,发挥带动作用。要聚集高端人才,引导校企之间建立人才精准对接和联合培养机制;加大人才引进力度,创新政策,让各类人才能在北京留下来。

蔡奇要求,进一步优化营商环境,提高园区综合服务能力,增强对高端企业和项目吸引力。把握科创板、新三板机遇,支持符合条件企业上市融资,鼓励和支持集成电路设计企业并购重组、做大做强。引导“耐心资本”投入,发挥续贷中心作用。当好服务管家,解决企业反映的合理诉求。加强商业配套建设,提高工作生活便利性。中关村管委会要加强指导,海淀区要落实属地责任,进一步创新管理体制,加强配套保障。引导园区设计企业与集成电路制造企业协调联动。

填补江西半导体晶圆生产线空白!200亿元芯片项目落户赣州

填补江西半导体晶圆生产线空白!200亿元芯片项目落户赣州

近日,赣州经开区成功举行名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目签约仪式,与名芯有限公司(香港)、电子科技大学广东电子信息工程研究院正式签订功率芯片项目投资合同。

据赣州经开区微新闻报道,名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目由名芯有限公司(香港)、赣州经开区管委会、电子科技大学广东电子信息工程研究院共同投资,项目总投资约200亿元,用地550亩。

据了解,该项目共分两期建设:项目一期建设一条8英寸0.09-0.11μm功率晶圆生产线,投资约65亿元(其中进口晶圆制造设备约36亿元、厂房约15亿元),目标产能8万片/月,目标年产值40亿元;项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线,投资约140亿元,项目整体达产达标后年产值过百亿元。

项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等,覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。项目建成后,将填补全省半导体晶圆生产线空白,也是全市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。

赣州市委常委、赣州经开区党工委书记李明生表示,赣州经开区是赣州“赣粤电子信息产业带”的核心区和龙头,规划建设了总面积32.5平方公里的电子信息产业园,推进了一大批项目投产达产,已具备较好的产业发展基础和较完备的产业链条。

海太半导体与SK海力士三期合作签约

海太半导体与SK海力士三期合作签约

近日,海太半导体与韩国SK海力士三期合作意向书签约仪式在无锡举行。

自2004年在无锡建成投产以来,经过十五年的发展,SK海力士已发展成为江苏省单体投资规模最大、技术水平最高、发展速度最快的外资投资企业。

而海太半导体是由无锡市太极实业股份有限公司和韩国SK海力士株式会社合资成立的半导体封装测试企业,注册资本1.75亿美元,总投资4亿美元。海太半导体自2009年11月10日正式成立以来,经过十年的稳步发展,已成为国内知名半导体封装测试企业,并逐步发展成为全球封装测试产业一股重要的新兴力量。

据无锡国家高新技术产业开发区报道,海太半导体通过产品结构优化,产线技术升级等多项措施,单月封装能力已超过12亿Gb容量,全年产能约占全球DRAM封装测试产能的13%。此次签约标志着双方将在DRAM封装领域继续保持稳固的战略合作伙伴关系,加强优势互补,促进互利共赢。

无锡市政府副市长、高新区党工委书记、新吴区委书记王进健表示,无锡高新区将进一步深化与SK海力士多方面、多领域的合作,全力推动SK科技园、学校、医院、基金等项目的进展,继续为SK海力士在锡发展创造最佳的营商环境、提供最优的政府服务,推动SK海力士在锡做大做强。

填补江西半导体晶圆生产线空白!200亿元芯片项目落户赣州

填补江西半导体晶圆生产线空白!200亿元芯片项目落户赣州

近日,赣州经开区成功举行名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目签约仪式,与名芯有限公司(香港)、电子科技大学广东电子信息工程研究院正式签订功率芯片项目投资合同。

据赣州经开区微新闻报道,名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目由名芯有限公司(香港)、赣州经开区管委会、电子科技大学广东电子信息工程研究院共同投资,项目总投资约200亿元,用地550亩。

据了解,该项目共分两期建设:项目一期建设一条8英寸0.09-0.11μm功率晶圆生产线,投资约65亿元(其中进口晶圆制造设备约36亿元、厂房约15亿元),目标产能8万片/月,目标年产值40亿元;项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线,投资约140亿元,项目整体达产达标后年产值过百亿元。

项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等,覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。项目建成后,将填补全省半导体晶圆生产线空白,也是全市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。

赣州市委常委、赣州经开区党工委书记李明生表示,赣州经开区是赣州“赣粤电子信息产业带”的核心区和龙头,规划建设了总面积32.5平方公里的电子信息产业园,推进了一大批项目投产达产,已具备较好的产业发展基础和较完备的产业链条。