再下一城!华为哈勃投资常州富烯 持股10%

再下一城!华为哈勃投资常州富烯 持股10%

6月18日,据最新工商数据显示,华为旗下的哈勃投资新投资了常州富烯科技股份有限公司,持股比例为10%。

据悉,常州富烯科技股份有限公司于2014年12月成立,经营范围为碳材料、导热材料及其器件、电磁屏蔽材料及其器件、吸波材料及其器件、隔热材料及其器件、导电材料及其器件、热交换器件、电子辅材的研发、生产、加工及销售。

而此前,常州富烯自主研发的石墨烯导热膜早已成功进入华为等国内顶尖手机厂商的供应链体系。华为自研的全新的“石墨烯液冷散热”方案为旗下手机提供了强大的散热功能,常州富烯科技股份有限公司为该方案的材料提供商。

值得关注的是,常州富烯是华为哈勃投资的第11家公司,根据对外公开的消息,此前哈勃投资的10家国内企业分别为:新港海岸、山东天岳、裕太车通、鲲游光电、深思考、好达电子、杰华特微电子、庆虹电子、思瑞浦、纵慧芯光。

应勇王晓东与雷军、赵伟国交流:做大做强“芯屏端网”产业!

应勇王晓东与雷军、赵伟国交流:做大做强“芯屏端网”产业!

6月17日,湖北省委书记应勇和省委副书记、省长王晓东与小米集团创始人、董事长兼CEO雷军,紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国分别座谈交流。

当好“店小二”,做到“十必须十不准”,

支持包括小米集团、紫光集团在内的广大企业在鄂加快发展

应勇代表省委省政府和湖北人民感谢小米集团、紫光集团对湖北抗击疫情和疫后重振的大力支持。

他说,湖北区位、产业、科教、要素、市场优势明显,当前,在严格落实常态化科学精准防控前提下,正加快推进生产生活秩序全面恢复,推动疫后重振和高质量发展。

雷军董事长一直心系湖北、情系家乡,欢迎小米集团继续加大在湖北投资布局力度,我们全力支持小米武汉第二总部建设,大力拓展小米创新生态链。

国家存储器基地项目是湖北、武汉的重大战略项目,技术领先、前景广阔,希望紫光集团立足武汉、深耕湖北,在保持技术研发领先优势的同时,加强市场开拓,扩大产能规模,推动项目一期尽早达产和项目二期加快建设。

我们将持续优化营商环境,当好“有呼必应、无事不扰”的“店小二”,做到“十必须十不准”,支持包括小米集团、紫光集团在内的广大企业在鄂加快发展,实现合作共赢。

小米集团将进一步扩大在湖北投资,

把武汉第二总部建成超大规模研发总部

雷军向湖北人民、武汉人民深表敬意。他说,小米集团坚定不移看好湖北、看好武汉,将进一步扩大在湖北投资,把武汉第二总部建成超大规模研发总部,在新基建、公益扶贫、农产品线上销售等方面持续加大力度,助力湖北疫后重振和高质量发展。

紫光集团将抢抓中央支持湖北一揽子政策机遇,

为湖北“芯屏端网”产业大发展作出新贡献

赵伟国表示,紫光集团将抢抓中央支持湖北一揽子政策机遇,集中资源优势,加快项目建设进度,不断提升管理效益,尽快达产见效,发挥紫光集团从“芯”到“云”的产业链优势,为湖北“芯屏端网”产业大发展作出新贡献。

强链补链,杭州高新区(滨江)集成电路产业逆势增长

强链补链,杭州高新区(滨江)集成电路产业逆势增长

浙江集成电路产业再添新成员。近日,紫光股份5G网络应用关键芯片及设备研发项目正式落户杭州高新区(滨江)。该项目将进一步提升杭州高新区(滨江)在5G芯片和相关设备方面的研发和制造能力,助力集成电路产业集群式发展。

杭州高新区(滨江)是国家最早批准的7个国家级集成电路设计产业化基地之一,列入国家规划布局内重点软件和集成电路企业33家,占全省比例达72.7%。虽然设计和封测能力较为突出,但滨江区在集成电路产业的制造环节存在短板。今年以来,该区引导企业发挥芯片设计和制造的牵引作用,围绕强链补链激发“芯”动能,大好高项目纷至沓来,1月至4月,集成电路产业利润总额同比上涨24.8%,出口同比上涨25.5%。

进一步提升设计和测试能力,做强产业链。据了解,杭州高新区(滨江)集成电路产业在封测和设计领域,一直处于全国领先地位:杭州长川科技是国家集成电路产业基金布局的第一家集成电路封装测试设备公司;华为杭州研究所通过协同遍布全球的研发中心,一起攻关研发了鲲鹏所有处理器指令集以及鸿蒙操作系统。今年以来,杭州高新区(滨江)积极推进双招双引,浙江省鲲鹏生态创新中心、杭州长光产业技术研究院、杭州中科国家技术转移中心、国家数字服务出口基地先后落户,进一步集聚了优质集成电路创新资源,增强了创新引领发展的源动力。

补齐芯片制造短板,加快补齐产业链。今年3月,富芯半导体项目在杭州高新区(滨江)富阳特别合作区正式落地。项目总投资400亿元,将生产面向汽车电子、人工智能、移动数码、智能家电及工业驱动的高功率电源管理芯模拟芯片。建成后将成为浙江省最先进的模拟芯片制造工厂,补齐杭州高新区(滨江)芯片制造短板。

搭建高能级创新服务平台,引导企业实现“芯机联动”。依托国家集成电路设计杭州产业化基地杭州国家“芯火”双创基地,该区加快引导区内企业开发整机应用,形成国内领先、较为完善的“芯片—软件—整机—系统—信息服务”产业生态体系,提升区域内集成电路产业乃至相关整机产业的核心竞争力。

打入中芯国际14纳米供应链 这家公司科创板IPO过会

打入中芯国际14纳米供应链 这家公司科创板IPO过会

6月16日,上海证券交易所科创板股票上市委员会2020年第44次审议会议召开,会议结果显示,同意上海正帆科技股份有限公司发行上市(首发)。

资料显示,正帆科技成立于2009年,总部位于上海市,是一家致力于为泛半导体(集成电路、平板显示、光伏、半导体照明等)、光纤通信、医药制造等行业客户提供工艺介质和工艺环境综合解决方案的高新技术企业。正帆科技的主营业务包括:(1)气体化学品供应系统的设计、生产、安装及配套服务;(2)高纯特种气体的生产、销售;(3)洁净厂房配套系统的设计、施工。

从业绩来看,在过去几年中,正帆科技业绩保持着高速平稳增长,2017-2019年,其营收分别为7.07亿元、9.21亿元、11.86亿元,相对应归属于母公司所有者的净利润分别为3051.63万元、6003.35万元、8302.28万元。

近年来,正帆科技在工艺介质供应系统业务中逐渐向集成电路、平板显示等技术壁垒更高的领域迈进,并在与诸多国内外竞争对手竞争中脱颖而出,与国内外知名企业达成合作。

在客户群体方面,正帆科技的客户主要包括中芯国际、京东方、三安光电、亨通光电SK海力士、德州仪器、上海新昇、重庆超硅、惠科集团等。截至目前,中芯国际和京东方为其重要的两大客户。值得一提的是,正帆科技已成功打入大陆领先的中芯国际14纳米制程Fab厂的供应链体系,并为其提供特气、大宗气体相关设备及系统服务。

据招股说明书(上会稿)显示,正帆科技此次拟发行新股不超过6,423.5447万股,占发行后总股本的比例不低于25%,拟募资4.42亿,其中0.81亿用于用于新能源、新光源、半导体行业关键配套装备和工艺开发配套生产力提升项目,1.82亿用于超高纯砷化氢、磷化氢扩产及办公楼建设项目,另外1.8亿用于补充流动资金。

正帆科技表示,从行业的整体发展趋势看,目前中国正处于制造业转型升级的阶段,以集成电路为代表的战略性新兴产业在国内得到快速发展,公司将充分利用行业发展契机,立足于原有优势业务的基础上,优化自身技术实力,聚焦于提升气体及化学品全流程服务的能力,扩大产品线和经营规模,增强行业竞争力。

中兴通讯:7nm芯片已实现5G商用 5nm芯片正在技术导入

中兴通讯:7nm芯片已实现5G商用 5nm芯片正在技术导入

6月17日,中兴通讯在互动平台表示,公司具备芯片设计和开发能力,7nm芯片规模量产,已在全球5G规模部署中实现商用,5nm芯片正在技术导入。

中兴通讯总裁徐子阳曾表示,随着5nm芯片的导入和持续的技术进步,未来会带来功耗与重量每年持续超20%的降低。

今年4月24日,中兴发布了2020年第一季度财报,今年一季度营业收入为214.48亿元人民币,低于市场预期的225.03亿元,同比下降3.23%。

过去三年来,中兴通讯每年用于研发的资金高达121亿元,但并未快速转化成盈利。中兴通讯执行副总裁、首席运营官谢峻石此前曾表示,中兴需更快速将技术领先转化成市场领先,从而提升利润水平,公司已在做相应调整。

他还指出,在重要的芯片供应中,公司在芯片研发设计能力上是全流程覆盖的。最早架构设计、仿真、前端设计、后端物理实现、封测设计、封装测试和相应芯片未来失效分析等,全生命周期都可以实现研发设计。这是行业中绝对领先的地位。

半导体将拥抱2nm时代

半导体将拥抱2nm时代

目前,推动半导体行业发展的方式主要有两种,一个是尺寸缩小,另一个是硅片直径增大。由于硅片直径增大涉及整条生产线设备的更换,因此目前主要发展路线是尺寸的缩小。除此之外,利用成熟特色工艺及第三代半导体材料改进半导体产品的性能也被企业大量采用,这将开辟摩尔定律的另一片新的天地。

台积电、三星角力先进工艺

据悉,台积电3纳米工厂已经通过环境评测,依据原定时程,全球第一座3纳米工厂,可望在2020年动工,最快2022年年底量产。

此外,由于三星在台积电之前抢先公布它的3纳米将采用环栅FinFET的纳米片结构,两家3纳米制程战争一触即发。另有消息报道,台积电仍沿用升级版的FinFET架构,可能采用迁移率更高的材料,而非环栅纳米片结构。

两家在不同的工艺与架构问题方面各自大作文章,其中的关键是要找出性能瓶颈之所在,然后以最具成本效益的方式使用最佳工具来分别解决这些瓶颈。无论是I/O、内存接口还是过热的逻辑块,系统的运行速度都只能与该系统中最慢的组件一致。

其实,先进封装也是解决方案之一。在某些情况下,前道工艺的每一节点的进步都可能需要一个完全不同的体系结构与之配合。它可能是更多的软硬件协同设计,与整个设计优化为一个系统。如果有一种一致的方法来描述这些设备并将它们连接在一起,那么釆用chiplet等方法可以更节省时间。

目前至少有六种主流的芯片/小芯片组合方式,还有更多的正在进行中,不难想象每个芯片供应商会根据价格、功耗、性能甚至地区标准快速地提供定制解决方案。因此,虽然应用于高性能计算(HPC)及5G开发的芯片可能需要最新的2nm制程,但是与它配套的可能是16nm的SerDes、28nm电源模块和40nm安全芯片等,同时它们将集成在一体。

成本是关键因素

在半导体行业中,成本因素是非常关键的。有数据显示,7nm工艺的研发费用需要至少3亿美元,5nm工艺平均要5.42亿美元,3nm、2nm的工艺起步价大约在10亿美元左右。

据最新的消息,台积电原定于2020年6月试产的3nm工艺芯片,由于疫情原因可能将推迟到10月。台积电3nm工艺的总投资高达1.5万亿元新台币,约合500亿美元。目前在建厂方面至少已经花费200亿美元,可见投入之庞大。

近日台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,它的晶体管密度达到了前所未有的2.5亿个/mm2。与5纳米相比,功耗下降了25%~30%,并且功能提升了10%~15%。

台积电重申,从7nm到5nm,再到未来的3nm,每一个节点都是全节点的提升。这不同于竞争对手的每一个节点都仅是部分性能的优化,并非全节点的性能提升。因此对于未来3nm制程方面的竞争,台积电是信心满满。

台积电还谈到2nm工艺技术进展,公司采用FinFet第六代技术平台开发3nm技术的同时,也已开始进行2nm制程技术研发,并针对2nm以下技术进行探索性研究。

对于极紫外光(EUV)技术,要减少光刻机的掩膜缺陷及制程堆叠误差,并降低整体成本。台积电表示,今年在2nm及更先进制程上,将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

半导体尺寸缩小远非有EUV光刻机就能实现的。严格地说,到3nm时,可能釆用现有的FinFET架构也无法达到,需要从器件的架构、工艺变异、热效应、设备与材料等方面综合解决。

由于HPC及5G等市场的需求,半导体业向3nm过渡已成定局,台积电及三星两家已经承诺,至多时间上有可能推迟。2nm的现实可能性也极大。由于费用过高及许多技术上的难点无法解决,外加必须有高端设备及材料的支持,所以1nm能否实现目前尚无法预言。但是半导体尺寸缩小的终点迟早会来临。

高通总裁安蒙:超375款5G终端采用高通解决方案

高通总裁安蒙:超375款5G终端采用高通解决方案

近日,高通宣布推出首款骁龙6系5G移动平台——骁龙690 5G移动平台。OEM/ODM厂商包括HMD Global、LG电子、摩托罗拉、夏普、TCL和闻泰,均计划将推出搭载骁龙690的智能手机。预计2020年下半年会有商用终端面市。

高通总裁安蒙表示:“目前,超过375款采用高通5G解决方案的5G终端已经发布或正在开发中,随着5G技术扩展至骁龙6系列,有望为全球超过20亿智能手机用户带来5G体验。”

据介绍,骁龙690是骁龙6系的首款移动平台。骁龙690可以支持包括拍摄超过10亿色的4K HDR视频(true 10-bit)和1.92亿像素的快照。骁龙690还支持120Hz显示刷新率,利用最新的第五代高通人工智能引擎AI Engine,骁龙690能够提供智能的拍照、视频拍摄、语音翻译、先进的AI成像,以及由AI增强的游戏体验。

此外,骁龙690采用了高通Kryo560 CPU,与前代平台相比,性能提升20%。骁龙X51 5G调制解调器及射频系统专为骁龙6系平台而优化设计。

目前,OEM/ODM厂商包括HMD Global、LG电子、摩托罗拉、夏普、TCL和闻泰,均计划将推出搭载骁龙690的智能手机。

高通表示,搭载骁龙690的商用终端预计将于2020年下半年面市。随着骁龙690的推出,采用骁龙6系移动平台已发布或正在开发中的终端将超过1800款。

供货三星及SK海力士?传SK Materials量产高纯度氟化氢气体

供货三星及SK海力士?传SK Materials量产高纯度氟化氢气体

6月17日,韩国SK Materials表示,该公司已于近期开始了高纯度(99.999%)氟化氢(蚀刻气体)量产。由于纯度已达到一定程度,三星电子及SK海力士也都导入使用。

根据《日本经济新闻》17日报导,SK Materials的99.999%(5N)高纯度氟化氢,虽然在纯度上逊于日本产的99.999999999%(11N)超高纯度氟化氢,但是已被用于晶圆清洗等部分制程。

随着高纯度氟化氢被用于半导体的清洗用途,也由于半导体制程的微细化,需求量也跟着快速增加。

2019年11月。SK Materials成立了相关材料的研发中心。在研发过程中成功的试作出高纯度氟化氢,也在韩国庆尚北道的荣州工厂,设置了年产量15公吨规模的生产设备,逐步的朝着国产化目标迈进。计划在2023年前,国产化的比率要拉高到70%。

此前,韩国半导体业,100%依赖日本等国所生产的高纯度氟化氢。不过2019年7月开始,日本针对出口到韩国的高纯度氟化氢、氟化聚醯亚胺,以及光阻剂等3种先进化学品,实施了严格的出口管制。这也使得日本在出口这些化学原料时,必须一一接受当局审核才得以放行。

也由于这几种化学原料,是OLED面板及半导体生产所不可或缺的,严重关系到韩国电子业的未来发展。韩国也立即展开动作,一方面寻找日本之外的供货来源,另一方面也在政府支援下积极的推动国产化。

此外,韩国的Soulbrain,也展开了纯度99.999%以上的液态氟化氢生产。

总投资4.3亿美元的半导体设计项目签约浙江绍兴

总投资4.3亿美元的半导体设计项目签约浙江绍兴

6月9日至14日,第22届中国浙江投资贸易洽谈会举行。据浙江日报报道,在洽谈会期间,浙江共签约81个外资项目,总投资137亿美元。

其中绍兴滨海新区成功将一个投资4.3亿美元的外资项目——半导体设计产业平台项目“揽入麾下”。

尽管该项目的具体细节并未透露,不过浙江省商务厅外资处有关负责人表示,该项目对绍兴乃至浙江半导体产业发展来说,其意义非比寻常,尤其对于正加快引进集成电路龙头企业的绍兴,这样的平台项目正是他们当下所亟须的优质项目。

据悉,经过多年的发展与积累,目前绍兴集成电路产业已基本形成了涵盖设计、制造、封测、设备等领域的全产业链。

总投资160亿元的第三代半导体产业项目落户长沙

总投资160亿元的第三代半导体产业项目落户长沙

6月15日,三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”)与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署了《项目投资建设合同》,三安光电拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

公告披露,三安光电拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

据悉,该项目总投资额达160亿元,三安光电在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产;72个月内实现达产。

据了解,三安光电主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用,致力于化合物半导体集成电路业务的发展,努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

三安光电表示,第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求,现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划,符合公司产业发展方向和发展战略,有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

加码第三代半导体领域

资料显示,三安光电成立于2000年11月,主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。

2014年,三安光电开始涉足集成电路产业,投资化合物半导体市场,建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目。根据天眼查显示,三安光电全资控股公司三安集成,成立于2014年5月26日,经营范围包括集成电路设计;工程和技术研究和试验发展;其他机械设备及电子产品批发等。

据悉,三安集成是国内化合物半导体代工龙头,业务涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域,已取得国内重要客户的合格供应商认证,各个板块已全面开展合作。

官方资料显示,2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区,斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。

三安光电表示,2022年项目建成后,三安光电将实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。