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光刻胶概念股南大光电10月23日公告，拟投资新建光刻胶材料以及配套原材料项目。

光刻胶项目是南大光电最大的看点。在此前A股光刻胶概念炒作中，公司股票也受到了资金追捧。此番，南大光电宣布加码光刻胶产业值得关注。

拟投建光刻胶材料配套项目

南大光电公告称，公司与宁波经济技术开发区管理委员会签署了《投资协议书》。按照协议，上市公司拟在宁波经济技术开发区投资开发高端集成电路制造用各种先进光刻胶材料以及配套原材料和底部抗反射层等高纯配套材料，形成规模化生产能力，建立配套完整的国产光刻胶产业链。

项目计划总投资6亿元，预计总用地50亩。项目完全达产后，预计实现约10亿元的年销售额，年利税预计约2亿元。

资料显示，南大光电主要从事高纯电子材料研发、生产和销售，通过承担国家重大技术攻关项目并实现产业化。目前，公司形成MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料等业务板块。

《每日经济新闻》记者注意到，2017年，南大光电承担了集成电路芯片制造用关键核心材料之一的“193nm光刻胶材料的研发与产业化项目”（以下简称193nm光刻胶项目）。

南大光电2019年半年报表示，公司组建了包括高级光刻胶专业人才的独立研发团队，建成1500平方米的研发中心和百升级光刻胶中试生产线。目前，南大光电“193nm光刻胶及配套材料关键技术研究项目”的研发工作已经完成，正在等待验收。同时，公司设立了光刻胶事业部，并成立了全资子公司宁波南大光电材料，推进“193nm光刻胶项目”的落地实施。在2019年半年报中，南大光电预计其将在2019年底在宁波建成一条光刻胶生产线。

对于此番投建的项目，南大光电特别在公告中强调，项目与公司正在推进的“193nm光刻胶项目”系两个独立的项目。公司称，投建新项目是为加大对先进光刻胶材料以及配套原材料的建设。

曾因光刻胶概念股身份受捧

光刻胶被认为是半导体光刻领域必不可少的关键材料。光刻胶的质量和性能直接决定集成电路的性能、良率。广发证券曾表示，伴随着先进节点所需光刻胶分辨率的提升以及多次图形化技术的应用，光刻胶的成本占比以及市场规模呈现不断提升趋势，根据国际半导体产业协会的数据，2018年光刻胶占晶圆制造材料比例约为5.4%，对应全球半导体光刻胶市场总规模为17.3亿美元，预计2019年市场规模可达17.7亿美元。 

由于半导体光刻胶技术壁垒很高，供应厂商目前主要集中在美国和日本。目前来看，国内仅有晶瑞股份、科华微电子、南大光电、容大感光、上海新阳等企业在进行半导体光刻胶生产与研发。

《每日经济新闻》记者注意到，今年下半年，日本与韩国发生贸易摩擦，日本对韩国进行出口限制，其中便包含光刻胶材料。在此情况下，A股相关光刻胶概念股也一度受到资金追捧，这便包括了南大光电。7月中旬，公司股价曾连续涨停，8月15日~9月5日，公司股价在16个交易日里累计上涨64.70%。

2019年，对国内不少半导体生产企业而言，是较为艰苦的一年。受外部多重因素影响，半导体特别是存储芯片产品的价格出现较大幅度下滑。

然而“逆风”之中，西安高新技术产业开发区却在不断强筋健骨，持续布局半导体全产业链，努力打造中国的“西部硅谷”。

“半导体是典型的周期性、波动型行业。行业低谷恰恰为我们储备能量、厚积薄发提供了条件。”西安高新区党工委书记钟洪江说，“即将全面到来的5G时代，人工智能的更广泛应用都离不开半导体产品，布局半导体产业就是在为西安高新区布局未来。”

事实上，作为国内的半导体产业重镇，西安曾诞生过我国的第一台极小规模集成电路微型计算机、第一块16位微处理器，西安微电子技术研究所也曾代表着国内最先进的半导体科研水平。

从2000年开始，西安高新区重拾当地科技优势，逐步发力半导体产业。通过有针对性的招商引资，先后引进了美光、英特尔等一批半导体产业巨头，并以此辐射带动，培育出相关产业生态。

一期实际投资超过100亿美元，2014年5月正式投产，主攻高端存储芯片市场的三星（中国）半导体有限公司，不仅是韩国三星集团最为成功的海外投资项目，更深刻影响了全球的半导体产业格局。而随着三星西安项目二期70亿美元投资追加完成，西安高新区半导体行业的聚集效应仍在继续加大。

在行业龙头企业的带动下，100多家相关配套企业相继落户，西安高新区的半导体产业链不断完善，大量相关产业资源向此地聚拢。其配套企业已涵盖化工、原材料制造、集成电路设计、封装测试等多个方面。

西安奕斯伟硅片技术有限公司就是这样一家被吸引而来的企业。厂区建设完成后，公司的单晶硅片生产线正在紧锣密鼓地筹备之中，计划年底将生产出测试样品。建成后将月产50万片的12英寸单晶硅片。

“在此投资上百亿元建厂，看中的就是西安高新区齐全的半导体产业链，和打造‘西部硅谷’的信心。”奕斯伟硅产业公司董事长杨新元说。

而在英特尔移动通信技术（西安）有限公司相关负责人眼中，良好的营商氛围也是许多半导体企业愿意与西安高新区合作的重要原因。封装芯片的检测，大量硬件需要在短期内入境、出境，冗长的报关手续曾让这家公司在国际竞争中难以占据先机。“但现在，高新区协商西安海关，给予我们硬件产品‘秒过’的通关便利，业务量一下子就能增加好几倍。”

目前，西安高新区半导体产业已形成了以硅晶圆制造为核心，湿电子化学品、特种气体等产品为主的发展格局。2018年，高新区半导体总收入448.55亿元，半导体企业超过200家，从业人数6.5万人，产业规模位列国家高新区第四，仅次于中关村、上海张江区和深圳高新区。未来规模可达数千亿元级的半导体产业集群，已在西安高新区初现雏形。

钟洪江表示，西安高新区将继续以半导体产业为核心，尽可能打造出更为完备的全产业链，并努力构建泛半导体产业生态圈，助力西安成为全球重要的半导体产业基地。

随着云计算、大数据、物联网等领域的发展，未来市场对存储器的需求会持续增加。有数据显示，我国存储器的消耗量占全球总消耗量的三成以上（2019年第一季度世界半导体贸易统计WSTS 发布的统计数据），其中大部分存储器芯片需要进口，可以说，在中国芯片产业的发展过程中，存储芯片是十分关键的发展领域。

近日，紫光旗下新华三集团正式携手中国闪存芯片领军企业——长江存储，整合中国顶尖的存储芯片资源，共同推动在中国市场自主创新存储芯片的研发与应用，成功地将3D NAND芯片产品融入服务器产品之中，进一步加速了服务器的自主创新之路。

众所周知，芯片是信息时代的粮食，其中存储器芯片应用领域十分广泛。作为中国存储芯片的领头羊，长江存储从成立至今，在短短3年时间内先后研发成功并量产了国内首款32层3D NAND闪存和64层3D NAND闪存，同时凭借着国内庞大的内需市场、优秀的自主研发能力，以及国际水准的产能，担负起推动国内存储器自主创新、加速发展的重要使命。此次新华三集团与长江存储携手，正是将这些国内领先的研发技术和存储芯片引入到服务器产品中，推动优秀自主创新方案的落地生根，更好的满足企业对高速、大容量存储解决方案的需求。

2017年，长江存储成功研发了中国首颗拥有自主知识产权的32层MLC 3D NAND闪存芯片，实现了中国三维闪存产业“零”的突破。该芯片的存储容量为8GB至32GB，目前已通过企业级验证并进行小规模的批量生产，主要应用在U盘，SD卡，机顶盒及固态硬盘等领域。

此后，长江存储基于不断的自主研发和创新，推出了第二代具备完全自主知识产权的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，它拥有全球同代产品中最高的存储密度，将广泛应用在智能手机，个人电脑，服务器等领域。长江存储64层三维闪存既是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品，也是中国企业首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

提到Xtacking® 技术，不得不说，这是长江存储在3D NAND闪存架构上的一次重大创新，在世界闪存发展史上具有举足轻重的意义。通过芯片架构设计上的变化，Xtacking®能够使3D NAND闪存拥有更快的I/O传输速度，使3D NAND闪存能拥有更高的存储密度，相比传统架构，芯片面积可减少约25%。同时，Xtacking®技术还实现了模块化的设计工艺，能够有效提升了研发效率并缩短了生产周期，为NAND闪存的定制化提供了更多可能。目前，Xtacking®技术被主要应用在长江存储64层及更高规格的三维闪存上。

为了给行业用户带来更多的价值，长江存储未来还将推出Xtacking® 2.0创新架构。作为升级换代技术，Xtacking®2.0将够进一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开拓定制化NAND全新商业模式等。未来，Xtacking®2.0技术将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中，会广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域，这将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

新华三集团将领先的长江存储闪存引入服务器产品线，将在应用实践中加速中国存储芯片与服务器的融合发展，进一步推动计算产品和架构的迭代。新华三也将在10月24日以“至极之道，智造未来”为主题的计算节期间，重点展示长江存储产品自主创新的领先技术，以及更加安全、可靠、可信的计算产品。这些产品将在新华三“至简，至信，至慧”的智慧计算理念下，更好的满足企业用户的不同需求，为企业的数字化转型赋能。

10月23日，电子材料供应商南大光电发布公告，其与宁波经济技术开发区管理委员会签署了《投资协议书》，将加大对先进光刻胶材料以及配套原材料的建设。

根据公告，南大光电拟在宁波经济技术开发区投资开发高端集成电路制造用各种先进光刻胶材料以及配套原材料和底部抗反射层等高纯配套材料，形成规模化生产能力，建立配套完整的国产光刻胶产业链。该项目计划总投资6亿元人民币，预计总用地50亩，项目完全达产后，预计实现约10亿元人民币的年销售额，年利税预计约2亿元人民币。

南大光电表示，本协议的实施符合公司发展战略，有利于公司建立配套完整的国产光刻胶产业链，提升公司竞争力和盈利能力，对公司进一步树立优秀电子材料供应商的发展定位有极大的推动作用。

公告还指出，本次签署的《投资协议书》所涉及的“先进光刻胶材料以及配套原材料和底部抗反射层等高纯配套材料”项目，与公司正在推进的“193nm光刻胶产品的开发与产业化”项目系两个独立的项目，目前“193nm光刻胶产品的开发与产业化项目”顺利推进。