总投资15亿元,氮化镓半导体材料项目落户辽宁盘锦

总投资15亿元,氮化镓半导体材料项目落户辽宁盘锦

盘锦日报社报道,近日,辽宁百思特达半导体科技有限公司投资的氮化镓项目落户盘锦高新区。

该项目计划占地440亩,总投资15亿元,以氮化镓半导体材料为主,相关配套辅助产业为辅,并在盘锦建立新材料闭环产业园。项目计划于11月前动工建设,2021年6月前竣工投产。投产后两年内销售产值每年不少于4亿元,年上缴税金不少于2000万元。

近年来,兴隆台区一直注重于新兴产业的发展,在国内外寻求引进电子信息等企业进入兴隆台区,从而形成以中蓝电子为领军的新兴产业集群。辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目的落户、盘锦新材料闭环产业园的建立,为兴隆台区域战略新兴产业布局落下了重要一子。

资料显示辽宁百思特达半导体科技有限公司是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业。公司主要生产销售LED全产业链产品,技术水平国内先进。此次投资主要从事高亮度及超高亮度发光二极管LED外延片及芯片研发、设计、生产、销售生产活动。

南通越亚半导体项目最新进展:11月将进行试生产

南通越亚半导体项目最新进展:11月将进行试生产

据南通日报消息,南通越亚半导体项目一期厂房已封顶,11月将进行试生产,该项目在全球首创“铜柱法”生产高密度无芯封装基板,拥有核心知识产权。

据悉,南通越亚半导体项目位于南通科学工业园区,于2018年5月9日正式签约,该项目由珠海越亚半导体股份有限公司投资兴建,项目总投资约37.7亿元,建成后可达到年产350万片半导体模组、半导体器件、封装基板。

该项目占地面积约141亩,总投资约37.7亿元,总建筑面积约17万平方米,项目将新增国际领先的真空喷溅线、等离子蚀刻等设备约1200台/套。2018年8月28日,该项目举行奠基典礼仪式。

越亚是一家专业从事半导体模组、器件、封装基板产品研发生产的高新技术企业。中国半导体行业协会副理事长于燮康曾表示,越亚通过自有无芯封装基板技术产业化的成功,打破了国外高端IC封装基板厂商垄断市场的局面,推动了我国集成电路产业在封装基板领域从“中国制造”到“中国创造”的突破。
越亚也不乏长电科技、通富微等合作伙伴。

临港新片区发布集成电路产业10条措施

临港新片区发布集成电路产业10条措施

8月20日,上海自贸试验区临港新片区正式揭牌。根据国务院印发的临港新片区总体方案,新片区将支持新片区聚焦集成电路、人工智能、生物医药、总部经济等关键领域。如今,在临港新片区揭牌近两个月之际,该区的产业政策出炉。

10月18日,上海自贸试验区临港新片区管委会和临港集团联合主办了临港新片区新闻发布会(产业政策)暨生物医药重点项目集中签约仪式。

会上,临港新片区管委会发布了中国(上海)自由贸易试验区临港新片区管委会发布促进产业发展若干政策共16条,以及集聚发展集成电路、人工智能、生物医药和航空航天四大重点产业共40条支持措施(简称“1+4”产业政策),以聚焦“国内空白”和“卡脖子”技术,着力打造世界级前沿产业集群。

临港新片区促进产业发展若干政策全方位聚焦和支持集成电路、人工智能、生物医药、航空航天四大产业,重点支持新一代信息技术、高端装备制造、智能网联汽车、新材料、新能源、节能环保等战略性新兴产业领域的重大项目,配套支持国家和上海市立项的重大项目以及特定出资事项。

政策核心条款共16条,包括支持关键核心技术与产品突破、支持产业能力建设及提升、支持自主创新能力建设、支持自主创新能力建设等。

针对集成电路产业,临港新片区发布《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区集聚发展集成电路产业若干措施》,共10条支持措施,支持范围涵盖支持范围涵盖集成电路设计、制造、封装测试、设备材料、电子设计自动化(EDA)等领域和与之配套服务的单位、项目等。

重点支持具有国内外重大影响力的集成电路企业在新片区设立研发中心和投资产业化项目,支持集成电路产业的跨国公司设立离岸研发中心和制造中心。

具体而言,集聚发展集成电路产业10条措施包括支持重大项目优先布局、支持核心技术和产品攻关、支持企业规模化发展、支持 EDA 软件购买和研发、支持测试验证、支持推广应用、支持生产性用电以及其他支持措施。

措施对于集成电路产业企业发展予以政策、资金等各方面的支持,如对购买EDA设计工具软件(含软件升级费用)的企业并实际在临港新片区内开展办公研发的企业,按照实际发生费用的50%,给予年度最高200万元的支持。对在新片区从事集成电路EDA设计工具研发的企业,给予EDA研发费用最高50%的年度研发资助,总额不超过3000万元。

随着“1+4”产业政策的出炉,临港新片区集成电路、人工智能、生物医药、航空航天四大产业发展将迈入新阶段,新片区集成电路产业未来将如何,后续发展值得期待。

 

2020年科技产业大预测:半导体产业和存储器市场将如何发展?

2020年科技产业大预测:半导体产业和存储器市场将如何发展?

全球市场研究机构集邦咨询今日(18日)于台大医院国际会议中心,举办「2020年集邦拓墣科技产业大预测」。本次研讨会精彩内容节录如下:

2020年半导体产业发展契机与挑战

2019年半导体产业出现10年来最大衰退,产值估计年减约13%。从IC设计、晶圆代工与OSAT三大面向观察,晶圆代工受惠于7纳米制程技术发展与相关产品加速导入市场,较能抵抗产业逆风带来的负面冲击。

展望2020年,在5G、AI、车用等需求持续增加与新兴终端应用的帮助下,半导体产业将逐渐走出谷底。

而中国台湾地区晶圆代工与OSAT产业之全球占比超过5成,IC设计产业则位居全球第二,预期在产业复苏与终端应用日渐多元的趋势下,台湾地区厂商有望掌握先机,进一步巩固在全球半导体产业的地位。

以AI而言,各大手机芯片供货商皆聚焦AI算力表现,因此2020年的决胜关键,取决于各大芯片厂的AI加速单元,如联发科的APU、高通的DSP与华为的达芬奇等在AI算力的表现以及执行效率高低等。

5G手机应用则是因为全球手机市场已经进入成熟期,导致芯片业者的竞争加剧,所以收购、投资成为提升芯片方案竞争力的必要手段。

车用方面,由于2019年未有大厂发布新一代产品线,加上7纳米的良率逐渐提升,2020年7纳米是否有机会进入车用芯片市场,将是极为重要的观察指标。

整体来看,为了延续摩尔定律,相关业者正努力加快先进制程的开发速度,时程规划也逐渐清晰,预期将持续带动产业发展并刺激需求。

IT基础架构转型驱动内存市场新纪元

近年因AI技术逐渐成熟与智能终端装置普及,多数应用服务皆藉由服务器来统合,尤其是需仰赖庞大数据进行运算与训练的应用服务,再加上虚拟化平台及云储存技术发展,服务器需求与日俱增。

此外,在产业结构改变与服务器运算单元大幅进步之下,亦将带动与传统应用服务截然不同的服务器架构发展,进一步推升服务器的需求。

在云端架构提供服务的基础上,终端被赋予的运算能力相对薄弱,多是藉由云端来获取运算与存储资源,预期5G商转后数据中心的应用将更多元,带动微型服务器(Micro Server Node)与边际运算(Edge Computing)成长,并将成为2020年后的发展主轴,以实现物联网与车联网等应用场景。

受到数据中心的落实驱动,2019年服务器DRAM全年使用量占整体DRAM的三成以上,预估2025年在5G相关部署驱动下,更将上升至接近四成。

内存市场趋势及智能手机发展解析

2019年全球内存市场呈现供过于求,供应端在高库存的压力下,季度价格不断探底,全年平均跌幅将近50%,展望2020年,内存市场是否延续此跌势,备受市场关注。

在整机方面,2020年智能手机的设计主轴除了极致全屏幕外,屏下指纹辨识及屏下镜头的搭载比例提高、内存容量加大,以及后摄多镜头与提高像素等优化照相表现等,同列明年智能手机功能配置的重点。

不过,最受市场期盼的仍属5G手机的应用,随着品牌厂的积极研发,以及中国大陆政府积极推动5G商转,预计明年5G手机的渗透率有望从今年的1%,大幅跃升至15%。

终局之战,谈2020年显示产业竞争态势与曙光

受到需求不振以及面板产能过剩的冲击,大尺寸面板市场正在经历一波不小的低潮。

韩系面板厂陆续弃守TFT-LCD TV面板市场,转往更高端的OLED TV与QD-OLED TV发展;台系面板厂则持续往更高端的产品市场移动,两个区域的厂商都试图减缓中国面板厂在规模与价格上的竞争压力。

而中国大陆面板厂在持续扩大产能下,预期将会逐渐取得TFT-LCD市场的主导权。小尺寸市场中,AMOLED机种透过屏下指纹辨识方案的搭载提升产品价值,确立在高端旗舰市场的地位,挤压了部分的LTPS机种往中端市场移动。

预期LCD机种未来只能透过价格策略与成本控制,尽可能确立自身的竞争力。展望2020年,在5G、电竞等议题的带动下,预计高刷新率面板将会是手机市场规格的一大新亮点。

Mini LED将成为显示产业升级的推手

由于Mini LED具备高亮度,加上LED排列间距的微缩,应用在背光显示器与自发光显示器上,将可大幅提升显示器的细致度与高对比度效果。

而Mini LED显示器与传统LED的技术落差并不大,差别仅在于使用更多颗Mini LED芯片,因此对于供应链中的LED封装厂与模组厂来说,只需要重新投资部分设备,如LED打件转移及检测设备等,以及重新设计驱动IC和挑选基板即可快速与Mini LED接轨,可谓是无痛升级。

Mini LED的导入,将可改善现有背光显示器(如电视、笔电、monitor、平板、车用、VR等),以及自发光的室内商业显示器等应用的显示性能,并提升既有显示产品的价值。预计2020年将会是Mini LED应用爆发的年代,预估电视及monitor等中大型的背光显示器将率先量产,其余仍须视品牌厂产品策略而定。

展望2020-5G实现商用

随着2020年上半年R16标准完成,各国电信营运商规划5G网络除在人口密集的大城市布建之外,亦会扩大服务范围商用,并有更多5G终端或无线基站等产品问世。

全球通讯产业发展重点仍为5G,不论芯片大厂高通、海思、三星与联发科等,亦或设备商华为、Ericsson与Nokia等都将推出各种5G解决方案抢攻市场。

另一方面,随着5G SoC制程走向成熟,加上5G终端技术与运营商网络投资,将带动芯片和终端成本下降。初期5G SoC定位在高端手机使用与测试,以期能快速提升5G手机渗透率。

在企业专网发展上,各国由于制度及产业特性不同,因而有不同考虑。但若是以市场利益而言,在各方瞄准5G垂直应用商机之际,垂直产业若能拥有频谱又能自建专网,将更能符合其产业领域的需求,但亦可能影响电信运营商的既有布局。电信运营商能否满足企业需求,为应解决的议题。

汽车市场衰退幅度有望缩小,电动化与自动化加速发展

2020年全球汽车市场总量仍将下滑,但衰退幅度有机会缩小至1.5%,原因在于虽然目前尚未见到主要市场有强大成长驱动力,但持续两年的中美贸易战在企业逐渐适应并拟出对策后,冲击力道逐步减轻。即便车市短期内仍处逆风,但电动化和自动化的脚步却不会停止。

多国在2020年后将加严汽车的二氧化碳排放标准,促使车厂更积极推出电动车款,预期各类电动车皆呈现成长。

然而,能纯电行驶的各类电动车发展仍受到价格高昂等因素限制,因此,同样能降低碳排放的Mild HEV(轻混合动力车)受到各界注目,预计2020年将有大幅成长。

而自动化的发展上,将有更多的ADAS次系统成为新车标配并带动传感器市场成长。此外,虽预期Level3的量产车款有限,但2020年有机会看到更多Level4等级的商用车市场化案例。

终端产品发展更多元,带动2020年市场扩展

当许多消费电子市场步入停滞或衰退之际,厂商开始加强新产品的开发,以更细分的市场和功能来推动产品的成长动能。例如游戏机经历数年终于将迎来次代产品的推出,但云端服务厂商也会趁机推出云端串流游戏以及相对应的硬件来抢食这块市场,至于Oculus、Valve等VR厂商将透过游戏和内容服务来竞争。

智能手表受惠于入门款产品售价降低,以及更多品牌和产品加入,市场将加速成长,预计2020年出货量将达到8,055万支。而语音功能成为蓝牙无线耳机、智能音箱等产品的成长关键,在低价与机海策略下市场将快速扩张。

此外,增加智能音箱的搭载功能也成为厂商吸引消费者的手段,包含显示屏幕、相机模组等,预估2020年智能音箱的出货量将窜升到1.7亿台。

中芯绍兴8英寸产线最新进展:超150台设备搬入工厂

中芯绍兴8英寸产线最新进展:超150台设备搬入工厂

作为浙江省第一条8英寸晶圆代工生产线,中芯国际绍兴8英寸生产线项目正在有序进行。

绍兴集成电路产业园官方平台消息,据中芯国际绍兴8英寸生产线项目方负责人介绍,目前已经有超过150台设备搬入工厂,单机调试已经完成50%,下个月进行联机调试,根据计划将于2020年投产。

2018年3月1日,绍兴市与国内晶圆代工龙头中芯国际签署协议,5月18日正式奠基开工,仅用79天。2019年3月,项目完成厂房结构封顶,6月19日,中芯绍兴MEMS和功率器件芯片制造及封装测试生产基地项目举行主体工程结顶仪式。

资料显示,中芯绍兴项目已经被列入浙江省市两级重点项目,位于绍兴集成电路小镇,是绍兴集成电路小镇全产业链发展的关键性项目,最终将打造成为国内领先,世界一流的特色工艺半导体企业。

该首期总投资58.8亿元,占地207.6亩,总建筑面积14.6万平方米,引进一条51万片8英寸特色集成电路制造生产线和一条年产模组19.95亿颗封装测试生产线。项目一期达产后,可实现年产值45亿元。主要产品包括MEMS、IGBT、MOSFET、RF等产品线。

与台积电争晶圆代工头牌 三星向ASML订购15台EUV设备

与台积电争晶圆代工头牌 三星向ASML订购15台EUV设备

根据韩国媒体报导,为了期望在2030年达到成为全球第1半导体大厂的目标,并且力图在半导体晶圆代工领域超越龙头台积电,抢占未来2到3年因为5G商用化所带来的半导体市场需求,三星电子日前已经向全球微影曝光设备大厂ASML订购15台先进EUV设备!

由于微影曝光设备一直被认为是克服半导体制程技术微缩限制的关键设备,其单价高达1.8亿美元。不过,报导指出,三星电子最近发出一份意向书(LOI),向ASML购买价值3兆韩元(约27.5亿美元)的EUV设备,并且预计分3年时间进行交货。市场人士表示,由于三星增加EUV设备订单,代表三星即将在晶圆代工生产线上进行大规模投资。

若三星此次订购消息属实,其订购的15台EUV设备将占ASML于2020年总出货量的一半。2012年,三星电子收购ASML的3%股份,以期望能在取的最新微影曝光设备。为了超越晶圆代工龙头台积电,在如此大胆的投资基础上,通过提供技术竞争力来吸引客户会是三星积极采用的方式。

目前,三星电子的客户包括高通、英伟达、IBM和SONY。但是,台积电方面更是筑起了难以超越的门槛,包括全数苹果iPhone处理器的订单,加上华为海思、AMD、赛灵思等大客户支持。

之前,台积电原本计划2019年资本支出将为110亿美元,其中八成将投资于7纳米以下的更先进的制程技术。但是,在17日的法人说明会上,台积电更加预计的资本支出一举提高到140亿美元到150亿美元之间,其中增加的15亿元经费经用在7纳米制程,25亿元经费则将用在5纳米制程上。

因为,台积电目前的7纳米+与未来的5纳米都将采用EUV技术。所以,增加出来的资本支出势必也将会在EUV设备上多所着墨,使三星的压力更加巨大。

根据统计资料显示,2019年第3季全球晶圆代工领域,台积电以市占率50.5%稳坐龙头宝座,而近年努力发展先进制程的三星电子,则以18.5%的市占率位居第二。然而,三星积极抢攻市场商机,使得近期频繁发布其晶圆代工领域的投资计划,就可以了解其企图心。

整体来说,三星电子计划到2030年投资133兆韩元的资金来提升半导体业务。根据三星的计划,133兆韩元的投资中,有73兆韩元是用于技术开发,60兆韩元则是用于兴建晶圆厂设施,这预计会创造1.5万个就业机会。

而三星的目标是在2030年时不仅保持存储芯片的领先,还要在逻辑芯片领域成为领导者。不过,面对台积电持续增加的研发与投资支出,三星能否在竞争中有所斩获,值得大家后续拭目以待。

招大引强 推动嘉兴市数字经济核心制造业迈向高端化

招大引强 推动嘉兴市数字经济核心制造业迈向高端化

实施数字经济“一号工程”培育新动能,嘉兴市聚焦数字经济核心产业,瞄准国际高端产业项目精准发力、招大引强,有效推动产业升级,助力嘉兴市数字经济高地建设。其中,南湖和海宁分别围绕智能终端、集成电路和泛半导体产业不断建链、补链、强链,探索了数字经济核心制造业特色化、差异化发展模式。

【看全市】

大项目拉动,释放产业升级强动力

去年下半年以来,嘉兴市数字经济核心制造业招商好消息频传。总投资110亿元的中晶半导体有限公司的大硅片生产基地建设项目落户南湖,引发行业关注。大项目带动形成“葡萄串效应”,一批优质产业链配套项目加快在嘉兴市落地。

数据显示,今年全市数字经济核心产业制造业投资亿元以上项目96项,当年计划投资150亿元。其中,总投资10亿元以上的项目19个,50亿元以上的项目5个,总投资100亿元以上的项目2个。招大引强推动数字经济核心产业制造业加快升级。

市商务局局长李泉明表示,聚焦高质量发展不断优化引资结构,嘉兴市坚持以实体经济为导向,强化扩大数字经济实际利用外资比重,推动嘉兴市数字经济核心产业集聚快速发展。与此同时,嘉兴市逐步培育升级了以浙江柔性电子产业园、海宁泛半导体产业园为代表的一批高质量产业平台。数字经济发展平台能级的提升,有力地促进了高质态数字制造业项目的招引落户。

【看亮点】

做强“中国芯”,“数字经济强区”强势崛起

深拥新一代信息技术革命,数字经济已成为南湖区重点打造的“一号产业”。2018年浙江省数字经济发展综合评价报告显示,南湖区综合评价指数位居全市第一、全省第十一。今年4月,长三角集成电路专委会在嘉兴南湖高新技术产业园(嘉兴科技城)揭牌,助力南湖做强“中国芯”。

以智能终端、集成电路为优势产业,南湖俨然成为数字经济投资热土。2月28日,总投资110亿元年产480万片12英寸大硅片项目在南湖区正式动工。该项目投产后可打破国内大硅片基本依靠进口的局面。4月8日,由图灵奖获得者惠特菲尔德·迪菲团队领衔的嘉兴区块链技术研究院签约落户嘉兴科技城。

聚力打造“数字经济强区”,南湖区构筑了以数字经济为核心的创新平台矩阵。在引进浙江清华长三角研究院、浙江中科院应用研究院基础上,南湖区成功落户浙江清华柔性电子技术研究院、浙江未来技术研究院,抢占产业创新发展“头部资源”和“智”高点。

以浙江柔电院为例,该院已集聚了70多名国内著名柔性电子专家,聚力打造成为中国柔性电子产业的技术策源地。而未来技术研究院则着力打造全国虚拟现实与可视化产业集聚地。目前,南湖区已集聚数字经济直接关联企业500多家,成功培育了一批百亿级或独角兽企业。

日前,因实施省“一号工程”数字经济、培育新动能方面成效突出,南湖区入选省政府表彰的5个数字经济发展成效明显城市之一。

海宁焕发泛半导体产业“芯动力”

作为全省首批4个数字经济优秀案例县(市、区)之一,海宁正全力推进半导体产业集聚创新、高质量发展。据统计,今年初以来,海宁累计已注册落户泛半导体产业项目49个,计划总投资201.25亿元。49家企业中,总投资30亿元项目有2项,20亿元有1项,10亿元至20亿元有5项。

以海宁泛半导体产业园为主阵地,目前,该园区开发已经进入第五期。日本鐵三角、意兰可电子和上高阀门等一批项目确定入驻园区。其中,全球行业龙头企业——日本鐵三角是专业从事高端音响设备生产的项目,总投资1.4亿元,达产后将实现年产值2.5亿元。

定位高端化、国际化、个性定制化和多功能化,海宁泛半导体产业园建设国内一流特色产业园区,打造完整产业链,使之成为海宁乃至浙北地区新一代的高新技术产业集聚区和产业转型升级示范区。截至目前,已有瑞宏科技、确安科技、英达威芯、凯成半导体、芯晖装备、哈工现代、北斗皓远等19个项目签约入驻,签约计划总投资89.25亿元。预计到2020年,海宁泛半导体产业园将落户产业链项目超30家,企业实际投资将超100亿元。

海宁还出台了发展泛半导体产业的意见和政策,发布了详细的招商路线图,成立了泛半导体产业基金,形成了泛半导体“一意见、一政策、一基金”的发展格局,通过“基地+基金、人才+资本”的创新模式吸引优质泛半导体企业落户,共同凝聚成为海宁布局未来产业的“芯动力”。

光力科技:先进微电子3700万美元收购以色列ADT公司

光力科技:先进微电子3700万美元收购以色列ADT公司

光力科技公布,公司通过全资子公司郑州光力瑞弘电子科技有限公司(“光力瑞弘”)参股了先进微电子装备(郑州)有限公司(“先进微电子”),“先进微电子”以其全资子公司上海能扬新能源科技有限公司(“上海能扬”)收购以色列Advanced Dicing Technologies Ltd(“ADT公司”或“标的公司”)100%股权,交易对价为3700万美元。

此交易一系列交割条件已经满足,包括获得交易双方内部批准、相关监管部门审批、交割文件签署、已经向交易对方支付交割价款等。此次交易完成后,标的公司成为光力科技间接参股子公司(光力科技间接持股标的公司15.31%)。

以色列ADT公司主营业务为在全球范围内面向半导体、微电子行业提供研发、制造和销售划片机设备和耗材(包括刀片等),并按照客户需求提供定制化的切割解决方案。

标的公司产品主要应用于半导体、微电子后道封测装备领域,在该细分领域具有全球影响力的企业主要有日本的Disco、东京精密和以色列ADT三个公司,标的公司在该领域已有超过16年的经验,在半导体切割方面精度处于世界领先水平。其自主研发的划片设备最关键的精密控制系统可以对步进电机实现低至0.1微米的控制精度,达到业内领先水平。ADT公司的软刀在业界处于领先地位,客户认知度较高。ADT公司具备按照客户需求提供定制的刀片和微调特性的工程资源。ADT公司产品不仅能切割半导体晶圆,也可以用于如分立器件、无源器件、LED、MEMS、功率器件、传感器等许多其他类型的产品。客户覆盖全球主要市场,如中国大陆和台湾、美国、欧盟、马来西亚、菲律宾和以色列等。

在全球半导体产业向中国大陆转移的过程中,半导体设备国产化具有重要的战略意义。在国家政策和资金的支持下,国内半导体行业持续高速增长。

公司已确立了安全生产监控装备和半导体封测装备双主业架构。本次参股公司对外投资收购股权有利于公司整合资源,公司控股子公司英国Loatpoint Bearings公司是标的公司核心部件的供应商,因而能更好地发挥公司与ADT公司在产品、销售渠道、研发技术的协同效应,进一步奠定公司在半导体封测装备领域拓展的战略基础,提升公司的综合竞争力,符合公司战略布局和长远发展目标。

此次股权收购完成后,ADT公司将成为公司参股子公司,公司将间接持有ADT公司15.31%股权,不纳入公司合并报表范围,对公司财务状况和经营成果暂时不会产生重大影响。

10亿元 国电南瑞拟与联研院合资设立功率半导体公司

10亿元 国电南瑞拟与联研院合资设立功率半导体公司

10月17日,国电南瑞科技股份有限公司(以下简称“国电南瑞”)发布公告称,拟与国家电网有限公司(以下简称“国网公司”)下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司(以下简称“联研院”)共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司(以工商部门核准名称为准,以下简称“合资公司”),由该合资公司实施IGBT模块产业化项目的部分投资。

公告指出,国电南瑞拟以IGBT模块产业化项目的部分募集资金55,864.45万元出资,占合资公司69.8305625%股权,联研院以技术作价出资24,135.55万元(该出资技术的评估值已经国有资产管理单位备案),占合资公司30.17%股权。涉及变更实施主体的计划投资额55,864.45万元,占IGBT模块产业化项目投资额的33.98%,占公司募集资金总筹资额的9.15%,相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是国家产业政策重点支持发展的功率半导体器件,技术难度大、研发及产线建设周期长、资金投入大,核心技术一直被国外企业垄断,目前国内高端人才缺乏,国内仅有少量厂商开展高压IGBT研制业务。联研院是国家电网公司直属科研单位,国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端科研机构。

联研院于2010年开始研究功率半导体器件,拥有100多人的技术团队和先进的功率器件中试线,是国内少数掌握高压IGBT芯片设计技术的单位之一。在功率半导体器件领域,联研院承担国家科技重大专项(02专项)“国产高压大功率IGBT模块电力系统应用工程”等攻关任务,自主研发了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件,其中3300V/1500A压接式和焊接式IGBT器件,掌握成套的设计、制备等核心技术,打破了国外技术垄断,成功研制1200V至6500V碳化硅二极管样品,实现了新一代电力电子器件的重大创新突破。

国电南瑞指出,通过与联研院合作,有利于公司降低IGBT等功率器件技术研发及产品批量化生产的风险,保障中低压、加快高压IGBT等功率半导体芯片及模块研制和产业化进程。为加快公司产业链延伸和产业升级,增强企业核心竞争力,提高公司募集资金使用效率和效果,降低公司募投项目投资风险,公司拟以“IGBT模块产业化项目”部分募集资金出资与联研院共同设立合资公司,并增加合资公司为该项目的实施主体。

公告显示,经中国证券监督管理委员会《关于核准国电南瑞科技股份有限公司向南瑞集团有限公司等发行股份购买资产并募集配套资金的批复》(证监许可[2017]2224号)核准,公司以非公开发行股份方式向7名特定投资者发行了人民币普通股381,693,558股,发行价格为15.99元/股,本次发行募集资金总额为61.03亿元元,扣除各项发行费用83,23.94万元,实际募集资金净额为60.2亿元。上述募集资金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模块产业化项目”是上述募集资金投资项目之一,根据原计划,“IGBT模块产业化项目”全部由国电南瑞母公司实施,项目投资总额为164,388万元,项目建设期42个月,项目投产后第7年达到本项目预计的生产能力。截止2019年8月31日,该项目已累计使用募集资金2,370.53万元,占总投资1.44%,剩余募集资金162,017.47万元(不含利息)。

公告指出,公司本次拟增加“IGBT模块产业化项目”的实施主体,以计划用于该项目设备投资的部分募集资金出资,与联研院以技术作价出资共同投资设立合资公司,即由该合资公司实施IGBT模块产业化项目的部分投资。涉及变更实施主体的计划投资额为55864.45万元,占“IGBT模块产业化项目”投资额的33.98%,占公司募集资金总筹资额的9.15%,相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。

国电南瑞表示,本次交易有利于募集资金投资项目的运作和实施、提高募集资金的使用效率、加快募集资金投资项目的实施进度。

南京国科半导体研究院,签约落户!

南京国科半导体研究院,签约落户!

10月16日上午,中科院半导体研究所、南京浦口经济开发区管委会及江苏华睿投资管理有限公司联合共建的南京国科半导体研究院项目签约仪式在浦口经济开发区举行。

据了解,此次联合共建的南京国科半导体研究院项目总投资1.4亿元,该项目通过整体引入中科院技术团队多年培育的技术经验与面向产业化的技术成果,致力于打造国内领先的半导体材料、工艺器件的研发和生产基地,致力于成为国内一流的半导体高端人才聚集地,致力于形成具有竞争力的半导体产业发展中心。

下一步,开发区将积极落实工作项目化、项目目标化、目标节点化、节点责任化要求,加强要素保障,建立常态化、制度化的政企互动机制,当好精准服务的“店小二”,努力朝着千亿级集成电路产业地标奋进。