北京打造世界级高精尖产业集群 电子信息领域将达3500亿

北京打造世界级高精尖产业集群 电子信息领域将达3500亿

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9月25日，北京市经信局、北京市产业经济研究中心发布《北京市产业经济发展蓝皮书（2018-2019）——聚焦高精尖》。蓝皮书显示，北京正围绕十大高精尖产业，打造一批产业特色鲜明、龙头企业引领、创新能力突出、辐射带动显著的产业集群，有效吸引和集聚优质高端资源，全力打造服务全国、辐射全球的高精尖产业集聚区。

按照计划，到明年，本市新一代信息技术实现工业总产值3500亿元（含集成电路），集成电路产业实现总产值1100亿元，智能装备产业实现工业总产值1900亿元。

蓝皮书披露，按照“每个区不超过三个主导产业、每个主导产业不超过三个区”的原则,北京高精尖产业正在逐步形成以北京经济技术开发区、顺义区、海淀区、朝阳区、房山区、昌平区为重点，辐射覆盖北京全市的总体布局。而这6个重点区域中，有四个区将重点发展集成电路产业。

其中北京经济技术开发区逐渐形成集成电路设计、集成电路制造、新一代示范产业等产业集群；顺义区逐渐形成集成电路制造、化合物半导体、5G产业等产业集群；海淀区逐渐形成集成电路设计、集成电路制造、新一代创新应用产业等产业集群；朝阳区逐渐形成集成电路设计、5G产业、新一代创新应用产业等产业集群群。

上海5G三年行动计划发布 将打造5G产业集聚“五极”

上海5G三年行动计划发布 将打造5G产业集聚“五极”

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9月26日下午，上海正式发布了《上海5G产业发展和应用创新三年行动计划（2019-2021年）》（下称“计划”），目标到2021年，将上海打造成全球知名的5G产业发展高地和应用创新策源地。具体而言，包括以下几个方面：

1、产业规模大幅提升。到2021年，全市5G产业实现“三个千亿”的目标，即5G制造业、软件和信息服务业、应用产业规模均达到1000亿元。全市5G产业链企业数量超过300家，5G龙头企业进入全国电子百强5家以上，百亿元规模企业8家以上。

2、重点环节加快突破。到2021年，在金桥、张江、漕河泾、华为园区、G60科创走廊形成5G产业集聚的“五极”。5G芯片达到世界领先的5nm工艺水平，中高频射频关键器件、光器件等产业瓶颈初步实现突破，5G测试设备、模块、终端、基站设备实现规模量产，室内数字系统（DIS）规模应用。

3、创新应用广泛部署。到2021年，本市5G应用实现“十百千”的目标，即聚焦10大重点垂直行业领域，建设10个5G创新应用示范基地；打造100家5G创新应用企业，形成100项行业应用标杆；培育1000个5G创新应用项目，应用产业规模超过1000亿元。

值得注意的是，在该计划中，提到打造产业集聚的“五极”。其中浦东金桥聚焦5G系统设备，浦东张江聚焦5G芯片，徐汇漕河泾聚焦5G智能终端，松江G60科创走廊5G创新基地聚焦5G测试设备，青浦华为园区聚焦芯片和终端。支持有条件的区设立5G产业园，吸引5G芯片及元器件、通信设备、高端测试、终端研发等产业各环节优质企业落户。依托联盟、协会等行业组织，组织论坛、大赛等促进上下游合作。搭建多层次的5G合作交流平台，加强与国际、国内特别是长三角区域的产业联动，推动5G产业协同发展。

根据国家5G战略部署，上海将重点发展5G关键芯片和5G智能终端“两强产业”，促进芯片与终端产业联动发展。重点发展5G核心芯片、支持终端产业做大做强，培育壮大射频器件及测试设备、5G通信模块、光通信器件和模块、5G通信设备等“四个增长极”，推动5G通信全产业链发展。

联电出手收购三重富士通，全球代工厂即将洗牌

联电出手收购三重富士通，全球代工厂即将洗牌

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全球半导体晶圆代工厂排名或将发生变化。9月25日，联华电子宣布收购三重富士通半导体股份有限公司（MIFS）全部的股权。据集邦拓墣研究院最新数据，联电在2019年世界集成电路晶圆代工厂位列第四，仅次于第三名格芯。据相关数据，联电2019年第二季度营收1160百万美元，略低于格芯1336百万美元。如今，联电出手收购MIFS，全球晶圆代工厂或将重新洗牌。

36.1亿元收购MIFS剩余股权

联华电子于25日宣布，该公司已获批购买与富士通半导体（FSL）所合资的12英寸晶圆厂——三重富士通半导体股份有限公司的全部的股权，完成并购的日期订定于2019年10月1日。早在2014年，富士通半导体和联华电子两家公司已经达成协议，联电可以分阶段逐步购买三重富士通半导体15.9%的股权。今日，联电获准以544亿日元（约36.1亿元）的价格购买三重富士通半导体剩余84.1%的股权。据官方信息，三重富士通半导体在成为联华电子完全独资的子公司后，将更名为United Semiconductor Japan Co.，Ltd。（USJC）。

富士通半导体和联电除了三重富士通半导体股权投资之外，在40nm技术上也有授权合作。目前MIFS已建设40nm逻辑生产线，此次三重富士通半导体整合至联华电子旗下，将推动联电在日本半导体业的整体实力，深挖潜质，巩固联电业务根基，拓宽联电业务覆盖面积。联华电子共同总经理王石认为，此次并购将在联华电子员工数十年的丰富制造经验的基础之上，结合联电的经济规模及晶圆专工的专业技术，达到双赢的效果。未来联电对于新老客户，将提供更强更有力的支持服务。“联华电子全球客户将充分利用此次收购的日本12英寸晶圆厂”王石说。

此外，王石表示，此次收购符合联电布局亚太12英寸晶圆厂生产基地产能多元化的策略。“展望未来，我们将持续专注于联电在特殊制程技术上的优势，通过内部和外部对扩张机会的评价，寻求与此策略相符的成长机会。”王石说。

全球晶圆厂排名或将重新洗牌

据了解，日本三重富士通半导体的月产能为3.6万片12英寸晶圆，主要应用在汽车、物联网（IoT）等，并以40纳米、65纳米制程等成熟制程为生产的主力。在吸收了该厂后，联电在全球的排名或将再进一步。

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院统计，第三季度全球晶圆代工总产值预计将比第二季度高13%。市占率排名前三名分别为台积电(TSMC) 50.5%、三星(Samsung) 18.5%与格芯(GlobalFoundries) 8%。联电位列第四。不过为了稳定投片，格芯近期出售了部分厂房和芯片业务，以期待通过RF SOI技术来提高通讯领域的营收。不过，有分析师认为，格芯未来交割厂房，后可能使营收减少，加上AMD积极布局7纳米产品线，都将影响格芯在12/14纳米制程的营收表现。

反观联电，第二季度受利于通讯类产品，包括低、中端手机AP，开关组件与路由器相关芯片等需求的影响，联电产能利用率提升，出货量稳定增加，集邦咨询分析预估联电第三季度有望维持营收成长。在此基础之上，联电又宣布收购三重富士通半导体。

“一方面，联电扩充了自己的产线，联电12英寸厂从三座变成了四座，主要业务面向车规级产品，为以后的人工智能、自动驾驶做好铺垫。另一方面，这是联电在日本的第一座12英寸晶圆厂，可以更好地帮助联电开拓日本客户。”分析师杨俊刚对《中国电子报》记者说。

“此次收购，会帮助联电满足富士康以前难以满足的客户需求，帮助联电拓展在日本的市场。未来，联电或将成为全球第三位的晶圆代工厂。”杨俊刚向记者表示，以目前的形势来看，格芯在经营上的压力要大于联电，联电此次的收购或将影响全球代工厂排名。

“全球晶圆代工厂排名或许变成第一名台积电、第二名三星、第三名联电。如果联电想要赶超前两位，一方面需要更加努力的拓展市场客户，另一方面要加强研发，发展多元化工艺。”杨俊刚说。

美光科技第四季度净利润同比大幅下降

美光科技第四季度净利润同比大幅下降

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美光科技在美股市场周四收盘后（北京时间周五凌晨）发布了该公司的2019财年第四季度及全年财报。报告显示，美光科技第四季度营收为48.70亿美元，相比之下去年同期为84.40亿美元，上一季度为47.88亿美元；净利润为5.61亿美元，相比之下去年同期为43.25亿美元，上一季度为8.40亿美元；每股摊薄收益为0.49美元，相比之下上年同期为3.56美元，上一季度为0.74美元。

财报发布后，美光科技盘后股价下跌5.80%，报45.78美元/股，原因是该公司对2020财年第一季度调整后每股收益的展望未达华尔街分析师预期。

第四季度业绩概要：

美光科技第四季度营收为48.70亿美元，相比之下去年同期为84.40亿美元，上一季度为47.88亿美元，超出分析师预期。财经信息供应商FactSet调查显示，分析师此前平均预期美光科技第四季度营收将达45.9亿美元。

美光科技第四季度毛利润为13.95亿美元，在营收中所占比例为28.6%，相比之下去年同期的毛利润为51.51亿美元，在营收中所占比例为61.0%；上一季度的毛利润为18.28亿美元，在营收中所占比例为38.2%。

不按照美国通用会计准则，美光科技第四季度调整后毛利润为14.91亿美元，在营收中所占比例为30.6%，相比之下去年同期的调整后毛利润为51.79亿美元，在营收中所占比例为61.4%；上一季度的调整后毛利润为18.84亿美元，在营收中所占比例为39.3%。

美光科技第四季度运营利润为6.50亿美元，在营收中所占比例为13.3%，相比之下去年同期的运营利润为43.77亿美元，在营收中所占比例为51.9%；上一季度的运营利润为10.10亿美元，在营收中所占比例为21.1%。

不按照美国通用会计准则，美光科技第四季度调整后运营利润为6.94亿美元，在营收中所占比例为14.3%，相比之下去年同期的运营利润为44.39亿美元，在营收中所占比例为52.6%；上一季度的调整后运营利润为11.10亿美元，在营收中所占比例为23.2%。

美光科技第四季度净利润为5.61亿美元，相比之下去年同期为43.25亿美元，上一季度为8.40亿美元；每股摊薄收益为0.49美元，相比之下上年同期为3.56美元，上一季度为0.74美元。

不按照美国通用会计准则，美光科技第四季度调整后净利润为6.37亿美元，调整后每股收益为0.56美元，这一业绩超出分析师预期，相比之下去年同期的调整后净利润为43.13亿美元，调整后每股收益为3.53美元；上一季度的调整后净利润为11.98亿美元，调整后每股收益为1.05美元。财经信息供应商FactSet调查显示，分析师此前平均预期美光科技第四季度调整后每股收益将达0.51美元。

2019财年业绩概要：

美光科技2019财年营收为234.06亿美元，相比之下2018财年为303.91亿美元，超出分析师预期。据雅虎财经频道提供的数据显示，29名分析师此前平均预期美光科技2019财年营收将达231.2亿美元。

美光科技2019财年毛利润为107.02亿美元，在营收中所占比例为45.7%，相比之下2018财年的毛利润为178.91亿美元，在营收中所占比例为58.9%。

不按照美国通用会计准则，美光科技2019财年调整后毛利润为109.73亿美元，在营收中所占比例为46.9%，相比之下2018财年的调整后毛利润为179.94亿美元，在营收中所占比例为59.2%。

美光科技2019财年运营利润为73.76亿美元，在营收中所占比例为31.5%，相比之下2018财年的运营利润为149.94亿美元，在营收中所占比例为49.3%。

不按照美国通用会计准则，美光科技2019财年调整后运营利润为78.01亿美元，在营收中所占比例为33.3%，相比之下2018财年的调整后运营利润为152.43亿美元，在营收中所占比例为50.2%。

美光科技2019财年净利润为63.13亿美元，相比之下2018财年为141.35亿美元；每股摊薄收益为5.51美元，相比之下2018财年为11.51美元。

不按照美国通用会计准则，美光科技2019财年调整后净利润为73.14亿美元，相比之下2018财年为147.00亿美元；调整后每股摊薄收益为6.35美元，超出分析师预期，相比之下2018财年为11.95美元。据雅虎财经频道提供的数据显示，26名分析师此前平均预期美光科技2019财年调整后每股收益将达6.24美元。

业绩展望：

美光科技对2020财年第一季度业绩作出了以下展望：

– 营收预计将可达到50亿美元，上下浮动2亿美元，超出分析师预期。财经信息供应商FactSet调查显示，分析师此前平均预期美光科技第一季度营收将达48亿美元；

– 毛利率预计将可达到25.5%，上下浮动1.5%；不按照美国通用会计准则，调整后毛利率预计将可达到26.5%，上下浮动1.5%；

– 每股摊薄收益预计将可达到0.42美元，上下浮动0.07美元；不按照美国通用会计准则，调整后每股摊薄收益预计将可达到0.46美元，上下浮动0.07美元，不及分析师预期。财经信息供应商FactSet调查显示，分析师此前平均预期美光科技第一季度调整后每股收益将达0.53美元。

5G＋旺季 旺宏12英寸晶圆近满载

5G＋旺季 旺宏12英寸晶圆近满载

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非挥发性快闪存储器大厂旺宏董事长吴敏求26日表示，近期NOR Flash价格持稳，看好5G基地台及终端设备将会采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市场开始扩大出货，19纳米制程月投片量已超过1万片，其中19纳米4Gb SLC NAND已大量出货给美国客户，第四季在订单陆续到位下将扩大出货量。

吴敏求表示，19纳米制程的SLC NAND已正式出货给美国机顶盒大客户，主要出货产品为4Gb SLC NAND，而且出货量“不是小量”。旺宏下半年进入旺季，吴敏求透露近期12英寸晶圆产能几乎满载。

吴敏求表示，电视机顶盒因为系统愈来愈复杂，若使用高容量NOR Flash成本太高，所以转用容量更高的SLC NAND Flash。现在一般机顶盒采用的NAND Flash容量大约在2Gb或4Gb，而且未来SLC NAND还会应用在像4K／8K超高画质电视等消费性产品。对于存储器价格看法，吴敏求表示，包括只读存储器（ROM）、NAND Flash及NOR Flash价格都处在稳定状态。

随着5G将在明年大量商转，吴敏求认为可增加更多存储器用量。吴敏求表示，5G最大的意义是网络可更快传输更多资料，所以5G应用除了基地台及手机外，支援5G物联网装置也会愈来愈多。现阶段来看，5G基地台及终端装置会搭载较高容量NOR Flash，至于5G手机等产品也会用到更多存储器，但市况好不好要看消费者买不买单。

旺宏第三季进入出货旺季，受惠于NAND Flash及NOR Flash价格止跌回稳且出货畅旺，加上任天堂新推出游戏机及体感游戏RingFit套件，带动旺宏ROM出货创高，8月合并营收月增24.9%达37.91亿元（新台币，下同），较去年同期成长17.2%，并为历年同期新高。法人预期，旺宏第三季营收可望站上百亿元大关，较上季成长4成以上。旺宏不评论法人预估财务数字。

旺宏今年资本支出约140亿元，主要用于进行制程微缩以降低单位制造成本，包括SLC NAND Flash由36纳米转换至19纳米，每片晶圆切割出的同容量芯片可增1倍，明年可望带来30%以上的位元成长率。

NOR Flash也由75纳米微缩至55纳米后，每片晶圆切割出的同容量芯片可增加50%，并会增加高容量NOR Flash产能。旺宏投入许多资源开发的192层3D NAND，预计2021年开始生产TLC规格芯片。

扩展高效能运算应用 英特尔新推Optane及3D NAND解决方案

扩展高效能运算应用 英特尔新推Optane及3D NAND解决方案

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处理器龙头英特尔(intel)于25日在韩国首尔举行的全球意见领袖聚会上，介绍了一系列最新科技里程碑，并强调英特尔在以资料为中心的运算时代中，将持续推动存储器和储存发展的投资与承诺。包括提供客户独特的Intel Optane技术和Intel 3D NAND解决方案，以便开发云端、AI和网络边缘装置。

英特尔资深副总裁暨非挥发性存储器解决方案事业群总经理Rob Crooke表示，这世界产生资料的速度越来越快，而企业对于如何有效地处理这些资料也显得越来越无所适从。在众多企业中，能胜出的主要区别就在于谁能够从这些资料中获取价值。这些任务将需要在存储器和储存层级结构进行先进创新，而这正是英特尔目前所推动的工作。

英特尔在此次活动中提到以下最新科技里程碑，包括将在位于美国新墨西哥州Rio Ranch o的工厂拓展全新Intel Optane技术研发生产线的计画，以及宣布代号为“Barlow Pass”的第2代Intel Optane DC持续性存储器(Persistent Memory)，将搭载新一代Intel Xeon可扩充处理器，预计将于2020年推出。

同时，英特尔专为用于资料中心的SSD推出领先业界的144层4阶储存单元(Quad Level Cell，QLC)NAND快闪存储器，也预计将在2020年推出。

英特尔进一步指出，机器所产生的大量资料通常需透过即时分析后，才能赋予资料价值。此项需求突显了存储器储存层级结构所产生的缺口，即DRAM容量不足、SSD则不够快。而这些缺口可透过Intel Optane DC持续性存储器来填补，就连更大量的资料集(data set)也可透过储存介面连接的Intel Optane技术来填补缺口。

此外，硬盘速度越来越不能满足以资料为中心的运算环境，因此Intel Optane技术与QLC NAND的组合可改善此状况。整体而言，Intel Optane是材质、架构、与效能兼具的特殊组合，是现有的存储器与储存技术无法相比的。

最后，英特尔存储器和储存解决方案正在协助包括微软在内的众多客户。目前微软正在对其客户端作业系统进行重大更新，以支援Intel Optane持续性存储器所提供像是快速启动和游戏读取等众多新功能与特色。而英特尔同时也为重要企业客户展示了新一代Intel Optane技术单连结埠固态硬盘，相关产品预计将于2020年上市。

台积电与ARM展示业界首款7纳米Arm核心CoWoS小芯片系统

台积电与ARM展示业界首款7纳米Arm核心CoWoS小芯片系统

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高效能运算领域的领导厂商arm与晶圆代工龙头台积电26日共同宣布，发布业界首款采用台积电先进的CoWoS封装解决方案，内建arm多核心处理器，并获得硅晶验证的7纳米小芯片（Chiplet）系统。

台积电表示，此款概念性验证的小芯片系统成功地展现在7纳米FinFET制程及4GHz arm核心的支援下打造高效能运算的系统单芯片（System-on-Chip,SoC）之关键技术。同时也向系统单芯片设计人员演示运作时脉4GHz的芯片内建双向跨核心网状互连功能，及在台积电CoWoS中介层上的小芯片透过8Gb/s速度相互连结的设计方法。

台积电进一步指出，不同于整合系统的每一个元件放在单一裸晶上的传统系统单芯片，将大尺寸的多核心设计分散到较小的小芯片设计更能完善支持现今的高效能运算处理器。

此高效的设计方式可让各项功能分散到以不同制程技术生产的个别微小裸晶，提供了灵活性、更好的良率、及节省成本的优势。

小芯片必须能够透过密集、高速、高频宽的连结来进行彼此沟通，才能确保最佳的效能水准，为了克服这项挑战，此小芯片系统采用台积电所开发的Low-voltage-INPackage-INterCONnect（LIPINCONTM）独特技术，资料传输速率达8Gb/s/pin，并且拥有优异的功耗效益。

另外，此款小芯片系统建置在CoWoS中介层上由双个7纳米生产的小芯片组成，每一小芯片包含4个arm Cortex–A72处理器，以及一个芯片内建跨核心网状互连汇流排，小芯片内互连的功耗效益达0.56pJ/bit、频宽密度1.6Tb/s/mm2、0.3伏LIPINCON介面速度达8GT/s且频宽速率为320GB/s。此小芯片系统于2018年12月完成产品设计定案，并已于2019年4月成功生产。

arm资深副总裁暨基础设施事业部总经理Drew Henry表示，这次与我们长期伙伴台积电协作的最新概念性验证成果，结合了台积电创新的先进封装技术与arm架构卓越的灵活性及扩充性，为将来生产就绪的基础架构系统单芯片解决方案奠定了绝佳的基础。

台积电技术发展副总经理侯永清博士表示，此款展示芯片呈现出我们提供客户系统整合能力的绝佳表现，台积电的CoWoS先进封装技术及LIPINCON互连介面能协助客户将大尺寸的多核心设计分散到较小的小芯片组，以提供更优异的良率与经济效益。arm与台积电的本次合作更进一步释放客户在云端到边缘运算的基础架构应用上高效能系统单芯片设计的创新。

四川内江签约明泰电子集成电路封测基地一期等项目

四川内江签约明泰电子集成电路封测基地一期等项目

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近日，四川内江市在成都连续举办两场投资推介会，充分利用第三届西博会进出口展暨国际投资大会平台，针对电子信息、汽车零部件等重点产业进行精准招商，自办活动现场签约项目13个，并将有11个项目借助省级平台集中签约，投资总额达316.86亿元，呈现出领域广、投资大、项目多的特点。

电子信息产业和汽车产业是成都、重庆重点发展的优势现代产业。地处成渝发展主轴中心节点的内江，正紧扣四川省委赋予的“加快建设成渝发展主轴重要节点城市和成渝特大城市功能配套服务中心”定位，积极融入成渝城市群一体化发展，聚力发展新材料、新装备、新医药、新能源和大数据“四新一大”产业。

其中电子信息产业方面，内江市经过多年发展，实现了“从单一产品到成链发展、从单个企业到产业集群、从低端产品到高端技术”的重大转变，产业集群已初步形成，建成了四川省电子信息产业配套基地，形成了以笔记本外壳、连接器、液晶显示模组和信息安全为主的四大产业链条，巨腾国际、效率源科技、富乐德科技等一批行业领先的电子信息企业发展态势强劲。

当天两场推介会现场，内江签约了阿里巴巴全面合作项目、明泰电子集成电路封测基地一期项目等13个项目，另有11个项目将借助省级平台签约，合计投资总额达316.86亿元。

“我们企业是种子，要选择适合的土壤成长。”在推介会上，四川明泰电子科技公司总经理郑渠江一语道出企业家在内江发展的心声。从洽谈、签约、落户，郑渠江亲历了内江“信誉好、服务优、效率高、成本低”的政务环境，不遗余力“点赞”内江，并主动当起宣传员号召广大客商来内江投资兴业。

“现在的内江是成渝城市群中的新内江。”内江市委书记马波表示，内江发展态势已起、整体发展格局初显、甜城大地正悄然发生深刻变化。新起点上，内江正面临新一轮西部大开发、成渝城市群一体化发展等重大机遇，欢迎广大客商来内江投资兴业。我们将持续用力为广大客商来内江投资兴业提供一流服务、创造良好环境，实现互利共赢、共同发展。

英迪那米半导体徐州项目正式投产 目标客户中芯国际等

英迪那米半导体徐州项目正式投产 目标客户中芯国际等

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9月25日上午，英迪那米半导体科技集团成立暨半导体蚀刻机精密零部件生产与修复项目投产仪式举行。

英迪那米半导体科技集团（徐州）半导体科技有限公司于2018年9月26日注册成立，坐落于东环街道新微半导体加速器2号厂房，2019年5月28日正式开工建设。经过三个半月紧锣密鼓地施工安装，英迪那米半导体蚀刻机精密零部件生产与修复项目己达正式生产条件，并全面投产运营。

英迪那米（徐州）项目主要为蚀刻机提供全新的配件与配件修复服务，目标客户是中芯国际、华虹集团、紫光国芯、格罗方德等国内外企业。厂区内建有三大生产车间：精密加工车间、表面加工车间、清洗加工车间。项目总投资3600万美元（约合人民币2.57亿元），预计投产后可实现年销售收入8亿元。

目前，国内芯片制造业修复服务近乎空白，国际上相关服务的供应商只涉及腔体套件新品的精密加工生产和供应、套件涂层修复业务、套件清洗服务三类业务中的一种或部分服务，而英迪那米则提供全套一站式服务，填补了国内空白。

英迪那米半导体科技集团有限公司董事长姚荣生表示，“经过一年紧张有序的精心筹备，在新中国70华诞到来前夕，英迪那米徐州项目顺利投产，可以说是“花落彭城，琴瑟和鸣结良缘；恰逢盛世，风劲扬帆正当时”。

近两年来，徐州经开区始终坚持工业立区、产业强区战略，突出招大引强、延展产业链，不断壮大半导体产业规模，全力培育区域经济新的增长极。

目前，经开区已集聚近50余家半导体行业领军企业，总投资超过300亿元，初步形成了第一代半导体链式发展、第三代半导体快速崛起的强劲态势。

集邦咨询：DRAM八月合约价格止跌，九月继续持平可能性高

集邦咨询：DRAM八月合约价格止跌，九月继续持平可能性高

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集邦咨询：DRAM八月合约价格止跌，九月继续持平可能性高

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合约价与前月持平，DDR4 8GB均价来到25.5美元，而九月合约价格虽然仍在议定当中，但继续持平的可能性高。

从市场面来观察，随着日本政府批准关键半导体原料出口，七月开始的日韩贸易问题已正式落幕。但期间OEM客户受不确定因素与预期心理影响，已纷纷拉高备货库存，使得DRAM原厂的高库存水位逐步下降，并往正常水位迈进。此外，第三季适逢传统旺季，再加上美国将在12月初开始对部分中国出口的电子产品课征关税，也产生提前出货的效应，需求力道超过预期，这让DRAM原厂在价格议定时态度更为坚定，亦让整体第三季价格扭转原先的跌势，转为持平。

原厂调整资本支出以稳固获利，明年DRAM产出增幅创十年新低

展望2020年，由于三大DRAM原厂仍以获利为导向，资本支出预估将较今年减少至少10%，明年的产出年成长亦是近十年来新低，仅12.5%，为价格反弹奠定一定的基础。

集邦咨询调查显示，DRAM原厂的扩厂计划转趋保守，如三星的平泽二厂已经接近完工，但最快要到2020年第二季才会进入商转，且新增的设备仅是支持未来1Znm制程的转进，整体投片量将与今年大致相同。SK海力士最新M16工厂最快明年下半年完工，产出增加最快要等到2021年，加上旧工厂M10逐步转做代工，预估明年整体DRAM投片量将不增反减。

美光今年在广岛厂旁增设的F栋工厂，也是为了支援1Znm制程转进，整体广岛厂产能并无增加。而台湾美光内存目前正在兴建的A3新厂，初期也是支援1Znm制程转进，短期增产机会并不大。但A3厂基地面积不小，未来还是有新增产能的可能。

明年中国DRAM投片占全球不到3%，对产业长期影响仍待观察

中国目前有两个DRAM生产基地，规模较大的合肥长鑫存储(CXMT)已经初步投产，初期产品以DDR4 8Gb为主，明年上半年将会有LPDDR4 8Gb的产品，持续往量产迈进，但预计要到2021年，产能才有机会达到满载的100K甚至以上。福建晋华(JHICC)虽然受到美国禁令影响，美系设备无法有工程人员驻厂维护，但内部仍试图自行将参数调整至最佳化，预计明年投片有10K之内的水平。

因此集邦咨询预估，2020年中国DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%，自主生产成果仍有限。展望未来，中国内存产业仍需克服良率、机台建置以及IP相关限制等挑战，对整体DRAM供给产生明显冲击的确切时间点，仍需持续观察。