套现30亿元?大基金一期再减持两家半导体公司

套现30亿元?大基金一期再减持两家半导体公司

近日,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(以下简称“大基金一期”)再现减持动作。6月12日,三安光电和兆易创新均发布公告称,大基金一期拟减持公司股份。

根据三安光电公告,截止公告披露日,大基金一期持有三安光电股票460,927,232股,约占公司总股本的11.30%。大基金一期自披露该减持计划公告日起15个交易日后的6个月内,采取集中竞价交易方式减持股份数量不超过公司股份总数2%,即81,568,498股。

而根据兆易创新的公告,截止公告披露日,大基金一期持有兆易创新股票39,203,728股,约占公司总股本的8.33%。大基金一期自披露该减持计划公告日起15个交易日后的3个月内,采取集中竞价交易方式减持股份数量不超过公司股份总数1%,即4,707,806股。

至于减持金额,按照双方在6月12日的收盘价(三安光电:23.78元/股;和兆易创新:230.03元/每股)计算,此次大基金一期将共计套现约30亿元,其中通过三安光电套现约19.4亿元,通过兆易创新套现约10.8亿元。

值得一提的是,此次大基金一期是第二次减持兆易创新,在2020年3月30日-2020年4月7日期间,大基金通过集中竞价交易的方式累计减持兆易创新股份3,210,337股,占该公司总股本的1%,减持总金额7.98亿元。

对于大基金一期此次减持公司股份原因,三安光电和兆易创新公告称,实现股东良好回报。近期大基金一期多次宣布减持所持有的上市公司股份,除了兆易创新和三安光电外,还包括汇顶科技、国科微、以及晶方科技等。

再投建半导体项目?奕斯伟有意继续布局合肥

再投建半导体项目?奕斯伟有意继续布局合肥

6月13日,北京奕斯伟科技集团董事长王东升与合肥市政府商谈产业合作事项。据合肥消息官微指出,此次,奕斯伟有意继续布局合肥,投资新建半导体项目。

资料显示,奕斯伟创办于2016年3月,是一家半导体领域产品和服务提供商,核心事业涵盖芯片与方案、硅材料、先进封测三大领域,产品广泛应用于显示器件、人工智能、物联网、可穿戴设备等领域。

其中芯片与方案事业围绕移动终端、智慧家居、智慧交通、工业物联网等应用场景,为客户提供显示与视频、智慧连接、智慧物联和智能计算加速等四类芯片及解决方案; 硅材料事业主要包括12英寸全球先进制程硅单晶抛光片和外延片;先进封测事业主要包括芯片后端封测、COF卷带、面板级集成封测三类业务。

据悉,奕斯伟总部位于北京,在北京、海宁、合肥、成都、西安、英国南安普顿、韩国首尔等地设有研发中心,在西安、成都、合肥、苏州等地拥有制造基地,在香港、广州、深圳、南京、上海、中国台湾、美国硅谷、韩国首尔等地设有营销据点。

其中合肥奕斯伟COF卷带项目于2018年4月开工建设,2019年12月正式量产,目前是中国大陆首条也是大陆最大的半导体显示芯片封装COF卷带生产基地,总投资12亿,总建筑面积约67000平方米,其生产的COF卷带作为显示器件驱动IC重要的搭载组件,广泛应用于显示器件、车联网、可穿戴设备等领域,填补了集成电路封测COF卷带材料国产化产业空白。

奕斯伟董事长王东升表示,从家电制造到平板显示,再到集成电路等,合肥的产业在不断升级、不断壮大。合肥在半导体产业领域有实力、有基础,面向未来,可以大有作为。奕斯伟将继续深耕合肥,助力合肥加快建设现代产业体系,为城市高质量发展作出新贡献。

合肥市委书记虞爱华表示:“希望最新达成共识的项目尽快落地、早见成效。

上海浦东集成电路设计业硬核崛起

上海浦东集成电路设计业硬核崛起

6月13日,科创板迎来正式开板一周年。从新区科经委了解到,浦东企业寒武纪、格科微、芯原微电子相继进入科创板上市流程,预示着在芯片设计领域,浦东即将再添科创板上市成员。此前,浦东的芯片设计领域企业,乐鑫科技、晶丰明源、晶晨半导体、聚辰半导体已先后挂牌科创板。

从制度变革到效率变革,科创板所搭建的高效对接平台,以资本市场形态吸引集聚社会资金,为重大科技创新进行资本赋能,正助力浦东孵化出一批全球性创新型科技项目,攻克卡脖子“硬科技”。

设计业最新成绩单出炉:增长最快

上海市集成电路行业协会对本市200家集成电路主要企业的最新跟踪统计显示,2020年4月份全市集成电路产业销售收入为105.08亿元,比去年同期增长21.16%。其中,设计业销售额达40.3亿元,同比增长61.33%,该增幅在集成电路各行业中位居第一。

拥有集成电路多年产业积累的浦东已经拥有完整产业链。在浦东高质量发展、产业能级倍增的蓝图上,聚焦“中国芯”,提出在芯片设计上要达到国际领先水平,在高端芯片设计、核心器件量产、先进制程、核心装备开发、关键材料攻关等领域攻克一批技术难题。

值得关注的是,全球芯片设计10强中有6家在张江设立了区域总部、研发中心;全国芯片设计10强中有4家总部位于张江,不少“小而美”的企业更是占据了市场龙头份额。

如首批进入科创板的乐鑫科技专注于WiFi领域的芯片,虽然公司体量较小但技术能力强。目前,乐鑫科技在全球WiFi MCU这一细分领域的市场占有率达到30%,已做到WiFi MCU细分芯片领域市场份额排名第一。

同样进入科创板的聚辰半导体,其整个手机摄像头EEPROM产品线在全球的供应商里排名第三。

科创板“后备军”实力雄厚

在科创板“后备军”名单上,寒武纪、格科微、芯原微电子更是早已在业界闯出了名堂,并加速新品的推出。在设计能力上,芯原微电子几乎每星期都会推出一款芯片。格科微与其合作伙伴的产品则已广泛应用于三星、小米、OPPO、vivo、诺基亚、传音、360、TCL、小天才等多家知名终端品牌产品。

随着5G、物联网、人工智能等应用的发展,芯片设计企业的市场更加广阔,而有了科创板的“加持”,投入研发也将更有底气。

“千亿百万”目标有望提前完成

起步早、定位高的集成电路产业是一个技术密集型、人才密集型和资金密集型产业。业界认为,中国在芯片设计、制造能力和人才队伍方面与国外还存在着差距,浦东正在这些方面加紧补齐短板、快速追赶。

今年4月,上海集成电路设计产业园在浦东张江宣布开园,依托上海芯片制造产业集聚和产业链齐备的优势,通过实施“千亿百万”工程,聚焦千家企业、形成千亿元销售规模、汇集十万人才、打造百万空间。预计到2025年,上海集成电路设计产业园将实现销售收入1000亿元。

张江高科为上海集成电路设计产业园的开发主体。张江高科总经理何大军透露,园区各项开发进展顺利,“千亿百万”目标有望提前完成。根据此前规划,该产业园将带动浦东集成电路全产业链规模达到4000亿元,实现3倍增长,占全市比重提升至80%。

芝奇推出DDR4-4400 CL17 (16Gx2)高速低延迟内存套装!

芝奇推出DDR4-4400 CL17 (16Gx2)高速低延迟内存套装!

2020年06月12日 – 世界知名超频内存及高端电竞外设领导品牌,芝奇国际为新一代Intel Z490平台推出多款高速低延迟内存套装,规格最高达DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB (16GBx2)的极速规格,并已于多款Z490系列主板完成烧机测试,此一系列套装皆采用严选的高效能三星 B-die颗粒所打造,兼具超高的传输频率以及极低的延迟,是极限超频玩家及高端用户梦寐以求的强悍内存规格。

兼具高频率低延迟  效能的完美展现

专注于极限超频的强大效能,芝奇研发团队不断挑战高频率与低延迟共存的全新高度,成功于新一代Z490平台上推出一系列CL17低时序的豪华内存规格,达到了4400MHz高频率的门坎,并推出业界首见的DDR4-4400 CL17-18-18-38 32GB(16GBx2)飙悍高规,提供极限超频玩家能崭新的高效能体验。此规格已在最新的第10代Intel® Core™处理器和MSI MPG Z490 GAMING PLUS及ASROCK Z490 AQUA主板上通过烧机测试,以下为测试截图:

除了16GBx2套装外,芝奇也提供DDR4-4400MHz CL17-18-18-38 16GB(8GBx2)的高速规格,以下截图为此规格在最新第10代Intel? Core? i9-10900K处理器和ASUS ROG MAXIMUS XII FORMULA主板上通过烧机测试:

上市信息 & 详细规格

本次的顶级套装预计于2020年第3季开始贩卖,消费者将可由芝奇授权的全球合作供货商购买取得,完整规格请参照以下图表:

支持 XMP 2.0 超频功能

芝奇超频DDR4内存全面支持 Intel XMP 2.0 超频功能,玩家无需透过复杂的 BIOS 设置,仅需透过简单步骤就能轻松体验超频所带来的飙速快感。

关于芝奇国际

芝奇国际实业股份有限公司创立于1989年,总公司位于台北市,为全球高端超频、电竞计算机内存领导品牌。在计算机科技产业长达30年的经验,芝奇深信唯有不懈的创新及突破,才能建立永续的品牌价值。另外,芝奇往往率先同行开发出高规格产品,其高端内存宛如计算机硬件界的超跑,乃全球高端玩家藉以竞技争锋的梦幻逸品。2015年,芝奇将对产品的苛刻创新精神,带入电竞外围产品,其电竞键盘及鼠标凭着精细的作工及独到的设计,一经上市即荣获全球众多专业媒体和极限用户的好评及推荐。芝奇秉承坚持淬炼不凡的精神,将不断为用户提供更高质量的产品。

台积电携手恩智浦打造5nm SoC 2021年交付首批样品

台积电携手恩智浦打造5nm SoC 2021年交付首批样品

近日,恩智浦半导体(NXP)和台积电宣布合作协议,恩智浦新一代高效能汽车平台将采用台积电5纳米制程。此项合作结合恩智浦的汽车设计专业与台积电领先业界的5纳米制程,进一步驱动汽车转化为道路上的强大运算系统。

基于双方在16纳米制程合作的多个成功设计,台积电与恩智浦扩大合作范围,针对新一代汽车处理器打造5纳米系统单芯片(SoC)平台。透过采用台积电5纳米制程,恩智浦产品将解决多种功能和工作负载需求,包含联网座舱(connected cockpit)、高效能网域控制器、自动驾驶、先进网络、混合推进控制(hybrid propulsion control)与整合底盘管理(integrated chassis management)。

台积电的5纳米制程技术是目前全球最先进的量产制程。恩智浦将采用台积电5纳米强效版制程(N5P),与前一代7纳米制程相较,其速度提升约20%,功耗降低约40%,同时拥有业界最完备的设计生态系统的支援。

身为全球领先的汽车半导体供应商,恩智浦在车辆控制、汽车安全、车载娱乐与数位仪表板(digital cluster)方面拥有丰富经验。恩智浦的5纳米研发最初基于已建构的S32架构,将成为具扩展性与通用软件环境的全新架构,进而进一步简化并大幅提升软件效能,满足未来汽车需求。恩智浦将运用5纳米技术的运算能力和功耗效率,满足先进汽车架构对高度整合、电源管理和运算能力的需求,同时运用其着名IP应对严格的安全与资安要求。

恩智浦半导体执行副总裁暨汽车处理部门总经理Henri Ardevol表示,现代汽车架构需跨领域协调软件基础架构,以发挥投资效益、扩展部署与共享资源。恩智浦的目标在于提供以台积电5纳米制程为基础的顶级汽车处理平台,该平台具备跨领域的一致架构,并在效能、功耗和全球顶尖安全及资安方面具差异性。汽车OEM厂商需要简化各控制单元间先进功能的协调、灵活地无缝定位并转换应用(port application)、以及在关键安全和资安环境中确定执行。恩智浦向来在提供汽车特定效益方面处于强大领导地位,现在更能透过与台积电合作,树立先进标竿。

台积电业务开发副总经理张晓强表示,“台积电与恩智浦最新的合作具体展现了车用半导体是如何从简单的微控制器演进为精密的处理器,这已与要求最严格的高效能运算系统中所使用的芯片不相上下。台积电与恩智浦拥有长久的坚实伙伴关系,我们非常高兴能将此汽车平台进一步推至市场,成为最先进的技术,同时协助恩智浦释放产品创新的力量,支援智慧化的汽车应用及更多的产品。”

恩智浦与台积电预计将于2021年交付首批5纳米制程样品给恩智浦的主要客户。

华邦电焦佑钧:高雄厂2022年装机计划不变

华邦电焦佑钧:高雄厂2022年装机计划不变

近日,存储器大厂华邦电召开年度股东会,董事长焦佑钧表示,在当前全球多数研究机构对2020年的经济预测GDP将会在负值的情况下,因为华邦电的产品应用很广,使得与经济连动性很广,因此看起来可能不会太好,但是就当前2020年前5个月的表现还好的情况下,未来预期应该也能维持一定的水准,使得整体的产业市况将会是审慎而不悲观。而华邦电接下来会以研发新制程与扩大产能为主,在资本支出不改变的情况下,持续经营市场。

焦佑钧在股东会后面对记者的联访时指出,因为华邦电的产品多数在消费性市场,因此当前全球经济环境不景气的情况下,一定会影响到生意。所以就相关的数字来看,的确并不太乐观,只是到现在2020年上半年都快过完,看起来情况还好,而下半年又预计能维持一定水准的情况下,对于整个产业市况来说会是审慎而不悲观的。其原因在于当前疫情趋缓的情况下,各国都在救经济,另利用许多措施来刺激消费者消费。因此,目前的关键在于消费者不是没有钱,而是能在什么时候开始消费。

焦佑钧进一步指出,虽然当前的经济情况不佳,但这是疫情所带来的短期现象,预期时间大概是两年的期间,在此情况下华邦电的资本支出不会改变,包括华邦电新技术的研发与高雄路竹厂预计2022年装机的时程也都不会有所改变。其中,新制程的研发可使得制成微缩后产能增加,成本下降。而高雄路竹厂的建设,与台中厂的扩产都是着眼于未来疫情过去后的市场需求,毕竟疫情发生后人们的生活许多也都随之改变,包括居家办公、远距教学、线上购物等都会带动需求的成长,因此华邦电的各项计划不会因为疫情的发生而改变。

至于,被问到美国对华为紧缩出口限制的问题时,焦佑钧则是表示,这都取决于终端的需求来决定。因此,当有一家供应商被限制供货之际,也就会因为市场的终端需求,有另一家的供应商会被填补上去,所以整体来说没有太大的冲击。而对于华邦电来说,最重要的是要保持住弹性。

而之前有谈到,华邦电会以DRAM与Flash两个市场平衡发展的方向为主,但如今似乎比较着重在Flash的部分,DRAM方面则有减少的趋势。对此,焦佑钧表示,在DRAM方面,华邦电的市占率小,要推动创新比较不容易。但反观Flash方面,因为在编码型存储器的市占率达到35%,推创新规格时比较容易获得市场接受,这也使得Flash的发展有些超过DRAM的情况,目前大约为55:45的比例。这也使得华邦电20年来最大业务由DRAM换成了Flash。

而在未来高雄路竹厂的部分,预计2022年装机的时间将不会改变,而且未来高雄路竹厂都会以DRAM的生产为主,主要是因为DRAM新制程的研发与新机台的安装有关,如此可以在高雄路竹新厂中尽快一步到位。而台中厂的部分就为以Flash的生产为主,预计扩产制5.8万片的计划不会改变,而预计扩产多出来的4千片产能将都会以FLASH的生产为主。

而就下半年的产业发展来看,手机市场虽然衰退,但华邦电在这部分的接触比较少,相对影响比较小。而在个人电脑、服务器、5G市场上就会预期有比较好的市况发展。其中,在个人电脑方面,预期在家公司的需求热潮可能会进一步延续到第3季底或第4季初。而且听闻,日本原本预计在2022年前让小学生每个人都配发一台Chromebook的计划将会提早来到2020年底前完成,这会是很大的商机。焦佑钧也告知同仁表示,Chromebook为教育市场的重点,一定要能及时完整的供应。

至于,在服务器市场上,虽然目前有下滑的趋势,不过因为对存储器的单位用量大,所以仍旧可以维持一定的水准。而5G基地台的部分,其虽然数量不如个人电脑的数量大,但也同样必须消耗高位元树的存储器,使得这方面的需求依旧有成长。还有,汽车电子客户也在复苏中,所以接下来会是审慎却不悲观的状态。

第三代半导体氮化镓+“新基建”=?

第三代半导体氮化镓+“新基建”=?

今年以来,氮化镓(GaN)快充成为“网红”产品,受到小米、OPPO、魅族等手机厂商的“热捧”。氮化镓在消费电子领域迅速起量的同时,其应用范围也在持续扩展,正向新基建所涉及的5G、数据中心、新能源汽车等领域渗透。新基建将如何赋能氮化镓,我国企业该如何抓住氮化镓的成长契机,利用好市场窗口?

5G可率先打开商用空间

由于氮化镓具备高频率、高功率密度、损耗小等优势,射频器件成为氮化镓最有前景的应用领域之一。5G时代,氮化镓将加速渗透基站所需的射频功率放大器(PA)。

集邦咨询指出,由于硅材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等特点,RF CMOS已经不能满足要求。GaN材料凭借高频、高输出功率的优势,将逐步替代Si LDMOS,大幅运用于PA。市场研究机构指出,5G商用宏基站以64通道的大规模阵列天线为主,单基站PA需求达到192个。2019年全球GaN射频器件市场规模达到5.27亿美元,预计2023年将达到13.24亿美元。

“5G对氮化镓的需求增长是非常明显的,5G基站所需的PA,为氮化镓带来了绝佳的市场机遇。随着硅的性能开发逼近极限,氮化镓替代硅切入更大带宽、更高频率的工作场景,使氮化镓的优势能充分发挥出来,这是一个技术换代带来的市场机会。”苏州能讯高能半导体有限公司董事总经理任勉向《中国电子报》记者表示。

今年3月,工业和信息化部在《关于推动5G加快发展的通知》中指出,将适时发布部分5G毫米波频段、频率使用规划。任勉表示,毫米波基站对射频功率器件的需求,比当前的宏基站市场更为可观,将为氮化镓带来更加庞大的市场增量。

当前,我国企业已经在5G氮化镓射频功率器件有所布局。苏州能讯高能半导体已建成4英寸氮化镓芯片产线,产能达到25000片4英寸氮化镓晶圆,以迎接5G无线通信对氮化镓射频芯片的市场需求。海特高新在5G宏基站的射频GaN已实现突破,在流片工艺上,已可实现代工制造。英诺赛科、赛微电子等企业也在积极开展相关布局。

高效率特性赋能数据中心

在电力电子领域,氮化镓充电器的市场热度不减。除了追求高频率、小体积的快充市场,氮化镓在数据中心服务器电源、高端工业配电系统电源等领域也有着应用潜能。

对于数据中心,服务器运行所需的电能往往占据运营成本的“大头”,如何提升能效比成为现代数据中心的关键课题。任勉指出,相对快充等体积敏感的应用领域,服务器电源将更好地发挥氮化镓高效率、低功耗的优势。

“氮化镓最大的特点是功率转化效率高。尤其在数据中心等高能耗的使用场景下,氮化镓凭借高效率的优势,将带来显著的节能效果。”任勉说。

根据数据中心运营商GaN Systems测算,GaN器件用于从AC(交流电)到DC(直流电)的电源转换,以及转换负载的DC电源,可以将整体效率从使用硅器件的77%提高到84%,使数据中心的功率密度增加25%以上,并将单个机架的电力成本降低2300美元以上。

新能源汽车应用进入研发期

在车规级市场,同为第三代半导体的碳化硅已经实现应用,但氮化镓还处于研发阶段。

目前,用于新能源汽车的功率器件主要有三个领域:一是电机控制器,用于驱动及控制系统;二是OBC(车载充电器),将交流电转化为可以被新能源汽车动力电池使用的直流电;三是DC-DC直流转换器,将动力电池的直流电转换为低压直流电,给仪表盘、显示屏、监控系统等车载设备供电。专家表示,以当前的技术水平来看,氮化镓用于DC-DC直流转换器这个细分领域有着较为明显的优势。

安世半导体MOS业务集团大中华区总监李东岳向《中国电子报》记者表示,电动汽车对高效率、高功率密度有着严苛的要求。通过节约零组件对车内空间的占用,让乘坐空间更加舒适。针对高功率密度、强续航能力等需求,目前的硅功率半导体材料器件已经发展到瓶颈期。氮化镓器件的开关速度比硅MOSFET快很多,在高效率和高功率密度方面更能符合电动汽车的需求。

当前,头部厂商对车规氮化镓多处于研发阶段。安世半导体正在研发用于高压DC-DC直流转换器、OBC等车用氮化镓产品;意法半导体看好氮化镓在OBC及48V直流转换器的潜力,并于今年宣布与台积电合作,共同推进氮化镓在汽车电气化领域的应用;纳微半导体在去年路演中表示,其GaN FET相关产品和技术可用于电动汽车和混合动力车的OBC和DC-DC转换器,可以降低能量损耗并提升开关速度,使车辆实现更快的速度和更长的里程。

“车规功率器件的认证,从A Sample到B Sample到C Sample,不管是可靠性还是方案的成熟度,都需要一定的验证时间。目前氮化镓在车规领域的应用还处于初级阶段,但未来几年预计会呈现递进式的增长。”李东岳说。

GaN应用多项挑战待解

虽然氮化镓在多个新基建领域具备应用前景,但其仍处于发展初期,在技术开发、产品验证、市场渗透等方面,还有待进一步催熟和突破。

任勉指出,在5G射频领域,射频的技术壁垒比电力电子高得多。电力电子工艺主要涉及材料、器件设计、前道工艺和后道封测。但射频器件多了一个电磁波的技术维度,涉及射频电路、射频功放以及微波电子等,技术门槛更高。

在车用领域,李东岳表示,主要存在四方面的挑战:一是车用领域的功率要求波动较大,需要在所有工况下,保持器件参数的长期稳定;二是车规功率器件长期处于高振动、高湿度、高温度的工作环境,要求器件在应对热应力和机械应力的过程中有着极高的可靠性;三是车在装备的过程中,在体积重量和制造成本上都有严格的要求,功率器件必须契合汽车装备本身的需要;四是车规器件需要做到15年到20年的使用寿命,技术门槛很高。

对于我国企业该如何利用好5G等新基建领域为氮化镓带来市场机遇,集邦咨询分析师王尊民表示,在5G基站及数据中心服务器等使用场景,相关技术仍受国际大厂控制,因此我国厂商在其中参与的机会比较少。

“目前,我国厂商若要紧随新基建的发展趋势,首先要强化自身的制造与技术研发能力,例如RF通讯、电力传输的制造实力,才会逐步在相关应用领域站稳脚跟。”王尊民说。

任勉指出,面向5G等领域的需求,我国氮化镓相关企业要提前三到五年布局,进行五年左右的技术积累和三年左右的产能建设。

“市场窗口往往稍纵即逝,一旦市场格局成形,企业再想进入并获得市场主动权,就会比较困难。要提前准备技术、产能、人才,提升布局效率,抓紧时间切入。”任勉说。

国内首款中国芯DDR4内存条,在深圳坪山大规模量产

国内首款中国芯DDR4内存条,在深圳坪山大规模量产

近日,国内首款中国芯的DDR4内存条——光威弈PRO DDR4内存条,在深圳坪山大规模量产。光威弈PRO DDR4内存条采用自主国产的长鑫内存芯片,由深圳市嘉合劲威电子科技公司生产制造。

光威弈Pro DDR4有台式机DDR4和笔记本DDR4两款。光威弈Pro DDR4台式机内存条共有2个规格:8G容量的版本,频率为3000MHz,内存条的时序是16-18-18-38,电压是1.35V;16G容量的版本,频率为2666MHZ,内存条的时序是19-19-19-43,电压是1.2V。光威弈Pro DDR4笔记本内存条也有2个规格:8G容量的版本,频率为2666MHZ,内存条的时序是19-19-19-43,电压是1.2V;16G容量的版本,频率、时序、电压与8G版本相同。

目前光威弈Pro DDR4两款内存条均已上市,得到了国内政企用户,普通玩家的大力支持。仅首日,销量就超过了5000条,线上线下销量火爆、好评如潮。

光威弈Pro DDR4是中国首款采用自主国产芯片,性能和品质能够满足消费市场需求的国产内存条。 它的出现填补了国内消费市场的空白,标志着国产存储的成功崛起。

深圳坪山区近年积极布局集成电路产业、高新技术产业的发展,率先搭建应用场景,为企业新产品、新技术的应用提供平台。深圳嘉合劲威电子科技有限公司入驻坪山区以来,倚靠坪山高新区的地缘优势和政策扶持,获得了巨大的发展和提升。

此次光威弈PRO DDR4内存条,在深圳坪山区大规模量产,是深圳坪山集成电路产业、高新技术产业的又一个成果,中国智造再一次闪亮世界。

海太半导体拟与SK海力士签订半导体后工序服务合同

海太半导体拟与SK海力士签订半导体后工序服务合同

近日,无锡市太极实业股份有限公司(以下简称“太极实业”)发布公告称,公司控股子公司海太半导体以“全部成本+约定收益”的盈利模式向SK海力士提供半导体后工序服务,就后工序服务事宜拟与SK海力士签订《第三期后工序服务合同》,合同履行期限为2020年7月1日至2025年6月30日。

2009年,太极实业实施重大资产重组,与韩国(株)海力士半导体(现更名为爱思开海力士株式会社,以下简称“SK海力士”)签署《合资经营合同》合资设立海太半导体(无锡)有限公司(以下简称“海太半导体”),其中太极实业持股55%,SK海力士持有45%股权。

根据本合同约定的条款和条件,海太半导体应在本合同期限内向SK海力士提供后工序服务,SK海力士将接受该等服务并向海太支付后工序服务费用。

据悉,海太半导体与SK海力士分别于2009年11月27日和2015年4月29日就海太半导体与SK海力士进行半导体后工序服务的合作事宜以《合资经营合同》的约定为基础先后签订了《后工序服务合同》(“一期合同”)和《第二期后工序服务合同》(“二期合同”),由海太向SK海力士提供半导体后工序服务。

随着二期合同将于2020年6月30日到期,海太半导体拟与SK海力士就半导体后工序服务合作事宜签订《第三期后工序服务合同》(以下简称“三期合同”)。海太半导体与SK海力士拟签署的三期合同,明确了海太在未来5年(2020年7月1日至2025年6月30日)继续以“全部成本+约定收益”的模式向SK海力士提供半导体后工序服务,并在三期合同中细化了第三方客户开发及激励措施等方面的约定。

太极实业表示,本合同的签署与履行有利于未来5年海太半导体为公司提供较好及稳定的盈利及现金流,同时三期合同细化了第三方客户开发及激励措施的约定有利于海太半导体更加注重优化生产管理及控制成本费用,有利于提高海太的综合竞争力,同时也有利于公司的半导体业务的发展。

本合同签署后,海太半导体后工序服务业务将继续存在对SK海力士的一定依赖。海太半导体将根据三期合作的约定在巩固和发展与SK海力士战略合作关系的基础上,努力优化产品结构及客户结构,提高公司综合竞争力,打造世界一流的半导体后工序服务商。

兴胜科携手昆山一鼎 拟建高端半导体引线框架生产基项地目

兴胜科携手昆山一鼎 拟建高端半导体引线框架生产基项地目

6月7日至9日,铜陵市委副书记、市长胡启生带队考察了兴胜科半导体材料公司。铜陵发布指出,兴胜科半导体材料公司拟联合昆山一鼎公司在铜陵建设高端半导体引线框架生产基项地目。

据悉,兴胜科半导体材料公司成立于2003年,注册资本2500万美元,前身为日本住友独资企业,2017年被世界著名的半导体集成电路引线框架制造商台湾长华集团收购。经营范围包括引线框架类半导体封装材料和精密模具的开发、设计、生产;销售本公司产品并提供售后服务;从事本公司生产产品的同类商品的进口业务。

而昆山一鼎公司成立于2001年,是专业从事精密电镀设备、电镀模具以及自动化设备研发及制造的生产厂家,该公司研发生产的电镀生产线与电镀模具,已被广泛应用于接插件、引线框架及光电产业等精密选择性电镀领域。

铜陵市委副书记、市长胡启生表示,铜陵是国家电子材料产业基地,也是国内重要的集成电路引线框架装备制造基地,拥有良好的产业优势和人才基础,希望双方早日达成合作,实现共赢发展。