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近日，智光电气在投资者互动平台上表示，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目。

智光电气指出，该建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。

资料显示，粤芯半导体的注册资本为10亿元，其中科学城（广州）投资集团有限公司认缴出资2亿元，占股20%，广州华盈企业管理有限公司，出资认缴3亿元，占股30%，而广州誉芯众诚股权投资合伙企业（有限合伙）认缴出资5亿元，占股50%。而智光电气此前曾通过认购广州誉芯众诚30%有限合伙人份额间接持有粤芯半导体股权。

根据官网介绍，粤芯半导体是国内第一座以虚拟IDM (Virtual IDM) 为营运策略的12英寸芯片厂，项目投资70亿元，新建厂房及配套设施共占地14万平方米。

建成达产后，粤芯半导体将实现月产40,000片12英寸晶圆的生产能力，产品包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、人工智能、5G等创新应用的模拟芯片需求。目前粤芯半导体项目已在6月15日开始投片，目标9月20日正式量产。

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朝鲜日报、中央日报日文版11日报导，韩国唯一的半导体硅晶圆厂SK Siltron于10日举行的董事会上决议，将收购美国化学大厂杜邦（DuPont）的碳化硅（Silicon Carbide，SiC）晶圆事业，收购额为4.5亿美元，在获得各国当局许可的前提下，目标在今年内完成收购手续。

SK Siltron指出，“此次的收购是呼应韩国政府近来推动的材料技术自立化政策，且也是为了确保全球竞争力”。SK Siltron表示，“在硅晶圆领域要追上日本恐怕很难，因此将在次世代技术上进行挑战”。目前能量产SiC晶圆的厂商除了杜邦之外，还有日本昭和电工、Denso、住友等。

报导指出，此次的收购案将是SK继2017年1月从LG手中收购LG Siltron以来首起大型购并案。SK Siltrons年营收规模约1.3万亿韩元，而此次的收购额超过其年营收的三分之一水准。

据报导，韩国所需的硅晶圆高度仰赖日本进口，而市场忧心日本今后若追加对韩国加强出口管制的话，硅晶圆很有可能将成为管控的对象之一。目前在全球半导体硅晶圆市场上，日本信越化学、SUMCO合计掌控55%左右的市占率，SK Siltron、德国Siltronic、中国台湾环球晶圆市占率皆在后追赶。

9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，公司控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已达到投产条件，于2019年9月10日正式投产。聚能晶源于同日举办了“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。

国家企业信用信息公示系统显示，聚能晶源成立于2018年6月，注册资本5000万元，由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业，其中耐威科技持股40%，青岛海丝民和持股24%，袁理持股20%，青岛民芯持股16%。主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发和生产。

根据耐威科技此前公告，聚能晶源预计本项目投资总额不少于约2亿元人民币：2018年年底前投资总额不低于5000万元人民币，2020年底前投资总额不低于1.5亿元人民币。未来产品线将覆盖功率与微波器件应用，打造世界级氮化镓（GaN）材料公司，项目主要产品有面向功率器件应用的氮化镓（GaN）外延片，以及面向微波器件应用的氮化镓（GaN）外延片等。

耐威科技指出，聚能晶源项目已投资5,200万元人民币，项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆，既可生产提供标准结构的GaN外延晶圆，也可根据客户需求开发、量产定制化外延晶圆，项目的投产将有利于聚能晶源正式进入并不断开拓第三代半导体材料市场，同时有利于公司GaN功率与微波器件设计开发业务的发展，最终增强公司在第三代半导体及物联网领域的综合竞争实力。据了解，聚能晶源项目已经被评为青岛市重点项目。

耐威科技董事长杨云春介绍，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。

近日，华进半导体封装先进技术研发中心有限公司副总经理秦舒表示，摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力，迫切需要新的技术延续工艺进步，通过先进封装集成技术，实现高密度集成、体积微型化和更低的成本，使得“后摩尔定律”得以继续。

而采用以TSV为核心的高密度三维集成技术(3D IC）是未来封装领域的主导技术，3D IC与CMOS技术和特色工艺一起，构成后摩尔时代集成电路发展的三大支撑技术。

封装要贴近技术发展的需求，封装要贴近市场的需求和应用的需求，而面向物联网、人工智能、5G、毫米波、光电子领域的特色制造技术和定制化封装工艺，是实现中国集成电路特色引领的战略选择。过去我们谈封装，大家看的比较多是我有几条腿引出来，现在都是定制化了，不是给你几条腿，现在多一点的是128条腿，甚至可以做到几千个脚、几千个引线，这就是定制化设置，根据需求设置，这就是封装贴近技术发展的需求。

现在应用很多，也相应的要求封装多元化。比如人工智能、高性能计算，要求封装的类型是3D SRAM的ASIC，还有终端可扩展计算系统。比如数据中心，需要的封装是包含HBM、ASIC和3D SRAM的大尺寸2.5D封装，包含L3缓存分区的分离芯片的3D ASIC，包含多个光纤阵列的硅光子MCM。比如汽车电子，需求是驾驶辅助系统（ADAS）雷达设备的扇出封装，电动汽车和混合动力汽车中使用的MCU、电源管理系统的WB和IGBT封装模组。比如5G射频、毫米波，对于封装的要求是包含多款异质芯片的多芯片模组（例如LNA、PA、Switch和滤波器等），包含TSV Last工艺的3D集成以及集成天线和被动元器件需求。

TSV先进封装市场预测。预计2022年TSV高端产品晶圆出片量为60多万片；尽管数量有限，但由于晶片价值高，仍能产生高收入。而高带宽存储器（HBM）正在成为大带宽应用的标准。智能手机中成像传感器的数量不断增加，计算需求不断增长，促使3D SOC市场扩增。预计未来五年，12寸等效晶圆的出货数量将以20％的CAGR增加，从2016年的1.3M增加到2022年的4M。TSV在低端产品中的渗透率将保持稳定，其主要增长来源是智能手机前端模块中的射频滤波器不断增加，以支持5G移动通信协议中使用的不同频带。

2.5D Interposer市场前景。TSV Interposer是一种昂贵而复杂的封装工艺技术，成本是影响2.5D市场应用的关键因素，需要进一步降低封装或模块的总体成本。2016年到2022年，3D硅通孔和2.5D市场复合年增长率达20%；截至2022年，预计投产400万片晶圆。其市场增长驱动力主要来自高端图形应用、高性能计算、网络和数据中心对3D存储器应用的需求增长，以及指纹识别传感器、环境光传感器、射频滤波器和LED等新应用的快速发展；由于TSV Less 低成本技术的发展，2021年TSV Interposer市场的增速放缓，部分TSV Less技术将逐步替代TSV Interposer以实现2.5D；但部分市场预测，TSV Less技术的开发和商业化将会延迟；同时，为满足高性能计算市场，对TSV Interposer的需求持续增长。TSV Interposer将继续主导2.5D市场，像TSMC&UMC这样的参与者将扩大产能以满足市场需求。总体来看，TSV Interposer 仍具有强劲的市场优势。

总结来看，目前约75%左右的异质异构集成是通过有机基板进行集成封装，这其中大部分是SiP。余下的约25%是采用其他基板实现异质异构集成，这其中包含了硅转接板、fanout RDL以及陶瓷基板等。随着集成电路制造工艺节点的不断提高，成本却出现了拐点，无论从芯片设计、制造的难度，还是成本，多功能系统的实现越来越需要SiP和异质异构集成。随着人工智能和5G的发展，系统追求更高的算力、带宽，芯片的尺寸和布线密度也都在不断提高，使得2.5D封装的需求开始增加。2.5D系统集成封装涉及的技术和资源包含前道晶圆工艺、中道封装工艺和后道组装工艺，是很复杂的集成工艺，目前掌握全套技术的公司较少。

近日，中微半导体设备（上海）有限公司董事长兼CEO尹志尧表示，全球半导体设备市场，在2013年到2018年增长了两倍，从318亿美金的市场变了621亿美金的市场。而我国的半导体设备市场，2013年规模是34亿美元，2018年为128亿美元，增长了4倍。中国半导体设备厂商迎来了新的发展机遇。

尹志尧认为人类工业的革命只有两代，一是从五六百年英国开始的手工劳动变成机械化的工业革命。二是上世纪五六十年代从美国硅谷开始的用电脑替代人脑的工业革命，现在已经不仅仅是电脑，而是用各种各样的微观器件代替人的脑子和人的一切感官。

而在这个过程中有三个基本要素：微观的材料就是化学薄膜、物理薄膜等。微观加工即光刻、等离子体刻蚀等。新能源及节能包括核能、太阳能、LED等。美国最近有一个预测，到明年数码时代的产值相当于全世界企业总产值的41%，预计到2035年可能数码产业的产值会超过传统工业的产值。在这样一个巨大的数码产业市场里，是被芯片产业支撑的，所以芯片产业非常重要。而在芯片产业中，半导体设备是起了非常核心的作用。在如果建一条生产线，投资设备的百分比是刻蚀设备占20%，最高占到25%，薄膜占15%，最高占到15%，检测设备最高占到13%。

全球半导体设备市场，在2013年到2018年增长了两倍，从318亿美金的市场变了621亿美金的市场。而我国的半导体设备市场，2013年规模是34亿美元，2018年为128亿美元，增长了4倍。国内半导体设备和材料的增长远远高于国际市场。

最近五年半导体产业发展呈现了一些新的趋势也对设备市场带来了新的挑战和机会，比如存储器件从2D 到3D 结构的转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤，3D 闪存器件从64对到128对氧化硅/氮化硅层状结构，需要CVD多层沉积和极深宽比等离子体刻蚀，这样给CVD薄膜设备提供了新的机会，因为原来是两维的，光刻完了薄膜刻，3：1：1的次序，现在做非常深孔，现在要刻一个小时，很自然的薄膜市场就会涨得很快。5纳米器件总加工步骤是20纳米器件加工的2倍，等离子体刻蚀步骤是3倍。

尹志尧对中国发展半导体设备材料的产业发展提出了五点建议：一是我国在芯片生产线的投资和在设备和材料的投资严重的不对称。建议芯片生产线投资，芯片设计、应用公司、设备材料的投资要达到60:20:20 的比例，而不是设备和材料投资不到芯片生产线投资的二十分之一。

二是资金的投入，必须在股本金、长期低息贷款和研发资助上有合理的搭配。目前几乎全部是股本金的资本结构是很不健康的。最好的搭配是40%股本金，40%低息贷款，20%的研发资助。国内公司靠自己的销售支撑的研发费用，是很难迎头赶上的。

三是在我国的设备和材料公司一定要尽快的合并集中，统一步调，提高管理水平，提高研发能力，实现赶超和跨越发展。

四是集成电路和泛半导体产业链上的每一个环节和公司都要主动地推动本土化的进程，制定本土化率的指标，尽快的协助上下游企业提供本土化的解决方案。

五是愿意和国内设备和材料公司合作的国际设备材料公司，我们应该采取欢迎的态度，通过各种合作方式，包括代理，合作，合资，并购等方式，帮助他们本土化，使他们能积极参与我国集成电路产业链的发展。

港媒称，紫光集团旗下长江存储近日宣布，已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存（3D NAND），容量为256Gb，以满足固态硬盘（SSD）嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64层三维闪存芯片，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，被视为中国打破美日韩垄断关键一战。

据香港《大公报》近日报道，长江存储官网消息，上海中国国际半导体博览会举行前夕，公司宣布已开始量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3D NAND闪存。作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相博览会紫光集团展台。

所谓3D NAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来，形成多层结构提供容量，使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。

缩短产品上市周期

报道指出，长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储相关负责人向《大公报》表示，长江存储64层三维闪存产品的量产，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。

紫光集团联席总裁刁石京表示，长江存储进入到这个领域之前，国内一直没有大规模存储芯片的生产，未来，随着云计算、大数据的发展，人类对数据存储要求是越来越高，三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域，它的量产也标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步，把中国产品水平跟海外的先进水平缩短到了一代。

明年底月产六万片晶圆

报道称，存储芯片竞争激烈，三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。2018年，64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。

业界有关人士分析，长江储存发展迅速，但目前表态保守，其虽然未公布量产规模，预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。

据报道，长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。

业界预测，长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存，实现弯道超车。据悉，长江存储已推出Xtacking2.0规划，借以提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等，相关产品将被广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。

9月10日，聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市即墨区公司厂区举行。据天眼查显示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事长杨云春也是聚能晶源董事长。

耐威科技业务板块有三，分别是MEMS、导航、航空电子，另外，公司也在布局第三代半导体、无人系统等潜力业务。而此次投产的聚能晶源，就是公司布局的第三代半导体业务。

杨云春现场表示，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。

杨云春称，耐威科技希望能以此为契机，积极把握第三代半导体产业的国产替代机遇，在青岛继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心，继续为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。

盛世投资管理合伙人刘新玉介绍，第三代半导体材料具备独特性能，在半导体产业的国产替代进程中具有重要的战略意义，作为股东与战略合作伙伴，很高兴见到耐威科技在青岛即墨投资落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料项目能够迅速建成投产，希望该项目今后能够为产业发展、为地区经济发展做出贡献。

聚能晶源总经理袁理博士正式发布了多系列6-8英寸GaN外延晶圆产品，并对项目及产品做了相关介绍。

聚能晶源此次发布的相关产品包括8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆，可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求，为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。

聚能晶源项目掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域，产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时，聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域，开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外，聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线，满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性，根据标准TDDB测试方法，其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了10的9次方小时，处于国际业界领先水平。

兴业证券一名通信行业分析师告诉证券时报.e公司，作为第三代半导体材料，与前两代相比，氮化镓具有诸多优势，应用前景较广。

聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业。项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆。