DRAM大厂南亚科总经理李培瑛昨(5)日表示，第3季旺季效应优于预期，各应用领域需求均相当不错，第4季需求也可望与第3季持平，对第4季营运乐观看待，并看好第4季DRAM合约价有机会较第3季反弹走强。
由于DRAM供需逐步平稳，南亚科日前上调本季位元销售量季增幅度，由14-16%上调至逾25%。李培瑛5日表示，第3季旺季效应显现，且较原先预期稍微好一些，目前包括服务器、PC、消费型电子终端产品及手机等DRAM应用领域，市场需求均相当不错。
展望第4季，李培瑛指出，虽然第3季为传统旺季，但目前看来，第4季需求还算好，盼能与第3季持平，对第4季营运乐观看待。他并认为，第4季DRAM合约价有机会较第3季反弹走强。
对于美中贸易摩擦，李培瑛认为，贸易摩擦持续影响整体经济，双方何时能完成协商，还很难说，预期整体经济保守情况将会持续。不过，从DRAM产业来看，重点仍在市场供需，自贸易摩擦开打以来已历经逾1年时间，DRAM原厂会有因应动作，可望使DRAM产业市况渐趋稳定。
近日，中芯国际集成电路制造有限公司联席CEO赵海军表示，摩尔红利和市场细分是未来发展两大动力。
赵海军说，集成电路具有周期性，一是在经济发展过程中每四五年有一个周期，二是每一年都有周期。今年预计是整个半导体行业的“小年”，主要原因有三个：一是去年和前年存储器价格涨得太高，现在价格在回落到比较合理的价位。二是今年大家都热切等待着5G、人工智能的出现，很多市场都不投入新的产品，因为今年投入就是一个过渡期。三是国际贸易波动的影响，有人急着转移产业链，这些都对我们行业产生了影响。但中国的情况可能与全球的情况有所不同。
现在集成电路行业有几个特点，第一是整个集成电路的产业趋势是由手机驱动，同样的逻辑电路，以前主要是电脑驱动发展，现在是手机驱动发展，手机里面里的CPU芯片即AP，它的运算速度、功能架构、密度和耗能在驱动集成电路发展，过去台积电、三星、英特尔这样的公司有非常成功的研发经验。
第二是英特尔在2011年成功打造了22纳米的FinFET技术，这之后它的器件基本保持22纳米，所以很多企业从22纳米、14纳米，一直做到7纳米，因为其中没有太大区别。
第三是市场生态在发生变化，手机能力在演进，手机正在变成一个数据处理中心；人工智能在发展，要实现比较理想的性能，需要用到7纳米，目前7纳米以上实现的人工智能受到了极大限制，但是7纳米以下有新的推动力；在5G影响下，物联网也会和5G一起发展起来。
赵海军说，全球代工业的发展趋势是技术、生态、平台都在发展，所以现在谈集成电路制造不谈工艺技术，而是将设计、工艺与封装连在一起谈。
未来的发展有两个动力：第一个是摩尔红利还在，用户用同样的钱可以买到更好的性能、更多的功能。这样可以在第二年用同样的1000元买到比今年更好的手机，这是靠摩尔定律实现的红利，如果技术可以实现，一直发展到1纳米摩尔红利还存在。
第二个巨大的推动力是产品市场的细致划分，原来八寸长的不能做CPU，现在也在蓬勃发展。现在同时建的八寸的生产线有十几条，原因是做不同的东西要求越来越极致，生态、设计和制造会捆绑在一起，无论存量还是增量，代工来者不拒。因为市场无穷大，像快餐店一样，误打误撞也可以取得成功。
赵海军说，纵观国内代工的发展历史，我选择了一个词是“因为选择，所以不同”。在19年的发展历程中，以中芯国际为例，存储器厂做了一年半以后废掉，因为更先进的产品和技术出现了，旧厂没有用了，得不到用户认可。2011年以后，中国的代工技术逐渐成熟，也有自己的PDK、IP等，使中国的设计公司也可以来这里代工。
大家相信中国的集成电路一定出现野蛮的生长时期，做的办法就是“面多了加水，水多了加面”。国内的代工厂有四个选择，做领导者，做变革者，做跟随者或者利基者，国内基本选择的都是做快速的跟随者。实现的方式是争取做大客户、大平台、大技术、大几率事件的第二供应商，做成以后再实现在细分市场做第一供应商。战略跟随的方法就是产能、低价、高质、快速。
未来驱动代工业的发展主要是四个领域，分别是移动通信、数据流、互联网或者是万物联网、电动汽车。未来的主流是先进工厂，目前手机里面约有14-15个集成块，只有一个CPU和三个存储器的四个集成块是由最先进的技术驱动发展的。其他的都是成熟技术，而之所以成熟技术没有表现出成长，是因为原来的先进技术不断地变为成熟技术，成熟技术是跟随先进技术在发展。实际上去年的新工厂就是今年的成熟工厂。
赵海军说，中国是全球最大的半导体市场，今年大约占45%-47%。国内已经有了这么大的需求量，但国内已经有的供给还是非常小的。所以这里可以看到，一方面说明我们前途巨大，另一方面也说明有一些根深蒂固本质上的原因在阻碍着，要想更大就要克服这些阻碍。
第一个阻碍是最先进的技术，先进制程已经变成了小众群体，是VIP俱乐部，这个俱乐部要有钱、有技术，最重要的是做到两点，一是准时交付，二是绑定客户。
中芯国际目前在北京、天津、上海、深圳设有基地，在国外也建立了销售处。每月12英寸生产量是10万片，8英寸是25万片。中芯国际可以从设计服务开始，一直到最后封装、测试，为生态合作伙伴一次性做好，这对中国国内的上千家设计公司来讲是非常必要的。
近日，中环股份披露2019年半年度报告，报告期内实现营业总收入79.42亿元，较上年同期增长22.91%；归属于上市公司股东的净利润4.52亿元，较上年同期增长50.69%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3.54亿元，同比增加58.57%；经营性现金流量净额8.52亿元，较上年同期增长57.67%；报告期末总资产为450.6亿元，较期初增长5.53%；归属于上市公司股东的净资产为136.96亿元，较期初增长2.78%，资产负债率61.63%，同比上升5.99%。
营收持续增长 毛利率下跌
中环股份主要产品包括半导体材料、半导体器件、新能源材料、新材料的制造及销售；其主营业务围绕硅材料展开，专注单晶硅的研发和生产，以单晶硅为起点和基础，定位战略新兴产业，朝着纵深化、延展化方向发展。纵向在半导体制造和新能源制造领域延伸，形成半导体板块，包括半导体材料、半导体器件、半导体封装；新能源板块，包括太阳能硅片、太阳能电池片、太阳能组件。横向在强关联的其他领域扩展，围绕“绿色低碳、可持续发展”，形成光伏发电板块，包括地面集中式光伏电站、分布式光伏电站。
报告期内，中环股份实现营业总收入79.42亿元，分行业看，新能源行业实现营业收入72.74亿元，在公司总营收中占比91.6%，同比增长23.22%；半导体行业实现营业收入5.84亿元，在公司总营收中占比7.35%，同比增长19.39%；服务行业和其他占比较小，合计实现营收0.84亿元，占比1.05%。
新能源行业贡献了中环股份的绝大部分营收，其经营情况直接决定了中环股份整体的业绩。其在中环股份财报中按产品分为两类，第一类是占据绝对规模的新能源材料，第二类是电力，也就是太阳能发电。
2019年上半年，新能源材料录得营收70.06亿元，占营收比重88.21%，同比增加21.62%，带动中环股份整体营收同比大涨22.91%；电力录得营收2.69亿元，同比大幅增长87.73%。
数据来源：2019年半年度报告
不过营收增加的情况下，除半导体行业毛利率同比微增0.98%外，分行业其他业务毛利率同比全部下跌，其中新能源行业毛利率同比下跌2.78%，服务行业毛利率同比下跌8.65%，其他毛利率同比下跌20.69%。整体来看，中环股份报告期销售毛利率同比下跌2.56%。
新品硅片陷尺寸之争
值得注意的是，中环股份在新能源行业和半导体行业依然动作频频，不断在进行投入，扩大产能。
新能源行业，中环股份称“全球光伏行业即将进入平价上网时代，落后产能将被淘汰，全球新能源材料优质产能供给紧缺，资源进一步向拥有先进产能的企业集中”，公司重点在内蒙古地区扩张光伏材料产能，四期及四期改造项目已全部达产，2019年上半年太阳能级单晶硅材料年产能合计达到30GW，月产破万吨。中环协鑫五期项目已在内蒙古顺利开工建设，产能将达到25GW。五期项目预计2020年开始投产，2021年完全达产，届时其光伏硅片产能有望实现翻倍增长。
半导体产业，中环股份天津工厂8英寸硅片扩产项目已实现设计产能；12寸试验线项目于2019年2月产出，并持续进行研发工作；宜兴工厂预计下半年1条8英寸产线投产，12英寸项目预计2019年第四季度实现设备搬入，2020年第一季度开始投产，按项目设计进度持续推进。
尤其值得关注的是中环股份新推出的12英寸硅片系列产品，中环股份称其为“夸父”。
8月16日，中环股份在天津召开新品发布会，推出了12英寸超大硅片“夸父”M12系列产品。此次发布的新产品M12为12英寸超大钻石线切割太阳能单晶硅正方片，边长为210mm，对角为295mm，表面积相比M2硅片提升了80.5%。新品发布会上，中环股份董事长沈浩平表示：“‘夸父’的发布将更大幅度的降低光伏电站的BOS（初始投资成本）和LCOE（平准化度电成本），在助力制造企业获得更高收益同时，也使更多地区的平价和竞价项目顺利实施，有效推动全球光伏市场进一步发展。”
中环股份相关资料显示，同样的144半片（72块切半）组件，电池按22.25%计算，M12（硅片边长210mm）P型PERC60片半片组件较M2（硅片边长156.75mm，直径210mm）72片半片组件功率高出200W，组件转换效率高0.91%，达到20%以上，叠加高效电池，功率可突破610W。新产品预计降低BOS（初始投资成本）0.4元/W以上，度电成本降低6.8%，有效推动全球光伏平价市场发展。
但是，与中环股份同样是国内单晶龙头的隆基股份，却在8月5日宣布主推166mm大硅片，并称之“大有所为、大势所趋”。隆基股份总裁李振国指出，不同的硅片规格标准，会导致整个供应链上所用的加工夹具，甚至运输标准都不统一。“如果每一个厂家在尺寸的定义上不一致，会制约行业的健康发展。”李振国称。因此，隆基股份提倡并推出新一代更优化的166mm硅片。
虽然大硅片是光伏行业的发展趋势，中环股份的“夸父”在技术能带来更低的BOS（初始投资成本），更低的度电成本，但正如相关媒体报道：在业内看来，目前210mm硅片仅仅停留在概念端，在电池、组件和电站终端都面临着重要挑战。首先，光伏制造设备厂商没有210mm尺寸的现成解决方案，量产会受限；其次，电池端的碎片和良率也是问题，基本不可能支持薄片化趋势；第三，基于210mm硅片的组件，重量大幅提升，可能拉升项目安装成本；第四，电站组件尺寸过大也会增加机械载荷和隐裂风险。
双龙头的尺寸之争，究竟是中环股份的“夸父”一鸣惊人，还是隆基股份的166mm硅片更胜一筹，还需时间与市场给出答案。
据鞍山日报报道，近日，总投资60亿元的中科北方芯片基底材料项目已经奠基开工。此外，中科北方鞍山项目指挥部和辽宁科兴半导体科技有限公司也已经揭牌，吹响了中科北方全面进军鞍山的号角。
鞍山日报指出，这是20多年来，在鞍山高新区落地投资规模最大、采用水平最高、技术创新能力最强的一个高新技术项目。
资料显示，中科北方投资发展有限公司此前在鞍山高新区注册了辽宁科兴半导体科技有限公司，注册资本30亿元，拟建设芯片基底材料（SOI）基地项目。
据了解，该项目预计总投资60亿元，征地9.4万平方米。建设年产12寸芯片基底材料(SOI)100万片，预计年销售收入60亿元。项目分两期建设，项目一期投资30亿元，建设年产12寸芯片基底材料（SOI）50万片。建筑面积3.5万平方米，其中洁净厂房3000平方米、研发办公楼5000平方米。
A股市场投资者追捧半导体板块如火如荼之际，国家大基金则把投资目光下沉到了A股公司旗下的优质子公司身上。
精测电子6日公告，公司全资子公司上海精测半导体技术有限公司（下称“上海精测”）获得了公司、国家集成电路产业投资基金（下称“大基金”）、上海半导体装备材料产业投资基金合伙企业（有限合伙）（下称“上海半导体”）等七方投资人的增资，注册资本由1亿元增至6.5亿元。本次增资完成后，上海精测将由公司的全资子公司变更为控股子公司，持股46.2%。
据公告，9月5日，精测电子及其控股股东、实际控制人彭骞、全资子公司上海精测、大基金、上海半导体、上海青浦投资有限公司（下称“青浦投资”）、上海精圆管理咨询合伙企业（有限合伙）（下称“上海精圆”）、马骏、刘瑞林签订《增资协议》及《股东协议》，共同对上海精测进行增资（公司放弃部分优先认购权）。投资金额上，公司、上海精圆、马骏、刘瑞林、大基金、上海半导体、青浦投资分别认缴出资额3亿元、1亿元、2500万元、2500万元、1亿元、5000万元、5000万元。本次增资完成后，上市公司、大基金、上海半导体分别持股46.2%、15.4%、7.7%。
根据业绩承诺，上海精测在2020年、2021年、2022年实现营收分别不低于6240万元、1.47亿元、2.3亿元。具体到产品研发及生产进度上，集成式膜厚设备、独立式膜厚设备分别应于2020年底之前实现知名晶圆厂验证订单，并应于2022年底前通过验证并实现重复订单；半导体OCD设备、晶圆散射颗粒检测设备分别应于2021年底前实现知名晶圆厂验证订单，并应于2023年底前通过验证并实现重复订单。
在业内人士看来，精测电子本次获得大基金、上海半导体的双重“加持”，也反映了公司在行业内的领先地位。资料显示，作为国家扶持半导体产业的专项基金，大基金成立于2014年10月，一期总金额1387亿元，第一大股东为国家财政部，无实际控制人。目前，大基金一期已投资完毕，其中投资半导体类上市公司约25家，二期正在募集。上海半导体则为上海市扶持集成电路装备材料产业的基金，总金额100亿元，首期规模50亿元，聚焦集成电路装备和材料领域、半导体产业链上下游企业及其他相关领域，面向全球开展投资。记者查阅，万业企业是上海半导体的LP，占出资额19.8%；万业企业大股东浦东科投是该基金GP上海半导体装备材料产业投资管理有限公司的大股东，占比41%。
此外，此次其他增资方也大有来头。据公告，青浦投资注册资本5.5亿元，法定代表人为雷鹏，上海市青浦区国资委持有其100%股权。上海精圆注册资本1亿元，彭骞、执行事务合伙人上海精濑电子技术有限公司分布持有出资额的50%。马骏则为公司高级管理人员（副总经理）。
精测电子表示，鉴于半导体测试设备行业属于技术密集型、资金密集型产业，对资金、人才的需求比较大。公司此次引入大基金、上海半导体、青浦投资等专业投资机构，能借助其专业经验及政策引导支持，通过共同增资上海精测，寻求有协同效应的产业并购、投资，加快产业优质资源的有效整合，进一步增强公司研究开发能力，进一步提升公司综合实力、行业地位和竞争力，提升公司持续盈利能力，为股东创造更多的投资回报。
资料显示，精测电子是国内平面显示信号测试领域的龙头公司，在国内平板显示测试领域处于绝对领先地位，产品包括模组检测系统、面板检测系统、OLED检测系统、AOI光学检测系统、Touch Panel检测系统和平板显示自动化设备，已在京东方A、三星、LG、夏普、松下、中电熊猫、富士康、友达光电等知名企业批量应用，并大量用于苹果公司的IPhone和IPad系列产品显示测试。
5G时代到来，光器件厂商正迎来巨大的市场风口，都摩拳擦掌想要把握难得的机遇。近日，中国国际光电博览会（以下简称“CIOE光博会”）在深圳举办，三菱电机携19款光器件新产品亮相，展现出强大的竞争实力。
9月4日CIOE光博会举办首日，三菱电机同期召开创新器件助力通讯未来·三菱电机半导体媒体发布会，探讨了当前的光器件市场情况，并分享三菱电机半导体新产品、中国市场策略及发展。
5款重磅新品亮相
媒体发布会上，三菱电机光器件全球市场部总经理盛田淳、三菱电机高频光器件制作所总经理宫琦泰典、大中国区三菱电机半导体副总经理渡边良孝等高管悉数出席，重点介绍了包括新一代低成本2.5G DFB TOCAN 、工业级25G DFB TOCAN、25G LAN-WDM EML TOCAN 、50G PAM4 EML-TOSA、200G PAM4集成EML TOSA等5款新产品。
其中，三菱电机新一代低成本2.5G DFB TOCAN ML720Y68S主要应用于1.25Gbps for 10G EPON非对称ONU和2.48832Gbps for XG-PON ONU场合，其使用球透镜降低成本； 工业温度范围 -40℃~+85℃；采用标准TO-56封装，波长为1270nm。
工业级25G DFB TOCAN ML764K56T/ ML764AA58T可应用于300米~10公里的5G前传，其工业温度范围可用于户外；25.8Gbps NRZ 调制；采用TO-56 4管脚封装，与低速率TOCAN封装形式相同，便于大规模生产。
25G LAN-WDM EML TOCAN ML760B54-92x应用于40公里以内的5G无线网络，温度范围 达到-40℃~+95℃；可用25.8Gbps NRZ 调制；其出光功率和消光比分别为0 to +5dBm、 >+5dB；TEC功耗0.5W（标准值），工作温度为 -40℃~+95℃。
应用于5G无线网络还有50G PAM4 EML-TOSA FU-411REA-1M1 (10km)/ FU-411REA-3M1 (40km)，其适用于NRZ调制的非常成熟的25GEML TOSA产品，可在26.5625 G波特率，PAM-4调制下驱动，其工作温度为-5℃~+80℃。
200G PAM4集成EML TOSA FU-402REA-3M5也采用了PAM4技术，是适用于数据中心的高速光通讯器件。该产品拥有26G波特率，可用于 PAM4调制；同时融合LAN WDM技术，四通道集成器件，其工作温度范围-5 to +80℃；封装尺寸为 W6.7 x L15 x H5.8 mm。
大力支持中国5G建设
资料显示，三菱电机创立于1921年，在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位，被称为“现代功率半导体器件的开拓者”。其半导体产品包括功率模块（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、SiC MOSFET等）、微波/射频和高频光器件、光模块等。
在光通信器件领域上，三菱电机拥有超过30年的丰富经验，陆续开发出具有高输出效率的激光器组件、和具有高灵敏度的探测器组件，满足通讯网络的需要。据了解，三菱电机一直处于世界光通讯市场领先地位，其光器件和光模块产品在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案，被用到全世界各地的光纤到户网络中。
在媒体发布会上，三菱电机表示其光器件产品覆盖了低速到高速、选择面多，具有易用性、稳定性、生产便利性等竞争优势，凭借着高可靠性产品、灵活/有性价比的服务与客户达成长期双赢的合作关系，助客户提高竞争力。
三菱电机在会上强调了中国5G市场的重要性，其预计全球5G基站市场约80%份额在中国。三菱电机表示，目前中国5G建设正在全国范围内开展得如火如荼，作为光器件供应商，三菱电机将大力支持中国5G建设，目前正与中国供应链上下游展开紧密合作。
作为国内集成电路产业基础最扎实、产业链最完整的区域，长三角正在进一步推动产业发展。9月4日，在第二届全球IC企业家大会分论坛上，长三角集成电路产业公共服务机构联盟正式揭牌成立。
据介绍，成立长三角集成电路产业公共服务平台是在产业体系、生态环境、公共服务等领域深化全方位、多层次合作，更大范围构建公平公正、开放包容的集成电路发展环境，使区域内相关产业都能通过长三角公共服务机构联盟通道，更好地服务产业链企业。
该服务平台搭建起来后，将有望有效减少联盟企业的沟通和生产成本、降低初创企业门槛，实现更好的资源共享及协同作用，并可建立起以知识产权(IP)为核心、以专业服务为支撑的创新体系，推动长三角集成电路产业发展。
众所周知，近年来全国各地响应国家战略大力发展集成电路，长三角包含了以上海为核心的浙沪皖三省一市，该区域集成电路产业规模占据了全国半壁江山，逐渐形成了上海的全产业链、江苏的封测、安徽的制造、浙江的设计各有侧重的发展模式，有利于形成良好产业互补，并具备推进集成电路区域分工协作、产业联动的基础。
2018年中旬，《长三角地区一体化发展三年行动计划(2018-2020年)》正式印发，长三角集成电路领域科技创新一体化发展规划亦启动编制。当时有提议称，长三角应该建立三省一市联合基金，搭建公共的集成电路创新服务平台，建设跨区域的产业创新平台网络体系等。
如今，随着长三角集成电路产业公共服务机构联盟的揭牌成立，将有望推动长三角集成电路一体化发展及产业深度融合。
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日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。
事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
· 东莞市中稼半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
· 东莞市中晶半导体科技有限公司
东莞市中晶半导体科技有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。
· 苏州纳维科技有限公司
苏州纳维科技有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍，目前纳维科技GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
· 镓特半导体科技（上海）有限公司
镓特半导体科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
· 苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
· 聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
· 北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
· 聚力成半导体（重庆）有限公司
聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜科技有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜科技有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
· 成都海威华芯科技有限公司
成都海威华芯科技有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
· 厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
· 华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
· 杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。
近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
· 苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。
· 江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。
能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
· 英诺赛科（珠海）科技有限公司
英诺赛科（珠海）科技有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
· 大连芯冠科技有限公司
大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。
官网介绍称，芯冠科技已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。
· 江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
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在当前5G网络陆续商转的情况下，能够整合5G基带芯片的移动处理器发展，也将会是未来终端产品效能的关键。因此，继今年6月IC设计大厂联发科宣布将在年底前推出整合5G基带的移动处理器之后，龙头高通也不甘示弱地宣布，将积极推出整合5G基带的移动处理器。
而相对于两家的领先的大厂，三星也在9月3日宣布推出整合5G基带的移动处理器Exynos 980，并且预计在年底前进入量产，抢食市场。
不过，值得关注的是，相较于其他两家竞争对手采用7纳米生产，Exynos 980则是以自己的8纳米制程所打造。对于如此依赖效能与功耗的产品，选择采用上一世代节点制程来打造，这不禁让人连联想起三星才刚宣布量产没多久的7纳米制程，是否真的出了状况。
根据三星所公布的资料显示，Exynos 980移动处理器是三星推出的首颗整合5G基带的移动处理器。三星指出，该产品将2个性能完全不同的芯片合二为一，在降低功耗的同时，减少零组件所占体积，进而方便终端设备的设计。
此外，三星的Exynos 980内建8核心架构，其中有2个Cortex-A77大核心、以及6个Cortex-A55小核心，并且搭配Mali G76 GPU，以自家的8纳米FinFET制程技术来生产。藉以达到一颗处理器就可支援从2G到5G的移动通信标准。而且，其中还内置高性能人工智能处理单元(NPU)，以提供人工智能运算的能力。
三星进一步指出，Exynos 980达成了超高速数据通信的应用。其中，在支援在5G通讯环境的6GHz以下频段，最高达到2.55Gbps的数据通信速度。即便在4G通讯环境下，最高也可来到1.6Gbps的数据通信速度。另外，还支援最新的Wi-Fi 6标准，使得消费者能更加迅速，且更稳定地享受连结高画质影音等大流量媒体串流服务。
而在人工智能的运算上，Exynos 980的人工智能计算效能也获得了更大优化。Exynos 980内建的高性能人工智能处理单元，其性能较之前的移动处理器优化了约2.7倍。
另外，在运算性能提升后，Exynos 980可根据用户的设置为数据进行自动分流，达成内容过滤的功能，还能快速处理连接虚拟与现实的混合实境、智慧相机等大量数据的应用，以适用于多种不同的环境。
至于Exynos 980在支援拍照功能上，内建的高性能图像信号处理器，最高可处理1.08亿像素拍摄的图像。而且，最多可连接5个图像传感器，并支援同时启用3个传感器，最佳化移动设备在当前多摄影镜头的发展趋势。
Exynos 980还预计藉由高性能的图像传感器与人工智能运算单元，进一步识别拍摄物体的形态、周围环境等，而后自动调节至最佳状态，轻松拍下顶级照片。据了解，三星计划于本月起向客户提供Exynos 980的样品，并将于年内正式投入量产。
事实上，因为目前各家移动处理器厂商都在积极抢攻5G的换机商机，只是之前的5G手机都是采用移动处理器“外挂”5G基带芯片的架构来运作，这除了耗费的智能手机内的珍贵空间之外，其他因为2个芯片在同时运作的状态下，也造成耗能状态不佳的情况。
要解决效能不加的问题，移动处理器整合5G基带芯片势在必行，这也成为下一阶段移动处理器厂商在决战5G市场的重要关键武器。
因此，在面对这么重要的产品上，三星出乎意料的采用上一代的8纳米制程，而非最新宣布量产，内含EUV技术的7纳米制程来打造，这就令人怀疑是不是三星的7纳米制程有什么样的问题发生，才使得三星做出这样的决策。
对此，市场人士指出，三星之前在旗舰型移动处理器Exynos 9820推出之际，就采用了同样的8纳米制程。
根据三星公布的资料显示，这种称之为10纳米加强版的8纳米制程，相较于全节点提升的7纳米制程来说，7纳米较10纳米减少40%的芯片面积，同时降低50%的功耗，并且使效能提升提高20%之外，因为加入EUV技术，更使得使用光罩的数量减少，降低生产成本。
但是8纳米制程仅有芯片能效提升10%，以及芯片面积减少10%的改变，这也使得三星之前的Exynos 9820处理器在各方面对比高通7纳米制程生产的骁龙855处理器时，吃了极大的亏。
所以，基于以上的因素，市场人士大胆表示，三星在最新的7纳米制程上，一定有相关良率的问题，碰到了改进的瓶颈，才会做出Exynos 980这么重要的产品以8纳米制程来生产的决定。
不过三星的处理器一向以自用为主，使得Exynos 980即便性能不如竞争对手，对整体移动处理器市场来说也不会有太大的影响。反而关键将会在于三星的7纳米制程上，未来一旦无法顺利生产，则交由三星代工的高通，未来对市场的供货有可能会出现问题。
这情况除了可能助攻竞争对手联发科之外，还可能使得已经与高通达成和解的苹果，预期在2020年将采用高通5G基带芯片所推出的5G iPhone，届时将面临没有5G基带芯片可用的窘境。因此，要如何避免这一连串的风险形成，就要看三星在7纳米制程上的调整，未来是不是赶得上时程而定了。
日前，北京大学教授、半导体业资深人士周治平称，中国至少需要“5到10年时间”才能在半导体领域赶上美国、韩国等国家，因为提升整个生态系统需要时间，尤其是在其他国家（在硬件、软件、服务和知识产权方面）实施技术封锁的时候，必须要自己开发出相关的设备、工具和技术。
长期以来，中国作为全球最大电子产品制造国家与消费国家，电子信息产品的核心半导体元器件以及集成电路高端制造装备和原材料严重依赖进口。现在，随着以美国为首的西方发达国家对中国进口装备与原材料进行严格的审查和限制，禁止中国企业通过市场的方式并购相关企业，甚至直接对中国企业进行禁运，使得中国发展半导体的战略性、迫切性都提高到新的水平。
在这种背景下，除了以国家大基金以及相关企业为主的国家队外，各地政府、社会资金纷纷加入半导体投资的队伍，数量之多，规模之大，业内担忧有泡沫之嫌。
半导体行业具有投资大、风险高、周期长、见效慢的特点，是一场马拉松比赛，一旦胜出，就会产生赢家通吃的垄断现象。因此，半导体投资需要耐心和定力，在技术上不断积累，在资金上持续投入。但是，现在如此高门槛的半导体业竟然也成了投资风口，大量地方政府出钱搞半导体项目。半导体投资注定在短期内不可能盈利，因此，只能是政策“风口”，而不会是市场风口。
最大的问题是，地方政府在投入数亿或数十亿资金购置设备、技术之后，还有没有能力每年持续投入数亿在一项几年内几乎不可能赚钱的项目上？更重要的是，一旦不能持续投入，这些项目就会技术落后，设备几乎不值钱，即使能够成功投产，竞争对手也可以用价格战打击。
各地政府半导体新上项目一窝蜂式的做法，与传统刺激投资大干快上的做法类似，但半导体是一个具有很高专利门槛的行业，投资的不仅仅是设备，是否有核心技术能力非常关键。因此，在立项时需要评估技术的先进性。
大部分地方政府重视技术来源，在中国各地竞争式地上项目之际，大量二三线企业将自己落后的技术要出高价。这种情况应该避免。
大规模资金涌入半导体行业与半导体人才供给不足也形成了冲突，很多地方项目不得不高薪聘请经理人或技术专家，而有限的行业精英人才决定了大多数项目得不到满足，不得不矮子队里选将军。这在以人才为核心竞争力的半导体行业，决定了企业发展的潜力有限。
当前，中国半导体行业发展不仅受益于“自主可控”带来的机会和市场，更重要的是，从行业发展规律看，目前中国半导体也有弯道超车的有利时机。这是因为，进入5G时代后，半导体行业出现了技术突变，与传统上用于电脑、手机、家电等不同，现在需要解决大数据、自动驾驶、物联网等需求。以芯片为例，人工智能芯片越来越成为新的需求，中国企业在这个领域并未落后很多。5G时代的半导体需求出现爆炸式增长，中国率先进入5G与物联网时代，巨大的市场需求以及技术突变为中国在半导体领域实现弯道超车创造了有利条件。
但是，中国半导体行业发展不应该是一窝蜂式的，半导体行业与传统制造业不同，它是一个产业链长并以聚集形成完整生态为优势的行业，不是一个地方政府搞一个项目就能振兴半导体业，需要进行科学的产业规划和布局。与此同时，需要时间和耐心，技术积累和创新没有快车道，更没有投机的可能。
现在，国家大基金作为行业领导者进行了全产业链布局，正在提升成线能力。应该强化在一些优势地区建立专门的集成电路装备产业园区，带动设计、制造、封装、测试等企业扎堆，形成资源和人才的聚集效应，并提升整个产业链条的创新效率。同时，协同下游企业加强国产装备材料以及元器件的应用，为国内产品提升质量提供用户基础。作为一项国家战略，要有细心、耐心，也要集中资金，而不能过于分散。
