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8月16日，中国科学院集成电路创新（澳门）研究院启动暨澳门豆萁集成电路制造有限公司项目签约挂牌仪式在澳门举行。

中国科学院集成电路创新（澳门）研究院由中国科学院微电子所与豆萁国际投资集团（澳门）控股有限公司共同发起成立。成立后的集成电路（澳门）研究院将聚集中科院在集成电路领域的优势力量，在前沿基础研究、重大任务攻关、科教融合以及产业孵化等方面开展工作，形成体系化创新能力和系统性攻关能力，通过与澳门豆萁的合作来共同带动我国集成电路技术创新和系统性知识产权布局，占领后摩尔时代制高点，使我国的集成电路产业得到全面推进，引领我国集成电路技术创新，赶超国际集成电路产业前沿。

为加快集成电路技术创新和制程产线的运营启动，中国科学院集成电路创新（澳门）研究院联合豆萁国际投资集团（澳门）控股有限公司、合芯科技有限公司共同成立澳门豆萁集成电路制造有限公司，承接“大湾区国家集成电路技术创新中心”（简称创新中心）。

创新中心计划在3年内总投资200亿元人民币，以“一个中心”定位于广州黄埔区创新基地，侧重于工艺研发、周边配套、产业聚集；同时发挥“二翼支撑”，包含澳门珠海集成电路设计生态支撑，深圳香港产业链应用支撑，倾力打造大湾区国家集成电路技术创新中心。

近日，湖南省委常委、长沙市委书记胡衡华深入长沙高新区、长沙经开区，调研集成电路产业链工作。他强调，要主动融入国家战略，强化省会担当，用好速度的力量、资本的力量、创新的力量，发挥优势，补齐短板，加快提升集成电路产业规模和水平，打造长沙高质量发展新的支撑点。

集成电路产业是信息产业的核心、信息社会的基石，是国民经济中基础性、关键性和战略性产业。近年来，长沙集成电路产业取得积极进展，去年销售额达23.8亿元。今年上半年签约落户重大项目10个，投资总额超100亿元。

湖南中森通信科技有限公司多年来坚持自主创新，眼下正加大力度研发北斗三号基带芯片，预计今年底实现流片。调研中，胡衡华鼓励企业在立足传统优势领域的基础上，抢抓战略窗口期、抢占民用市场。他要求有关部门用好用活产业资金，为企业优化融资环境、拓宽融资渠道，鼓励创新发展、支持做大做强。

“在集成电路这样的高科技战略性领域，谁抢先一步，谁就赢得先机。”胡衡华强调，要提升认识，抢抓战略机遇，明确主攻方向，科学规划布局，下好集成电路产业发展先手棋。

胡衡华强调，要聚焦重点，打好集成电路产业发展组合拳。坚持有所为有所不为，围绕设计、制造、封装测试、材料、设备等领域环节，发挥优势，补齐短板。重点推动功率半导体器件及应用创新，加大对优质芯片设计企业的支持，支持建设第三代半导体生产线，加快形成产能规模。他指出，一要在项目引进上求突破。突出招大引强，瞄准行业龙头项目，形成集聚带动效应；拿出“抢”的姿态来盯项目、追项目、引项目、建项目，真抓实干、说到做到。二要在企业培育上求突破。发挥平台作用，主动上门服务，增强扶持的精准性、针对性、实效性，以“入规、升高、上市、扩面”成果作检验。三要在技术创新上求突破。围绕产业链布局创新链，在“芯屏器核”产业链上加大技术突破；发挥国防科大优势，推进政企学研对接，加强核心技术攻关。

胡衡华强调，要营造环境，优化集成电路产业发展生态圈。强化政策支撑，加大招才引智力度，用好用活专项资金；拓展应用场景，挖掘集成电路在自动驾驶、智能装备、智能终端产业中的融合应用；优化服务保障，打造有影响力的产业发展平台、公共服务平台，主动为企业排忧解难。

记者从黄河上游水电开发有限责任公司了解到，自2015年“青海造”首批200吨集成电路用多晶硅上市以来，产品在国内市场的占有率逐步提升。目前，国内市场占有率已达到15%，是国内唯一一家量产电子级多晶硅的企业。

集成电路是国家战略性、基础性、先导性产业，而半导体材料是集成电路最基础的材料，支撑了整个集成电路产业和清洁能源产业的发展。2012年，历经6年谋划研发，黄河上游水电公司建成年产2500吨的电子级多晶硅项目。2015年，顺利完成电子级多晶硅材料研发专项攻关，产品经过国家电子材料检测中心、美国埃文斯、SGS检测，质量达到国外主要电子级多晶硅生产企业质量标准，实现了电子级多晶硅的“中国制造”。

质量上去了，销售又成了一个新难题。“我们几乎跑遍了国内所有的硅片生产企业。”黄河上游水电开发有限责任公司负责电子级多晶硅项目管理运营的新能源分公司总经理刘刚说，所有的客户都需要经过漫长的认证过程，从几十公斤的试验开始，认证周期往往长达两三年，而且产品质量不仅要客户认可，还要客户的客户认可才能批量使用。

如今，我省生产的电子级多晶硅产品已广泛应用到6至8寸抛光片中，获得下游企业的广泛认可。

但我国集成电路产业与先进产业国之间的差距非常大，集成电路核心技术研发和关键元器件制造还面临巨大的挑战。

2018年，黄河上游水电公司建成投运光伏产业技术创新中心，联合杜邦、华为、清华大学、弗朗霍夫等知名企业和高校及科研院所，建立包括国家重点实验室分实验室在内的20个联合创新平台。

2018年底，黄河上游水电公司及其晶硅材料和特种气体两个项目同时入选存储器“一条龙”应用计划示范企业和示范项目名单，成为我省唯一入选的企业和项目。

2019年8月14日，为了进一步提升研发能力，“浙江大学硅材料国家重点实验室—黄河水电集成电路硅材料联合研发中心”在我省成立。联合研发中心将发挥各自优势，构建以企业为主体、产学研用相结合的技术研发体系，以集成电路用半导体材料、高纯半导体材料检测技术等开发为研究方向，实现学术研究与市场应用的相互促进。

此外，黄河上游水电公司依托现有的国内唯一按照国际半导体材料与设备协会（SEMI）标准配置的实验室成立青海芯测科技有限公司，发挥实验室具备集成电路行业一流的检测研究能力的优势，提供高纯硅材料到集成电路硅基材料、化合物半导体材料、电子工业特种气体和电子工业用化学品的检测；集成电路高纯材料的技术研发支持、检测方法开发以及检测和校准实验室质量管理体系咨询、集成电路材料检测能力验证等业务。同时，还将承担集成电路用硅材料、硅基材料，特种气体、电子化学品等材料的研发和人才培养等任务，进一步推动集成电路材料产业实现创新发展。

近日，嘉兴召开百亿工业项目现场推进会，嘉兴经信部门的相关人员考察了南湖区中晶（嘉兴）半导体大硅片工地。嘉兴经信部门的相关人员考察了南湖区中晶（嘉兴）半导体大硅片项目工地。

据中晶大硅片项目负责人介绍，目前该项目一期建设推进迅速，预计年底单体建筑完工，明年6月第一台设备进入，明年年底即可进行试生产。

今年年初，浙江嘉兴南湖区人民政府与上海康峰投资管理有限公司签署投资协议和定向基金协议，这也意味着年产480万片300mm（12英寸）大硅片项目将落户嘉兴科技城。

根据资料显示，该项目由上海康峰投资管理有限公司全资设立的中晶（嘉兴）半导体有限公司承担，国家企业信用信息公示系统显示，中晶（嘉兴）半导体有限公司已于2018年12月12日正式注册成立，注册资本10亿元，董事长亦为路仁军。

该项目选址嘉兴科技城产业加速与示范区，计划总投资110亿元，其中一期将投资60亿元，固定资产投资超56亿元，用地面积139亩，计划建设300mm单晶硅片生产线。该项目已成功入选2019年度浙江省第一批特别重大产业项目。

根据此前计划，该项目预计在2021年2月竣工投产，建成后规划年产能可达480万片300mm大硅片，预计实现年销售产值达35亿元。

8月16日，全球领先的光伏材料企业中环股份在天津举行新品发布会，向全光伏行业推出了自己最新的产品——12英寸超大硅片“夸父”M12系列。

自2018年起，光伏行业认识到提升单块硅片面积已是大势所趋，通过增加电池有效受光面积来增加组件效率和功率，节约土地、施工等成本，并且有效提升硅片企业产能，进而降低成本，最终实现LCOE成本最优。

近期光伏产业推出166mm大硅片，较原来的8英寸M2硅片表面积提升了12.2%，受到业内一致好评，认为此举可大幅降低LCOE（度电成本），增加制造企业利润。

而此次发布的M12大尺寸硅片，边长210mm，对角295mm，相比M2硅片表面积提升了80.5%。中环股份董事长沈浩平表示：“‘夸父’的发布将更大幅度的降低光伏电站的BOS（初始投资成本）和LCOE，在助力制造企业获得更高收益同时，也使更多地区的平价和竞价项目顺利实施，有效推动全球光伏市场进一步发展。”

据中环股份介绍，此次M12大尺寸硅片，公司在该领域储备已十余年，此次一举打破12年前同样由中环股份为行业奠定的8英寸硅片技术框架，实属厚积薄发。

沈浩平表示：“未来将积极与产业链各环节合作伙伴加强合作，共同打造成本更优、技术更强，效率更高的新的技术平台，为光伏产业实现全面平价做出贡献。”

此前8月4日中环股份发布公告称，此次新产品涉及百余项已申报专利(已部分受理)及自有知识产权技术，通过重大技术突破实现新产品迭代，为全产业链客户贡献价值，进一步提升光伏行业的竞争力，推动全球光伏产业平价上网。此外，此次新产品将对公司经营业绩产生积极影响，可能对目前光伏行业发展速度、竞争格局产生重大影响，影响程度取决于未来市场规模、开拓力度等因素。

根据中环股份的资料显示：同样的144半片（72块切半）组件，电池按22.25%计算，M12 P型PERC 60片半片组件较M2 72片半片组件功率高出200W，组件转换效率高0.91%，达到20%以上，叠加高效电池，功率可突破610W，步入6.0时代。

近年来，对于在过去50年推动半导体制程前进的摩尔定律是否能继续前行这个话题，一直备受争议。但除了英特尔外，晶圆代工龙头台积电亦是摩尔定律的忠实推动者。日前，台积电高管发表博客，再次表态将继续推进摩尔定律，喊话“摩尔定律未死”。

台积电全球营销主管Godfrey Cheng在官网发表博客，表示摩尔定律实际上被误称为一种定律，因为它更准确地将其描述为历史观察和未来预测半导体器件或芯片中晶体管数量的指导。这些观察和预测在过去几十年中基本上都是正确的。但在我们即将迈入新的十年之际，一些人似乎认为摩尔定律已死。

Godfrey Cheng在博文中解释了摩尔定律的由来及相关知识，言语中强调摩尔定律未死。他举例表示，计算性能并没有因为单个晶体管的时钟速度而提高，而是通过在一个计算问题上投入更多的晶体管来提高计算性能，而在同一区域内压缩更多晶体管的方法是密度，即指给定二维区域内晶体管的数量。

他指出，之所以关心芯片面积，是因为芯片成本与芯片面积成正比。摩尔在1965年的论文中明确指出，每个组件的制造成本与芯片上晶体管的总数之间存在关系。有些人认为摩尔定律已死，因为他们认为晶体管不肯能再继续缩小了，Godfrey Cheng在文中谈及了一些计算问题以及关于如何改进密度等问题。

值得一提的是，Godfrey Cheng提到台积电近期推出的5nm极紫外EUV制程技术（N5P）。N5P是台积电5nm制程的增强版，采用FEOL和MOL优化功能，以便在相同功率下使芯片运行速度提高7%，或在相同频率下将功耗降低15%。他表示台积电的N5P工艺扩大了他们在先进工艺上的领先优势，该工艺将提供世界上最高的晶体管密度和最强的性能。

Godfrey Cheng进一步表示，在了解了台积电的技术路线图后，他可以很有把握地说，台积电在未来多年将继续开拓创新，将继续缩小单个晶体管的体积，并继续提高密度。在未来的几个月、几年里，将可听到更多台积电向新节点迈进的消息。

事实上，目前台积电对外公布的技术路线规划已到2nm。6月18日，台积电在上海举办2019中国技术论坛，台积电总裁魏家哲介绍了先进工艺的发展规划。如今，台积电7nm制程已量产，而其规划量产的工艺节点已经来到5nm，研发方面则推进到3nm，近期还官宣2nm研发启动。

根据规划，台积电5nm工艺将于明年上半年量产；3nm工艺方面，台积电表示进展顺利，已有早期客户参与进来，有望在2021年试产、2022年量产；2nm工艺新厂设在中国台湾新竹的南方科技园，预计2024年投产。

据了解，台积电2nm工艺是一个重要节点，Metal Track（金属单元高度）和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch（晶体管栅极间距）缩小到30nm，Metal Pitch（金属间距）缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

除了先进制程外，Godfrey Cheng还提及了系统级封装技术，这也是延续摩尔定律的一个重要方向。他表示，台积电已经能通过先进的封装技术将逻辑内核与存储器紧密集成，将利用先进封装实现的系统级密度，进一步增加晶体管的密度。

Godfrey Cheng表示，摩尔定律是关于增加密度，除了通过先进封装实现的系统级密度，台积电将继续在晶体管级别增加密度，有许多路径可用于未来的晶体管密度改进，“摩尔定律并未死亡”。

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