铜陵市政府与紫光集团签署战略合作协议,共建“云上铜都”

铜陵市政府与紫光集团签署战略合作协议,共建“云上铜都”

7月2日,铜陵市人民政府与紫光集团战略合作协议签约仪式在杭州举行,双方将围绕“数字铜陵”战略,共建“立足铜陵、覆盖皖苏、辐射沿江、面向全国”的城市云,打造国内领先的“云上铜都”。

协议签署后,紫光集团将与铜陵市在建设城市云、拓展云服务、培育云生态等领域开展具体合作,进一步完善政务云服务体系,建立“两地三中心”的可靠云架构,融合城市云产业资源,构建立足铜陵,辐射全国的超级城市云体系。在此基础上,双方将合作推动铜陵市的云服务能力和建设能力的对外赋能,搭建产业数字引擎平台,共建铜陵市产业云图,开展数字创新实验,培育和发展云产业群。

铜陵市人民政府与紫光集团签署战略合作协议

铜陵市委副书记、市长胡启生表示,铜陵市积极培育发展基于新一代信息技术的新业态、新动能,打造具有地方特色的数字经济发展高地。在此过程中,铜陵市高度重视与高新技术企业的战略合作,通过引入紫光集团在云计算、大数据、人工智能等方面的领先技术方案,共同探讨和规划未来铜陵数字经济发展的建设蓝图,铜陵市将加速新型智慧城市转型,实现数字时代的新跨越、新发展。

紫光集团联席总裁兼新华三首席执行官于英涛谈到,通过推动数字经济和实体经济融合发展,加快新旧发展动能转换,打造新产业新业态,数字经济已经成为铜陵市实现社会经济高质量发展的新引擎。作为具备“从芯到云”全产业链条的数字产业引领者,紫光集团将依托在智能科技方面的产业布局与云网领域的创新成果,服务铜陵的数字经济发展和数字产业建设,引领铜陵百行百业的数字化转型,为“云上铜都”打造最坚实的数字基石。

多年来,紫光集团积极参与安徽省的数字经济和数字产业发展,于2017年在安徽成立了新华三信息安全技术有限公司,不仅带来了直接的经济和产业收益,更汇聚一批信息安全领域的前沿研发成果和相关高端人才,助力安徽省信息安全产业的发展和壮大。在铜陵市,紫光集团不止服务于铜都百行百业的数字化转型,为铜陵市数据资源管理局、铜陵市人民医院、铜陵学院、四大国有银行铜陵分行、铜陵有色集团等行业客户提供了全面的支持,推进数字产业在铜陵市的落地发展,为铜陵市社会经济的高质量增长提供直接的支持。

如今,铜陵市正通过产业数字化、数字产业化,推动产业全面转型升级,打造数字化时代的新型智慧城市建设典范。在这一过程中,紫光集团将积极参与铜陵市的产业转型和经济发展,推进城市云建设,培育云产业生态,为铜陵的发展和变革搭建云上新平台,引领这座中部地区的工业重镇实现智慧升级。

铜陵市政府副秘书长皇甫越,数据资源管理局局长胡振南,招商服务中心主任肖凌平,大数据中心主任方永杰,资本运营公司董事长汪晖,新华三集团副总裁王小鲁,中国区副总裁曹江阳,安徽代表处总经理盛剑晖,安徽代表处副总经理袁宝弼、许志恒,新华三集团铜陵区域经理石磊参与签署仪式。

卓胜微拟募资约30亿元 与Foundry合作建前道晶圆生产专线

卓胜微拟募资约30亿元 与Foundry合作建前道晶圆生产专线

近日,江苏卓胜微电子股份有限公司(以下简称“卓胜微”)发布2020 年度向特定对象发行A股股票募集资金使用可行性分析报告(修订稿)公告称,向特定对象发行A股股票募集资金30.06亿元。

据披露,卓胜微本次发行募集资金总额扣除发行费用后将用于“高端射频滤波器芯片及模组研发和产业化项目”、“5G通信基站射频器件研发及产业化项目”和“补充流动资金”。

其中高端射频滤波器芯片及模组研发和产业化项目总投资为227,430.12万元,拟使用募集资金141,760.77万元。该项目将针对高性能、复杂应用的高端滤波器开展设计研发,形成工艺技术能力和量产能力。

该项目的产品将主要应用于移动智能终端设备。此次对于高端滤波器的涉猎,结合公司首次公开发行时的募投项目建设,可实现公司滤波器产品线在移动智能终端领域的完整产业化布局。

本项目的建设共分成两期进行,第一期是项目建设前3年,第二期是项目建设的第4年和第5年,两期的主要工作包括:1、设计开发高性能、高频滤波器芯片及模块产品,增加滤波器在高频高性能方面的产品布局;2、建立高频、高性能滤波器的工艺平台,与Foundry配合完成工艺的调整与工艺能力的提升。

卓胜微表示,通过与Foundry共同投入资源合作建立前道晶圆生产专线,旨在进一步深入拓展高端滤波器产品,满足客户对定制化、高性能、高复杂度射频滤波器的需求,抢位高端射频滤波器市场份额,覆盖低、中、高频段的各种应用场景,建立完整的射频滤波器产品线。

5G通信基站射频器件研发及产业化项目项目总投资为163,801.33万元,拟使用募集资金83,793.00万元。该项目将针对高频、高性能、高功率、复杂应用,适用于5G通信基站的射频器件开展设计研发,形成工艺技术能力和量产能力。

该项目的建设共分成两期进行,第一期是项目建设前3年,第二期是项目建设的第4年和第5年,两期的主要工作包括:1、设计开发适用于5G频段的通信基站产品;2、建立各产品相关的工艺平台,包括新材料、新工艺相关的技术平台,与Foundry配合完成工艺的调整与工艺能力的提升。

卓胜微表示,通过与Foundry共同投入资源合作建立前道晶圆生产专线,对新技术、新材料、新工艺持续创新研究,拓展通信基站应用领域。该项目的产品将主要应用于5G通信基站设备。此次对于5G通信基站的涉猎,结合此前公司深耕移动智能终端领域的技术和资源积累,可实现公司进一步覆盖更多样化的终端市场和应用领域,并形成差异化的产品布局。

三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目竣工投用

三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目竣工投用

7月1日,西安高新区重点项目集中开工、竣工仪式举行,据西安高新区消息,此次集中竣工投用仪式的项目共有25个,总投资560亿元,包括三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目,西安高新区发文指出,这些项目的顺利投产,将为高新区半导体产业发展注入更强大的动能,进一步巩固高新区全球半导体产业基地的地位。

资料显示,三星存储芯片项目2012年落户西安高新区,一期项目于2014年5月竣工投产,总投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片,分两个阶段进行,其中第一阶段项目总投资70亿美元;第二阶段投资80亿美元,已于去年年底启动建设,预计2021年上半年实现量产。

2020年3月10日,三星(中国)半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线上市。

据此前的消息指出,三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

科创板的张江“芯”版图

科创板的张江“芯”版图

科创板又掀起了一股半导体上市热潮。

6月29日晚间,芯片制造巨头中芯国际科创板IPO注册成功。此外,寒武纪、芯原股份、盛美半导体、格科微、上海合晶、恒玄科技等半导体明星企业也均铺陈于科创板“芯”版图。

数据统计,目前科创板已经上市的集成电路产业链公司达到了17家,总市值近6000亿元,占科创板市值比例约30%;同时,还有近40家集成电路相关企业正在上市的过程中(含辅导中)。可以说,科创板已经成为很多集成电路企业上市的首选之地。

而说到科创板“芯”版图,我们不得不提张江,这个中国集成电路产业的摇篮和领头羊,已经在科创板留下了太多重墨之笔:“001号”科创板企业晶晨半导体、首批挂牌上市企业心脉医疗、安集微电子和乐鑫科技以及如今有望成A股市值最高的半导体公司中芯国际……太多亮点,串联起了科创板的张江“芯”篇章。

今天,张江头条就来给大家详细讲讲科创板张江板块的“芯”战况,看看已经有哪些公司成功上市以及还有哪些“芯”公司正在备战科创板。

数据来源:张通社Link数据库

张江或将诞生科创板市值第一的半导体公司

中芯国际宣布回归A股之路,可用“闪电”二字来形容:

5月5日,中芯国际“官宣”在科创板上市;

6月1日,递交的科创板上市申请被上交所受理;

6月4日,上交所对中芯国际发出首轮问询;

6月7日,公司披露回复,用时仅四天;

6月19日,中芯国际过会;

6月29日,获得证监会注册批文;

6月30日,科创板IPO注册显示生效。

19天过会,29天拿到注册批文,中芯国际上市科创板可谓“一路畅通”。不过对此,各方都表示早有预期,并且还预测称,中芯国际或最快在7月中旬实现上市。

招股书说明书显示,中芯国际成立于2000年,为目前国内规模最大的集成电路晶圆代工企业,主要为客户提供0.35微米到28纳米的晶圆代工与技术服务。本次科创板上市,中芯国际拟发行不超过16.86亿股新股,预计募资200亿元人民币,为科创板之最。

除了创下融资记录外,中芯国际还有望成为科创板市值最高的半导体公司。国信证券分析师何立中日前发布的一份研报所示,假设只考虑14nm先进制程,中芯国际计划未来建设2座12寸的工厂,月产能3.5万片。按A股半导体公司平均市盈率93倍计算,未来市值可到6500亿元人民币。此外,还有证券分析人士认为,中芯国际在科创板发行的股票市值将达到2000亿元。

不管最终市值几何,但根据目前网上的一些预测,我们可以预见,中芯国际上市当日必定会掀起资本市场的一场巨浪。

张江企业拿下科创板001号受理批文

大国角力,芯片是主战场。这在科创板整个版图中,也可窥见一二。

科创板作为培育“硬科技”企业的沃土,最先拔得头筹的也是半导体公司。2019年3月22日,科创板首批受理公司出炉,注册于上海张江的晶晨股份拿到了科创板001号受理批文,正式开讲科创板的“张江故事”。

晶晨股份成立于2003年,是一家无晶圆半导体系统设计企业,主营业务包括多媒体智能终端 SoC 芯片的研发、设计与销售。公司自主研发的OTT/IPTV智能机顶盒主控芯片、4K智能电视主控芯片在国内芯片、新一代智能音箱家居主控芯片等产品在国内外市场占有率均处于前列。

因手握“001号”称谓,晶晨股份一直备受瞩目。2019年8月8日,公司作为科创板第二批企业正式挂牌上市,当日晶晨股份暴涨300%,市值一度突破600亿。公司实控人钟培峰夫妻俩的身价也随之暴涨,家族跻身百亿富豪榜。

张江2只“芯”股成为首批科创板上市企业

集成电路是科创板一道亮丽的风景线,在科创板开闸首日就迎来了一波小高潮。

2019年7月22日,科创板在距离张江13公里的陆家嘴金融城正式开市,首批25家企业集中鸣锣挂牌。其中,集成电路企业占据5席,来自张江的有2家,分别为安集微电子和乐鑫科技。

这两家公司均为行业领先企业,加速着国产替代。乐鑫科技致力于前沿低功耗Wi-Fi+蓝牙双模物联网解决方案的研发,在物联网Wi-Fi MCU芯片领域,是唯一一家与高通、德州仪器等同属于第一梯队的大陆企业,公司产品具有较强的进口替代实力和国际市场竞争力。

而安集科技则是一家集研发、生产、销售、服务为一体的自主创新的高科技微电子材料公司。虽然在细分领域全球市场份额占比不高,但其核心产品化学机械抛光液,已经成功打破国外厂商的垄断,实现了进口替代,使中国在该领域拥有的自主供应能力,公司也跻身国内半导体材料企业第一梯队。

除了安集电子和乐鑫科技之外,首批挂牌上市企业中,还有一家也与张江颇有渊源。2004年,尹志尧带领14名半导体设备行业的华人技术和管理专家来到张江,创立了中微公司。值得提及的是,作为集成电路设备行业的领先企业,中微公司还是科创板首家市值突破千亿的公司。

一个进击的张江“芯”世界

科创板定位“硬科技”,从诞生以来,吸引了很多集成电路板块的企业的加入,可谓“明星云集”。

纵观张江的“芯”版图,自然也是百花齐放。大陆最大芯片代工制造商中芯国际、中国半导体IP之王芯原股份、国产半导体清洗设备龙头盛美半导体、国产CMOS图像传感器巨头格科微等行业领先的公司都将亮相于此,共同组成科创板的“张江板块”。

据张通社Link数据库统计,目前张江已成功上市的企业有5家,注册生效和提交注册的各1家,以及还有1家进入问询阶段。此外,张江的科创板半导体阵营也在不断扩容,紫光展锐、上海微电子、普冉半导体、芯导电子等六家集成电路企业都在准备科创板上市,希望借助资本力量,打造“中国芯”,逐步把握产业链的话语权。

从产业链所属环节来看,这16家覆盖了芯片产业链的多个环节,包括设计、装备材料和封装测试等。而这正是张江经过二十多年积累,所营造出的产业生态。张江已经成为国内集成电路最集中、综合技术水平最高、产业链最为完整的产业集聚区,在这里,集成电路产业链条中的任何一个环节,你都能找到优质的公司和人才。

不过从数据来看,大部分企业还是集中在附加值高的设计环节,这也是张江集成电路产业链上的“C”位,集聚了一大批集成电路设计龙头企业和细分领域龙头企业。比如已经启动科创板上市准备工作、预计将在今年正式申报科创板上市材料的紫光展锐,正是中国第二大移动芯片设计公司。

“中国芯”的崛起已经势不可挡。科创板的到来,刚好能成为推动集成电路行业发展的助燃剂。打开科创板张江“芯”版图,我们不仅看到了张江的硬核力量,更是看到了中国IC企业的进击身影。浪海浮沉,任重道远,在机遇面前,他们正带着使命与情怀,谱写着中国芯的春天故事。

山西大同“半导体芯片用石英石墨材料项目”加速推进

山西大同“半导体芯片用石英石墨材料项目”加速推进

山西大同平城区聚焦“六新”,推进“六新”发展,不断增强城市吸引力、创造力、竞争力。今年该区引进的新材料项目“半导体芯片用石英石墨材料项目”正在加快进度组装调试生产设备,力求早日投产。

“半导体芯片用石英石墨材料项目”由大同锡纯新材料有限公司生产完成,该公司主要生产电容石英、高纯石墨等材料,应用于半导体及泛半导体行业(光伏及LED)用的耗材和第三代半导体材料。“半导体芯片用石英石墨材料项目”是平城区2020年新材料产业集群重点推进项目,总投资20亿元,年内计划投资1.5亿元。

据该项目相关负责人李杞秀博士介绍,该项目计划分五期施行,一期投产后有望实现3亿元的年销售规模,实现利税3000万元以上。项目总体建成投产后,年产值有望实现32亿元规模,实现利税3亿元。“‘半导体芯片用石英石墨材料项目’具有国际先进技术水平,可实现进口替代,它不仅填补了大同市该类项目的空白,为大同市建立半导体类产业集群奠定基础,而且将为大同市带来上亿元的直接利税收入。”李杞秀博士说道。

该项目目前已经完成主要设备的主体安装,预计一期工程将于9月底结束并开始批量生产电容石英。“该项目在引入过程中就受到了市区两级政府的大力支持,同时得到了当地合作伙伴的大力支持和帮助,我们将继续努力,攻克难关,期待项目早日投产。”李杞秀博士说道。

这家企业拟冲刺科创板IPO 已进入上市辅导期

这家企业拟冲刺科创板IPO 已进入上市辅导期

7月1日,北京证监局披露了平安证券股份有限公司(以下简称“平安证券”)关于昆腾微电子股份有限公司(以下简称“昆腾微”)首次公开发行股票并在科创板上市辅导基本情况表,昆腾微已于6月9日与平安证券签署上市辅导协议。

昆腾微成立于2006年9月,主要从事通讯及消费电子所需的模拟、混合、射频信号集成电路设计和研发,产品包括为无线类产品、高端模数混合类产品、金融安全类产品三大系列。

其中,无线类产品主要有高性能单片数字调频发射机系列、高性能单片数字调频接收机系列、高性能单片数字调频调幅接收机系列和无线音频传输系列四大类产品;高端模数混合类产品主要有高速数模转换器(DAC)、高速模数转换器(ADC)、低速模数转换器(ADC)、低速数模转换器(DAC)等产品;金融安全类产品主要有面向智能卡的芯片产品和面向智能卡应用的终端芯片产品。

数据显示,2017年、2018年、2019年上半年,昆腾微分别实现营业收入1.02亿元、1.04亿元、6925.07万元;分别实现归属于挂牌公司股东的净利润1165.92万元、470.39万元、923.75万元;毛利率分别为55.61%、55.91%、59.82%。

2016年1月,昆腾微正式挂牌新三板。2019年12月,昆腾微发布公告,公司董事会审议通过了《关于申请公司股票在全国中小企业股份转让系统终止挂牌》等议案,为适应公司的 长期战略发展规划及配合公司自身的业务发展要求,降低运营成本,提高经营决策效率,集中精力实现计划目标,公司拟申请公司股票在全国中小企业股份转让系统终止挂牌。

2020年2月18日,昆腾微向全国中小企业股份转让 系统有限责任公司报送了终止挂牌的申请材料,其申请材料获得受理并予以同意。2020年2月27日起,昆腾微股票终止在全国中小企业股份转让系统挂牌。

从新三板摘牌后,如今昆腾微启动IPO征程,拟在科创板上市。

西部数据发布最新企业级存储解决方案:第三代NVMe SSD+NVMe-oF存储平台

西部数据发布最新企业级存储解决方案:第三代NVMe SSD+NVMe-oF存储平台

数据创建速度正在以指数级增长并对我们的生活、工作等产生影响,预计到2024年,创建的数据量将会达到143ZB的数据,面对如此巨大的数据量,数据存储至关重要。

尤其今年以来,由于新冠疫情在全球范围爆发,云端服务、线上教学等应用需求剧增,企业级存储固态硬盘上半年表现强劲。

纵观固态硬盘市场,随着市场需求变化及技术发展升级,近两年来,NVMe SSD凭借其优势性能越来越受到企业级存储市场青睐。

在数据中心领域,NVMe已超越SATA、SAS成为最主要的接口,据悉,企业级闪存2020年-2023年NVMe SSD年均复合增长率达41%。目前,各大存储厂商已相继推出系列NVMe SSD产品以抢攻市场。

近日,存储器大厂西部数据亦发布了其新一代NVMe SSD和NVMe-oF解决方案。6月29日,西部数据在上海举行企业级存储解决方案新品发布会,推出最新企业级存储解决方案——新款双端口高性能Ultrastar DC SN840 NVMe SSD、OpenFlex Data24 NVMe-oF Platform和RapidFlex控制器。

西部数据公司高级副总裁兼中国区总经理Steven Craig表示,我们正身处前所未见的全新数据时代,数据已成为全球经济的引擎,数据产生和存储的形态正在持续演变,大容量硬盘在未来数据存储中将继续发挥关键作用。今年是西部数据成立50周年,在此之际推出新一代企业级存储解决方案,以满足大数据时代需求。

左:西部数据公司副总裁兼中国区业务总经理刘钢;右:西部数据公司高级副总裁兼中国及亚太区总经理Steven Craig

 Ultrastar DC SN840 NVMe SSD:双端口、高性能 携手腾讯云部署

发布会上,西部数据公司副总裁兼中国区业务总经理刘钢表示,西部数据拥有丰富的NVMe固态硬盘产品组合,此前已发布了为专用场景而打造的Ultrastar DC SN340 NVMe SSD和提供均衡性能以支持通常工作负载的Ultrastar DC SN640 NVMe SSD。Ultrastar DC SN840 NVMe SSD是西部数据第三代解决方案,是适用于HPC服务器和关键业务应用的高性能NVMe固态硬盘。

据其介绍,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD整合了垂直集成的西部数据内部NVMe控制权、96层3D TLC NAND,拥有PCIe3.1双端口并同时支持单端口使用,包括1DW/D和3DW/D两个指标的耐久级别,涵盖1.6T/1.92T/3.2T/3.84T/6.4T/7.68T/15.36T等不同容量级别,客户可自主灵活配置单/双端口、耐久级别以及容量级别,在拥有高性能优势的同时亦具备更灵活性和广实用性,可满足客户不同等级需求。

在吞吐能力方面,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD可提供高达780K/250K的随机读/写IOPS,工作负载量为50%读,50%写。

Ultrastar DC SN840 NVMe SSD采用主流通用架构,但由前一代产品的8通道升级到16通道,使得Ultrastar DC SN840 NVMe SSD在实现性能升级的同时亦保持了云服务商所看重的产品一致性与持续性。

此外,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD可支持128个命名空间、SGL、SRIS、原子文件写入,可靠性方面,MTBF为2.5Mh、UBER为1E-17,安全性方面,支持全面的断电数据保护、数据加密等。

刘钢指出,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD旨在加速云计算、确保负载着关键业务应用的服务器运行以及高可用性外部存储的解决方案,可从高性能计算(HPC)、云计算、SQL/NoSQL数据库、虚拟化(虚拟机/容器)、人工智能/机器学习和数据分析等各个方面来满足这些应用的需求,包括卓越的读/写和混合工作负载性能、低延迟以及双端口高可用性需求,应用场景包括基因组研究、实时分析、高频交易、托管服务、视频分析、实时遥测等。

值得一提的是,刘钢在发布会上表示,西部数据进一步深化与腾讯云之间的技术合作,携手对Ultrastar DC SN840 NVMe SSD的部署进行验证,西部数据Ultrastar DC SN840 NVMe SSD对比当前的西部数据SATA固态硬盘,有多达5倍的带宽提升以及更低的响应时间。腾讯云服务器与供应链管理部总经理刘裕勋表示,西部数据的高性能存储能很好的满足以高性能和低延时为核心的腾讯云在数据密集性方面的需求。

OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台:高密度、低延迟 助力扩容共享

除了Ultrastar DC SN840 NVMe SSD,西部数据还带来了其OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台及RapidFlex NVMe-oF控制器。

RapidFlex NVMe-oF控制器是西部数据基于RapidFlex RDMA的新产品,是自西部数据收购收购Kazan Networks之后,首个集成了该品牌技术的解决方案。刘钢指出,Ultrastar DC SN840 NVMe SSD和自制RapidFlex NVMe-oF控制器皆为可各自独立的解决方案,而二者结合则可以构建成一个新型共享存储JBOF(固态硬盘簇)机箱“OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台”,通过低延迟以太网光纤网络将NVMe的价值延伸至多个主机。

OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台基于RESTful API的管理支持,通过双IOM模块提供高可用性,每个IOM具有3个启用了RDMA的西部数据NVMe-oF适配器,双IOM最多可提供6个全性能的100GbE端口,外观上采用较短的底盘深度,适合大多数普通机架。

据刘钢介绍,OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台具有高密度、低延迟等性能优势,允许多台主机通过低延迟以太网结构共享Ultrastar NVMe SSD的全部带宽,可在紧凑的2U机箱中配置24个热插拔Ultrastar DC SN840 NVMe SSD,最多可提供高达368TB的共享存储容量。

OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台整体设计集成了NVMe-oF控制器,满足流畅网络连接和低功耗的需求,可以在无需外部交换机的情况下通过100GbE端口直接连接多达6台主机。即使有多达6个适配器添加到OpenFlex Data24,RapidFlex NVMe-oF控制器也可提供低于500纳秒的延迟以及高达13M IOPS/70GB/s的预期性能。 

刘钢表示,OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台将Ultrastar DC SN840 NVMe SSD的高性能优势扩展到了整个低延迟以太网数据矩阵中,从而为超大规模数据中心和企业IT用户提供了灵活性,使他们能够更有效地扩展存储容量并共享解耦存储资源,以满足苛刻工作负载的更高性能需求,该平台还可与OpenFlex F系列产品可完全兼容。

据西部数据方面透露,新款Ultrastar DC SN840 NVMe SSD将于7月开始陆续上市,OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台计划于今年秋季推出,并将提供五年有限保修,RapidFlex NVMe-oF控制器现已上市。

西部数据公司高级副总裁兼中国及亚太区总经理Steven Craig在媒体问答环节表示,对中国市场预期总体非常看好,期待今年下半年新产品将会在中国市场取得较好的业绩表现。

这家IC设计企业科创板申请迎来新进展

这家IC设计企业科创板申请迎来新进展

7月1日,证监会发布消息指出,证监会按法定程序同意深圳市力合微电子股份有限公司科创板首次公开发行股票注册,该企业及其承销商将分别与上海证券交易所协商确定发行日程,并陆续刊登招股文件。

资料显示,力合微力合微成立于2002年,是清华力合旗下的Fabless集成电路设计企业,自主研发物联网通信核心基础技术及底层算法并将研发成果集成到自主设计的物联网通信芯片中,主要产品包括电力物联网通信芯片、模块、整机及系统应用方案。

招股书(注册稿)显示,力合微此次拟向社会公众公开发行不超过2,700.00万股人民币普通股(A 股),拟募集资金3.18亿元,实际募集资金扣除发行费用后将全部用于研发测试及实验中心建设项目、新一代高速电力线通信芯片研发及产业化 、微功率无线通信芯片研发及产业化项目、以及基于自主芯片的物联网应用开发项目。

2017-2019年,力合微实现营业收入分别为1.35亿元、1.88亿元、2.77亿元,净利润分别为1,344.09万元、2,298.11万元、4,345.61万元。招股书显示,报告期内,力合微业务收入主要源于物联网领域自主研发技术和相应产品,且销售业绩和市场广度持续增长。

截至2019年12月31日,力合微已有29项发明专利和21项布图设计获得授权,已获授权发明专利中算法类专利共28项,电路类专利1项,发行人合计算法类专利在所有发明专利中占比高达96%以上。此外尚有实质审查或公开的发明专利共33项,其中算法类专利31项,电路类专利1项,设备类专利1项。

对于未来发展战略规划,力合微表示,作为致力于自主及核心技术的集成电路企业,将以国家大力促进集成电路产业发展和自主核心技术发展为契机,以物联网市场和技术需求为导向,通过自主创新、自主核心技术研发,不断提升技术能力和水平,扩大产品系列,以具有核心竞争力的芯片技术和产品抓住市场机遇,使企业不断发展壮大,在所专注的技术和市场领域努力发展成为具有国内及国际竞争力的集成电路设计企业,为国家战略、核心技术发展、以及产业发展做贡献。

SK海力士量产超高速DRAM“HBM2E”

SK海力士量产超高速DRAM“HBM2E”

7月2日,SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。据悉,这是SK海力士继去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的又一成果。

SK海力士新闻稿指出,HBM2E是目前业界速度最快的DRAM解决方案,能以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs, 输入/输出)能够每秒处理460GB的数据,相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.7GB)。

此外,SK海力士此次量产的HBM2E能借助TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。

H据了解,BM2E拥有超高速、高容量、低能耗等特性,是适合深度学习加速器(deep learning accelerator)、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能(AI)系统的存储器解决方案。与此同时,HBM2E将适用于在未来主导气候变化、生物医学、宇宙探索等下一代基础、应用科学领域研究的Exascale 超级计算机(能够在一秒内执行一百亿亿次计算的计算机)。

SK海力士副社长兼首席营销官吴钟勋表示:“SK海力士通过开发世界第一款HBM(High Bandwidth Memory)等成果一直引领着有助于人类文明发展的新一代技术革新。公司将通过本次HBM2E量产强化高端存储器市场上的地位,并倡导第四次工业革命。”

2020年揭榜任务公布 安徽要突破这几项集成电路关键技术

2020年揭榜任务公布 安徽要突破这几项集成电路关键技术

近日,安徽省经信厅引发《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》(以下简称“方案”)。

根据《方案》,安徽省将聚焦新一代电子信息、智能装备、新材料等重点领域,组织具备较强创新能力的企业揭榜攻关,通过2-3年时间,重点突破一批制约产业发展的关键技术,培育一批优势产品,做强一批优势企业,不断提高制造业自主可控水平,促进制造业高质量发展。

目前,安徽省已经以制造业重大发展需求为目标,以突破产业关键技术短板为导向,着眼有基础可产业化、突出产业带动性,在10个重点领域、50个重点方向中确定了104项揭榜任务,其中包括多项集成电路产业的揭榜任务。

以下为部分集成电路产业揭榜任务:

射频氮化镓单晶衬底的主要任务为面向高端射频领域,如军用相控雷达、5G通信基站、卫星通讯等,开展基于自支撑技术的高质量、大尺寸、半绝缘型的氮化镓衬底生长及物性调控的研发与量产。

低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发的主要任务为面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求,研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化,依托DRAM 17nm及以下工艺,攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

15/14nm DRAM存储芯片先进工艺开发及产品研发的主要任务为围绕未来云计算、人工智能等对DRAM存储芯片小尺寸、大容量、高速度的需求,进行15/14nm DRAM存储芯片制造工艺开发,并实现产业化。

DRAM存储芯片专用封装工艺铝重新布线层(Al RDL)工艺开发的主要任务为围绕先进DRAM产品工艺开发需求,开展铝重新布线层工艺开发并实现产业化应用,采用气相沉积氧化硅厚膜作为保护层降低材料应力,攻关溅镀厚铝技术替代电镀铜(镍钯金)技术,通过铝替代铜作为重新布线层,解决先进DRAM产品封装良率低、成本高、周期长等问题。

5nm计算光刻国产化,该任务的研究内容包括:计算光刻EDA软件,提供高度智能化、自动化的EDA仿真软件,含OPC和SMO两大核心技术,同时将版图到掩膜版数据转换的全流程囊括其中,增加工艺探索、建模、图形验证、图形校正、数据准备5大模块,各个模块可以独立操作又能有效串连,对光刻工艺步骤构建适合的软件模型,以纯软件模型取代工程实验,达到降低研发成本的效果。通过内建人工智能算法引擎,从而提高收敛准确性,支持5nm光刻工艺和多重图形化(Multiple-Patterning)技术,实现Patterning图形全流程自动化,最大程度减少对人的依赖,还起到了提高开发效率、减少人力成本、缩短开发时间的作用。

定位下一代EDA的5nm工艺研发DTCO平台,主要内容包括:将光刻工艺研发和器件工艺研发流程整合的工艺研发流程。包括七大模块:1.性能评价模块 2.功耗评价模块 3.面积评估模块 4.制程成本评估模块 5.制程可行性评估模块 6.智能设计规则管理系统 7.DTCO协作请求与控制系统。通过此DTCO平台, 工艺研发人员将从研发早期确定技术路线,对性能功耗面积的持续优化,评估工艺条件的可行性与成本,决定设计规则窗口,引入研发组织协作流程,将庞大的工艺研发信息纳入统一管理,降低工艺研发成本,提高效率。 

5G高抑制n77频带带通滤波器的主要内容为实现高抑制Hybrid 5G n77滤波器产品研发并产业化,解决射频前端芯片“卡脖子”难题。

基于5G通讯的LTCC射频器件研发与产业化的主要内容为突破LTCC三维布局、传输零点的引入方法、LTCC滤波器的计算机辅助诊断与调试等关键技术。

国产化智能语音芯片研发的主要任务为:1.完全自研、自定义的DSP和AI加速器的指令和IP的研究设计;2.专用IP设计以及验证:完成AI加速器微架构设计,指令集设计,用RTL实现并验证,主要包括:1)AI加速器微架构设计,它可以较好的平衡各种算力需求和设计复杂度;2)针对人工智能算子,设计出AI加速指令。

存储器芯片生产自动测试设备研发的主要任务包括1.ATE行业最高集成度的核心仪表板;2.行业最高的系统配置能力;3.行业内最高生产并行测试能力。