分类：新闻

集邦咨询：第三季闪存合约价跌幅缩小，Wafer价格则逆势上扬

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，7月各类NAND Flash（闪存）产品合约价已出炉，整体而言合约价仍趋向走跌，但受到东芝跳电对产出直接冲击，导致主流产品价格跌幅收敛。

此外，近来日本对韩国调整输出规范一事也被认为会冲击韩系厂商NAND Flash供给。集邦咨询认为，日本政府此次的规范调整仅是将韩国移出白名单（White List），而白名单国家仅代表拥有出口优惠待遇，过去亚洲国家中仅韩国在名单内，未来韩国只是从特别待遇国家变回普通国家，韩国半导体厂商所需经历的手续将与其他亚洲国家的半导体厂商相同，加上日本政府也已增派人力加速审查，对厂商产出应不致于造成影响。

若逐一观察报价走势，首先冲击最大、价格反弹最激烈的为面向渠道市场的Wafer价格，这类产品的均价于2017年11月起迄今已历经相当长时间的跌势，价格已贴近厂商现金成本，加上在Wafer市场供给具相当影响力的西数直接受到东芝跳电的影响，因此本月各供应商均提高价格，截至七月底Wafer合约价涨幅已经超过15%。展望八月，跳电事件影响仍可能延续，并可望带动价格继续上扬，但预计涨价幅度不会如七月的第一波反弹剧烈。

eMMC/UFS、Client SSD第三季合约价续跌，第四季价格可望回稳

集邦咨询指出，在消费性领域及智能手机客户的eMMC/UFS方面，由于提供给主要客户的合约价大多于六月议定，第三季尽管有旺季需求支撑，但受到国际情势不确定性等影响仍属疲弱，因此合约价仍呈现5%上下的跌幅。展望第四季，集邦咨询预期，部分低容量产品领域有可能会历经价格调整而小幅上涨，其他部分则趋向持平；在Client SSD方面，则同样受合约价先行议定影响，加上市场库存仍高，第三季仍下跌近10%的幅度，但预计各供应商的库存在第四季将回到较健康的水位，有助于市场价格回稳止跌。

Enterprise SSD方面，由于东芝与西数在此市场占有率不高，因此供给方面受影响不大，而需求表现方面同样受到中美贸易情势影响，备货力道并不如市场原先预期乐观，第三季Enterprise合约价至少下跌15%。同样东芝跳电事件的影响将反映在第四季，随着各供应商库存水位回到较温和区间，价格跌幅得以收敛，不过基于服务器价格竞争激烈，预计Enterprise SSD合约价仍将维持小跌的走势。

集邦咨询指出，从整体产品比重来看，Wafer价格虽涨幅最高，但占整体交易市场比重较低，相较之下，SSD与eMMC/UFS占整体NAND Flash交易市场比重达八成，在其价格跌幅仍有5~15%的情况下，第三季NAND Flash整体市场价格依然呈现下跌格局。

数据显示，2018年中国集成电路产业实现销售6532亿元。其中，上海集成电路产业实现销售1450亿元，占全国总比五分之一；浦东新区集成电路产业实现销售收入1066亿元，占全国比重超16%；张江科学城集成电路产业实现销售894.49亿元，占全国比重超13.7%。

一连串的数值，足以看出张江集成电路产业的强劲实力，在上海乃至全国占据着举足轻重的地位。据了解，从1992年开园以来，张江经过27年的经验积累，已经成为国内集成电路产业链最完善的集成电路产业集聚区，实现从设计、到制造、封测、材料的全链布局，汇聚了一大批知名的集成电路企业。

如今在张江科学城内已集聚了239家芯片设计企业，出品了100余项国内领先的产品；9家晶圆制造企业，拥有引领全国的19条生产线；38家封装测试企业，其中也包括全球第一大封装测试代工厂日月光；98家装备材料企业，提供硅片、刻蚀机、清洗机、离子注入机等配套装备。此外，全球芯片设计10强中有6家在张江设立区域总部、研发中心，全国芯片设计10强中有3家总部位于张江。

芯片设计——100余项国内领先产品

兆芯集成电路：掌握CPU、GPU、Chipset三大核心技术；展讯通信：手机基带芯片出货量全球第3，国内首款自主微架构手机芯片、发布5G基带芯片春藤510；华大半导体：智能卡安全芯片市场占有率全国第1，首颗TPCM3.0标准芯片，首颗超低功耗MCU；格科微电子：CMOS图像传感器芯片出货量国内第1，首家量产CMOS图像传感芯片。

晶圆制造——19条生产线引领全国

中芯国际：2018年全球集成电路Foundry制造第5位，销售额国内第1位，首家12英寸28nm制程量产，14nm制程试量产；华虹集团：2018年全球集成电路Foundry制造第7位，销售额国内第2位，12英寸28nm制程量产；华力二期12英寸先进生产线2018年10月正式投片，建成后华虹规模进入全球前5位；国家集成电路创新中心：瞄准集成电路国际前沿研究，开展新器件新工艺等关键共性技术研发，是国内唯一独立、开放、共享的先进集成电路公共研发平台。

封装测试——全球龙头企业集聚

日月光：全球第一大封装测试代工厂；

安靠：全球封装测试技术最先进的封测企业；

华岭：国内第一家专业集成电路检测企业。

装备材料——自主创新逐步突破

中微半导体：14-5nm等离子刻蚀机国际先进水平；MOCVD设备销售额全球第1；上海微电子：90nm光刻机研制成功；盛美半导体：兆声波清洗机，国际先进水平；凯世通半导体：先进离子注入机，填补国内空白。

可以说在张江，集成电路产业链条的每一个环节都有所布局，集聚着一大批优质企业和优秀的半导体人才，他们成为上海集成电路产业拼图上不可或缺的力量，正在加速推进中国“芯”进程。

每一个质的飞跃都离不开点滴的积累，对于芯片企业而言，从诞生到成熟，需要漫长的时间，当然也离不开资本的扶持。纵观2019年年初到现在，张江芯片领域已经取得了阶段性的好成绩，有3家集成电路企业成功登陆科创板，成为首批挂牌企业；有10多家芯片企业获得融资，收获资本青睐；有多家芯片企业发布最新科技成果及量产信息，进入收获期；此外，还吸引了一批优质的企业入驻张江科学城，成为张江“芯”力量的一员。

3家集成电路企业登陆科创板

7月22日，科创板在上海证券交易所正式开市，首批25家企业集体挂牌，其中有半导体企业6家，张江则占据了3家，分别为乐鑫科技、安集微电子与中微半导体。值得一提的是，刚登陆科创板的乐鑫科技还在7月22日宣布了一则好消息，正式发布了新一代WiFi MCU芯片ESP32-S2。该产品具有超低功耗、优异的射频性能和高安全性等特性，适用于从消费领域到工业用例的各种应用。

一大批行业领军企业入驻张江

张江的“磁力”效应日益凸显，吸引着全球集成电路产业的目光，成为国际巨头新秀投资的摇篮与乐园。平头哥半导体、瓴盛科技等芯片企业均入驻张江科学城，还有兆易创新、紫光集团等也签约入驻上海集成电路设计产业园。其中就在今天，平头哥半导体成立之后的第一款产品玄铁910正式亮相发布。玄铁 910 采用高性能 RISC-V 架构，采用 12nm 制程，主频 2.5GHz，7.1Coremark/MHZ（世界公认的 BenchMark）。

近10家芯片企业融资

张江集成电路产业的不断发展，企业创新成果的不断涌现，也给了资本加倍的信心。据悉，截止到现在，区域内有10多家企业获得新一轮融资，其中不少完成了亿级融资，如AI芯片研发企业燧原科技完成了红点中国领投的3亿元融资；南芯半导体完成近亿元B轮融资。在这些融资企业的背后，不乏有阿里巴巴、小米等明星企业的出没。

多家芯片企业进入量产阶段

集成电路一直是张江的优势产业，近期已经有多家张江芯片企业发布了最新科技成果及量产讯息。上海移芯通信发布了最新单模芯片——EC6160。目前EC616芯片测试机台已经准备完成，良品率令人满意，并开始小批量出货。国内射频芯片供应商康希通信发布了全新的5G微基站（sub 6GHz）射频功率放大器/前端芯片系列、新一代WIFI6全集成射频前端芯片等产品。另一家张江企业芯翼信息科技也重磅发布了其自主研发的“全球首颗”集成CMOS PA（功率放大器）的NB-IoT（窄带物联网）芯片，并宣布实现了量产商用。

多个带有首字样的产品在张江诞生

衡量一个企业是否在行业具有领先地位，其中一个标准是是否在业内具有“首创”产品；评估一个地区产业是否具有竞争力，就看该地区自主创新的“首发”产品是否密集。据悉，今年上半年，已有不少带有“首”字样的产品在张江诞生。芯翼信息科技“全球首颗“CMOS PA Inside NB-IoT芯片量产；盛美半导体三大全球首创新品在张江诞生。

当前，浦东新区正围绕 “中国芯”、“创新药”、“智能造”、“蓝天梦”、“未来车”和“数据港”这六大产业，积极推进产业结构调整，推动形成若干优势产业集群，提升新区产业发展能级。

集成电路作为张江的主导产业，张江地区更是积极规划，打造上海集成电路设计产业园。该产业园地处张江科学城核心区，规划面积3平方公里。东至外环绿地，南至高科中路，西至申江路，北至龙东大道。目前正在实施“千亿百万”工程，集聚千家企业、形成千亿规模、汇聚十万人才、打造百万空间，力争打造成为世界先进水平的集成电路专业园区。

近日，山东日照经济技术开发区与台湾双志世代国际有限公司签订合作协议，全芯世代半导体层膜项目落户开发区。区工委书记杜江涛，台湾双志世代国际有限公司董事长戴荣志出席活动。区工委委员、管委副主任邱兵与项目负责人签约。

全芯世代半导体层膜项目由台湾双志世代国际有限公司投资，计划设立半导体装备层膜生产及技术服务专业工厂，进行半导体与光电业零组件层膜中心的维修服务与新备品生产供应，同时孵化引进加拿大氢燃料电池项目和拥有多国专利的分散式光纤控制系统，以及相关产品制造与技术交流、辅导与技术升级。

该项目设立后，可成为大陆地区领先的相关配件生产以及维修的综合性工厂，填补大陆地区相关产业的空白，对促进国家半导体产业发展具有积极的作用。

项目总投资11亿元，分四期建设，达产后每年度可实现应税销售收入一期不低于7000万元，二期不低于1亿元，三期不低于5.7亿元，四期不低于15亿元。

据中新网8月3日报道， 国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功，终端机台的电力供给得到保证，芯片的目标量产指日可待。

据了解，长江存储科技有限责任公司是国家存储器基地项目的实施主体。根据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示，武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000片/月，办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。

2019年7月3日，湖北省委副书记、省长王晓东在调研国家存储器基地时指出，要优化环境、全力支持，更大力度争取国家支持并落实支持政策，完善服务机制，当好项目“秘书”，解决实际难题，全力保障国家存储器基地建设，为加快“一芯两带三区”区域和产业发展布局提供重要支撑。

据了解，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。

根据此前的资料显示，长江存储今年底前将正式量产64层3D NAND产品，明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距。

国家存储器基地的建立，以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，标志着芯片自主创新之路迈出可靠而重要的一步。

商务合作请加微信：izziezeng

加入集邦半导体交流群，请加微信：DRAMeXchange2019

今年3月，台基股份发布关于筹划非公开发行股票的提示性公告，如今预案终于出炉。根据预案，这次非公开发行台基股份拟定增募资7亿元加码半导体产业，并引入屹唐同舟及汉江控股两大具有国资背景的重磅战略投资者。

募资7亿元投资功率半导体

根据预案，台基股份本次发行非公开发行不超过4262.4万股，不超过总股本的20%，募集资金总额不超过7亿元，发行对象为包括北京屹唐同舟股权投资中心（有限合伙）（以下简称“屹唐同舟”）、汉江投资控股有限公司（以下简称“汉江控股”）、王鑫及邢雁在内的不超过5名特定对象。

这次募集资金扣除发行费用后将用于新型高功率半导体器件产业升级项目，其中1.71亿元将投入月产4万只IGBT模块（兼容MOSFET等）封测线，兼容月产1.5万只SiC等宽禁带半导体功率器件封测项目；9400万元将投入月产6500只高功率半导体脉冲功率开关生产线建设项目；2.3亿元将投入晶圆线改扩建项目；2.05亿元将投入新型高功率半导体研发中心和营销中心建设项目。

台基股份表示，公司现已建成大功率IGBT模块封测线，产品电流规格在50A至200A之间，电压规格在600V至1700V 之间，封装能力达5万块/月。本次募投项目中，台基股份计划拓展高功率密度、高性能应用的IGBT模块产品，技术规格将升级到2000A/4500V，同时该封测线将兼容MOSFET、SiC等半导体功率器件的生产。

此外，高功率半导体脉冲功率开关方面，台基股份目前掌握的固态脉冲开关技术规格主要为250kA/6500V，本次募投项目将进一步推动脉冲功率开关产品线的产品升级，规格将进一步提升至 500kA/6500V；晶圆线改扩建项目，作为与固态脉冲开关核心芯片完整配套的前道工序，将直接应用于高功率半导体脉冲功率开关的芯片生产，所生产芯片将自产自用。

经测算，此次募投项目达产后年均销售收入（不含税）为7.96亿元。台基股份表示，未来将重点开发新型IGBT模块等智能化功率器件，继续保持在大功率半导体脉冲开关领域的技术和产品优势，还将持续研发以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术。

将引入两大国资背景战投

这次非公开发行股票，台基股份加码半导体意图明显，还将借此引入了两大重磅战略投资者。

预案显示，在本次非公开发行募资总额不超过7亿元中，屹唐同舟、汉江控股、王鑫、邢雁分别认购金额为人民币2.9亿元、1.5亿元、4000万元、1000万元。其中，屹唐同舟和汉江控股为台基股份的战略投资者，王鑫为公司董事、邢雁为公司实际控制人。

在本次非公开发行股票前，屹唐同舟、汉江控股与台基股份不存在关联关系；发行完成后，，按照本次非公开发行股票的数量上限计算，屹唐同舟将持有台基股份5%以上的股份；截至预案出具之日，汉江控股已与台基股份控股股东新仪元签署了附生效条件的一致行动协议，若协议生效，汉江控股将成为新仪元的一致行动人。

资料显示，屹唐同舟成立于2019年1月，目前暂未开展实质性业务，其执行事务合伙人为北京亦庄国际产业投资管理有限公司（以下简称“亦庄产投”）。亦庄产投是北京亦庄国际投资发展有限公司（以下简称“亦庄国投”）是金融服务体系中专业的产业投资基金管理公司，实控人为北京经开区国资办。

说到亦庄国投，相信业界并不陌生。亦庄国投是北京市政府确定的重大科技成果转化和产业化统筹资金的五家受托管理机构之一，参与发起了国家集成电路产业投资基金，并重点支持了中芯国际等相关项目。

而汉江控股背景已不俗，其实控人为襄阳市国资委，是由湖北省襄阳市政府批准并独资设立的综合性国有金融控股集团，是市政府运作资本、支持产业转型发展的公共投融资平台，是管理运作襄阳市汉江产业基金的专业公司。

台基股份分别与屹唐同舟、汉江控股签订《投资合作协议》。作为参与此次定增的条件，台基股份承诺将本次非公开发行涉及的IGBT模块封测线、固态脉冲开关生产线、研发中心和营销中心三个项目在北京亦庄开发区落地实施；将本次非公开发行涉及的晶圆线改扩建项目在湖北省襄阳市落地实施。

台基股份表示，公司将与上述战略投资者在业务和资本层面进一步深化合作，充分调动各方优质产业资源，进而推动在产业布局和业务开拓等方面实现更快、更好的发展。本次战略投资者的入股，将进一步优化公司现有的股权结构。

商务合作请加微信：izziezeng

加入集邦半导体交流群，请加微信：DRAMeXchange2019

8月4日晚间，露笑科技发布公告称，全资子公司内蒙古露笑蓝宝石近日与国宏中宇科技发展有限公司签订了《碳化硅长晶成套设备定制合同》，内蒙古露笑蓝宝石将为国宏中宇提供80套碳化硅长晶炉成套设备，合同总金额约 1.26亿元。

露笑科技董秘李陈涛在接受《证券日报》记者采访时表示，露笑科技在研发蓝宝石长晶炉时的经验以及相关技术和人才储备，能够为公司研发和生产碳化硅长晶炉提供巨大的帮助和技术支持，这将是公司产业升级转型的大好时机。

盈利能力回升

李陈涛表示，上述合同顺利实施后，将对露笑科技的未来业绩表现产生积极影响。

根据露笑科技近日披露的中报业绩预告显示，2019年上半年，公司预计实现净利润1.5亿元至1.8亿元，同比增幅在52.94%-83.53%之间，有望实现业绩的大幅增长和盈利能力的逐步回升。

“露笑科技长期研究新材料技术及装备，在两年前就已将发展目光转向目前备受关注的第三代半导体碳化硅材料领域。目前碳化硅器件在新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网、5G通信等领域已批量应用，除此之外，其更是发展第三代半导体产业的关键基础材料，”李陈涛向《证券日报》记者表示。

李陈涛提到，露笑科技已与中科钢研节能科技有限公司和国宏中晶集团签订战略框架合作协议，将共同在碳化硅长晶专用装备、长晶及衬底片加工工艺等方面开展全方位研发与合作。

据其介绍，中科钢研是由中国钢研新冶高科技集团有限公司出资成立的央企混改公司，作为国宏中宇控股母公司国宏中晶的股东，中科钢研与国宏华业于2016年合作创立了碳化硅重点实验室，整合中国钢研在晶体材料领域的人才和技术积累，通过国际先进技术的引进、消化吸收、再创新，在碳化硅衬底片制备技术方面已经达到国内领先水平。

碳化硅成多领域宠儿

据了解，半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展，半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。

公开资料显示，碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料中，研究最为成熟、市场应用前景最大的一种。碳化硅半导体材料综合性能是第一代半导体材料性能的数百倍到一千倍，在高温、高频、大功率、光电子以及抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。

目前，导电型碳化硅衬底片材料主要应用于新能源汽车、新能源汽车充电站、太阳能逆变器、服务器等领域；半绝缘型碳化硅衬底片则主要应用于5G通讯基站、大功率相控阵雷达、卫星通讯等领域。

中国产业信息网数据显示，预计导电型碳化硅衬底片全球市场规模将从2017年的4亿美元增长到2022年的16亿美元，乐观预测甚至能达到34亿美元。半绝缘型碳化硅衬底片全球市场规模将从2017年的4亿美元增长到2022年的11亿美元。

经过十几年的产业化发展，碳化硅半导体材料、器件、应用产业链已经初步建立，市场规模不断扩大。据记者了解，目前碳化硅半导体材料产业化生产企业主要有科锐、II-VI、道康宁、SiCrystal、昭和电工等。其中，1987年成立的美国科锐在碳化硅衬底材料、外延片、器件和模块领域占据着绝对领先地位。

我国应用市场对第三代半导体需求旺盛，中国是全球第三代半导体龙头企业的主要销售市场。在业内人士看来，眼下全球碳化硅市场正处于爆发前期的起步阶段，国内企业与海外传统巨头之间的技术差距相对变小。虽然国内第三代半导体企业大部分仍处于发展起步阶段，但依然有望在技术发展、资本助力及政策支持下在本土市场的应用中实现弯道超车。

日韩贸易战加剧，日本管制关键高纯度氟化氢等应用在极紫外光（EUV）原料输韩，直接打乱三星冲刺7纳米以下先进制程布局，预料受原料管制趋严下，三星要藉冲刺先制程抢食台积电晶圆代工大饼的难度大增，并加速台积电拉大和三星差距。

日本限制光阻剂、高纯度氟化氢及聚醯亚胺等关键半导体原料输韩，虽然南韩半导体厂仍可透过专案审查程序申请，但进口时程将由过去简化程序拉长至90天（专案审查期），包括三星和SK海力士除均对外收购既有三项原料存货外，也透过专案申请、加速他厂认证双管齐下，希望将冲击降至最低。

半导体业者表示，由于目前三星和SK海力士存储器库存仍高，日本管制光阻剂等三项半导体原料输韩，韩厂可将生产快闪存储器（Flash）的原料转去支援利润较高的DRAM，并趁机抬高价格、消化库存，对三星和全球DRAM供给，短期还不会构成太大影响。

不过，日本厂商生产用于先进制程的高纯度氟化氢，目前替代厂商占比极低，将直接冲击三星在半导体先进制程布局。

据了解，三星稍早也曾透过中国台湾厂商转手卖给三星，不过台厂担心台韩出口高纯度氟化氢，将遭日本原厂发现异常，拒绝这项交易，让三星吃到闭门羹。

高纯度氟化氢是在采用极紫外光（EUV）进行光罩制程时，要让积体电路精准对位的蚀刻材料，而三星也靠着7纳米制程导入EUV微影设备并成功抢下高通和辉达等前往下单的重要利器。

如今日本管制这项原料输韩，虽然三星正自行生产这项关键化学品，但这又等于让制程良率增添变数，而且三星也是领先全球把EUV设备导入生产更先进的DRAM产品的大厂。

半导体业者分析，三星发展7纳米以下制程受阻，未来要追赶台积电，得花费更大的财力和物力 ，日韩贸易战其实反而助攻台积电拉大和三星差距。

韩国总理李洛渊3日表示，韩国方面在最新通过的补充预算案中增加2732亿韩元（约合2.27亿美元），专门用于应对日本针对韩国的出口管制措施。

韩国总理办公室发表的一份声明说，李洛渊当天在政府会议上批评日本把韩国移出可享受贸易便利的“白色清单”，认为日方做法超出了“不可逾越的界线”。

李洛渊表示，政府将尽一切努力应对日方措施带来的影响，制定后续具体措施，促进各部门间通力协作以及政府与企业的合作。

此前一天，韩国国会表决通过总额为5.83万亿韩元（约合48亿美元）的补充预算案。

日本政府在2日上午举行的内阁会议上决定，将韩国移出可享受贸易便利的“白色清单”，这意味着日韩贸易摩擦升级。所谓“白色清单”，是指日本政府制定的安全保障贸易友好对象国清单。在对这些日本政府认定的友好国家出口高科技商品时，日本出口商可享受相对简化的手续。

被移出“白色清单”后，韩国将不再享受贸易便利优惠措施，除了此前已经宣布的三种半导体材料外，日本政府将对其他所有对韩高科技产品出口实施个案审查。