芝奇推出为AMD Ryzen 3000系列平台优化RGB DDR4内存

芝奇推出为AMD Ryzen 3000系列平台优化RGB DDR4内存

7月8日,世界知名超频内存及高端电竞外设领导品牌,芝奇国际推出Trident Z Neo 焰光戟RGB DDR4内存,此系列专为AMD Ryzen 3000系列CPU及X570主板平台优化,首发规格最高至DDR4-3600 CL14的超高速度,提供玩家组装AMD新世代平台的绝佳内存选择。

释放AMD Ryzen 3000系列强悍性能

芝奇Trident Z Neo焰光戟DDR4内存专为AMD最新3000系列处理器及 X570主板打造,全系列采用经过严格筛选的优质IC 颗粒,搭配高效能10层板PCB,并经过多重严密测试,拥有绝佳超频潜力及产品兼容性,可以完美激发最新AMD平台的强悍性能。

AMD Ryzen 3000系列平台拥有强大的内存超频潜力,MSI资深极限超频团队也于上市期间,使用G.SKILL内存、MSI MEG X570 GODLIKE主板及AMD Ryzen 5 3600处理器,以液氮极限超频技术创下DDR4-5774的傲人成绩,创下AMD平台上的内存超频纪录成绩。

打造全新时尚利落风格

焰光戟承袭 Trident Z 系列的经典外观设计,采用高级铝合金散热片,首次搭配两种不同表面处理方式 – 磨砂质感的冰晶银以及细致发丝的雅典黑,衬托其优雅不凡的高科技质感,此外,焰光戟新增利落的高光设计,完美融合于银黑双色的散热片设计,打造浓烈锐利的速度流线感,由里而外散发锋芒毕露的极致性能,让您不论搭配任何电脑硬件,都能完美呈现个人风格。

极致性能规格

焰光戟提供玩家们一系列极速规格,容量最高达到64GB(16GBx4)的豪华套装。速度方面也推出DDR4-3600 CL14-15-15-35的梦幻规格,同时结合了超高频率及超低延迟的强大优势,让您体验无与伦比的超频性能。下图为焰光戟DDR4-3600 CL14-15-15-35 32GB (8GBx4) 在 ASUS ROG Crosshair VIII Formula 主板及AMD Ryzen 5 3600 处理器上通过烧机测试的截图画面:

除了超低延迟套装之外,在同样测试平台上,芝奇也推出了在DDR4-3600 CL18-18-18-38 32GB (8GBx4)高速运作下,只需要1.2V的超低电压超频套装,以下为测试图画面:

以下图表提供完整焰光戟首发规格

专属RGB灯效控制软件

焰光戟具备8个可控灯区,搭配芝奇专属灯效控制软件,您可以随心所欲地调控各种配色,及选择多种不同灯光特效,打造能展现自己独特风格的电竞系统。此外,焰光戟也支持第三方灯效控制软件,如Asus Aura Sync、Gigabyte RGB Fusion、MSI Mystic Light及ASRock Polychrome等等,让焰光戟与其他硬件配备一起达到灯效连动功能。

上市信息

Trident Z Neo焰光戟将于2019年7月开始贩卖,消费者将可陆续由芝奇授权的全球合作供货商购买取得。

金泰克X3 RGB——AMD X570新平台好搭档

金泰克X3 RGB——AMD X570新平台好搭档

从7月7日晚AMD正式解禁第三代锐龙处理器开始,各大主板厂商的X570主板紧跟其后,一时间各大评测数据纷纷出炉,AMD一时风头无两。不过,就算AMD X570现在是整个街区最靓的仔,金泰克X3 RGB内存照旧兼容不误。

金泰克X3 RGB 3600MHz搭配微星X570主板

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动态灯效

不只是搭配微星主板,金泰克X3 RGB通过了微星、华硕、技嘉、华擎四大主板厂商的认证,支持四家主板灯效无线同步联动,可以通过软件调节出丰富多彩的灯效模式和灯光颜色。

鲁大师识别硬件信息

轻松跑到3600MHz

金泰克X3 RGB支持XMP2.0自动超频,开启XMP2.0后,系统自动完成超频配置动作,从系统默认的2400MHz运行到3600MHz。金泰克DDR4内存一直以来在双通道兼容性以及XMP超频性能方面表现都很突出,这一次四条高频内存一起上,效果也非常不错。

3600MHz AIDA64测试成绩

通过AIDA64测试,在3600MHz频率下,读取速度为46489MB/S,写入速度为28799MB/S,Copy速度为46084MB/S。

3600MHz鲁大师跑分

继续突破4133MHz

4133MHz AIDA64测试成绩

在4133MHz频率下,读取速度为48827MB/S,写入速度为28798MB/S,Copy速度为50530MB/S。

4133MHz鲁大师跑分

尝试突破4266MHz

4266MHz AIDA64测试成绩

在4266MHz频率下,读取速度为49085MB/S,写入速度为28798MB/S,Copy速度为50654MB/S。

4266MHz鲁大师跑分

RunMemtest 100%

从3600MHz、4133MHz、4266MHz三个频率下鲁大师跑分来看,4133MHz分数更优,不过在超到4266MHz频率下,居然能通过RunMemtest 100%烧机测试,稳定运行,也很是惊喜。

总结:金泰克X3 RGB 3600MHz不仅兼容AMD新鲜出炉的X570系列主板,还能继续保持以往的超频成绩,轻松突破官方值3600MHz,努力一把,达到4133MHz和4266MHz也是大有可为。

宏旺半导体ICAMX LPDDR4X 8GB  为高密度高带宽移动设备存储而生

宏旺半导体ICAMX LPDDR4X 8GB 为高密度高带宽移动设备存储而生

通讯技术在当代无疑更新越来越快速,随着5G时代即将到来,对通讯的设备的要求也将提出更高的要求。具备AI功能的硬件设备将普及化,其智能化程度也将越来越高,同时对手机等智能移动设备的内存容量和带宽也提出了新的需求。

宏旺半导体应市场所需,推出了LPDDR4X 8GB的RAM解决方案,已实现量产,满足智能手机、平板电脑、超薄笔记本等移动设备对于越来越高的密度和带宽要求。ICMAX LPDDR4X 兼顾小体积与高性能,采用POP层叠封装技术,非常适合应用于需要高密度的智能设备。

 

一.智能手机

手机的热度这两年在持续升温,现在的智能手机运行内存已经6GB起步了,目前主流旗舰手机内存使用的都是LPDDR4X。LPDDR4相对前代节能效果并不明显,LPDDR4X应运而生,LPDDR4X相对LPDDR4功耗大约降低了10-20%,不同厂商工艺不同,最高可降低至40%左右,更有利于移动设备省电。

宏旺半导体ICMAX推出了LPDDR4X 8GB,能充分满足手机存储需要,应对5G时代手机存储需求。不过需要注意的是,不是所有的手机都能用LPDDR4X内存,它对手机处理器有一定要求,因此也只有一些中高端机搭载。

手机平台应用

二.平板

平板市场LPDDR存储方案渗透率提升,虽然国内市场乃至全球的平板电脑都受到了巨大冲击,平板的增长放缓,但另一方面,市场对高端大内存的平板需求在上升。平板与手机想比在屏幕大小、玩游戏体验方面都具有不可比拟的优越性,如今平板市场对存储硬件提出了更高的要求:在拥有速度快、功耗低的同时,还需存储芯片具有高性价比。宏旺半导体ICMAX LPDDR4X的出现填补了这一市场空缺,提升平板性能的同时提升其在市场上的竞争力。

应用于平台领域

三.轻薄笔记本

对于笔记本消费者的需求是越轻越好、越薄越好,购买轻薄笔记本大多是出于对方便携带的考虑,想要把笔记本做的薄再薄一点,且要兼顾好散热性能,在运行内存选择方面LPDDR4X是轻薄笔记本的不二选择,一是频率高运行快,二是功耗低更节能减少机体发热。现阶段,在轻薄型笔记型电脑上,也有一部分对功耗和体积要求较高的设备,开始由DDR转为了使用LPDDR4X规格的板载内存,正是出于运行速度、功耗和空间节省的考虑。

总的来说,宏旺半导体LPDDR4X具有更小的封装尺寸和更高的容量,8GB的存储内存能满足大多数超薄移动设备的容量空间要求。ICMAX 新一代DRAM存储器LPDDR4X 8GB 运行频率在LPDDR4基础上提高了33%的性能,达到了2133MHz,并且在容量方面达到了8GB。

对于要求更高密度和带宽的市场,功耗非常关键,ICMAX的LPDDR4X电压低至0.6V,更低的功耗和更高的频率,使移动设备在不牺牲性能的情况下使用更少的能量,实现全系列功能,应用和多任务处理,助力移动设备运行更加顺畅。

更多详情请登录官网:http://www.icmax.com.cn/ 或关注宏旺半导体微信公众号
商务合作请联系:139 2522 9292

东芝停电带动NAND Flash价扬,存储器模组厂看好下半年成长

东芝停电带动NAND Flash价扬,存储器模组厂看好下半年成长

NAND Flash受到东芝存储器工厂停电事件,将带动NAND Flash价格止跌走扬,威刚科技初估,NAND Flash价格将调涨10%至15%;另一存储器模组厂十铨科技也认为不论DRAM或NAND Flash,下半年都将有很大的成长空间。

NAND Flash供应商陆续紧缩供给,加上日本加强管制光阻剂等3项关键电子材料出口韩国,市场掀起一波NAND Flash抢货潮,带动NAND Flash价格走扬。

威刚初估,NAND Flash价格调涨约10%至15%,SSD产品价格将同等幅度调涨。威刚的固态硬盘(SSD)产品也因此改采限量供货策略,优先给老客户。

存储器厂十铨科技表示,展望下半年,全球DRAM和NAND预期将供给吃紧。美光为了供需平衡减产因应,NAND Flash减产10%及DRAM减产5%,且东芝存储器工厂停电事件,NAND FLASH价格下滑趋缓,再加上AMD新平台成功在消费市场创造话题,无论DRAM或NAND Flash,十铨预计将有很大的成长空间,下半年营运加温可期。

5G基地台市场庞大,陆系5G芯片国产化程度提升

5G基地台市场庞大,陆系5G芯片国产化程度提升

中兴虽在之前受到美国实体清单制裁影响,外界认为中兴整体元气大伤,在技术发展上受其拖累,但在MWCS 2019上,官方宣布将开发7nm基地台芯片,5nm也进入研究阶段,显见中兴仍有其一定的技术研发能量。

锁定5G庞大基地台市场,中兴打造7nm基地台芯片

就中国5G商用进程上,已经确定2019下半年陆续开展,加上5G带来更多不同的商业模式创新,进而遍及各大垂直应用,尽管在5G商用初期还需要4G基地台协助,但长期来看,5G基地台布建仍是各大电信厂商的重要任务。

以中国移动在MWCS 2019喊出的目标,5G基地台数量要在2019年建置超过5万个以上,倘若该数字是中国移动必须要达成的,加上中国联通、中国电信的数量,5G基地台数量势必相当可观,更遑论还有广大的国际市场,以此点来看,5G基地台相关的芯片性能表现,就是电信设备业者在意的首要关键,毕竟基地台系统的整体表现关键在于5G网络运作的顺畅与否,以及能否提升整体运作效率,进一步避免无谓的电力耗损。

与此同时,赛灵思在2019年发布的第三代RFSOC刚好符合Sub-6GHz需要的频谱支援;换言之,对于众家电信设备厂商来说,5G基地台布建时程应是2019年才会进入渐进式开展,在考量资金成本压力下,大多电信业者应会在2019下半年~2020年陆续部署5G基地台。

eMTC与URLLC皆有陆系芯片厂商投入,5G芯片国产化程度提升

除了中兴已投入5G基地台芯片开发外,需要值得注意的陆系芯片厂商还有上海移芯、诺领科技与新岸线等,前两家聚焦NB-IoT方案,新岸线则聚焦在URLLC频段上,打造基地台芯片。

众所皆知,NB-IoT自发展以来,投入的芯片厂商多是本身已有4G芯片方案,例如高通、华为、联发科与Intel等,但从上海移芯与领诺科技来看,显然中国拥有相当庞大的NB-IoT市场,足以胃纳更多的芯片供应商投入。

投入URLLC的新岸线,也推出基地台芯片与终端所需的射频芯片,同时也有工业用领域的射频模块与各类一体化的终端系统。URLLC目前鲜少有看芯片供应商该领域的解决方案,但依照新岸线提供的成功案例来看,新岸线在该领域应居领先地位,跳脱5G涵盖的eMBB与eMTC外,新岸线出现很大程度地补足URLLC不足,甚至可说,中国大陆在5G产业链芯片供应上,应能做到相当程度的自有化。

AMD新品报到,群联沾光

AMD新品报到,群联沾光

AMD最新一代支援PCIe 4.0的桌上型电脑处理器Ryzen以及X570主机板平台于昨(8)日正式开始全球销售,该款产品搭载群联全球首款消费型PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制芯片PS5016-E16的品牌SSD固态硬盘,随着新产品的开卖,有助于群联第三季营运表现。

AMD第3代锐龙桌上型电脑处理器以及AMD X570主机板组成的Socket AM4平台,是全球首款支援PCIe 4.0介面的PC平台,本次和群联合作,引领先进PCIe 4.0技术的生态系统。

群联董事长潘健成表示,这次全球首款的消费型PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制芯片PS5016-E16的发布,与以往最大的不同是透过完整生态圈 (Ecosystem) 的整合,再加上与AMD的紧密合作,万箭齐发共同推动整个PCIe 4.0的相关产品及应用。

群联的PS5016-E16控制芯片IC,采用28nm制程且搭载最新的96层 3D NAND快闪存储器以及第四代的LDPC纠错引擎,最高效能达到5000MB/s。透过独家设计的隐藏式芯片散热装置、智慧温控保护机制、专利硬件加速器技术、SLC快取缓存技术等,提供使用者前所未有的超高效能体验,全球知名测评网站也给予高度的评价与关注。目前全球知名品牌客户已陆续完成送样,第一波发布销售的品牌SSD也陆续上架销售,共同宣告PCIe 4.0时代已来临。

群联近几年持续专注高端储存应用市场,群联PS5016-E16控制芯片IC就是具体的表现,不仅是群联目前的旗舰产品,也是消费应用市场上领先业界且唯一的PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制芯片,而透过深耕高端储存应用市场,弹性布局,群联也将持续努力提升获利与营收,创造多赢的局面。

暂停出货SSD?威刚澄清:是限量供货、优先支援老客户

暂停出货SSD?威刚澄清:是限量供货、优先支援老客户

NAND Flash价格看涨,存储器模组大厂威刚传出,已暂停出货SSD产品,对此,威刚昨(8)日回应表示,并无暂停出货一事,因应目前NAND Flash价格走扬,在前景尚待观察下,先限量供货,优先支援老客户。

市场传言指出,由于NAND Flash价格开始走强,威刚对SSD后市看涨,因此工厂通知客户,SSD产品暂时不出货。不过,威刚昨日回应指出,并无暂停出货一事,只是在SSD前景仍待观察下,限量供货,并优先支援老客户。

展望第3季,威刚认为,NAND Flash跌价已趋近尾声,上游大厂相继延后与缩减扩产动作,加上传统旺季需求,也有助减缓DRAM及NAND Flash跌价幅度,且存储器模组、SSD产品客户备货动能加温,第3季营收表现有机会稳步回升。

威刚日前已公告6月营收,受惠SSD产品出货增温,带动单月营收月增7.5%、达新台币19.37亿元,创今年以来新高;第2季受到存储器价格持续下跌、及美中贸易情势多变干扰,营收新台币55.7亿元,季减13.06%。

NAND Flash跌价疑虑消除 SSD装机容量提升,法人看好群联发展

NAND Flash跌价疑虑消除 SSD装机容量提升,法人看好群联发展

对于近期NAND Flash的状况,法人表示,NAND Flash厂已启动减产,报价有效止稳,使NAND Flash长达7季的跌价循环即将结束,认为2019下半年已无利空,且逐渐看到产业走向光明面。

主控芯片厂群联 2020 年将迎接 SSD 新机换机需求及容量提升,带动营收年营收成长。法人指出,对NAND Flash看法将开始转向正面,认为此波向下循环即将结束的主要原因有3个。

首先是根据过去历史经验,存储器报价跌到现金成本都是绝对低点,因为制造厂商为避免跌破现金成本,会开始启动减产,近期在NAND Flash已有看到此情况。

其次,NAND Flash跌价可有效刺激每台电脑的容量提升,且自2017年第4季开始,NAND Flash报价开始反转向下,跌价循环已达7季的情况下,如今认为报价止跌约1季后,跌价疑虑逐渐消除,在2019年下半年开始设计的2020年的新机种中,可望看到厂商积极将SSD容量,提升至512GB的情况,带动NAND Flash需求成长。

最后是AMD及Intel相继将处理器传输提升到PCI E Gen4,这会让SSD取代HDD速度加快,也带动容量提升。

主控芯片厂群联的成功模式为同时具备NAND Flash模组及控制芯片设计能力,提供客户整体解决方案。目前,主要应用为消费类模组(consumer modules)、controller芯片、工业类模组(industrial modules)、其他,2018年占营收比重分别为45%、21%、19%、15%,应用领域包含随身碟、记忆卡、SSD、eMMC、工控等。

未来,群联公司发展重点在于扩大出海口,增加controller芯片客户群及市占率,成品业务扩增工控、IOT等应用,NAND Flash成品容量提升带动每台产能增加。

虽然2019年第2季仍属淡季,法人预估群联营收为新台币98.36亿元(+5.3%QoQ,-4.8%YoY,新台币,下同),预估毛利率可持稳2019年第1季水准,税后EPS为4.67元。

近期NAND Flash价格持稳,可期待2019年第3季旺季到来,预期群联2019年第3季营收为111.27亿元(+13.1%QoQ,+0.8%YoY)。

因高单价SSD比重增加,使毛利率预估来到23.1%,营益率提升为12.8%,税后净利达到12.39亿元,较上一季增加34.7%,较2018年同期减少11.7%,单季税后EPS为6.29元的情况下,群联的营收动能将能逐渐回复。

紫光集团DRAM战略起航 清华系打造中国芯频出大手笔

紫光集团DRAM战略起航 清华系打造中国芯频出大手笔

紫光集团正式大举进军内存芯片。

6月30日深夜11时许,紫光集团官宣,组建DRAM事业群,委任刁石京为DRAM事业群董事长、高启全为CEO。

这在市场看来,紫光集团DRAM战略正式起航,将进一步拓宽紫光集团在存储器领域的相关布局,深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链建设。

一直以来,全球超过90%的DRAM市场份额被三星、海力士、美光三家厂商占据,紫光集团的慎重出击,或将对全球DRAM市场格局产生深远影响。

显然,紫光集团进行内存芯片早已做足了功课,刁石京和高启全均出身于集成电路及存储领域,后者更是被业内称之为“台湾存储教父”。与此同时,紫光集团已在存储器的设计制造领域有了一定积累,子公司西安紫光国芯已自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品。

长江商报记者发现,2015年以来,紫光集团旗下的紫光股份、紫光国微、紫光控股为造中国芯频频进行大手笔资本运作。当年5月,紫光股份定增募资221亿元 ,布局IT基础架构领域。当年11月,紫光国微筹划800亿元定增,进军存储芯片产业。此外,清华系还相继筹划230亿元收购美国存储巨头美光科技、135亿元收购中国台湾两家半导体公司。

近年来,清华系资本运作变阵,由收购转向产业自主落地,长江存储、合肥长鑫相继进行自主设计制造。

业内分析人士称,紫光集团此时大举进军内存芯片领域,可谓是天时地利人和,假以时日,有望打破行业寡头格局。

加速布局造中国芯

紫光集团加速国产芯片布局可谓正当其时。

存储芯片被誉为电子系统的粮仓,是数据的载体,关乎数据的安全,重要性不言而喻。存储芯片市场规模庞大,约占半导体总体市场份额的三分之一。

中国是第一大DRAM消费市场,中国大陆几乎没有自主产能。据统计,去年,中国集成电路进口额达3120亿美元,其中存储芯片为1230亿美元,同比增长1188.99%,占集成电路进口总额的39%。中兴、华为事件更让中国企业倍感中国芯的重要性。

不过,存储芯片是一个技术、资本、人才密集型的产业,三者缺一一不可。目前来看,与紫光集团而言,似乎都已具备,紫光集团显然也是有备而来。

分析人士称,存储芯片产品不同于大部分的消费类产品,品牌化程度低,差异化竞争较小,不同企业生产的产品技术指标基本相同,标准化程度较高,用户粘性低。此外, DRAM 目前还在 1x、1y 水平, 有望在2020年进入1z 阶段。此时进军,将使得国内的技术与国际大厂的差距有望逐渐缩小。3D NAND 国际上目前通用的为64层,目前,长江存储已经实现32层,只有一代的差距。存储芯片的难点在于IP和制造,DRAM的IP方面,由于DRAM领域发展已相对成熟,这给国内厂商继续提高资本投入实现国产替代提供了机会,通过在更高的技术领域取得突破并夺取知识产权,从而获得对下游厂商更强议价 能力。

国际大型厂商也看上了中国大陆市场。在半导体向国内转移的趋势下,国际大型厂商纷纷到大陆地区设厂或扩大国内建厂规模。数据显示,预计2017年至2020年,全球投产的晶圆厂约62座,其中26座位于中国大陆。同时,中国高度重视将半导体产业,将其新技术研发提升至国家战略高度。

在人事方面,紫光集团早有安排。出任DRAM事业群的董事长刁石京和CEO高启全均在集成电路及存储领域有深厚的技术积累和丰富的产业经验。高启全于2015年10月加入紫光集团,出任紫光集团全球执 行副总裁;2016年长江存储成立后,担任长江存储的执行董事、代行董事长。加入紫光集团前,他在台塑集团旗下的DRAM存储器芯片公司任职,曾担任南亚科技全球业务执行副总等高管职务,还曾担任 华亚科技总经理、董事长等职务。

与此同时,紫光集团在存储器的设计制造领域已有一定的技术沉淀。在DRAM领域,紫光集团旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品(ECC DRAM)。紫光集团借助长江存储和武汉新芯等平台,聚集了大量的三维闪存和DRAM研发人员。目前,两家公司研发人员接近2000人。

公开信息称,长江存储首期投入超240亿美元,预计未来还将追加300亿美元。

布局芯片产业资本运作不断

进军芯片领域,紫光集团已有时日。不过,前期,更多是采取的资本运作途径。

紫光集团旗下有三家A股公司紫光股份、紫光国微、紫光学大(21.740, -0.70, -3.12%)及一家港股公司紫光控股,市场上称之为清华系。近年来,清华系频频祭出大手笔,除紫光学大外,其余三家公司基本上围绕芯片展开布局。

2015年5月,紫光股份筹划定增,募资225亿元用于收购香港华三51%股权、紫光数码44%股权、紫光软件49%股权三家公司,同时建设云计算机研究实验室暨大数据协同中心及补充公司流动资金及偿还银 行借款。清华系林芝清创、紫光通信、健坤爱清、同方计算机合计出资166亿元参与认购。

香港华三拥有完备的路由器、以太网交换机、无线、网络安全、服务器、存储、IT管理系统、云管理平台等产品系 列,后续整合计划包括承接惠普在中国大陆服务器及存储器销售业务、技术服务业务和收购天津惠普100%股权、收购昆海软件100%股权等。这一定增方案于2016年5月5日实施,最终募资221亿元。

半年后,紫光国微(时名同方国芯)推出了更大规模的定增方案,拟募资800亿元,创造了A股历史第二大规模再融资。按照规划,600亿元投入存储芯片工厂,37.9亿元用于收购台湾封测厂商力成25%股 权,162亿元用于收购芯片产业链上下游的公司。受再融资新规影响,这一募资方案被迫终止。

2015年,紫光集团计划以230亿元收购美国存储巨头美光科技未果。当年10月,紫光又拟以38亿美元收购西部数据15%股权,并通过西部数据以190亿美元收购闪存存储解决方案全球领军者闪迪。遗憾的是,由于美 国海外投资委员会介入审查,收购未能完成。

同样是在2015年,紫光集团宣布拟出资6亿美元收购力成科技约25%股权。当年12月,又宣布分别出资111.33亿元、23.94亿元收购台湾矽品精密24.9%股权、南茂科技25%股权,并成为台湾矽品精密第一 大股东、台湾南茂科技第二大股东。力成科技,在储存芯片封测方面在台湾处于龙头老大地位,也是全球最大的存储器封测厂。

整体而言,通过并购展讯和锐迪科,紫光集团成为中国芯片龙头企业。收购新华三集团51%股权,构建了紫光集团“从芯到云”的产业链。入股矽品精密、南茂科技下属公司,紫光进入封装领域。依托长 江存储等布局存储制造,紫光形成了较为完整的IDM(垂直制造)集成电路巨头的雏形。

14家新一代半导体企业签约长沙望城!2025年产值有望破百亿

14家新一代半导体企业签约长沙望城!2025年产值有望破百亿

7月6日,在长沙新一代半导体产业链建设合作交流暨集中签约活动上,湖南创一电子科技股份有限公司、深圳绿源半导体技术有限公司等14家半导体企业签约落户望城经开区,将为望城加速布局新一代半导体产业增添新动力、注入新动能。

本次集中签约的企业涵盖芯片设计、功率器件、高端材料以及面向5G云端智能机器人等高端应用项目,通过建链和延链,在园区搭建较为完整的产业生态,为后续产业发展营造良好的市场环境。目前,望城经开区已经集聚了绿源半导体、璟泰微电子等20多个新一代半导体产业链核心企业,预计到2025年,这批项目将释放100亿产值。园区将着力在研究院平台支撑、基金支持、人才供给方面做好产业链建设服务,为产业发展提供超一流的营商环境。

半导体是现代高科技产业的基础,是支持我国经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。近年来,长沙围绕“一条主线、三个中心和五个链条”的总体布局,全力推动项目建设,加强技术研发,聚集产业人才,产业链不断向上下游延伸,其中一条主线:以第三代半导体为核心的新一代半导体产业健康生态体系;三个中心:新一代半导体材料中心(浏阳高新区)、新一代半导体科创中心(湖南湘江新区)、新一代半导体应用及智造中心(望城经开区);五个链条:材料芯片产业链、电子电力产业链、微波电子产业链、光电子产业链和配套衍生产业链。

作为全省第一个编制《新一代半导体产业发展规划(2019-2021)》的园区,望城经开区牢固树立高质量发展理念,主动把握新一代半导体产业的创新赶超机遇,按照“以两头促中间”构建产业生态圈的行动路线,明确近期以培育壮大应用终端和芯片设计等产业链两端为重点,中远期带动产业链中游的专用芯片制造及封测等协同发展,通过构建载体平台、培植企业方阵和融合协同创新等产业链赋能行动,打造引领全省新一代半导体产业创新发展的研究院、科创中心和智造及应用中心(简称“一院两中心”),助推长沙建设国家智能制造中心,为中国半导体长期实现自主可控贡献新力量。

望城经开区相关负责人介绍,园区将按照一年搭架构、两年求突破、三年见成效的发展阶段目标,积极抢占新一代半导体产业链布局望城的创新赶超机遇,加快形成产业规模和智能制造应用特色。

到2021年,新一代半导体产业产值规模达到20亿元以上,专业园区载体和研发设计平台等基础支撑体系基本成型,培育引进产值过亿元的龙头骨干企业10家以上,孵化一大批创新创业型芯片应用和设计企业,形成扎根本土的产业应用生态和嵌入全国的产业创新生态,构建应用设计协同、科技孵化高效、配套功能完善、规模效应明显的新一代半导体产业集聚区。

据悉,望城还将全力壮大芯片应用生态,充分发挥园区在智能终端、智能制造等先进制造业集群发展优势,把握新一代半导体创新应用前沿领域的市场需求和政策机遇,依托华为、TDK、伟创力等应用端龙头企业,重点发展智能终端、5G、自主可控、网络安全、北斗、军民融合等六个终端应用创新领域。

积极引进和壮大一批智能终端及智能制造系统集成龙头骨干企业,培育一批嵌入本地先进制造产业链的芯片应用企业,依托国防科技大学等孵化一批军民两用前沿领先技术产品,加快提升新一代半导体应用场景创新和企业集成创新能力,支持新一代半导体关键技术和高端产品研发,构建应用端产业创新生态及做大产业规模。

到2021年,芯片应用产业产值达到15亿元以上,引进和培育芯片应用端规模企业20家以上,基本形成以智能终端和智能制造为特色的新一代半导体产业创新应用生态。

名词解释:新一代半导体

半导体可大致分为三代,第三代半导体也被称为新一代半导体。

第一代半导体材料硅(Si)和锗(Ge)主要用于以计算机为代表的数值计算,成就了“美国硅谷”高科技产业群,促成英特尔、德州仪器等半导体巨头的诞生;

第二代半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化姻(InP)主要用于无线通信,带来了光纤通信、移动通信、GPS全球导航等电子信息业的飞速发展;

第三代半导体材料禁带宽度(能带隙)大,又称宽禁带半导体;主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),SiC最接近产业化。第三代宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

目前第三代半导体的典型应用,包括新能源汽车、轨道交通、输电系统、太阳能和风能并网、雷达、5G移动通信等领域。