手机屏下摄像头为何难量产?

手机屏下摄像头为何难量产?

在近日举办的MWC19上海上,OPPO首度展出其屏下摄像头解决方案“透视全景屏”,吸引了众人关注的目光。据称,“透视全景屏”通过整合前置摄像头与屏幕的方式,实现摄像头在屏下“隐形”,能兼顾内容显示与拍照、面部解锁、视频通话等功能。然而,大家在进行真机体验后却感到有些失望,就连OPPO副总裁沈义人都发微博表示,屏下摄像头概念没有问题,但规模量产仍需要时间。同为“屏下”技术,屏下摄像头为何如此“难产”?摄像头和屏幕要经历怎样的磨合才能“相互成全”?

隐于屏下,摄像头也来“赶时髦”?

今年2月的MWC2019上,数家手机厂商不约而同地发布了折叠屏手机,掀起了智能手机形态革新的浪潮。这不,现在摄像头又来“赶时髦”了。最近,沈义人在某社交平台上展示了屏下摄像头技术。该工程机采用无刘海、无水滴、无挖孔的真全面屏形态,前置摄像头巧妙隐藏。当相机启动的瞬间,屏幕和镜头共同作用,让光线充分进入相机传感器,在息屏状态下前置镜头开孔可完全消失。

结果,与折叠屏手机近况惊奇的相似,屏下摄像头也是还没量产就问题频出。在近日的MWC19上海上,试用者发现,屏下摄像头技术并没有想象的那么成熟:拍照时成像清晰度不高,出现了明显泛白的情况;摄像头区域的显示效果和屏幕其他区域有显著色差,近看则更加明显。

手机厂商似乎总是“雷声大雨点小”?事实上,每一次带有“风险”的尝试都是手机变革的必经之路。分析师张金阳告诉《中国电子报》记者,当前智能手机已经进入存量与性能过剩的时代,由于并没有出现革命性的交互内容变革与跨时代的性能变革,产品交互和外观设计(ID设计)成为手机厂商产品差异化竞争最有效的手段。屏占比是ID设计中最重要的一部分,前置指纹识别和摄像头被移到屏下以提高屏占比。

从刘海屏、挖孔屏、升降式摄像头,到屏下摄像头,手机一直在向全屏化、一体化、简洁化迈进。指纹虽然可以改变位置,但以目前技术来看,让前置摄像头“消失”在显示屏中将是一大挑战,这主要来自摄像头本身以及和手机面板之间的磨合两方面。

“屈身”屏下,摄像头性能将受限?

与挖孔屏、升降摄像头相比,屏下摄像头技术真正将摄像头与手机面板的器件融合在一起。从表面来看,摄像头置于屏下确实提升了屏占比;但从相机器件方面来看,摄像头结构改变将大幅限制前置相机的性能。

群智咨询总经理李亚琴指出,为了不影响屏幕的正常使用,屏下摄像头的整体厚度和头部尺寸需要做得更小,整体结构向扁平化发展。

张金阳表示,摄像头尺寸的缩减,对摄像头模组设计尤其是光圈大小方面提出了挑战。相机感光度的提升需要增大传感器像素尺寸。由于置于屏下的镜头尺寸有所限制,无法采用大尺寸传感器,因此整体像素相对较低。

另外,为了保证ID设计的完整性,屏下摄像头需要在镜头的表面使用抗反射的黑色涂层来保证息屏状态下镜头的隐形。记者发现,OPPO的演示机均使用深色的壁纸,特别是在前置摄像头区域。无论是否有助于隐藏静息状态下的摄像头,这都表明摄像头并未能与屏幕深度融合,做到隐形。

无论是在屏上还是在屏下,屏下摄像头的首要任务是做好拍照的“本职工作”。OPPO产品经理乔家栋表示,未来OPPO将定制更大光圈、传感器面积和大单像素尺寸的前置摄像头,配合更强大的算法来优化前置拍摄体验,弥补屏下摄像头进行图像采集和光线捕捉时,清晰度不佳、泛白等缺陷。

“横亘”在镜头前,面板或影响拍摄和成像体验

屏下摄像头结构的改变为前置相机的性能带来局限,除此之外,手机面板也成为屏下摄像头难以实现技术突破的瓶颈。北京交通大学光电技术研究所教授徐征指出,屏下摄像头技术首先需要解决的便是屏幕透光率问题。

一般来说,相机镜头透光率越高,投射图像就越清晰。不同于挖孔屏,在设计和生产时已经为摄像头预留出一部分“空白”用于透光,屏下摄像头方案中“透明区域”和整个屏幕是一个整体,这就意味着屏下摄像头要隔着玻璃盖板、显示层、基板的屏幕进行工作。徐征指出,传统OLED屏的透光率本身为40%~50%,远达不到屏下拍照要求的80%透光率,再加之面板内的折射、反射,透光率自然不会理想。

因此,摄像头对应的区域需独特设计,从而保证有充足的光线可以进入摄像头传感器,以保证良好的拍照效果。OPPO产品经理乔家栋表示,为了尽可能实现摄像头部分的面板“透明化”,屏幕像素结构需要有针对性的重新构造、设计。具体而言,是针对前置摄像头上方显示区域的RGB像素排列进行重新设计,以使这一区域的透光率更高。

其次,屏幕上每个像素之间的晶格、电路将会阻挡在摄像头前方,形成“纱窗效应”。对此,0glass创始人兼CEO苏波表示,单靠面板的光学设计无法消除屏幕中“不透明”物体的影响,而后期算法可以帮助“滤”掉这一部分阻碍,并进行补色修复。当前的AI技术可以实现该部分的优化,但前提需要对屏幕的微观进行相对精确的测量。然而,这一系列动作是否会对成像质量造成影响还很难说。

最后,屏下摄像头还对屏幕玻璃盖板厚度、解析力等方面发起挑战。徐征表示,在使用前置摄像头拍照时,屏幕膜层和玻璃盖板对于外界的光吸收较强,因此,屏下摄像头需要性能更佳的膜层和盖板玻璃来降低这部分的光吸收作用。此外,屏幕中的光学器件工艺也需要在原有基础上大幅提升,以减小光学畸变。

总投资10亿元半导体产业项目落户安徽铜陵

总投资10亿元半导体产业项目落户安徽铜陵

近日,Ferrotec(中国)集团与铜陵市人民政府举行了长江半导体增值服务和新材料产业园项目签约仪式。

此项目落户铜陵市义安经济开发区,预计总投资10亿元,将极大的带动当地的经济发展及人口就业,带动地区产业升级,力争将义安区金桥工业园区打造成国际一流的半导体产业集聚区。

铜陵市市委书记、市人大常委会主任李猛表示,这次战略合作框架协议和相关项目协议的正式签订,既与长三角产业布局、安徽“一核一弧”半导体产业规划高度契合,也与铜陵市产业转型升级路径深度融合,必将有力促进铜陵市半导体产业链、价值链、创新链扩展延伸,助推产业转型升级,开创市企合作新篇章。

据悉, Ferrotec(中国)始创于1992年,是由日本Ferrotec株式会社在华设立的多家工厂企业的总称,总部设在杭州。目前,Ferrotec已经在上海、杭州、宁夏等多地均有布局,而此次是Ferrotec(中国)与铜陵市的第二次合作。

此前,Ferrotec(中国)在铜陵市投资2.03亿元建设安徽富乐德项目,主要从事半导体洗净、TFT洗净、陶瓷溶射和半导体部品维修等,该项目占地面积为35000平方米,于2018年3月28日开工建设,2019年1月竣工投产。

TFT、半导体设备修复项目一期建成投产后年生产规模达180万件,可实现年销售收入10000万元,年利润1300万元,年税收1200万元,增加就业岗位250个。

二期投资4500万元,投产后年生产规模达100万件,可实现年销售收入6000万元,年利润900万元,年税收1000万元,解决60人就业。

挥别新三板 芯朋微再次启动IPO

挥别新三板 芯朋微再次启动IPO

自去年以来,半导体企业上市热情高涨,日前又有一家企业走上IPO之路。

日前,中国证监会披露了无锡芯朋微电子股份有限公司(以下简称“芯朋微”)首次公开发行并上市辅导备案信息,显示芯朋微已于2019年3月22日与华林证券签署上市辅导协议,并于3月25日在江苏证监局进行了辅导备案。

资料显示,芯朋微成立于2005年12月,是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的Fabless企业,专注于开发绿色电源管理和驱动芯片,主要产品包括AC-DC、DC-DC、Motor Driver等,广泛应用于智能家电、手机及平板、充电&适配器、LED照明、智能电表、工控设备等领域。

值得一提的是,芯朋微于2014年挂牌新三板,2017年9月其向深圳创业板提交IPO招股书,但在时隔半年后的2018年3月,芯朋微向证监会申请撤回IPO申请文件。今年3月,芯朋微宣布将申请终止新三板挂牌,并拟再度冲刺IPO。6月4日,芯朋微正式从新三板退市。

年报显示,2018年芯朋微实现营业收入3.12亿元,同比增长13.78%;实现净利润5533.98万元,同比增长16.54%;毛利率为37.75%;截至2018年12月31日日,其总资产为3.27亿元,净资产为2.61亿元。

2018年芯朋微拥有研发人员104人,研发投入为4691.90万元,同比增长8.66%,占销售收入比重15.02%。报告显示,2018年其采用高压启动及准谐振技术的标准电源系列产品实现了大规模的销售增长;采用Neo-Switch 技术的移动数码产品得到了完全验证,已经量产。

据介绍,芯朋微在国内创先开发成功并量产了单芯片 700V、200V、100V 高低压集成开关电源等产品,是国内智能家电、标准电源、移动数码等行业电源管理芯片的重要供应商,终端客户包括美的、中兴通讯、飞利浦、创维、格力等国内外知名品牌。

上市辅导中期报告显示,芯朋微目前正在积极落实募集资金投资项目。在前一次IPO申请中,芯朋微拟募集资金2.2亿元,用于智能家居电源系统管理芯片开发及产业化、新型电机驱动芯片及模块开发及产业化和研发中心建设项目。

IPO已成为半导体行业的热门话题,今年年初博通集成已成功叩开A股大门,科创板IPO也正进行得如火如荼,如今芯朋微从新三板退市后再次启动IPO是否可顺利过会,则有待后续观察。

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首批杭州造大硅片 中芯晶圆8英寸硅片预计10月量产

首批杭州造大硅片 中芯晶圆8英寸硅片预计10月量产

在清洁无尘的车间里,一枚枚形状酷似黑胶唱片的硅片在工艺线上有序流转,经历倒角、研磨、腐蚀、热处理、抛光……昨天(6月30日)下午,杭州中芯晶圆半导体股份有限公司的首批8英寸(200mm)半导体硅抛光片顺利下线。

这是出自杭州制造的第一批大硅片,意味着杭州半导体产业在制造领域往前迈出了一大步。据悉,中芯晶圆的12英寸硅片也将于今年12月下线,未来量产后企业可实现8英寸半导体硅片年产420万枚、12英寸半导体硅片年产240万枚。

大硅片项目仅用16个月完成下线

量产后可实现年产值近40亿元

在业内,芯片被比喻为一座微型城市,上面有着长度达数公里的导线以及几千万甚至上亿根晶体管。而硅片,就是让这些元件“安家落户”的“地基”。

硅片制造对制程技术、环境设备的要求很严,且硅片越大要求越严。目前国内半导体硅片大多只能达到4至6英寸硅片的性能需要,少量能供应8英寸市场,但在12英寸硅片领域几乎是空白。另一面则是,大硅片在新兴产业领域有极大应用。比如,8英寸硅片被多用于传感、安防领域以及电动汽车、高铁等功率器件。12英寸硅片的应用主要是逻辑芯片和记忆芯片,用于无人驾驶等领域。

由日本Ferrotec株式会社、杭州大和热磁电子有限公司及上海申和电子有限公司共同投资成立的中芯晶圆,是我国半导体大尺寸硅片生产的“标杆工厂”。2017年9月28日,中芯晶圆落户钱塘新区,首个项目包括3条8英寸(200mm)、两条12英寸(300mm)半导体硅片生产线。

随着6月30日第一批大硅片的产出,该项目进入送样试产阶段,预计今年10月就能实现8英寸硅片的量产。同时,12英寸硅片也将在今年12月完成下线、送样认证,于明年实现量产。

“从去年2月打下第一根桩到现在产品下线,我们总共用了16个月。”Ferrotec中国董事局主席、CEO贺贤汉表示,中芯晶圆之所以能创造大硅片项目的“杭州速度”,与省、市以及钱塘新区各级各部门的全力支持和“管家式”服务密不可分。

据悉,整个项目达产后将成为国内规模最大、技术最成熟的大尺寸半导体硅片生产基地,实现8英寸半导体硅片年产420万枚、12英寸半导体硅片年产240万枚,年产值近40亿元。

集成电路产业动能强劲

芯片设计领域步入全国第一方阵

作为数字经济的核心产业,集成电路是杭州打造“数字经济第一城”过程中重点培育的产业。经过多年发展,杭州集成电路产业已经涵盖设计、制造、封测、材料和装备全产业链领域。目前,全市拥有集成电路企业122家,其中规上企业87家。

值得一提的是,杭州在芯片设计领域具有比较优势。数据显示,去年全市设计领域的企业数量和业务收入分别占全省80%、90%以上。2018年,全市集成电路规上企业主营业务收入190.53亿元,同比增长6.2%。其中设计业实现销售收入118.34亿元,设计规模仅次深圳、北京、上海,位列全国第四。

“杭州在芯片设计领域优势明显,但我们在制造领域基础相对薄弱。这次中芯晶圆大硅片项目的落地,不仅填补了杭州在硅片制造方面的空白,也会对整个产业链发展起到推动作用。”杭州市经信局副局长杨晓勇说,杭州正在集成电路全产业链上“做文章”,未来会通过项目引进和本地培育等方式,重点在模拟芯片制造、化合物半导体制造、存储类芯片制造等领域进行布局。

事实上,杭州集成电路产业近年来发展动能强劲,一个很重要原因是产业政策的支撑。早在去年7月,杭州就出台集成电路产业的首个专项政策——《进一步鼓励集成电路产业加快发展专项政策》,重点支持企业创新研发、IP设计、掩膜流片、投资技改和首用推广。

据悉,该政策发布以来已经支持29个集成电路产业发展项目,为企业和产业发展起到了良好的助推作用。

广州首条12英寸芯片生产线首批样品已经出货

广州首条12英寸芯片生产线首批样品已经出货

据粤芯半导体官方微信号“粤芯微资讯”透露,6月29日,广东省发展和改革委员会主任葛长伟,副主任蔡木灵,广州市委常委、黄埔区委书记、广州开发区党工委书记周亚伟,开发区党工委副书记冼银崧等一行抵达广州粤芯半导体技术有限公司位于广州中新知识城的12英寸芯片厂建设现场进行调研。

粤芯半导体总裁及首席执行官陈卫向调研领导一行介绍,截止到目前,粤芯半导体第一阶段的生产线调试已经完成,首批样品已经出货,良率已达到预期目标。

公开资料显示,广州粤芯半导体技术有限公司于2017年12月在广州开发区中新知识城设立,是国内第一座以虚拟IDM (Virtual IDM) 为营运策略的12英寸芯片厂,也是广州第一条12英寸芯片生产线,产品主要包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等,满足物联网、汽车电子、人工智能、5G等创新应用的模拟芯片需求。

建成达产后,粤芯半导体将实现月产4万片12英寸晶圆的生产能力。

鼓励外商投资产业目录发布,新增芯片封装设备等条目

鼓励外商投资产业目录发布,新增芯片封装设备等条目

6月30日,国家发展改革委、商务部发布了《鼓励外商投资产业目录(2019年版)》,自2019年7月30日起施行。

本次目录的主要变化不仅在于较大幅度增加鼓励外商投资领域,同时还鼓励外资参与制造业高质量发展。继续将制造业作为鼓励外商投资的重点方向,支持外资更多投向高端制造、智能制造、绿色制造等领域。

在电子信息产业,本次目录新增了5G核心元组件、集成电路用刻蚀机、芯片封装设备、云计算设备等条目。在装备制造业,新增或修改工业机器人、新能源汽车、智能汽车关键零部件等条目。在新材料产业,新增或修改航空航天新材料、单晶硅、大硅片等条目。

同时,此目录还支持中西部地区承接外资产业转移。例如在安徽、四川、陕西等电子产业集群加快发展省份新增一般集成电路、平板电脑、通讯终端等条目。

根据《鼓励外商投资产业目录(2019年版)》,在计算机、通信和其他电子设备制造业方面涵盖了多项集成电路相关条目。

包括直径200mm以上硅单晶及抛光片生产;300mm以上大硅片的制造;集成电路设计,线宽28纳米及以下大规模数字集成电路制造,0.11微米及以下模拟、数模集成电路制造,MEMS和化合物半导体集成电路制造及BGA、PGA、FPGA、CSP、MCM等先进封装与测试;超大规模集成电路制造用刻蚀机、PVD、CVD、氧化炉、清洗机、扩散炉、MFC等;芯片封装设备制造;100TB及以上存储系统制造、8TB及以上SSD固态硬盘制造及智能化存储设备制造等。

构筑5G生态的存储根基,佰维惊艳世界移动大会MWC 2019

构筑5G生态的存储根基,佰维惊艳世界移动大会MWC 2019

转战Embedded World 2019、Japan IT Week、Computex 2019等国内外知名专业展会并取得丰硕成果之后,BIWIN佰维再下一城,迎来了在MWC 2019上海的“高光时刻”。

BIWIN佰维存储展台大咖不断,吸引了来自国内一线的运营商、模组厂商前来交流“5G+”场景下双方合作的更多可能;来自国内外知名企业的首席科学家和首席架构师组团前来交流;展会上佰维存储产品和封测服务独树一帜,凭借着20多年生产开发与量产经验,为客户提供5G场景下消费级,工规级,企业级等不同规格要求的存储与封测解决方案,吸引了韩国,日本,印度等一线客户前来现场沟通交流,客户意向满满,订单不断。

未来已来!大容量、低时延、高可靠的5G通信技术赋予了万物互联的可能,人工智能、物联网以及AI都将迎来跨越式发展,数据必然以几何式的速度爆炸式增长,这一切都需要存储设备作为其坚强后盾。

作为国产存储芯片的领军企业,佰维拥有100+存储技术专利,具备自主的软硬件、固件开发、存储算法及小型化、高可靠性的嵌入式工艺开发能力,是国内少数兼具芯片设计与封测制造能力的存储企业。面对5G发展的历史机遇,佰维勇当“弄潮儿”,用卓越实力构筑起5G生态的存储根基。

“弄潮儿向涛头立,手把红旗旗不湿。”

完整的产品线布局,满足多场景下“端”的需求

5G技术所延伸出的应用场景非常丰富,如5G+移动互联网,5G+AI,5G+物联网,5G+智慧城市,5G+云网融合,5G+边缘计算等,存储的应用需求也变得多样且复杂,行业亟需具备软硬件定制能力的公司开发出对应的新产品。

BIWIN佰维将“为5G场景下各种‘端’应用提供全面和高品质的存储解决方案”作为企业的核心发展战略之一,除了提供常规的eMMC、eMCP、UFS、LPDDR、ePOP、SPI NAND、uMCP、BGA SSD等系列产品外,佰维亦提供针对高可靠性、高性能、小尺寸、断电保护,加密支持,写入保护,宽温运行,安全删除等特殊需求的高效存储解决方案。

作为国内第一梯队的存储解决方案提供商,佰维整合了优质的上下游资源,产品通过了Qualcomm, MediaTek,Spreadtrum, HiSilicon,Allwinner,Rockchip, Amlogic,Mstar等平台厂商的验证,广泛应用于手机、平板、智能电视、笔记本电脑、车载设备、智能工控设备、物联网模块等。

完整的产品线布局,满足多场景下“端”的需求

佰维拥有完备的存储算法、固件、硬件和工艺开发团队,研发能力位居行业领先水平。在业内率先提供SiP解决方案,开创了“小而精”的特种尺寸(佰维超小尺寸eMMC仅为8*8*0.9mm)以及包含“客制化”需求的产品选型、可行性评估、定制化设计开发、测试验证、生产制造等在内的 “一站式”IC服务。公司不断丰富嵌入式存储芯片、工控存储等产品线,依托研发和先进制造优势,结合市场需求,为客户提供更全面、专业,以及更高品质的客制化服务。

佰维斥巨资花费10年打造了行业领先的IC封装制造技艺。2018年3月,佰维存储承接了国产NAND大厂的第一张产品应用订单,开启了国产化存储的新篇章。佰维领先的封装制造技术,可以将客户原先的PCBA方案整合到一个芯片模组内,从而更好的保证产品的可靠性,减小体积、降低功耗、减少组装时间,降低客户的总体拥有成本。佰维的16层堆叠技术、ePOP存储芯片、一系列SiP模组制造技术可完美应用于5G场景下的通讯模块、智能终端、可穿戴设备、物联网模组等,助力5G产品小而美!

坚持走高品质竞争路线,深入高端存储市场

佰维始终坚持于高品质存储器的应用开发,除了严格的研发阶段设计验证,为确保量产阶段产品的材料与制程水准一致性,佰维严格执行 ORT 测试(On-Going Reliability Test ) 为量产品质长期监控。佰维通过了ISO9001、ISO14001、IECQ-QC 080000、BSCI 以及IATF16949等各项国际品质管理系统认证。另外,佰维致力于为客户提供业内最好的服务,助力客户用更短的时间推出更具竞争力的产品,抢占市场先机。

“芯存智联,移动无限。”佰维剑指5G未来,持续为客户提供高品质、全系列的存储产品、封装测试及模组制造服务,佰维,为你智造!

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台积电何丽梅卸财务长职务转负责欧亚业务

台积电何丽梅卸财务长职务转负责欧亚业务

晶圆代工龙头台积电于1日发布重大讯息指出,现任资深副总经理暨财务长兼发言人的何丽梅,将自2019年9月1日起专职负责欧亚业务,其兼任的财务长及发言人职务,将由现任副财务长黄仁昭接任。

根据台积电公告指出,这项新的人事案待8月底前完成法定任命程序后,何丽梅将转为负责欧亚业务,至于原财务长及发言人职务,则将由黄仁昭接任,预计于9月1日起正式生效。

掌控台积电财务大权的何丽梅,是目前台积电男性高端主管的经营团队中,唯一的女性资深副总,同时也是公司内女性主管中职位最高者。

过去,曾经在外商氰胺公司担任会计的何丽梅,任职7年时间内磨练出深厚英文、财务专业能力。1990年起到德碁半导体工作,最后担任并财务长职务。1999年,何丽梅再转战台积电当会计处处长,直到2003年被创办人张忠谋拔擢为副总经理暨财务长,兼任公司发言人至今。

Cree积极扩厂开发功率及射频元件,GaN on SiC磊晶技术发展待观察

Cree积极扩厂开发功率及射频元件,GaN on SiC磊晶技术发展待观察

全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元,SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力,决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市,扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory),期望借此扩建案,提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占,并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。

Cree收回Wolfspeed事业部,加码扩厂开发功率及射频元件

以LED材料与元件起家的Cree,近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由,可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及射频元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略,已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体,期望借由此次并购案,使Infineon成为车用SiC元件上的领先霸主;但事情发展并非如此顺利,2017年2月出售案经美国外资投资委员会(CFIUS)评估后,以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案,迫使Cree需重新思考因应策略及经营方针。

此后Cree于2018年2月及3月时,提出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议,并向Infineon收购其射频功率半导体事业部,试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失,保持与Infineon之合作关系。

2019年5月Cree又提出扩厂计划,说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上,持续投入8寸SiC晶圆生成技术的提升,藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。

各厂于GaN on SiC磊晶技术之目标市场皆不同,后续发展仍需持续观察

现行GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中,Cree拥有最大SiC晶圆市占率(超过5成以上);根据官网资料,目前使用的SiC基板尺寸最大可达6寸,主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中,少量使用于通讯射频领域上;未来扩厂计划完工后,预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。

另外,Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术),其使用的SiC基板最大尺寸为4寸,借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后,形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构,目标开发高频通讯功率元件。

因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形,各家厂商瞄准的目标市场皆不同,该技术仍处于发展阶段,有待后续持续关注。

屏下镜头成像待优化,三星可望抢夺技术先机

OPPO在上海MWC 2019正式发布屏下镜头样机,采用订制镜头模块,并在镜头上方区域透过USC(Under Screen Camera)的分区域显示,搭配具较高透光率的透明材料,让光线能更充分穿过屏幕,使藏在屏幕下的镜头可兼顾内容显示、拍照、视频通话等功能。

屏下镜头技术仰赖软、硬件合作,成像效果尚有优化空间

相较于一般手机结构,要能完成屏下镜头的效能,整个屏幕结构、光学、成像设计都需重新调整,一般情况下,光线穿越屏幕后会减损,进而影响屏下镜头实际能接收到的光线,光线折损也会影响成像质量。

另外,光线穿透屏幕的玻璃基板后会经过有机发光层,易造成色偏或图像模糊,这也显示屏下镜头在影像清晰度和顔色准确性方面具较高挑战性。

▲OPPO屏下摄像头,source:OPPO

OPPO为解决进光量问题,不仅采用透光率较高的透明材料,也因为屏下镜头有区域、透光率和形状限制,需要一个订制的显示屏幕,因此OLED屏幕的结构设计可能更是屏下镜头的技术关键。

OPPO也与相机模块供应商合作,透过增加镜头的感光元件尺寸、画素和光圈设计提高镜头效能,由此看来,不排除手机厂为增进屏下镜头效能,会提高采用G+P(玻璃+塑胶)镜头的机率,因为玻璃相对塑胶镜头,有较高透光率、折射率与较薄的厚度,且玻璃镜片较容易再加工达到镜头微小化,因此屏下镜头采G+P会比全P镜头更具优势。

针对这些硬件限制,OPPO透过影像HDR及自动白平衡算法的优化,校准颜色、减少过度曝光等问题,并透过算法解决因镜头上方有一层材料造成影像雾蒙蒙的情形,但透过多重算法调整出来的影像,可能会有过度锐化和色彩不够自然的问题,对比OPPO过去主打手机拍照功能的客群属性,技术上还有许多优化空间。

各手机厂皆掌握屏下镜头技术,三星可望抢夺先机

面板厂和手机厂都积极投入屏下镜头方案的研发,手机品牌厂中不仅OPPO和小米,三星、LG、华为、vivo也掌握屏下镜头的相关技术专利,显示屏下镜头会是各厂商积极采用的方案。

虽然OPPO和小米抢先展示屏下镜头的阶段性成果,但此新技术仍处开发阶段,正式量产时间尚不明确。相较中国厂商,三星本身握有面板、感光元件等技术,在相关技术研发和供应链的合作上具有优势,三星已表示预计于2020年推出屏下镜头手机,但华为和vivo实力也不容小觑,在积极推升技术研发后为抢占市占率而进行新品首发,吸引市场目光。