6月30日晚，紫光集团发布消息，宣布组建DRAM事业群，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。紫光集团一直致力于打造“从芯到云”的发展战略，经过多年发展，在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。
只是之前紫光集团的工作重心一直放在长江存储的3D NAND 上。此次组建DRAM事业群，标志着紫光集团DRAM战略正式起航，将把DRAM业务提到集团发展的重要议事日程之上。
特别值得关注的是，当前正处于全球DRAM市场的低潮期。紫光集团能够在这个时间点下决心布局发展DRAM事业，显示出产业谋划上的前瞻性与决断力。
下一阶段的发展重心
应该说紫光发展DRAM事业是早有谋划的。武汉、南京、成都是紫光集团目前在存储器产业上重点布局的三大基地：2016年7月，紫光集团在武汉新芯公司基础上，联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储公司，负责国家存储器基地(总投资1600亿元)的研发、建设和运营。
2017年2月紫光集团总投资建设紫光南京半导体产业基地，一期月产能10万片，二期月产能20万片，主要生产存储芯片。2018年初，启动的成都天府新区紫光IC国际城项目，计划建设12英寸存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
在武汉、南京、成都三大基地的启动仪式上，紫光集团董事长赵伟国都表示要投资生产3D NAND和DRAM芯片。因此，紫光集团全面发展存储器两大主流产品DRAM和NAND的意图是非常明显的。只是由于长江存储的建设率先启动，紫光集团前期将主要精力投入在了长江存储方向，而长江存储前期规划的主力产品又是3D NAND Flash，所以给外界造成的印象是紫光重点发展NAND Flash，而非DRAM。
实际上，紫光从未否认投入DRAM的意图。而此次紫光集团宣布成立DRAM事业群，则表明了紫光已经把DRAM业务提到集团发展的重要议事日程之上，下一阶段紫光会将更多的集团资源投入到DRAM方面。
面临什么样的挑战?
那么，紫光投入DRAM有什么挑战呢?从产业格局上分析，目前全球市场上DRAM的玩家只有三星、SK海力士和美光三家公司。2018年三家公司的市场占有率超过95%，其中三星占全球市场份额的43.9%，SK海力士为29.5%。美光公司为22.1%。DRAM的产业集中度比NAND更高。这意味着发展DRAM比NAND Flash 更具挑战性。
从技术上分析，目前三大DRAM厂商的主力工艺已经进入20nm，其中三星的进度最快。日前三星宣布已经开发出1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存，计划在今年下半年开始大规模量产。在20nm以下，DRAM工艺预计将经过两到三次的技术迭代，可以称之为1x nm，1y nm和1z nm。其中，1x nm介于16nm和19nm之间，1y nm定义为14nm到16nm，1z nm则是12nm到14nm。三星在研发上已经推进到1z nm，可说是相当领先。此前业界曾有预计15nm节点将是传统DRAM的终点。虽然在三星在技术上已经做出突破，可以将工艺向更加微缩的方向推进，但是同时也说明未来的DRAM技术门槛将会越来越高。
不同于逻辑芯片，存储器首先比拼的就是先进工艺技术和成本，而投入更先进工艺的目的也是为了最终降低成本，提高产量。这是一个胜者通吃的行业。后进入者面临的挑战会越来越大。
为何还要大举投入?
那么，紫光为什么还要投入DRAM的发展呢?就笔者观点：首先是“两翼齐飞”才能飞得更稳。DRAM和NAND Flash两大主流存储技术的发展是相辅相承，相互支持的。三星、SK海力士和美光存储三强都是全面发展DRAM和NAND Flash的，甚至包括了相对小众的NOR Flash，以及下一代存储器如磁阻式内存(MRAM)、电阻式内存(RRAM)等。在产品线更加齐全的情况下，当某一产品价格下跌，另一产品可以提供支援。存储器的价格变化十分剧烈，相对于逻辑芯片来说市场风险更高。多产品线发展可以避免产品线单一带来的风险。
此外，下一代存储器往往兼具易失性存储器(如DRAM)和非易失性存储器(如NAND Flash)产品的特性。只有提前布局发展两大产品，才有望在下一代存储器的竞争中占据先机，那种想在毫无晶圆制造基础的情况下就寄望在下一代存储技术的竞争中弯道超车是很不现实的。
但是，有远见的公司往往会利用这样的时机，逆周期扩张。只要决心够大，口袋够深，往往会取得不错的结果。就像三星在过去十几年中的做法那样，三星往往会在其他公司因为存储市场下滑，砍掉部分产线的时候，逆向操作进行投资扩产，虽然会面临更大的市场风险，但当市场转暧的时候却能抢得先机。真正存储芯片市场决胜的时间也将在下一个周期展开。
有没有成功的机会?
紫光集团选择在这个时机投入DRAM，有没有成功的机会呢?首先，紫光集团在DRAM领域拥有一定的产业和技术基础。西安紫光国芯前身为西安华芯半导体有限公司，是由原奇梦达科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的。而奇梦达科技(西安)有限公司又是2003年作为德国英飞凌科技存储器事业部在西安成立。
2006年伴随着存储器事业部从英飞凌科技全球拆分上市成为奇梦达科技，奇梦达科技(西安)有限公司也随之成立并开始作为一家独立的公司运营。2009年，浪潮集团收购原德国奇梦达科技(西安)有限公司进行改制重建并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年，紫光集团旗下紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。
目前西安紫光国芯是全球少数拥有DRAM设计能力的公司之一，其自主开发了全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品(ECC DRAM);产品线覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款产品实现全球量产和销售;存储器模组产品包括服务器内存模组(RDIMM，NVDIMM)、笔记本内存模组(SODIMM)和台式机内存模组(UDIMM)，四十余款模组产品实现全球量产和销售;同时还开发有包括GDDR6等相关的存储器controler 和PHY IP核，并在大带宽存储器、近存/存内计算存储器、嵌入式存储SRAM和新型存储器RRAM领域进行了研发和布局。
去年10月，西安紫光国芯出售给了北京紫光存储科技。北京紫光存储科技与紫光国微同为紫光集团控股，业务涉及安全存储、集群存储、服务器、一体机等。通过这一举措也可看出，紫光集团从很早就在进行内部整合。此次DRAM事业部的成立并非一时兴起。
在人才资源方面，紫光集团并不缺乏DRAM方面的领军人物。本次被任命为DRAM事业群董事长的刁石京，现担任紫光集团联席总裁、紫光国微董事长、紫光展锐执行董事长、长江存储执行董事等职务。刁石京在ICT(信息、通讯与技术)领域拥有超过 30 年的行业工作经验，曾先后担任国家工业和信息化部(以下简称工信部)电子信息司司长、国务院信息化工作办公室综合组副巡视员、信息产业部办公厅部长办公室副主任等职务;刁石京还曾兼任全国信息技术标准化技术委员会副主任委员、全国音频视频及多媒体系统与设备标准化技术委员会主任委员、工信部电子科技委副主任委员、工信部通信科技委委员;他曾负责国家电子产业规划、产业政策制定、基础电子与信息通信行业经营及管理等方面的工作。
被任命为DRAM事业群CEO的高启全先生，现担任紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯CEO。从1980年起，高启全便在半导体及DRAM领域从业，先后在美国仙童半导体、英特尔等公司任职。1985年至1986年他在韩国及日本当顾问，曾任现代电子(海力士前身)DRAM顾问。1987年高启全加入台积电任一厂厂长，后创办旺宏电子，高启全还曾任台湾DRAM公司南亚科技总经理、华亚科技董事长等职务，是华人在全球DRAM界最资深的人士之一，有“台湾存储教父”之称。
除领军人才外，近年来武汉长江存储和西安紫光国芯培养出了一批优秀的工程师队伍。可以说，紫光已经拥有了一定的发展DRAM的人才资源基础。
中国发展DRAM最大的难题就是人才资源和技术专利。紫光前期对这两个方面都进行了一定的布局，再配合上晶圆制造上的支持，武汉长江存储基地已拥有一定成功经验，南京基地已展开建设。紫光集团正探索出一条存储器设计制造的产业发展之路。
事实上，中国发展DRAM事业，本身就是在走一条极为艰难之路。只有狠下一条心，丢掉一切幻想，加强自主创新，才有成功的希望。就象紫光集团董事长赵伟国所言：“要有‘板凳要坐十年冷’的心理准备和战略耐力。”
