首款龙芯国产域名服务器发布!搭配红枫系统2.0

首款龙芯国产域名服务器发布!搭配红枫系统2.0

6月28日,域名国家工程研究中心(ZDNS)在中国科学院软件园宣布,推出首款搭载国产龙芯CPU的域名服务器,并同步发布国产域名管理软件红枫系统2.0版。

域名国家工程研究中心主任毛伟表示:底层技术创新,包括硬件的创新和软件的创新。今天要发布的域名服务器,正是我国底层技术中硬件和软件两方面强强联合的成果。无论是龙芯CPU,还是管理软件红枫系统,都是我国相关领域的科技创新代表。

红枫软件是域名国家工程研究中心采用全新架构设计,花了8年时间打磨出来一套高性能、智能化的基础软件。

红枫系统2.0版本的最大亮点是对互联网域名根服务能力的加强,在根区数据更新、分发和加载等方面的功能和性能都得到了大幅提升,同时全面兼容国际标准RFC7706,支持本地根区服务。

同时,红枫软件也探索了根服务器扩展能力,从技术上突破了全球13个根服务器的数量限制。

为国产存储发力 金泰克再战MWC 2019上海

为国产存储发力 金泰克再战MWC 2019上海

继日本IT WEEK春季展、台北国际电脑展之后,金泰克再战MWC 2019上海,这次展出的重头戏是金泰克嵌入式系列产品。当全民都在为5G时代的抢先到来引歌狂欢,国产品牌金泰克也在为5G时代的存储领域持续发力。

5G作为一项革命性的信息技术,将驱动人工智能、物联网、大数据等一系列前沿科技飞跃性发展,对国家“十三五”规划提出的建设新型智慧城市的进程也将起到显著的推进作用。然而这些方方面面,都离不开存储器的应用。随着数据的爆炸式增长,存储器的需求越来越广,但高要求却从未降低,尤其是要求高性能和高标准的智能手机行业。金泰克作为有着十几年历史的中国民族存储品牌,在此次MWC上海展,也正是以专业性强、种类齐全、应用性广的产品特色迎来了诸多青睐。

金泰克嵌入式系列产品涵盖了eMCP、eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR3、LPDDR4、MCP、DDR3、DDR4、SPI NOR、SPI NAND等诸多类型,广泛应用于IPC、照相机、智能手机、工控、智能电视、游戏机、智能音箱、机顶盒、互联网应用服务等多个领域。产品经历了方案级、功能级、系统级三大严苛关卡测试,客户端不良率小于1‰,质量水平远高于行业3‰的平均水准,并为客户提供7*24小时售后技术服务。

在这里要重点介绍金泰克eMCP和LPDDR4两款产品。

金泰克eMCP

金泰克eMCP是结合eMMC和LPDDR3/4封装而成的智能手机存储器,尺寸11.5*13mm*1.0mm,可以提供16GB+8Gb、16GB+16Gb两种容量选择标准,具备以下几大技术特点:

DAM数据加速模式

大幅提升产品的读写性能,既能优化用户体验,又能提高客户的生产效率。

DSWL动静态磨损均衡算法

智能优化数据分布,延长闪存使用寿命。

PRDR主动读干扰替换技术

提前发现并规避数据干扰,为产品长期稳定使用保驾护航。

SECC增强型数据纠错算法

增强型数据纠错能力,比普通数据纠错算法提高至少30%纠错能力。

BBM全生命周期坏块管理能力

智能管理闪存坏块,帮助用户远离闪存块损坏的烦恼。

PLP掉电保护机制

超过三万次的异常掉电承受能力,保护用户数据不丢失。

金泰克LPDDR4

LPDDR是当前应用广泛的移动设备“工作记忆”内存,金泰克LPDDR4输入/输出接口数据传输速度可高达3200Mbps,是DDR3 RAM的2倍,运行电压低至1.1V,非常适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的低功耗存储解决方案,并且具备以下几大技术特点:

双channel设计

和LPDDR3的单channel设计相比,双Channel设计缩短了数据信号从存储器阵列到I/O的传送距离,减少芯片内的不同长度走线造成的延时问题。

DBI数据翻转功能

由于LPDDR4增加了一组DMI[1:0]信号,可以通过读写时控制MR3相应bit实现DBI数据翻转功能,该功能可应用于部分软件的特殊应用场景。

FSP功能

支持两个预设的工作频率之间的快速切换,比LPDDR3的重复切换效率更高。

金泰克存储的武力值当然远不止于此,我们不仅提供顺应市场潮流的标准化存储产品,还能提供符合客户专业特色的定制化服务,我们相信:专注存储,使命可期!

东芝停电后续:西数闪存晶圆供应量减少约6 ExaByte

东芝停电后续:西数闪存晶圆供应量减少约6 ExaByte

针对日本四日市市发生停电事件,东芝及其合作伙伴西数分别发布了最新进展公告。

6月27日,西数发布新闻稿称,6月15日,日本四日市地区意外停电,影响了其合资伙伴东芝闪存制造厂的生产运营。西数表示,该停电事件影响了东芝设施和工艺工具,西数正在与东芝密切合作,以尽快将设施恢复到正常运行状态。

此外,西数预计此事件将导致其的闪存晶圆供应量减少约6  ExaByte (EB),影响时间将会延续至2020财年第一季。

28日,东芝就其生产状况发布最新通知称,目前,东芝正在恢复受影响地区工厂的生产,并预计绝大多数生产设备将在7月中旬投入运营。“我们正在尽一切努力将对客户的影响降至最低。”东芝表示。

那么,此次停电事件对NAND Flash价格走势有何影响呢?

受到本次事件冲击,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)重新调整了对第三季价格走势评估。

DRAMeXchange指出,已转趋利基的2D NAND Flash在此事件受到的影响较为明显,由于东芝四日市厂区仍为市场重要供应来源且该类产品库存水准较低,因此第三季或将有上涨压力。

至于以3D NAND Flash架构为主的eMMC/UFS以及SSD等主流产品,在买卖双方皆有高库存支持下,第三季合约价走跌态势虽不致翻转,但跌幅可能略微收敛。

而在Wafer及渠道零售市场,由于西数占有相当市场影响力,同时美光亦宣布扩张减产幅度至10%,加上今年市场已长期处在接近成本线的压力,DRAMeXchange预期将为Wafer报价带来短期调涨压力,但须端视客户接受程度。

至于第四季展望,DRAMeXchange认为依照目前评估,合约价走势将趋向持平或小跌,至于后续复工状况,DRAMeXchange将持续追踪。

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总投资35亿元!两大半导体项目签约浙江嘉兴

总投资35亿元!两大半导体项目签约浙江嘉兴

6月26日,浙江嘉兴平湖举行2019张江长三角科技城平湖园半导体产业发展高峰论坛,会上迎来张江长三角科技城年产30万片集成电路晶圆及配套封测项目以及年产100台半导体高端整机装备项目的签约。

年产30万片集成电路晶圆及配套封装测试项目由上海芯哲微电子股份有限公司投资建设,该公司是一家专业从事集成电路研发设计、加工制造并为国内外芯片设计公司、晶圆制造商提供封装测试一站式技术服务的高科技企业,新建项目总投资30亿元人民币,建成后预计年销售可达26亿元以上。

年产100台半导体高端整机装备制造项目由上海陛通半导体能源科技股份有限公司投资建设。该公司是一家集自主研发、生产的高端装备制造及服务供应商,产品涵盖8英寸PVD、12寸CVD 、PECVD等半导体设备,自主研发了国产化RiD和Jupiter3100等半导体设备。新建项目总投资5亿元人民币,建成后预计年产值可达6亿元以上。

此外,会上举行了张江长三角科技城平湖园半导体产业基金的启动仪式,该产业基金总规模10亿元,主要用于半导体项目的股权投资;由复旦大学张江研究院和张江长三角科技城平湖园合作共建的复旦大学张江研究院平湖分院也在会上正式揭牌。

据介绍,半导体、机器人、汽车电子、电子化学新材料是平湖数字产业的重点发展方向,张江长三角科技城平湖园将重点发展半导体和机器人,此次两大项目的签约、半导体产业基金的启动等,均将推动其半导体产业发展。

集邦咨询:东芝停电厂房复工时间慢于预期,第三季Wafer报价短期面临涨价压力

集邦咨询:东芝停电厂房复工时间慢于预期,第三季Wafer报价短期面临涨价压力

集邦咨询:东芝停电厂房复工时间慢于预期,第三季Wafer报价短期面临涨价压力

6月15日,东芝存储器公司四日市厂区遭遇长约13分钟的跳电(新Fab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6全体厂区皆受到冲击),目前整个厂房的营运仍未完全复工。对此,集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)评估,此事件将使得Wafer短期报价面临涨价压力,第三季2D NAND Flash产品价格可能上涨,3D NAND Flash产品价格跌幅则可能微幅收敛。

东芝与西数分别在6月28日发布关于此事件的公开说明,其中西数表示约有6 ExaByte(EB)的产能将受到冲击,大部分影响将发生在今年第三季,而东芝则未作表示,然而本次事件该厂区所展现的恢复能力,远不如业界对先进半导体工厂恢复运作的合理预期,其下游客户对于厂房稳定性的信赖恐将打折。

受到本次事件冲击,集邦咨询调整对第三季价格走势评估,其中已转趋利基的2D NAND在此事件受到的影响较为明显,因东芝四日市厂区仍为市场重要供应来源且该类产品库存水平较低,因此第三季料将有上涨压力。

至于以3D NAND架构为主的eMMC/UFS以及SSD等主流产品,在买卖双方皆有高库存支持下,第三季合约价走跌态势不致翻转,但跌幅可能略微收敛,而在Wafer及渠道零售市场,由于西数占有相当市场影响力,同时美光亦宣布扩张减产幅度至10%,加上今年市场已长期处在接近成本线的压力,集邦咨询预期将为Wafer报价带来短期调涨压力,但还需看客户接受程度。至于第四季展望,集邦咨询认为依照目前评估,合约价走势将趋向持平或小跌,至于后续复工状况,集邦咨询将持续追踪。

上海新阳、安集微在列 26个新材料项目获上海专项资金支持

上海新阳、安集微在列 26个新材料项目获上海专项资金支持

近日,上海经信委发布2019年上海市产业转型升级发展专项资金(首批次新材料)拟支持项目。

据悉,上海市本次拟支持新材料项目达26个,拟支持金额合计达1970万元。包括安集微电子科技(上海)股份有限公司承担的28nm技术节点集成电路制造用铜抛光(AEPU3060B)及铜阻挡层抛光液(TCU2000-H6S)项目、以及上海新阳半导体材料股份有限公司承担的芯片铜互连电镀液SYSD2110项目等。

上海经信委表示,此次产业转型升级发展专项资金主要是为为加快实现上海市新材料产品首批次业绩突破,促进新材料产业快速健康发展。

以下为《2019年上海市产业转型升级发展专项资金(首批次新材料)拟支持项目一览表》

三星抢夺台积电全球宝座 半导体代工双雄短时难现

三星抢夺台积电全球宝座 半导体代工双雄短时难现

今年三星宣布的133万亿韩元投资,将用于增强自己在芯片设计(System LSI)、芯片制造(Foundry)业务上的竞争力;台积电本身也在拓展业务,产品线已涵盖了大部分的产品,同时持续深耕类似芯片领域。

半导体产业链主要包括设计、制造、封测三大环节,其中以制造环节的技术最为高精尖,如今最大的玩家当属台积电,紧随其后的就是三星。近日,三星在晶圆代工领域频频发力,急欲扩大半导体业务规模。

6月中旬,就有消息称三星从台积电抢来了高通骁龙865的订单,骁龙865将由三星生产,也有传言称英伟达的新一代GPU也将由台积电转向三星代工。原因就是三星想通过低价攻势抢夺订单。

从目前的市场份额来看,台积电依然占据着晶圆代工的半壁江山。拓墣产业研究院发布的2019年Q2季度全球TOP10晶圆代工厂榜单中,台积电以75.53亿美元的营收位居第一,市场份额达到了49.2%;三星以27.73亿美元的营收位列第二,市场份额18%。

但是,三星野心很大。4月24日,三星电子宣布,将在2030年前,在包括代工服务在内的逻辑芯片业务上投资133兆韩元(约1158亿美元)。而逻辑芯片是台积电的强项,三星希望超越台积电,坐上全球第一大芯片代工厂的宝座。

对于三星的挑战,台积电内部人士向21世纪经济报道记者表示:“我们严阵以待。”

三星的野望

三星半导体产业一直都是其利润支柱和技术基石,从三星创立开始韩国就鼎立支持三星的发展,助力其进入存储芯片、CMOS图像传感器的全球第一梯队。尤其是在存储领域,三星在2018年位居全球营收排行榜第一位。

然而,当前存储芯片的行情却在下滑,从去年开始,内存市场就持续走低。同行的美光在去年第三财季中,收入和利润同比大幅下滑。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的调查显示,2019年Q1,由于市场供过于求,DRAM产业的大部分交易已改为月结价(Monthly Deals),价格也在2月份出现大幅下滑,季度降幅已从最初估计的25%调整至近30%,这将是自2011年以来单季最大跌幅。

面对变化的市场需求和贸易环境以及终端市场的天花板,三星也欲强化内存之外的半导体优势,扩大营收规模。

2005年,三星电子开始进入12英寸逻辑工艺晶圆代工领域,但直到2010年拿下苹果订单营收才开始好转,此前每年的代工收入还不到4亿美元。然而好景不长,2014年之后,由于三星自身的工艺良率等问题,以及台积电的技术优势,苹果A系列订单又回到了台积电手中。

到了2017年,三星电子分拆出晶圆代工部门,让其独立发展,并进行巨额投资。至此,三星已经下决心让独立的晶圆代工部门和只专注代工的台积电正面竞争。它的政策也很激进,就是直接用低价的方式来抢夺客户。

据了解,今年三星宣布的133万亿韩元投资,将用于增强自己在芯片设计(System LSI)、芯片制造(Foundry)业务上的竞争力。这些投资主要分为两大部分,其中73万亿韩元用于韩国本土研发,60万亿韩元用于生产基础设施。

三星表示,这笔巨额投资将带领三星不仅仅稳居全球内存半导体行业领头羊,也将在2030年左右成为全球逻辑芯片的领导者。截至2018年底,三星电子晶圆代工产线主要有4条,包括4条12英寸和1条8英寸产线。

整体来看,由于行业需求下滑,不论台积电还是三星,2019年的营收都在下滑。但是由于三星的攻势,在整体份额上台积电微微下滑,2018年底,台积电的市场份额为50.8%,如今为49.2%,近几年台积电基本维持在50%以上的份额。但是,目前三星和台积电之间的体量、产能差距依旧很大。

台积电严阵以待

三星和台积电的争夺还在继续,但是在7nm工艺上,台积电已经率先量产。接下来,台积电明年就要量产6nm、5nm,另外3nm已在规划之中。4月18日,在台积电召开第一季度财报会议中,台积电指出3nm技术已经进入全面开发的阶段。

按照三星此前的计划,三星于2018下半年投产7nm,同时5nm及以下的先进制程也在规划中。从最新制程量产的情况看,台积电还是领先于三星。

前述台积电内部人士告诉记者,在台积电的发展历史中,有两个重要的转折点,其一是12英寸0.13微米的工艺时期,台积电研发成功,由此甩开联电,更上一层楼。

其二个节点就是28nm工艺,一举超越了其他的同行。当时28nm HKMG制程,在技术上有gete-first和gate-last之争,一开始台积电也先研究gete-first,但是之后发现存在问题,于是转向了gate-last。当外界得知台积电的变化后,台积电一度遭到质疑和否定,但最终事实证明gate-last才是适合的方向。

对于三星在晶圆代工上的竞争,他谈道:“自联电、格罗方德相继放弃先进制程市场后,台积电难以独食此一代工大饼,三星的存在对晶圆代工产业会是利大于弊,未来先进制程的大饼都会尽落于此双巨头。”

谈及三星争夺高通订单的情况,台积电内部人士也告诉记者,就算高通转移了一部分订单到三星,高通仍有大部分订单在台积电手中,影响并不大。台积电对自身技术实力、产能调节能力信心满满。

陈彦尹则认为:“先进制程的代工客户相对集中于智能手机、运算电脑上的高效能芯片,‘倘若’三星真取得高通订单,虽对台积电是一不小的打击。但也会容易驱使其他先进制程客户再次倾向台积电。”

事实上,不论是台积电还是三星,就地理位置而言,同在亚洲的技术俯冲带上,面对的地区市场小。如果说台积电、中国台湾地区是全球半导体的技术阀门,那么就亚洲来说,三星、韩国是半导体的另一扇门,交织在美国市场和中国市场之间。而三星和台积电的争夺战,也将影响新的半导体产业秩序。

总投资10亿元,合肥智能制造产业园项目主体工程封顶

总投资10亿元,合肥智能制造产业园项目主体工程封顶

6月17日,中南高科·合肥智能制造产业园项目主体工程正式封顶。

据介绍,中南高科·合肥智能制造产业园项目总投资10亿元,于2018年11月15日正式开工。

该项目主要定位于集高端制造、电子信息、生物医疗、集成电路、人工智能、大数据于一体的高端智能生态创新产业园区。建成后可容纳100余家企业,可实现总产值15亿元。

江丰电子拟成立合资企业  面向集成电路制造专用设备及关键零部件领域

江丰电子拟成立合资企业 面向集成电路制造专用设备及关键零部件领域

6月27日,江丰电子发布关于签订合资协议暨对外投资公告。

公告显示,为了实现战略发展规划,拓展公司在集成电路制造专用设备及关键零部件领域的研究、开发、制造、销售,提升公司盈利能力及综合竞争力,近日江丰电子与VERSA CONN CORP.(以下简称“VCC国际”)签订了《合资协议》(以下简称“协议”)。

根据协议约定,双方拟在浙江省余姚市投资设立合资企业宁波江丰芯创科技有限公司(拟定名称,以下简称“芯创科技”)。芯创科技的注册资本为人民币1000万元,其中江丰电子拟以货币方式出资600万元人民币,持有芯创科技60%股权;VCC国际拟以货币方式出资400万元人民币, 持有芯创科技40%股权。

据介绍,VCC国际是在塞舌尔共和国登记注册的国际有限公司,其股东及授权代表彭昇隆也是新鹤股份有限公司(英文名称为Versa Conn Corp,系依台湾地区法律组织设立的公司,以下简称“VCC”)的股东。

公告称,芯创科技已获得VCC的授权,可以使用VCC生产技术在中国大陆研发、生产VCC产品,并提供售后服务。芯创科技生产的产品将委托江丰电子在中国大陆代理销售。芯创科技生产的产品完成客户认证后,将继续委托江丰电子代理销售合资公司的产品。

合资协议内容显示,芯创科技的目的是集成电路制造专用设备及关键零部件领域的研究、开 发、制造、销售等,其董事会应由由三名董事组成,其中江丰电子任命2名董事,VCC国际任命1名董事。除协议双方另有书面约定外,董事长应由KFMI任命,副董事长由VCC国际任命。

因成立合资企业事项目前处于筹划阶段,相关信息最终以工商核准为准。江丰电子表示,本次对外投资设立合资企业是围绕公司主营业务进行的拓展,通过整合合作 双方的优势资源,对公司的战略实施和长远发展将产生积极影响,有助于公司进一步提升核心竞争力和盈利能力。

华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

华虹半导体有限公司(“华虹半导体”)宣布其第三代90纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。

华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域,通过不断的技术创新,第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%,再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。Flash IP具有更明显的面积优势,使得芯片整体面积进一步减小,从而在单片晶圆上获得更多裸芯片数量。与此同时,光罩层数也随之进一步减少,有效缩短了流片周期。

而可靠性指标继续保持着高水准,可达到10万次擦写及25年数据保持能力。近年来,华虹半导体在90纳米工艺节点连续成功推出三代闪存工艺平台,在保持技术优势的同时,不断探求更高性价比的解决方案。第三代工艺平台的大规模稳定量产,为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及微控制器(MCU)等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“华虹半导体是嵌入式非易失性存储器技术的领航者,未来将继续聚焦200mm差异化技术的研发创新,面向高密度智能卡与高端微控制器市场,同时不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化,将200mm现有的技术优势向300mm延伸,更好地服务国内外半导体芯片设计公司,满足市场需求。”