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近日有消息称，英伟达下一代安培架构GPU及高通下一代处理器将采用三星7nm EUV工艺，三星或将打破台积电在7nm节点一家独大的局面。在更高端制程节点上，三星在2019三星代工论坛发布了新一代3nm GAA（闸极全环），台积电则宣布正式启动2nm工艺的研发，预计2024年投入生产。英伟达、高通为何考虑转向三星？除了制程数字，还有哪些要素将影响芯片巨头对代工厂商的抉择？

不把鸡蛋放在一个篮子里

三星一直对EUV技术“念念不忘”，如今，这份执念似乎有了“回响”。在2018年，三星因为EUV技术研发难度大，无法立刻量产，眼睁睁看着台积电凭借7nm DUV技术“包圆”7nm 代工市场。而近期产业链消息称，英伟达综合代工报价和生产序列，将采用三星7nm EUV工艺生产安培架构GPU，预计2020年投产。高通下一代旗舰SoC骁龙865也将转向三星的7nm EUV。加上此前IBM宣布采用三星7nm EUV加工Power处理器，以及预计采用自家工艺的三星Exynos 9825，三星在7nm市场展现强势姿态。

在7nm EUV节点，台积电已经传出量产消息，高通、英伟达为何考虑从台积电转向三星？多位专家向记者表示，对第二供货商和降低成本的需求，是各大芯片巨头考虑三星的主要因素。

有业内人士向《中国电子报》记者指出，对任何产品、技术来说，如果只有单一的供应商，对于买方客户是不利的，不仅会压缩买方的议价空间，也不利于供应链安全。在这种情况下，买房客户往往会基于成本、价格、技术、竞争关系等因素，选择第二家供应商，促进良性竞争。目前来看，三星7nm EUV能满足英伟达、高通的要求。

制程数字不是唯一诉求

三星与台积电的制程之争由来已久，但从客户选择来看，制程数字从不是唯一的考虑因素。例如，苹果A9处理器采用三星14nm和台积电16nm双供应。从制程数字来看，三星领先于台积电，但用户普遍反映台积电16nm效能更好，之后苹果也选择完全采用台积电工艺生产。Gartner半导体和电子研究副总裁盛陵海向《中国电子报》记者表示，除了制程数字，路线图、服务、产能、质量都会影响客户对代工厂商的选择。

性能、功耗，正在成为芯片尤其是移动芯片制造的重中之重。英伟达CEO黄仁勋曾在演讲中表示，英伟达更看重芯片的性能、能效，而不仅仅是面积大小。李珂也向记者指出，随着4K/8K的普及，手机越做越大，相比缩小芯片面积，性能的提升与功耗的降低更为重要。

代工厂商的技术积累与生态构建，也直接影响“夺单”能力。以台积电、三星为例，李珂向记者表示，台积电在产业生态具有先发优势，技术、工艺、IP积累相对充足，与7nm设备、材料等上下游厂商建立了合作关系。三星在7nm节点是后来者，但近几年借DRAM涨价的势头营收猛涨，能够支持先进工艺的长期大规模投入，已经有了与台积电开展竞争的势头。

封装技术是代工厂商的另一条护城河，顶尖的代工厂商往往具备顶尖的封装技术。陈彦尹向记者表示，先进封装对客户来说是很重要的评估项目，台积电的CoWoS和后续的InFO、SOW等先进封装技术都是吸引客户的抓手。Digitimes研究显示，台积电2.5D CoWoS工艺技术，通过采用硅中介层技术，大幅提升I/O引脚数，从而提升封装IC的性能，AI芯片的关键封装技术。英伟达GP100、谷歌TPU 2.0等标志性AI芯片产品都采用了CoWoS封装技术。而台积电的InFO晶圆级封装，提升了7nm FinFET技术的竞争力，是夺得苹果A10处理器订单的关键因素。

3nm以下仍有刚需

在今年4月三星、台积电连续宣布最新制程计划时，提及的数字还是7、6、5nm，在三星公布3nm技术路线后，台积电直接下探到2nm，逼近摩尔定律极限。如果说在7、6、5nm还有苹果、高通等大厂能够跟进，在3、2、1nm节点，能够跟随代工厂商继续微缩制程的客户企业将十分有限。

三星计划2021年量产3nm GAA工艺，与7nmFinFET相比，3nm芯片面积能减少45%左右，同时减少耗电量50%，并将性能提高35%。三星方面称，已经将3nm工程设计套件发送给半导体设计企业，共享人工智能、5G移动通信、无人驾驶、物联网等创新应用的核心半导体技术。台积电的3nm和2nm预计于2022年和2024年投产，台积电副总经理陈平指出，无论是智能手机、高性能计算机、自动驾驶汽车和物联网产品，都需要各种各样且越来越先进的工艺技术加持。

高端、专业化领域，仍然对计算能力提升有着持续的需求，但消费级产品能否继续下探制程，以规模化生产摊薄成本，则变得难以预测。对代工厂商来说，谁能率先与客户开发出具备经济效益的量产模式，就有机会在“极限”制程站稳脚跟。李珂向记者指出，从应用角度来说，3、2nm的产品类别有存储器、大规模超算CPU、高端FPGA，消费类产品很难大规模应用2、3nm器件。陈彦尹则认为，包含手机、高速电脑等高效能应用，是先进制程的刚性需求，先进制程必然持续演进。

晶圆代工从不是简单的数字游戏。在台积电、三星的争夺历史上，台积电曾凭借效能和封装优势，从三星手里“夺得”苹果；而产能排队问题，也曾让高通从台积电转向三星。效能、成本、配套技术、生产序列、生态积累、竞争关系等种种因素，都会左右芯片巨头的选择。能同时占据技术制高点和市场制高点，才是最后的赢家。

6月24日，上海万业企业股份有限公司（以下简称“万业企业”）发布公告称，公司与中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）、芯鑫融资租赁有限责任公司（以下简称“芯鑫租赁”）在上海签订了《关于合资设立集成电路装备集团之合作备忘录》。

根据公告，万业企业与微电子所拟共同牵头发起设立集成电路装备集团有限公司（以下简称“装备集团”），项目总投资15亿元，其中，微电子所与万业企业共同出资8亿元，芯鑫租赁拟为装备集团提供意向性融资额度5亿元。

合作备忘录的主要内容包括：

1、依托微电子所在集成电路领域的创新引领优势和所内的研发资源，微电子所、芯鑫租赁、万业企业就研发集成电路领域前沿技术、培养集成电路专业人才，以市场需求为牵引，拓宽与国内集成电路产业客户的合作渠道，展开合作。

2、微电子所、万业企业拟共同牵头发起设立集成电路装备集团有限公司（以下简称“装备集团”），项目总投资 15 亿元，其中，微电子所与万业企业共同出资 8 亿元，其他发起方出资将不迟于筹备工作完成前确定，根据最终投资计划与协议确定。装备集团主营业务领域为集成电路产业装备、泛半导体产业装备研发、制造和销售。微电子所、万业企业拟以各自持有集成电路装备类公司股权作价入股，股权估值参照国家集成电路产业投资基金（以下简称“大基金”）已经投资的集成电路装备类公司的估值方法，并聘请第三方机构出具评估报告。最终股权作价以实际协议和评估为准。微电子所参股的相关企业均为国内集成电路装备领域不同关键设备的领先公司，具备自主可控与技术创新竞争能力。

3、芯鑫租赁作为大基金发起设立的集成电路行业专业融资租赁公司，承担了推动国产装备应用的战略性使命，将发挥其在集成电路装备融资租赁领域的专业优势和业务网络，与装备集团形成战略性合作伙伴关系，通过融资租赁、保理等多种模式，为装备集团提供意向性融资额度 5 亿元，具体以决策审批结果为准。同时，芯鑫租赁还将积极搭建装备集团和国内集成电路企业用户之间的桥梁，促进国产装备使用率的进一步提升。

4、装备集团对微电子所已投项目在同等情况下享有优先受让权和增资权，对微电子所正在支持的项目享有优先投资权。

5、万业企业发挥其上市公司资本与战略相结合的优势，持续抓住集成电路装备与材料领域的国产化机会，通过“外延式并购+产业整合”的方式，加速装备集团及其子公司快速发展。万业企业在同等情况下享有对装备集团及其子公司股权的优先受让权、增资权和收购权。

6、装备集团将以集成电路前道制造和后道封装的关键装备为核心，通过提供零部件制造、集成电路装备设计与制造、集成电路制造关键工艺优化的服务能力，为客户提供成套装备及工艺解决方案。集团将结合股东的研发、金融、产业链协同优势，完善品牌、技术、人才的积累，深挖销售渠道，进入快速发展轨道。装备集团成立后，将择机控股旗下有发展潜力的参股公司。

万业企业表示，公司与微电子所拟合资成立装备集团，并由芯鑫租赁对装备集团提供意向性融资支持。三方的合作有利于汇集各自领域的专业优势，推动集成电路装备产业“科研、金融、产业”的融合，促进集成电路装备的国产替代水平的提升。对于公司来说，此次与微电子所、芯鑫租赁的合作，符合公司既定战略转型方向，利用微电子所在集成电路领域的研发资源和芯鑫租赁的产业及融资资源，对公司向集成电路产业的战略转型具有现实意义。

近日，总部设在无锡蠡园经济开发区的，江苏卓胜微电子股份有限公司，在深交所创业板正式挂牌上市，这也是我市第140家上市企业，滨湖区第1家集成电路产业上市企业。

江苏卓胜微电子股份有限公司（上市简称“卓胜微”）股票代码：300782首次公开发行人民币普通股（A股）2500万股，每股发行价格35.29元，募集资金总额约8.8亿元，发行后总股本为1亿股。

江苏卓胜微电子股份有限公司成立于2012年，是一家射频前端芯片研发高新技术企业，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器，射频滤波器，功率放大器等射频前端芯片产品应用于智能手机等移动智能终端。目前，公司已获得专利56项，其中，发明专利48项，9项集成电路布图设计。

近年来，卓胜微电子凭借卓越的科研技术、优质的产品和高效完善的服务，已在中国射频前端芯片市场树立起较强的品牌影响力，已成为国内智能手机射频开关、射频低噪声放大器的领先品牌，射频前端芯片已应用于三星、小米、华为、OPPO、vivo、联想等终端厂商的产品。 

此次募集资金将主要用于射频滤波器芯片及模组研发和产业化项目、射频功率放大器芯片及模组研发及产业化项目、射频开关和 LNA 技术升级及产业化项目、面向IoT方向的 Connectivity MCU 研发、及产业化项目和研发中心建设项目、5个项目

无锡市集成电路产业强链、补链开启加速度。昨天，江苏省产研院智能集成电路设计技术研究所签约仪式举行，该研究所由江苏省产业技术研究院、无锡高新区、省产研院智能集成电路设计项目团队合作共建，将有力提升无锡市集成电路自主设计的能力和水平。

无锡市长黄钦说，无锡是中国集成电路产业发展的摇篮，集成电路是无锡产业的强项，特别是近年来通过深入实施创新驱动核心战略和产业强市主导战略，无锡相继引进了华虹、中环领先、SK海力士二工厂等一批重大集成电路项目，产业规模不断壮大，去年集成电路产业规上总产值仅次于上海，位列全国第二，未来五年无锡集成电路产业年产值预计可达2000亿元。但对标找差地看，设计依然是无锡集成电路产业发展的短板，研究所的落地非常契合无锡的补短需要和产业发展方向，无锡市委、市政府将全力支持研究所的建设发展，同时期望通过共同努力，开创政府、学校、科研院所合作新模式，构建开放高效的科技创新平台，将研究所打造成为集成电路设计领域的人才高地、创新高地。

省产研院党委书记、副院长胡义东表示，省产业技术研究院作为全省深化科技体制改革的“试验田”，长期聚焦江苏产业转型发展的重大需求，以体制机制的创新，开展创新活动，充分调动科研人员的积极性，为核心技术攻关、江苏产业高质量发展提供有力的技术支撑。无锡是江苏制造业的核心重镇，希望新成立的研究所充分发挥团队优势、整合海内外优质资源，努力达成产业技术研发、衍生和孵化企业、有效服务行业三大使命，为江苏乃至中国集成电路产业发展做出积极贡献。

省产研院智能集成电路设计技术研究所由中国科学院微电子研究所樊晓华研究员领衔。目前团队汇聚了10多位集成电路设计相关领域顶尖人才，包括1名IEEEFellow院士、4名中科院“百人计划”专家、12名博士。研究所将从事智能集成电路设计技术研究，涵盖智能物联芯片、智能数据处理芯片、智能雷达感知芯片、智能处理器与人工智能芯片、智能汽车电子芯片以及智能芯片设计方法等；参与制定国际标准，完成相关专利覆盖。同时积极培养和引进高层次人才，衍生、孵化和引进集成电路设计相关企业，推动产业形成集聚效应。

台积电在晶圆代工的能力全球皆认可，而且凭借着先进的技术，拿下了全球近半的晶圆代工市占率。不过，也因为在晶圆代工上的丰富经验，如今台积电也介入自行研发设计芯片的行列。根据国外媒体报导，日前台积电就展出一款为高效能运算 (HPC) 所设计的芯片，该芯片所采用的 Arm Cortex A72 核心其频率可高达 4GHz。

报导指出，台积电日前在日本东京所举行的大型集成电路设计研讨会 (VLSI Symposium 2019) 当中，展示了一款台积电自行设计的一颗芯片，并将其称之为 ｢This｣。据了解，该款芯片具备双芯片架构，而单一个芯片中都具备 4 个 Arm Cortex A72 核心，以及内建 6MB 的 L3 快取存储器。整个芯片组以 7 奈米制程技术所打造，芯片面积为 4.4 mm x 6.2 mm （27.28 mm²）， 并且使用晶圆级先进扇形封装 (CoWos)。

报导表示，台积电的该款芯片组特点是采用埠实体层技术，将其中的两个芯片进行互联。而每个芯片组内的 4 个 Arm Cortex A72 核心，搭配两个 1MB L2 快取存储器，在使用电压在 1.2V 的情况下，可以达到 4.0GHz 的频率。不过，在实际的测试中，当电压提高到 1.375V 之际，更可将频率拉升到 4.2GHz。

另外，在设备连接方面，台积电还开发了名为 LIPINCON 的互联技术。这项技术可以让芯片之间的数据传输速率达到 8Gb/s。而透过这项技术，台积电可以将多个 ｢This｣ 芯片进行封装连结，这使得在运作上能获得更强的性能。不过，针对 ｢This｣ 的兼容性方面，目前台积电并没说明更多的内容。只是，｢This｣的超强功能为的是将应用在高效能运算领域。所以，想要看到 ｢This｣ 在手机或个人计算机上表演，当前是没有机会了。

近日在山东省发改委公布的新旧动能转换重大项目库第二批优选项目名单中包含多个半导体功率项目。

如济南富元电子高功率芯片产业园项目（年产8寸硅基功率器件36万片、6寸碳化硅功率器件12万片），韩国iA集团—大唐电信投资有限公司车规级功率半导体模块项目（实现复合全控型电压驱动式功率半导体器件IGBT年产值10亿元）等。

最新消息是，总投资50亿的山东兴华半导体项目已经开工。

据日照高新消息，6月15日，山东兴华半导体项目开工仪在日照高新区举行开工仪式。消息指出，该项目由东南亚最早的半导体制造公司——香港兴华半导体工业有限公司开工建设。

项目计划总投资50亿元，主要建设5寸/6寸和8寸半导体集成电路生产线各一条，主要设计制造市场前景广阔的半导体集成电路芯片，将建成国内主要的功率器件和集成电路供应商。量产后，5年内可实现产值7.2亿元，年税收1.4亿元。

目前，该项目已完成立项和工商注册手续，一期项目厂房建设已奠基开工。

事实上，近年来，有多个功率半导体项目都已经落户山东。其中富士康济南项目（富能高功率芯片生产项目）已于3月15日开工。

根据济南高新区管委会此前发布的新闻稿称，富能高功率芯片生产项目将建设8寸晶圆厂功率半导体器件（主要生产MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圆厂碳化硅器件的研发、生产基地，项目一期用地317.92亩，建筑面积约24.5万平方米，投资50.53亿元。