Dialog半导体公司推出最新超低功耗Wi-Fi SoC，加速IoT部署

Dialog半导体公司推出最新超低功耗Wi-Fi SoC，加速IoT部署

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高度集成电源管理、AC/DC电源转换、音频、充电和蓝牙低功耗技术供应商Dialog半导体公司（德国证券交易所交易代码：DLG）日前宣布，推出FC9000，该产品是自Dialog收购Silicon Motion公司的移动通信产品线后推出的第一款Wi-Fi SoC，此项收购交易已于2019年5月31日完成。FC9000目标应用为智能门锁、视频监控系统、智能恒温器、无线传感器等电池供电的IoT设备，实现这些设备与Wi-Fi网络的直接连接，可支持电池使用寿命一般超过一年。

此前，在Zigbee、ZWave或蓝牙标准上运行的设备需要与昂贵且累赘的网关或智能手机配对，才能连接到云，这无疑增加了IoT部署的复杂度和不必要的成本。随着我们进入Wi-Fi无处不在的时代，FC9000的推出可以很好地解决这些问题。

Dialog半导体公司高级副总裁兼连接和音频技术业务部总经理Sean McGrath表示：“FC9000是我们新的VirtualZero™产品线的第一款产品，对我们现有用于连网设备的领先蓝牙低功耗SoC产品组合进行了很好的补充，为我们客户带来了下一个物联网连接技术创新。该Wi-Fi器件是我们计划推出的一系列产品中的第一款，它们将帮助解决设备制造商和终端用户在IoT网络兼容性和功耗方面的主要痛点。”

FC9000的专利节能算法为行业设立了新的功耗基准，有助于其以仅仅几微安的功率运行，从而延长终端设备的整体电池寿命。领先的能源管理系统供应商及全球最大的恒温器供应商之一Venstar公司已经采用FC9000。

Venstar公司CEO Steve Dushane表示：“得益于Dialog的最新SoC，我们的客户得以享受更高效、更可靠的Wi-Fi传感器及超过一年的电池寿命。我们率先在产品中采用该技术，这为我们带来了重要的竞争优势。”

该SoC还提供独立的硬件加速加密引擎，可提高Wi-Fi加密的速度，如WPA2-Enterprise和Personal。该支持还包括更高层的商业级安全加密，如用于启用HTTPs的TLS，它也是网站安全的现代标准。

FC9000是用于Wi-Fi网络的完整的offload系统，可以将终端设备的应用程序代码与其自身的应用程序代码一起运行。它不需要外部网络处理器或微控制器，但如果需要的话，它可以与微控制器一起运行。该器件随附的SDK有助于开发人员快速实现设计，并提供1.6MB的充裕SRAM板载内存。

FC9000 SoC现已开始量产，以SoC或集成模块提供，这两种产品形式均通过Wi-Fi认证。模块产品均通过FCC、IC和CE认证，适用于全球范围运行。

无锡启动扶持资金 重点支持高端芯片设计、特色工艺制造等

无锡启动扶持资金 重点支持高端芯片设计、特色工艺制造等

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日前，为切实用好市集成电路产业发展资金（下称“扶持资金”），推动全市集成电路产业发展，根据各级相关政策，无锡市工业和信息化局印发《2019年无锡市集成电路产业发展资金项目申报指南》（以下简称“《申报指南》”），正式开展2019年无锡市扶持资金项目申报工作。

根据《申报指南》，扶持资金的重点支持包括产业培育类（A类）、金融扶持类（B类）、新设专业类（C类）、人才奖励类（D类）、技术创新类（E类），其中D类和E类项目申报指南分别由无锡市人才办和市科技局另行发布。支持领域包括高端芯片设计、特色工艺制造、先进封装测试、集成电路专用设备和材料、平台及人才队伍建设5大方面——

高端芯片设计：应用于物联网、网络通信、汽车电子、智能终端、工业控制、卫星导航、信息安全等领域的高端SoC芯片、中央处理器（CPU）、数字信号处理（DSP）芯片、现场可编程门阵列（FPGA）芯片、微控制单元（MCU）芯片、低功耗电源管理类芯片、大容量高速低功耗存储芯片、射频芯片、高压大功率芯片等；

特色工艺制造：支持有特色的模拟工艺、数模混合工艺、微机电系统（MEMS）工艺，射频工艺、新型功率器件工艺等；支持8英寸以上生产线技术研发；

先进封装测试：芯片级封装，圆片级封装，系统级封装，三维封装，硅打孔、高密度微小型封装，高压大功率器件封装等；

集成电路专用设备和材料：支持塑封树脂料、引线框及封装基板、光刻掩模版等材料研发；支持生产各类光刻机、清洗机、装片机、分选机、贴片机、测试机、编带机、磨片减薄机等专用设备；支持生产集成电路专用光刻胶、显影剂、靶材、引线框架、封装材料及各类高纯度化学气体、液体等；

平台及人才队伍建设：支持市级以上企业技术研发中心设立；支持本事企事单位从事集成电路各类专业人才培训等。

无锡市是中国集成电路产业重镇，2018年该市集成电路产业规模达1112.46亿元，同比增长24.83%，产业规模仅次于上海位居全国第二，其中设计业位列全国第五、制造业位列全国第三、封测业位列全国第一。

在产业结构上，无锡市工信局副局长左保春上个月曾指出，无锡市集成电路产业设计、制造与封测的比例大概是1：2：4，对比国家通用的比较合理的3：4：3这一标准，无锡集成电路在结构调整上还有很大空间。

通过扶持资金等相关政策的支持与资助，无锡市有望进一步调整产业结构、完善上下游产业链。

光刻机的蜕变及专利分析

光刻机的蜕变及专利分析

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近两年，中国芯片产业受到了严重打击，痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来，十年间，芯片都是我国第一大宗进口商品，进口额远超于排名第二的石油。2018年我国进口集成电路数量为4175.7亿个，集成电路进口额为3120.58亿美元，这组数据清晰的反映出我国中高端芯片技术能力的缺失及对外依赖的严重程度。

我国生产芯片的技术水平与国外先进企业相比存在较大的差距，且生产芯片的工具及工艺也被国外几个公司垄断。其中光刻机，被誉为人类20世纪的发明奇迹之一，是集成电路产业皇冠上的明珠，研发的技术门槛和资金门槛非常高。当今能够制造出光刻机的国家仅有荷兰、美国、日本等少数几个国家，荷兰的ASML是该领域绝对的龙头老大，它的光刻机占据全球市场的80%左右。

光刻机用途广泛，除了前端光刻机之外，还有用于LED制造领域投影光刻机和用于芯片封装的后道光刻机，在此只介绍前端光刻机。

1.背景技术及工作原理

光刻（lithography）设备是一种投影曝光系统，由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中，光刻设备会投射光束，穿过印着图案的光掩膜版及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路。

此工艺过程被一再重复，将数十亿计的MOSFET或其他晶体管建构在硅晶圆上，形成一般所称的集成电路。

光刻工艺在整个芯片制造过程中至关重要，其决定了半导体线路纳米级的加工度，对于光刻机的技术要求十分苛刻，对误差及稳定性的要求型极高，相关部件需要集成材料、光学、机电等领域最尖端的技术。因而光刻机的分辨率、精度也成为其性能的评价指数，直接影响到芯片的工艺精度以及芯片功耗、性能水平。

因此光刻机是集成电路制造中最庞大、最精密复杂、难度最大、价格最昂贵的设备。

光刻机的分辨率决定了IC的最小线宽。想要提高光刻机的成像分辨率,通常采用缩短曝光光源波长和增大投影物镜数值孔径两种方法。

根据所述光源的改进，光刻机经历了第一代是436nm g-line；第二代是365nm i-line；第三代是248nm KrF；第四代193nm ArF；最新的是13.5nm EUV。

其中，193nm ArF也被称为深紫外光源。使用193nmArF光源的干法光刻机，其光刻工艺节点可达45/40nm，由于当时光源波长难以进一步突破，因此业界采用了浸没技术等效缩小光源波长（193nm变化为134nm）的同时在液体中镜头的数值孔径得以提高（0.50-0.93变化为0.85-1.35）、且应用光学邻近效应矫正（OPC）等技术后，193nm ARF干法光刻极限工艺节点可达28nm。

到了28nm工艺节点之后，单次曝光图形间距已经无法进一步提升，业界开始采用Multiple patterning（多次曝光和刻蚀）的技术来提高图形密度但由此引入的掩膜使得生产工序增加，导致成本大幅上升，且良率问题也如影随行。

据悉，业内巨头台积电及英特尔的7nm工艺仍然在使用浸入式ArF的光刻设备，但沉浸式光刻终于7nm之后的下一代工艺节点，难以再次发展，EUV成为了解决这一问题的关键，目前EUV光刻机光源主要采用的办法是将准分子激光照射在锡等靶材上，激发出13.5nm的光子，作为光刻机光源。

各大Foundry厂在7nm以下的最高端工艺上都会采用EUV光刻机，其中三星在7nm节点上就已经采用了。而目前只有荷兰ASML一家能够提供可供量产用的EUV光刻机，国内的光刻机技术从20世纪70年代开始就先后有清华大学精密仪器系、中科学院光电技术研究所、中电科45所投入研制，目前国内厂商只有上海微电子（SMEE）及中国电科（CETC）旗下的电科装备，其中SMEE目前量产的性能最好的为90nm(193 ArF)光刻机与国际水平相差较大。

另一方面投影物镜是光刻机中最昂贵最复杂的部件之一，提高光刻机分辨率的关键是增大投影物镜的数值孔径。随着光刻分辨率和套刻精度的提高，投影物镜的像差和杂散光对成像质量的影响越来越突出。浸没式物镜的轴向像差，如球差和场曲较干式物镜增大了n倍，在引入偏振光照明后，投影物镜的偏振控制性能变得更加重要。在数值孔径不断增大的情况，如何保持视场大小及偏振控制性能，并严格控制像差和杂散光，是设计投影物镜面临的难题。

传统光刻机的投影物镜多采用全折射式设计方案，即物镜全部由旋转对准装校的透射光学元件组成。其优点是结构相对简单，易于加工与装校，局部杂散光较少。然而，大数值孔径全折射式物镜的设计非常困难。

为了校正场曲，必须使用大尺寸的正透镜和小尺寸的负透镜以满足佩茨瓦尔条件，即投影物镜各光学表面的佩茨瓦尔数为零。透镜尺寸的增加将消耗更多的透镜材料，大大提高物镜的成本；而小尺寸的负透镜使控制像差困难重重。

为了实现更大的数值孔径，近年来设计者普遍采用折反式设计方案。折反式投影物镜由透镜和反射镜组成。反射镜的佩茨瓦尔数为负，不再依靠增加正透镜的尺寸来满足佩茨瓦尔条件，使投影物镜在一定尺寸范围内获得更大的数值孔径成为可能。

数值孔径是光学镜头的一个重要指标产业化的光刻物镜工作波长经历了436nmG线，365nm线,248nmKRF,193nmArF和13.5nm极紫外，相应的物镜设计也在不断的提高数值孔径。

以现在世界主流的光刻机深紫外浸入式光刻机紫外光线来说要想达到22纳米的水平，那么物镜的数值口径要达到1.35以上，要达到这个口径很难，因为要加工亚纳米精度的大口径的镜片，用到的最大口径的镜片达到了400毫米。目前只有德国的光学公司可以达到，另外日本尼康通过购买德国的技术也可以达到。

虽然目前国内国防科大精密工程团队自主研制的磁流变和离子束两种超精抛光装备，实现了光学零件加工的纳米精度，但浸没式光刻物镜异常复杂，涵盖了光学、机械、计算机、电子学等多个学科领域最前沿，二十余枚镜片的初始结构设计难度极大——不仅要控制物镜波像差，更要全面控制物镜系统的偏振像差。因此，在现阶段国内物镜也无法完全替代进口产品。

2.专利分析

从国内外市场格局来看，ASML占据了全球主要的市场份额，而日本尼康其先进光刻机由于性能问题并未受到半导体制造商的青睐，目前主要经营为面板光刻机；佳能保留低端半导体i-line和Kr-F光刻机，退出了高端光刻机的角逐，从2019年ASML和尼康的财报可以进一步看出。

根据ASML的2019年第一季度财报，虽然其较2018年第四季度收益有所下降，但仍然有16.89亿欧元的营收，其中ArF Dry占据4%，KrF占据9%；i-line占据2%；Metrology&inspection占据3%；EUV占据22%；ArF Immersion占据60%。而尼康2019年财报，半导体光刻业务临时利润为15亿日元，约为9105万人民币，与ASML相距甚远。

国内光刻机虽与ASML相距甚远，但在曝光系统及双工作台系统也取得了一些成就：如2017年中科院院长春光精密机械与物理研究所牵头研发“极紫外光刻关键技术”通过验收；北京华卓荆轲科技股份有限公司成功打破了ASML在工作台上的技术垄断。

通过incopat工具对光刻机相关专利进行检索分析，得到该领域2000年至今的年申请趋势图，重点申请人申请数量排名，EUV光刻机重点申请人申请数量排名。

图1光刻机全球申请量趋势

数据来源：incopat，2000-2018年

从图1可以看出，2000-2004年迎来了光刻机专利申请的第一次快速增长，这一时期Intel、VIA及IBM等企业设计的半导体芯片性能快速提升，对半导体制程提出了越来越高的要求，光刻机技术不断提升，使得申请量也随之攀升。

而在光刻机研发到193nm时遇到瓶颈，ASML联手多家芯片巨头将193浸润式光科技树延伸至15nm，在此期间专利申请量下滑，但沉浸式光刻在7nm之后难以发展，EUV光刻机成为了解决这一问题的关键，因此近些年光刻机的相关技术专利申请呈现在此增长的趋势。

图2光刻机专利申请地域分布图

数据来源：incopat，2000-2018年

从地域分布来看，在光刻机领域，日本的专利申请量最多，日本企业除了在本国大量布局之外，比较重视在美国、韩国、中国台湾和中国大陆的专利布局，说明日本作为传统的光刻机领头羊，在中低端光刻机的研发投入了大量精力，布局了大量相关专利，其在中低端光刻技术上的实力雄厚。但在高端光刻机领域，日本技术仍有待提升。与之相比，中国相关专利申请量较少，说明光刻机技术门槛高，且国内没有过多的技术积累，发展较慢。

图3左图为光刻机重点申请人申请量排名;右图为EUV重点申请人申请量排名

数据来源：incopat，2008-2018年

图3为近几年关于EUV专利重点申请人排名与光刻机重点申请人申请排名比较，其中关于EUV光刻机重点申请人申请数量，ASML位列第二名，排名第一的光学仪器企业卡尔蔡司（Carl Zeiss）及排名较为靠前的海力士及三星均为ASML的合作伙伴，日本尼康及佳能分别位列第四及第六位。

对比光刻机重点申请人专利申请数量及EUV光刻机重点申请人专利申请数量，不难看出日本佳能及尼康在EUV光刻机研究上已经与ASML拉开较大差距，逐渐退出高端光刻机额角逐，究其原因为：

（1）ASML无上下游企业，专注研发，且核心技术绝对保密；

（2）ASML的特殊规定：想获得ASML光刻机的优先使用权的企业，需入股ASML，台积电，三星，英特尔，海力士纷纷入股，以寻求互惠互利。如在光刻机进入193nm节点时，ASML与台积电联合开发的浸润式光刻机是奠定ASML绝对霸主的关键一步。

（3）ASML每年将营业额的15%用于研发，高额的研发费用，让尼康和佳能望而却步，逐步退出高端光刻机的角逐。

3.结论

光刻机在芯片制造过程中起着至关重要的作用，随着器件特征尺寸的不断缩小，对光刻机的精度要求越来越高，作为芯片制造业巨头：三星、台积电、因特尔已纷纷入股ASML，以谋求其高端光刻设备共同开发与优先采购权，国内光刻机领域虽然取得一些进展，但仍然与国际水平差距巨大，仅仅依靠进口，国内的芯片制造行业势必受制于人，加快光刻机的研制步伐，刻不容缓。

参考文献：

[1]http://www.sohu.com/a/213887254_468750

[2]徐明飞.2017.高数值孔径投影光刻物镜的光学设计[D]

[3]http://blog.sina.com.cn/s/blog_bde252a80102woqm.html

[4]程建瑞.2015.EUV光刻技术的挑战[J].电子工业专用设备.

[5]张金颖.2019.荷兰光刻巨头崛起对我国发展核心技术的启示[J].中国工业和信息化.

[6]王龙兴.2018.全球半导体设备的市场分析[J].上海市集成电路行业协会.

● 作者：超凡知识产权数据与咨询事业部检索分析师 王辉

宏旺半导体ICMAX为儿童机器人提供存储介质 让产品更智能

宏旺半导体ICMAX为儿童机器人提供存储介质 让产品更智能

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随着各大巨头的布局，智能机器人如雨后春笋般迅速崛起，在这之中最吸引我们的可以说就是儿童机器人，其开发儿童大脑的产品定位和萌萌的产品外观受到了消费者的追捧。

一直以来陪伴是最长情的告白，给小朋友最多的爱就是陪伴！但对于很多是上班一族的家长来说，陪伴却是看似简单但往往很难做到的事，儿童陪伴机器人随着人工智能发展而来，以席卷之势抢占儿童市场。面对日益高涨的智能儿童陪伴机器人市场，宏旺半导体ICMAX针对陪伴机器人，制定独家存储芯片解决方案，不管是带屏幕较高端儿童智能陪伴机器人使用的eMMC与LPDDR，还是普通智能陪伴机器人所使用的NOR Flash或SLC NAND Flash，ICMAX存储芯片都能让机器人存储更多内容，让孩子的陪伴更加个性化。

宏旺半导体ICMAX eMMC采用新的工艺，每个颗粒都经过严格的测试，每个环节都经过严格把关，把不良率成功控制在千分之三以内，良品率达到99.7%，实现行业一大突破，真正做到了高效，高速，高兼容，持续稳定，让智能儿童机器人使用寿命更长。

宏旺半导体ICMAX存储芯片能让儿童陪护智能机器人，在以下几个方面做的更出色：

交互性

儿童智能陪伴机器人不管是和机器人开阔天空地闲聊、亲子微聊、还是猜谜、数学运算、中英文翻译等等，都需要很强的交互性，需要机器人很快应答。对于小孩的耐性而言，笨笨的机器人不仅不能起到陪护作用，反而会让小孩哇哇大哭，根本不是贴心玩伴。在应答这一块，宏旺半导体嵌入式存储芯片LPDDR，处理器在储存器中提取速度快，实现高速数据处理，让智能机器人反应快，与孩子有更好的互动沟通，实现日常陪伴。

丰富性

世界上兴趣最广泛的应该是小孩子了，对什么都好奇是小孩的天性，一个智能机器人不能丰富多样的满足小孩的需求，不是一个合格的现代智能产品。宏旺半导体ICMAX eMMC，一颗小小的芯片就能让小孩拥有上下五千年的文化深度，大容量选择，从2G—512G的跨度，不管是诗词语音、儿歌故事、外语学习、读书识字等，不再局限几种素材，从小带给孩子多样文化熏陶。

记录性

儿童智能机器人还有一个重要的作用，就是成长记录存储，记录孩子黄金成长期的珍贵瞬间。孩子是来到人间的天使，每一个可爱的瞬间都想记录下来，宏旺半导体ICMAX存储芯片出色的视频性能，让您不错过孩子每一个精彩瞬间，同时ICMAX具有高良率，品质有保障使用寿命长，可以一直保存美好记忆。

经过十五年的发展，宏旺半导体ICMAX为众多领域提供存储解决方案，拥有丰富的行业经验，与多家行业内知名企业建立了战略合作关系。在儿童智能机器人领域，ICMAX能为制造商带来定制化更具个性化的存储方案，使儿童陪护智能机器人性能发挥更优，更好地实现全方位的陪伴。

更多详情请登录官网：http://www.icmax.com.cn/ 或关注宏旺半导体微信公众号
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新潮集团减持长电科技1.86%股份 仍为第三大股东

新潮集团减持长电科技1.86%股份 仍为第三大股东

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6月4日，长电科技发布股东权益变动提示性公告，公司第三大股东江苏新潮科技集团有限公司（以下简称“新潮集团”）减持1.86%股份。

公告显示，长电科技于2019年6月4日接到公司第三大股东的通知，新潮集团因自身资金需要，于2019年3月11日至 2019 年6月4日通过大宗交易的方式减持公司无限售流通股共计29800000股，占公司总股本的1.86%。

本次减持前，新潮集团持有长电科技144098484股，占总股本的8.99%，本次减持后，新潮集团持有长电科技股份114298484股，占总股本的7.13%。

长电科技表示，上述权益变动情况不会导致公司控制权发生变化。本次权益变动后，新潮集 团仍为公司第三大股东，持股7.13%，第一大股东国家集成电路产业投资基金股份有限公司持股19.00%，第二大股东芯电半导体（上海）有限公司持股14.28%。

新潮集团此前是长电科技的控股股东，但随着大基金、中芯国际的投资入股以及去年完成增发，新潮集团在长电科技的持股逐渐稀释。

2015年，大基金、中芯国际携手投资长电科技助其收购星科金朋，中芯国际全资子公司芯电半导体成为第一大股东，新潮集团从控股股东变更为第二大股东。2018年，长电科技完成36.19亿元增发，大基金成为第一大股东，新潮集团变更为第三大股东。

澜起科技布局研发DDR5内存接口芯片

澜起科技布局研发DDR5内存接口芯片

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6月3日晚间，上交所公布第三批上会企业名单，澜起科技、杭可科技和天宜上佳3家公司将于6月13日接受科创板股票上市委员会的审核。

作为第三批上会企业中唯一的集成电路企业，澜起科技的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。

根据此前的招股书显示，澜起科技已经成为全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一。公司相关产品已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的主要份额。其发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被采纳为国际标准，其相关产品已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，占据全球市场的主要份额。

澜起科技表示，未来三年，公司的发展目标是通过持续不断的研发创新，提升公司在细分行业的市场地位和影响力，例如在内存接口芯片业务领域，澜起科技规划在未来三年完成第一代DDR5内存接口芯片的研发和产业化。在数据中心业务领域，持续升级津逮服务器CPU及其平台；在人工智能芯片领域，则将研发有竞争力的芯片解决方案。

此外，澜起科技还拟公开发行不超过11,298.1389万股A股普通股股票，使用募集资金230,019.06万元用于与公司主营业务相关的项目，包括新一代内存接口芯片研发及产业化项目，津逮服务器CPU及其平台技术升级项目，以及人工智能芯片研发项目。

存储器价格走跌渐缓 南亚科5月份营收月成长3.24%

存储器价格走跌渐缓 南亚科5月份营收月成长3.24%

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存储器厂商南亚科4日公布5月份财报，根据资料显示，5月份合并营收为42.44亿元（新台币，下同）），虽较4月份增加3.24%，但是在目前存储器仍维持跌价状态下，仍较2018年同期下跌了49.02%。累计，2019年前5个月营收为197.27亿元，较2018年同期减少43.32%。

日前，南亚科举行股东会时表示，本季市况不是很好，存储器价格仍然疲软的情况下，加上当前大厂仍在消化库存等因素，全球DRAM位元年增率由原估年增20%，下修至15%，而南亚科的整体年成长由15%，下修至仅个位数的情况下，局势当前称不上好。

另外，南亚科总经理李培瑛在上次法说会谈到，2019年受全球经济放缓等影响，造成供应链调整及处理器短缺，预期DRAM市场在2019年的市况仍旧保守。继2018年南亚科相关资本支出较原先预估下调15%之后，预计2019年整体资本支出还会再下调50%，也就是相较2018年约204亿元资本支出，2019年将降到百亿元上下。

李培瑛还强调，展望整体2019年第2季的状况虽然不乐观。但是，在存储器跌价趋缓，且英特尔处理器缺货问题慢慢解决的情况下，预估第2季的营运状况还是会比第1季好。而整体来看，2019下半年状况也会比上半年好，南亚科营运将逐季成长。

2019汽车半导体暨毫米波雷达大会 7月苏州盛大启航

2019汽车半导体暨毫米波雷达大会 7月苏州盛大启航

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2018年，中国首次将前方碰撞警示(FCW)、AEB等主动安全系统列入新版中国新车评价规程（C-NCAP）；2022年前，美国NHTSA也将把AEB列为新车标配，更高的要求将促使全球ADAS的普及率迅速提升。作为核心技术的传感器技术，除了可靠的稳定性和安全性能，还需要强大的量产和生产管理能力才能实现规模经济。

而目前，毫米波雷达由于其相对成熟的技术、广泛的应用、较低的成本，在汽车ADAS和自动驾驶领域将有很大的发展空间。据预计，2023年全球汽车毫米波雷达年出货量将达到1.32亿颗，市场规模73亿美元，复合年增长率24.3%。纵观全球市场，国际巨头在毫米波雷达领域研究历史久，技术积累深厚，一直以来占据支配地位。尽管国产24GHz毫米波雷达已经广泛应用于盲点探测、报警等系统，77GHz毫米波雷达受制于芯片国产化滞后等原因，仍需要进一步的研发。

此外，鉴于中国复杂的交通环境，我国的智能驾驶汽车必须适应更加多变的道路状况，如何更好实现毫米波雷达、摄像头、激光雷达之间的协同配合，解决传感器数据融合的问题，这对于国际和国内的雷达和主机厂来说都是一个不小的挑战。

在此背景下，由苏州高铁新城管委会、智车行家、上海易贸商务联合主办，于2019年7月18-19日在江苏苏州召开“2019汽车雷达暨传感器融合前瞻技术展示交流会”，旨在推动汽车雷达技术发展，促进产学研深度合作，为汽车雷达产业链相关客户提供一个交流成果，探讨行业发展的平台。

会议时间：2019年7月18-19日

会议地点：江苏 苏州

会议亮点：

· 2天会议，20小时交流机会

· 25+ 主题演讲，300+ 行业精英

· 对话产学研专家大咖，碰撞行业前沿新趋势

· 剖析技术瓶颈寻突破，展示新兴技术新产品

大会官网链接：https://sensor.ienmore.com

谁将参加：

· 主机厂  25%

· Tier 1  15%

· 解决方案供应商  10%

· 毫米波雷达系统供应商   15%

· 核心元器件供应商（芯片、PCB基材等）  10%

· 封装测试企业  5%

· 摄像头系统供应商  5%

· 激光雷达系统供应商  5%

· 政府、行业协会、联盟等组织机构  2%

· 科研院所  5%

· 新闻媒体  3%

 热点话题：

· 雷达的各种演进趋势以及其市场生态系统和供应链分析

· 汽车雷达标准动态解析

· 国产毫米波雷达在实现ACC/AEB上的探索

· ADAS与自动驾驶技术对于车载毫米波雷达的新技术要求

· 在高级别自动驾驶技术中毫米波雷达完全取代激光雷达的可行性分析

· 智能化雷达的实现路径

· 毫米波雷达新技术发展方向之CMOS芯片

· 4D毫米波成像雷达

· 79GHz毫米波雷达

· 汽车雷达同频干扰与抗干扰

· 毫米波雷达测试方案

· 车载毫米波雷达通信一体化

· 汽车雷达PCB基材

· 车厂认证以及车厂对毫米波雷达的特定要求

· 如何寻找多传感器融合体系结构中的黄金分割点而获得优化的解决方案

· 多传感器融合技术的未来发展方向

· 如何解决多传感器融合后的相互干扰问题

· 多传感器融合技术将如何提供高可靠的自动化系统

· 基于毫米波雷达与摄像头融合技术的智能驾驶系统

· 辅助和自动驾驶车辆的目标跟踪，传感器融合和态势感知：问题，解决方案和方向

· 融合引擎开发和现实场景的性能评估

· 自动驾驶领域的多源多模传感器融合策略和实现

部分往届发言嘉宾：

· 易芝玲博士，首席科学家，中国移动研究院

· 陈效华，常务副院长，北汽新技术研究院

· 何举刚，副院长，长安汽车工程研究总院

· 洪伟教授，毫米波国家重点实验室主任，东南大学

· 李铮，技术总监，芜湖易来达雷达科技有限公司

· 陈浩文，董事长，长沙莫之比智能科技董事长

· 陈承文，创始人、总经理，深圳承泰科技有限公司

· 翁玮，亚洲市场总监，Velodyne LiDAR

大会官网链接：https://sensor.ienmore.com

主办方介绍：

智车行家

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易贸：

上海易贸商务发展有限公司作为中国乃至亚洲地区最大的商务会议主办机构之一，专注于在国内外策划和主办高端峰会、专业展览、行业培训以及商务考察等活动，致力于成为客户的交流合作平台和商业关系助手。 

在汽车行业，易贸以整车为核心，政策为导向，行业为根本；致力于打造国内权威汽车行业专属平台。始于1999，易贸为整车企业提供数据信息与咨询服务。自2002年起，开始涉足汽车材料的会议服务；自2004年起，已成功辐射汽车零部件、汽车制造、汽车能源、汽车系统、汽车智能互联、汽车新工艺、汽车新能源、汽车金融、汽车维修与保养、汽车拆解等多个领域。在互联网通信行业，自2015年起，先后召开了5G、NB-IoT、IoT商用化、小基站等多场国际峰会。

江苏华存：正在攻关12纳米SSD主控

江苏华存：正在攻关12纳米SSD主控

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根据南通台办官网消息，江苏华存电子科技有限公司成立于2018年1月，总投资约1亿元人民币。看准中国大陆繁荣的芯片市场以及成熟的政策配套，这支由30多名中国台湾高科技青年人才组成的团队决心扎根南通搞研发。其研发的40纳米工业级嵌入式存储“中国芯”，在短短一年之内迅速孵化，各项指标均达到国际一流水平，打破了由三星、海力思等国际主流厂商在该领域的垄断。

目前华存已围绕存储器主控设计申请了184项专利，有10项已经获得授权，其中美国专利8项。工信部公布2018年工业强基工程名单，存储主控芯片设计示范项目，华存成为全国唯一实施单位。

当前，华存团队正集结研发精锐竭力攻关12纳米SSD主控，这支设计业界闯出的南通“黑马”，已然成为南通在新一代信息技术上游芯片设计领域实现超越和腾飞的加速度。

从报道来看，官方这篇文章并没有介绍华存的12nm工艺的SSD主控的具体规格，但是在SSD主控芯片领域内，40nm工艺一般用于中低端产品，主流产品依然是28nm工艺居多，极少数高端PCIe主控用上了16nm工艺，而华存的12nm工艺不论是台积电的12nm还是中芯国际的12nm工艺，都要比16nm工艺再先进半代，这也意味着华存的12nm主控会是一款高端产品，否则上这么先进工艺的成本是划不来的。

目前SSD主控中性能最强的也就是群联在台北电脑展上发布的PS5016-E16主控，它采用28nm工艺制造，支持最新的96层3D TLC/QLC闪存，八个通道，最大容量8TB，集成第四代RAID ECC、LDPC纠错引擎，拥有独家专利的硬件加速器设计，理论读写速度最高分别可达5GB/s、4.4GB/s。

上海大咖把脉扬州微电子产业 扬州如何走进“芯”时代

上海大咖把脉扬州微电子产业 扬州如何走进“芯”时代

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“当前，我们正大力实施‘微电子产业三年攻坚计划’，全力打造扬州‘芯谷’。我诚挚邀请各位到扬州、进园区多看看，期盼更多行业朋友来扬考察投资，实现更高层次的互利共赢。”昨天，在“‘芯’时代 新征程”联谊会上，扬州市委常委、政法委书记、邗江区委书记张耀武向来自上海市集成电路行业的30多位CEO发出邀请。

联谊会由上海市集成电路行业协会主办，上海微技术工业研究院、扬州市侨联、维扬经济开发区、扬杰电子协办。会上，CEO们为扬州微电子产业认真把脉。

微电子技术是随着集成电路发展起来的一门新技术。当下，微电子产业属于扬州聚力攻坚的战略性新兴产业，产品涉及大功率芯片、封装半导体材料等多个细分领域，累计销售额已过百亿元，呈现出高成长性的发展态势。

“这些都是扬州良好的产业发展基础。”上海微技术工业研究院总经理丁辉文表示，园区是产业载体，产业更需要顶层设计。扬州要抢抓产业发展机遇，必须抓好产业总体规划。

“集成电路的创新大部分在小企业中，而小企业需要创新平台和载体。”丁辉文表示，扬州应该及时引进平台性公司，创新合作机制和模式，为企业技术创新培育土壤。作为全球性协同创新中心，上海微技术工业研究院将长期支持扬州微电子产业发展。

“希望扬州成立以扬杰电子等一批龙头企业为成员的行业协会，通过交流推动企业之间互补性发展。”上海市集成电路行业协会秘书长徐伟说，“扬州融入长江三角洲经济圈，上海与扬州两地更有机会寻找产业互补的切入点。建议扬州结合微电子产业规律，与上海产业链各个板块上的企业联手，打造未来新的发展增长点。”

“今天的联谊会扩大了我的‘朋友圈’，上海行业‘大咖’们的建议让我受益匪浅。”扬杰电子董事长梁勤说，很羡慕中芯、华虹、华润、士兰等都有8寸、12寸硅晶片生产线，扬杰电子正借助工业互联网，实现工业化与信息化的高度融合，积极做好8寸硅晶片生产线建设的各项准备。“2019年我们安排了1亿元研发经费，重点建设研发中心、第三代功率半导体重点实验室等。下一步，我们将与上海企业深化合作，努力建设具有国际一流水平的功率半导体智能制造标杆工厂。”