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重庆市委五届六次全会提出，深入推进大数据智能化为引领的科技创新，巩固提升“芯屏器核网”全产业链，打造万亿级智能产业集群。

“芯”，就是要完善集成电路设计、制造、封装测试、材料等上下游全链条，培育高端功率半导体芯片和存储芯片等项目。

27日，记者从重庆市经信委获悉，重庆在集成电路上要实现4个“百亿级”的目标：到2022年，重庆市集成电路销售收入预计突破1000亿元，其中装备材料100亿元、设计企业200亿元、封装测试300亿元、生产制造400亿元。

为了加快培育发展新动能，聚力推动高质量发展，近日重庆市政府出台了《重庆市人民政府关于加强和改进新形势下招商投资促进工作的意见》，重庆市将围绕“芯屏器核网”（芯片、液晶面板、智能终端、核心零部件、物联网），全产业链招商，培育壮大智能产业集群。

两大集成电路项目相继开工

在全产业链招商前，重庆两大集成电路项目相继开工，即年产5735吨电子气项目与年产6500万颗半导体芯片项目。

重庆市经信委介绍，年产5735吨电子气项目由欧中电子材料有限公司投资5亿元建设，主要生产电子级六氟化钨、电子级三氯化硼、电子级六氟丁二烯等系列电子级气体产品，该产品主要用于半导体芯片制造。项目今年2月开工建设，2019年12月建成，可实现年销售收入3.5亿元，综合税收880万元。

此外，重庆恩瑞实业有限公司投资15亿元建设的年产6500万颗半导体芯片项目，芯片将主要用于电脑、手机、汽车、无人机等电子科技产品主板的制造。项目今年1月开工建设，预计今年11月建成，计划全负荷生产可实现销售收入5亿元。

紫光集团多个项目落户重庆

两大项目开工不久，4月18日，中国大型综合性集成电路领军企业、全球第三大手机芯片设计企业紫光集团的重庆大楼正式投用。投用当天，紫光数字工厂项目、紫光数字重庆项目、战略合作单位等签约活动集中举行，重庆直辖以来最重要的工业项目之一，有了多项新进展。

去年2月12日，重庆市政府与紫光集团签署了战略合作协议及入驻两江新区的落地协议。截至目前，紫光集团7个项目中的5个项目已签订投资协议，包括“智能安防+AI”、紫光云南方总部、金融科技、数字电视核心芯片全球总部及设计研发中心、移动智能终端芯片设计研发中心等，均在如期稳步推进中。

未来，紫光集团还将在渝布局高端芯片制造、无人驾驶等项目，涉及领域之广，让紫光项目成为重庆直辖以来最重磅的工业项目之一。

重庆市形成集成电路企业约20家

重庆市经信委相关人士介绍，未来紫光集团的高端芯片制造，将给重庆的芯片产业链带来很好的带头作用。目前，重庆市形成集成电路企业约20家，覆盖了芯片设计、制造、封装等全产业链环节，初步建成较完整的集成电路全产业链。重庆在集成电路资本、技术、项目等多个项目领域，正加速拓展与国内行业龙头企业合作空间，将重点围绕人工智能、智能硬件、智能传感等产品方向，加快引进培育一批集成电路设计龙头企业，形成集成电路设计产业集聚区。

聚焦：重庆市两大区域发展电子信息产业

西永和两江新区是重庆发展集成电路的主要区域。

记者获悉，在西永微电园有众多集成电路领军企业：CUMEC联合微电子中心，投资100亿元打造世界一流的先进产品设计与高端工艺制造协同研发平台，并组建国际化产业研发联盟；与华润微电子合作打造全国最大功率半导体基地、建设先进的基板级扇出芯片封装项目和12英寸功率半导体芯片制造项目；引进英特尔FPGA中国创新中心，这也是英特尔在全球规模最大，亚洲唯一的FPGA创新中心……

“2018年，西永集成电路产业实现产值139.3亿元、增长21.4%，占重庆

全市八成以上。”市经信委相关负责人说，两江新区也是集成电路重点布局区域：两江新区水土高新生态城有中国首家、全球第二家12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目——重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地；还有紫光展锐西南通讯芯片设计中心、北京中星微人工智能芯片设计中心等；在核心材料上，布局了上海超硅8-12英寸抛光硅片项目、奥特斯IC载板项目和高密度印制电路板项目；人才培养上，则有两江半导体产学研基地……

两江新区相关负责人表示，目前，两江新区已聚集了IC设计、晶圆制造、半导体封装测试以及材料、半导体应用研发、半导体支撑平台等集成电路相关产业，累计引进集成电路类项目12个。未来5年，两江新区将继续在IC全产业链上发力，搭建集成电路IC设计平台、孵化器、产业基金等。

目标：2022年集成电路销售预计破1000亿

重庆市经信委相关负责人说，重庆发展电子信息产业下一步的目标，除了要稳定笔电产量、扩大手机产量外，集成电路是“最聚焦”的领域。为此，重庆市已陆续出台《重庆市加快集成电路产业发展若干支持政策》《重庆市集成电路技术创新实施方案》《重庆市集成电路产业发展指导意见》等，进一步理清了产业发展思路及实现路径。

下一步，重庆在集成电路上要实现4个“百亿级”的目标：到2022年，重庆市集成电路销售收入预计突破1000亿元，其中装备材料100亿元、设计企业200亿元、封装测试300亿元、生产制造400亿元。

在发展方向上，重庆市将重点聚焦电源管理芯片、存储芯片、先进工艺生产线、汽车电子芯片、驱动芯片、人工智能及物联网芯片、集成电路设计等领域。

目前，重庆正在重点招商引资集成电路，比如紫光存储芯片项目、12英寸集成电路先进工艺生产线项目等；同时，积极推进华润微电子12英寸晶圆制造、联合微电子中心等项目。

声音

争取建成为国家电源芯片生产基地

紫光集团全球执行副总裁曾学忠：

集成电路需要以芯片设计企业为龙头，对于上下游的生态进行布局。设计是集成电路产业链的最前端，芯片设计企业能够上下游拉通，并能够推动政府出台一系列政策。短期来看，重庆应该利用自身优势，在某一两个设计的“点”上做强，再以此带动生态发展。举例来看，目前在芯片设计领域，紫光集团就在重庆布局了下一代移动通信、物联网和智慧电视等“点”，以家庭市场来切入是一个带动生态发展的非常好的方式。

OPPO研究院院长刘畅：

作为集成电路的用户和需求方，像OPPO这样的公司随着创新力度的加大和市场消费升级，必须和集成电路产业链的一些伙伴进行更加紧密地沟通，在封装、工艺制成的选择、芯片规格定义等方面开展更多互动。而要推动这些设计领域的沟通与合作，需要有很好的平台，从产业布局上来讲，则要扩展到系统设计、整机设计、产品生产等环节，这样就可以扫除中间障碍，把最终用户的诉求反馈到集成电路设计环节上来。

电子科技大学集成电路研究中心主任张波：

在集成电路制造领域，重庆有非常好的优势，在集成电路制造方面起步较早，拥有华润微电子等在国内有重要影响力的综合性微电子企业，也拥有新能源汽车与智能网联汽车等广阔的应用市场。目前，功率半导体为国内集成电路产业发展提供了一个很好的突破口，重庆需要抓住契机做好产业引导。

重庆市经信委主任陈金山：

重庆计划用四年时间，培育集成电路产业达到1000亿元产值。实现1000亿元产值，重庆将在巩固现有集成电路产业优势的同时，在设计、晶圆制造、封装测试等产业链上下游发力，建设成为国内重要的集成电路产业基地。在集成电路产业发展方向上，重庆将利用好自身基础条件，积极发展电源管理芯片，争取建成为国家电源芯片生产基地。

延伸

重点围绕“芯屏器核网”全产业链招商

目标有了，就要发力培育、壮大集成电路产业链，对此重庆市明确了招商重点：以大数据智能化为引领，实施“工业跃升”工程，创建国家大数据智能化引领产业高质量发展示范区；围绕“芯屏器核网”全产业链招商，培育壮大智能产业集群；提升改造传统优势产业，培育先进制造产业集群。

重庆市招商投资局相关负责人表示，主城区将重点围绕数字经济和智能产业，大力培育新兴产业，加快传统产业提质增效；渝西片区将强化工业招商，加强战略性新兴产业集群培育和智能化改造，推进产城景融合；渝东北、渝东南片区将因地制宜发展资源型精深加工业、山地特色高效农业、民俗文化生态旅游业，推动生态产业化、产业生态化。

重庆市还将聚焦开放招商重点目标，抓住“一带一路”建设和长江经济带发展机遇，瞄准美国、欧盟、日本、新加坡、韩国等发达经济体和地区开展全方位招商，着力引进外资大项目。大力引进世界500强、中国500强和国内外行业领军企业，推动在渝设立亚太区总部、中国区总部、研发中心、制造基地和结算中心等。

目前，重庆市级有关部门正在抓紧制定相关行业领域的招商投资促进实施细则及配套措施，健全市级“1+X”政策措施体系，真正形成公正高效的大招商新格局。

进日，上海科创投集团所属上海集成电路产业投资基金股份有限公司、华大半导体有限公司与上海积塔半导体有限公司增资协议签约仪式在积塔半导体临港厂区隆重举行。上海市经信委、市临港管委会、上海科创投集团、上海集成电路产业投资基金、华大半导体、积塔半导体等有关负责同志出席仪式。

上海积塔半导体特色工艺生产线项目是市重大工程，总投资为359亿元，是上海市政府与中国电子信息产业集团合作协议的重要内容，也是其中第一个落地的重大产业项目。该项目位于上海浦东新区临港装备产业区，占地面积23万平方米，于去年8月开工，目前基本完成主体工程。

上海积极对接国家战略，加快打造国内产业链最完善、技术水平最高、最具竞争优势的集成电路产业体系，开展“一体两翼”的产业布局。上海集成电路产业投资基金自成立以来，积极务实投资上海市的重大产业项目，充分发挥了金融对实体经济的支撑作用，此次与华大半导体共同完成对积塔半导体的增资，是积塔半导体项目的一个标志性节点，是对上海市整体集成电路产业布局的有力推动。

日前，华虹半导体（无锡）有限公司12英寸生产线建设项目（以下简称“华虹无锡项目”）迎来了首台工艺设备搬入。根据计划，该项目将于6月5日进行首批光刻机搬入，这将是整个项目建设新的里程。

华虹无锡项目联合体总包单位十一科技官方消息显示，5月24日，华虹无锡项目举行第十一次推进会暨首台工艺设备搬入仪式，并进行了华虹七厂授牌仪式。

值得一提的是，华虹宏力总裁、党委书记唐均君提到，华虹无锡项目将于6月5日迎来首批光刻机搬入，“在项目建设新的里程——6月5日光刻机搬入后，整个项目即将达到新的高度。”

华虹无锡的第一台设备正式搬入标志着华虹无锡项目进入一个新阶段，为6月5日光刻机的搬入奠定了基础。

根据此前官方介绍，华虹无锡项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期投资25亿美元，新建一条工艺等级90～65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。

该项目于2018年3月正式开工建设，计划将于2019年上半年完成土建施工，下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产。自开建以来，华虹无锡项目一直加速前进，主要工程节点均提前完成。

今年3月，华虹半导体在其年报上表示，华虹无锡已于2018年底主体结构全面封顶，预计将于2019年第二季度末完成厂房和洁净室的建设，下半年开始搬入设备，并于2019年第四季度开始300mm晶圆的量产。

如今首台设备已搬入，在时间上较计划又有所提前，项目推进看来颇为顺利。随着接下来下个月首批光刻机的搬入，如无意外，华虹无锡项目很快将迎来量产，业业界预计设备搬入后3个月左右。

据悉，为加快实现华虹无锡的顺利投产、风险量产和上量，华虹半导体在2018年启动了55nm逻辑工艺及相关IP的研发，预计2019年下半年开始导入客户，同时开始研发55纳米嵌入式闪存工艺的存储单元，功能验证已通过，为未来55纳米嵌入式闪存技术量产打下坚实的基础。

对于华虹半导体来说，华虹无锡的量产意义重大，将是其产能的升级以及发展的新阶段、新里程碑。某不具名业内人士分析认为，目前华虹的产能已然满产，如今正值国产替代化大潮将至，华虹无锡带来的产能将有望解其产能燃眉之急以及提升竞争力。

上述业内人士还指出，由于下游需求的快速增长，8英寸产能已经连续多季处于供应紧张的状态，在目前8吋产线由于设备较少新开和扩建难度较大的情况下，8英寸产品或将加速向12英寸转移，同时12英寸的经济效应也比8英寸好、单颗成本更低。

随着国内2015年以来新建的8英寸和12英寸特色工艺产线如华虹无锡项目等相继投产，相关产品晶圆制造产能供应紧张的局面会得到缓解。

5月24日，紫光展锐宣布已启动科创板上市准备工作。目前，紫光展锐正进行上市前的股权及组织结构优化，进展顺利，预计将在2020年正式申报科创板上市材料。紫光展锐在科创板上市，将有助于公司运营管理更透明化、更规范化，进而激活紫光展锐的发展潜力，更好地响应市场和客户需求，提升产品质量，增强市场对公司的信心，为紫光展锐未来的跨越式发展提供助力。

科技创新能力突出

紫光展锐是全球第三大手机芯片设计企业，致力于移动通信和物联网领域核心芯片的创新研发及设计，已推出“虎贲”和“春藤”两大品牌，是产品全面涵盖2G/3G/4G/5G移动通信技术以及IOT等无线连接技术的领先企业之一。在5G通讯技术方面，紫光展锐已于2019年2月推出了第一代5G基带芯片-春藤510，迈入全球第一梯队，并将支持首批5G终端的商用上市。除了通信和物联网芯片外，紫光展锐产品还覆盖智能电视芯片、AI芯片、射频前端芯片、高功率器件等多个领域，是领先的泛芯片供应商。

目前紫光展锐在全球手机芯片市场份额位列第三，在电视芯片全球市场占据领先位置，在蓝牙音箱/耳机芯片、RFFE射频前端芯片等领域位居国内厂商出货量前列。

紫光展锐曾五次获得国家科技进步奖，其中特等奖1次、一等奖2次，已申请发明专利3700余项，并通过全球上百家国家运营商网络的出货认证。

拥有强大技术研发实力和优异市场表现的紫光展锐拟在科创板上市，高度契合科创板导向，是对“创新驱动发展”的产业发展政策的积极响应，也将在科创板建设初期形成积极示范效应。

管理团队阵容强大

紫光展锐拥有4500余名员工，其中90%以上是研发人员。拥有22年通信、半导体行业从业经历的楚庆现任紫光展锐CEO。楚庆是行业内以技术和战略能力见长的领军人物，曾在华为技术、海思半导体、大唐移动等公司任职多年，并任华为公司战略与技术副总裁、海思半导体首席战略官，他在移动通信设备、软件无线电、物联网技术标准、手机、基站芯片、半导体基础技术等领域都有开创性贡献。

楚庆领导下的紫光展锐更是阵容强大，其中核心管理团队成员有：荣获2016年度国家科技进步特等奖的吴迪，担任智能终端业务部部长；拥有19年通信芯片从业经验的汪波，任通信终端业务部部长；拥有26年芯片从业经验的王泷，任泛连接业务部部长；国内最早从事芯片端到端质量管理的专家陈雨风，任首席质量官；拥有13年手机芯片从业经验的周晨，任市场管理部部长；拥有18年跨国工作经历的杨芙，任财经管理部部长。

股权结构进一步优化

据了解，拟在科创板上市的主体为北京紫光展锐科技有限公司，从其股权结构可以看出，紫光集团下属公司紫光展讯投资、紫光新微电子分别持有其57.14%和16.81%的股份，另外，英特尔（中国）持有其14.29%的股份。英特尔自2015年7月入股展讯后，就一直是紫光展锐的股东，英特尔全球副总裁兼中国区总裁杨旭也是紫光展锐的董事。

紫光展锐董事会除杨旭外，其董事成员还包括：紫光展锐首席执行官楚庆、紫光国芯微电子股份有限公司总裁马道杰、深圳市国微电子有限公司董事长祝昌华、华芯投资副总裁高松涛等。紫光集团董事长兼首席执行官赵伟国现任紫光展锐董事长、刁石京任副董事长。

为构建良好的治理结构，目前紫光展锐正在进行上市前优化股权结构工作。紫光展锐计划2019年完成PreIPO轮融资和整体改制工作，预计将在2020年正式申报科创板上市材料。 

近日，三星电子发布其3nm工艺技术路线图，与台积电再次在3nm节点上展开竞争。3nm以下工艺一直被公认为是摩尔定律最终失效的节点，随着晶体管的缩小将会遇到物理上的极限考验。而台积电与三星电子相继宣布推进3nm工艺则意味着半导体工艺的物理极限即将受到挑战。未来，半导体技术的演进路径将受到关注。

三星计划2021年量产3nmGAA工艺

三星电子在近日举办的“2019三星代工论坛”（Samsung Foundry Forum 2019）上，发布新一代3nm闸极全环（GAA，Gate-All-Around）工艺。外界预计三星将于2021年量产3nm GAA工艺。

根据Tomshardware网站报道，三星晶圆代工业务市场副总Ryan Sanghyun Lee表示，三星从2002年以来一直在开发GAA技术，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，从而实现3nm工艺的制造。

如果将3nm工艺和新近量产的7nmFinFET相比，芯片面积能减少45％左右，同时减少耗电量50％，并将性能提高35％。当天的活动中，三星电子将3nm工程设计套件发送给半导体设计企业，并共享人工智能、5G移动通信、无人驾驶、物联网等创新应用的核心半导体技术。

相关资料显示，目前14/16nm及以下的工艺多数采用立体结构，就是鳍式场效晶体管（FinFET），此结构的晶体管内部通道是竖起来而被闸极包围的，因为形状像鱼类的鳍而得名，如此一来闸极偏压便能有效调控通道电位，因而改良开关特性。但是FinFET在经历了14/16nm、7/10nm这两个工艺世代后，不断拉高的深宽比（aspect ratio），让前道工艺已逼近物理极限，再继续微缩的话，电性能的提升和晶体管结构上都将遇到许多问题。

因此学术界很早就提出5nm以下的工艺需要走“环绕式闸极”的结构，也就是FinFET中已经被闸极三面环绕的通道，在GAA中将是被闸极四面包围，预期这一结构将达到更好的供电与开关特性。只要静电控制能力增加，闸极的长度微缩就能持续进行，摩尔定律重新获得延续。

此次，三星电子3nm制程将使用GAA技术，并推出MBCFET，目的是确保3nm的实现。不过，三星电子也表示，3nm工艺闸极立体结构的实现还需要Pattern显影、蒸镀、蚀刻等一系列工程技术的革新，并且为了减少寄生电容还要导入替代铜的钴、钌等新材料，因此还需要一段时间。

台积电、三星竞争尖端工艺制高点

台积电也在积极推进3nm工艺。2018年台积电便宣布计划投入6000亿新台币兴建3nm工厂，希望在2020年动工，最快于2022年年底开始量产。日前有消息称，台积电3nm制程技术已进入实验阶段，在GAA技术上已有新突破。4月18日，在第一季度财报法说会中，台积电指出其3nm技术已经进入全面开发阶段。

在ICCAD2018上，台积电副总经理陈平强调，从1987年开始的3μm工艺到如今的7nm工艺，逻辑器件的微缩技术并没有到达极致，还将继续延伸。他还透露，台积电最新的5nm技术研发顺利，明年将会进入市场，而更高级别的3nm技术研发正在继续。

实际上，台积电和三星电子两大公司一直在先进工艺上展开竞争。去年，台积电量产了7nm工艺，今年则计划量产采用EUV光刻工艺的第二代7nm工艺（N7+），2020年将转向5nm。有消息称，台积电已经开始在其Fab 18工厂上进行风险试产，2020年第二季度正式商业化量产。

三星电子去年也公布了技术路线图，而且比台积电更加激进。三星电子打算直接进入EUV光刻时代，去年计划量产了7nm EUV工艺，之后还有5nm工艺。3nm则是两大公司在这场工艺竞逐中的最新赛程。而就以上消息来看，三星将早于台积电一年推出3nm工艺。然而最终的赢家是谁现在还不能确定。

摩尔定律终结之日将会到来？

虽然台积电与三星电子已经开始讨论3nm的技术开发与生产，但是3nm之后的硅基半导体工艺路线图，无论台积电、三星电子，还是英特尔公司都没有提及。这是因为集成电路加工线宽达到3nm之后，将进入介观（Mesoscopic）物理学的范畴。资料显示，介观尺度的材料，一方面含有一定量粒子，无法仅仅用薛定谔方程求解；另一方面，其粒子数又没有多到可以忽略统计涨落（Statistical Floctuation）的程度。这就使集成电路技术的进一步发展遇到很多物理障碍。此外，漏电流加大所导致的功耗问题也难以解决。

那么，3nm以下真的会成为物理极限，摩尔定律将就此终结吗？实际上，之前半导体行业发展的几十年当中，业界已经多次遇到所谓的工艺极限问题，但是这些技术颈瓶一次次被人们打破。

近日，有消息称，IMEC和光刻机霸主ASML计划成立一座联合研究实验室，共同探索在后3nm节点的nm级元件制造蓝图。双方合作将分为两个阶段：第一阶段是开发并加速极紫外光（EUV）技术导入量产，包括最新的EUV设备准备就绪；第二阶段将共同探索下一代高数值孔径（NA）的EUV技术潜力，以便能够制造出更小型的nm级元件，推动3nm以后的半导体微缩制程。

然而，衡量摩尔定律发展的因素，从来就不只是技术这一个方面，经济因素始终也是公司必须考量的重点。从3nm制程的开发费用来看，至少耗资40亿至50亿美元，4万片晶圆的晶圆厂月成本将达150亿至200亿美元。如前所述，台积电计划投入3nm的资金即达6000亿新台币，约合190亿美元。此外，设计成本也是一个问题。研究机构分析称，28nm芯片的平均设计费用为5130美元，而采用FinFET技术的7nm芯片设计费用为2.978亿美元，3nm芯片工程的设计费用将高达4亿至15亿美元。设计复杂度相对较高的GPU等芯片设计费用最高。半导体芯片的设计费用包含IP、Architecture、检查、物理验证、软件、试产品制作等。因此，业内一直有声音质疑，真的可以在3nm甚至是2nm找到符合成本效益的商业模式吗？