总投资5亿 半导体芯片及集成电路封装项目落户湖北荆门

总投资5亿 半导体芯片及集成电路封装项目落户湖北荆门

5月18日,湖北荆门东宝区与深圳东飞凌科技有限公司举行半导体芯片及集成电路封装项目签约仪式。

该项目计划总投资5亿元,在东宝电子信息产业园建设半导体封测产线,主要进行5G光电芯片封装及集成电路IC封测,产品主要有SOJ(J型引脚外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型封装)、TSSOP(薄的缩小型SOP)、SOT(小外形晶体管)及SOIC(小外形集成电路),项目达产后预计年产能达1.3亿只,年产值10亿元,税收2000万元。

据悉,深圳市东飞凌科技有限公司是一家专业从事5G光电芯片封装的国家高新技术企业,公司拥有5G通信芯片封装技术及自主研发的生产设备,产品主要应用于移动通信、光纤通信及物联网领域,主要合作客户包括中兴科技、华为科技等。

AI发展新风口!宏旺半导体ICMAX为智能音响定制存储方案

AI发展新风口!宏旺半导体ICMAX为智能音响定制存储方案

随着智能家居的概念越来越深入人心,智能音响已经成为AI领域最火的话题之一,是国内科技厂商重点投入领域。而作为控制智能家居的重要入口之一的智能音响,相对于手机、电视、平板等产品,具有天然的语音、交互和家居属性,决定了其为未来智能生活的切入口。

从目前来看,不管是全球科技大厂还是国内厂商,近一两年都陆续“加码”智能语音交互系统,Strategy Analytics预计,全世界大约有6000万家庭目前拥有至少一台智能音箱。有预测认为,到2024、2025年全球智能音箱市场规模将达到300亿、400亿美元,智能音箱作为家庭设备,拥有“一机一户”的广阔前景。

面对这一发展趋势,家居高度智能化的未来生活模式将极大程度上改变智能音响对于数据存储的需求。针对这一广阔应用前景,宏旺半导体ICMAX为智能音响量身定做的存储解决方案,以新一代NAND Flash为存储介质的eMMC 产品性能优越,主要表现在ICMAX eMMC容量选择范围广泛,速度快,使用寿命长,能更好地满足智能音响存储的需要。LPDDR作为直接与CPU交换数据的内部存储器,ICMAX LPDDR拥有更快的速度,更低的功耗,让智能音响更快应答。

AI智能音响的内部结构相较于其它智能产品内部结构明朗,其技术核心全部集中在一块PCB板子上了,最重要的组成就是SOC和嵌入式存储eMMC与LPDDR,它们在整个智能音响工作过程中起着重要作用。

ICMAX在智能音响模组上应用

先简单了解一下智能音箱提供内容和服务的工作原理:例如向智能音响说一段话,麦克风录制语音,存储在LPDDR中,CPU从LPDDR读取数据,然后将处理后的数字信号通过网络上传至云端服务器;云端服务器将进行语音数字编码识别和语义理解,随后将在云端得到的目标指令再通过网络传递给智能音箱存储在LPDDR中,CPU再从LPDDR中读取数据,执行相应的指令。

在整个流程中可以清楚地看到LPDDR在智能音运行中起着至关重要的作用,作为指令数据的存储载体,LPDDR的读取速度直接影响到与CPU交换数据的速度,影响智能音响的使用体验。现今单一的智能音响已经不能满足现在的需要,带屏幕的智能音响也将是未来音响的发展趋势之一,实现音、频、图、文于一体,需要运用到容量大体积小的存储载体eMMC,而对于一般智能音响SLC Nand-flash即可满足需求。

宏旺半导体ICMAX在智能音响存储上拥有丰富的行业经验,能为客户带来专业化具体化性价比高的存储选择方案,更加有助于实现智能音响成本低、体积小、移动方便、功率低等特点,更好地应对智能化家居需求。

更多详情请登录官网:http://www.icmax.com.cn/ 或关注宏旺半导体微信公众号
商务合作请联系:139 2522 9292

集邦咨询:次世代存储器有望于2020年打入市场,资料中心等特殊领域率先采用

集邦咨询:次世代存储器有望于2020年打入市场,资料中心等特殊领域率先采用

集邦咨询:次世代存储器有望于2020年打入市场,资料中心等特殊领域率先采用

不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。为了在有限甚至不改变现有平台架构的前提下找到新的解决方案,Intel Optane等次世代存储器近年来广受讨论。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)认为,次世代存储器与现有解决方案各有优劣,最关键的机会点仍是在于价格。集邦咨询还表示,目前包含Intel、三星与美光等存储器厂商皆已投入次世代存储器解决方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。

以Intel为例,Optane是以3DxPoint为设计基础的服务器类产品,由于现在已经推出与市面上服务器模组能够完全兼容的DIMM。对主机板设计厂而言,同样的插槽可以依据整机成本的考量,自由更换服务器存储器模组或Optane解决方案。

然而,由于次世代存储器尚未规模化与标准化,因此成本较高,所以厂商目前几乎都锁定在资料中心等特殊应用,尤其是超大规模资料中心拥有相对高程度的客制化设计,可以针对不同存储器规划新的配置。

近年来由于智能终端装置的普及加上人工智能技术逐渐成熟,使得大部分应用服务皆借由服务器来进行整合,尤其是需要倚赖庞大数据进行运算与训练的应用服务。此外,伴随着虚拟化平台及云储存技术的发展,服务器需求与日俱增,同时也带动超大规模资料中心(hyperscale datacenter)的成长。

根据集邦咨询调查显示,全球超大规模资料中心的建置数量将于2025年预计达1,070座,2016年至2025年CAGR达13.7%。

现有存储器价格有望在2020年止跌反弹,成为次世代存储器切入机会点

从市场面来看,DRAM与NAND目前皆处于供过于求的状态,使得现有存储器解决方案价格仍维持在低点。以DRAM来说,价格持续下跌基本上是受到服务器与智能手机需求下滑的影响,从而导致消耗量急冻与库存攀高;而NAND则是因为竞争者众多,而陷入市占争夺的状态,且由2D NAND转向不同程度的3D NAND造成供给位元大幅度增长。综合以上所述,2019年的DRAM与NAND价格同时快速滑落,而且NAND的价格正逐渐逼近厂商的现金成本。

现有存储器解决方案价格越来越便宜,对次世代存储器来说并非最好的切入点,但展望未来,需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能,可望带动2020年的存储器价格止跌反弹,让次世代解决方案有机会打入市场。

集邦咨询认为,市场在未来的几年间,将会在特殊领域当中逐渐增加次世代存储器的考量与运用,成为现有解决方案的另一个新选项。

长电科技新一届高管名单出炉:周子学任董事长,李春兴任CEO

长电科技新一届高管名单出炉:周子学任董事长,李春兴任CEO

上个月底,长电科技宣布了新董事会成员,日前新一届高管成员亦已正式确定。

根据此前公告,长电科技新一届董事会由9名董事组成,包括非独立董事周子学、高永岗、张春生、任凯、Choon Heung Lee(李春兴)、罗宏伟,独立董事石瑛、PAN QING(潘青)、李建新。

新一届董事会成员确定后,谁将担任长电科技新董事长成为了业界关注焦点。5月17日,长电科技发布公告称,公司召开第七届董事会第一次会议,会议表决通过了一系列议案,选举确定了董事长人选,并聘任了CEO及一众高级管理人员。

公告显示,会议表决通过了《关于选举公司第七届董事会董事长的议案》。长电科技第七届董事会董事一致选举周子学先生为公司第七届董事会董事长,任期自2019年5月17日至2022年5月16日止。

公告介绍称,周子学现任本公司董事,中芯国际集成电路制造有限公司董事长、执行董事及中芯国际若干附属公司之董事,亦任中国电子信息行业联合会副会长兼秘书长、中国半导体行业协会理事长。周子学在工业和信息化领域有逾三十年的经济运行调节、管理工作经验,出任现职前在工业和信息化部工作,曾任总经济师、财务司司长等职。

此外,该会议审议通过了《关于聘任公司首席执行长(CEO)的议案》。根据公司董事长周子学提名,经提名委员会审核,一致同意聘任Choon Heung Lee(李春兴)先生为公司首席执行长(CEO),任期自2019年5月17日起至2022年5月16日止。

公告表示,Choon Heung Lee(李春兴)现任长本公司董事、首席执行长(CEO)兼星科金朋CEO,同时兼任本公司若干附属公司之董事、董事长。历任安靠研发中心负责人、全球采购负责人、高端封装事业群副总、集团副总、高级副总、首席技术长(CTO),在半导体领域有20年的广泛封装经验,拥有较强的国际化项目管理能力和领导能力等。

除了董事长、CEO两大职位,长电科技其他主要高级管理人员也确定下来,包括聘任吴宏鲲为董事会秘书、聘任罗宏伟为执行副总裁、聘任穆浩平为首席财务长,聘任俞红为首席人力资源长、聘任Choon Heung Lee(李春兴)为首席技术长。

值得一提的是,前任董事长王新潮以及前任副董事长张文义亦出现在新任人员中。

公告指出,王新潮先生为公司创始人,为公司的发展做出了重大贡献,经董事会审议,一致同意聘任王新潮为公司名誉董事长,任期自2019年5月17日起至2022年5月16日止。公告表示,王新潮将继续利用其在集成电路封装测试行业的影响力以及公司治理、战略统筹等方面的丰富经验,为公司发展提供指导和帮助。

公告还称,张文义先生为公司的发展做出了重大贡献,经董事会审议,一致同意聘任张文义先生为公司总顾问,任期自2019年5月17日起至2022年5月16日止。张文义先生将继续为公司发展和经营决策提出建议与意见。

在长电科技新一届高管成员中,新任董事长周子学同时亦为中芯国际董事长,未来国内最大晶圆代工厂中芯国际和最大封测厂长电科技之间的关系将更加密切,有利于进一步提高国内制造与封测两个环节之间的协同性。

随着新一届高管落定,长电科技在发展策略及方向等方面是否有所调整?这将有待其后续揭晓。

一场跑车般的毫秒级别之争!屏下指纹测试三星竟然意外翻车?

一场跑车般的毫秒级别之争!屏下指纹测试三星竟然意外翻车?

如果说2018年是异形屏和全面屏手机做主角的一年,那么2019年必然是属于屏下指纹手机爆发的一年了。随着屏下指纹技术的成熟和成本合理化后,屏下指纹解锁的应用就像雨后春笋一般出现,几乎成了现今中高端机型的标配了。近日更是应用到了高性价比的千元旗舰realme上。

百花齐放自然是好事,但是也有不少人发现屏下指纹识别质量也有参差。借着这个契机,我们决定做一期屏下指纹识别横评,从内至外全方位客观测试并点评时下热门带屏下指纹识别技术的机型,看看效果是否真如宣传那样牛逼。

测试机型简介

这次我们挑选了四台时下热门的屏下指纹识别机型,分别是华为P30、三星A70、OPPO Reno、三星S10+。每款机型的配置我们就不多赘述了,相反我们需要好好介绍一下它们的屏幕质量和参数。因为屏下指纹识别技术和手机屏幕质量本身是息息相关的,让我们先介绍完屏幕再作深入探讨。

首先是华为P30,它配备了一块6.1英寸的OLED水滴全面屏。官方宣称这块屏幕采用了9层纳米真空光学镀膜工艺,在实际体验过程中,手指和屏幕接触还是相当顺滑的。P30在指纹识别方面,采用了屏下光学指纹识别方案。

其次是三星S10+,它配备了一块6.4英寸的超感官Dynamic AMOLED曲面全面屏,官方对这块屏幕非常骄傲,称屏幕在基材、寿命、亮度以及色彩方面都有全面提升。在指纹方面,三星S10+搭载了专属的超声波屏下指纹,利用超声波脉冲,检测指纹的3D纹理解锁。

然后来到OPPO Reno,它配备了一块6.4英寸康宁第六代大猩猩玻璃AMOLED屏幕,屏幕做到了无刘海,不愧为真全面屏手机。指纹解锁方面,OPPO Reno采用的是光学屏幕指纹解锁方案,官方称全面升级结构和识别算法,采用补偿式投光方案,让整个区域亮度均匀。

最后是三星的A70,它配备了一块6.7英寸的Super AMOLED屏幕。指纹识别方面,A70同样拥有屏下指纹识别技术,不过解锁方案并不是S10+的超声波屏下指纹解锁,而是市面上最常见的光学屏幕指纹解锁技术。

屏下指纹识别,屏幕也是关键

近年来无论是消费者还是厂商们,都在疯狂追求屏占比高的手机外观。这个时候就有一个矛盾的问题出现,传统的指纹识别技术会明显影响到高屏占比的设计发展。无论是前置还是后置的电容指纹识别模块,都不利于打造唯美的全面屏手机。所以砍掉传统指纹识别技术是大势所趋,屏幕指纹解锁技术就应运而生了。

所谓的屏幕指纹识别技术,就是通过手指按压在屏幕上,由屏幕下方的指纹识别模块采集指纹信息进行比对,而进行解锁的新技术。现在市面上的机型主要采用了超声波、光学指纹识别技术,可以穿透各种不同的材质,从而达到识别指纹的目的。

和传统指纹最大的区别,就是不用和指纹识别模块进行直接的接触,这时候屏幕就成了最重要的媒介了。毕竟屏幕、玻璃和面板的材质、厚度、通透度等参数会直接影响到屏幕指纹识别模块的采样质量。

既然这是一期屏下指纹横评,理论说完后,就进入实践测试阶段了,我们针对屏下指纹识别的特性设计了几个关卡让被测机型进行比拼,得分计算方式是:根据各环节的第一名得4分,第二名得3分,第三名得2分,第四名得1分,然后经过综合计算每台机型所得总分来决胜负。话不多说,马上公布测试结果。

Round 1:指纹采集

指纹采集的过程中,一般分为手指核心范围的录入和指纹附近范围的录入两个步骤的,所以我们也针对每款机型分别记录了次数。在核心范围录入次数来说,华为P30所需录入次数最少。而最多则是三星S10+。而指纹附近范围录入次数最少的是三星S10+,最多的是OPPO Reno。得分方面按照总录入数进行评分,录入次数越少则得分越高。虽然指纹采集并不是直接影响解锁质量的环节,但是也可以让大家作为一个参考。

得分:

  1. 1、(华为P30总录入次数:15次)4分
  2. 2、(三星S10+总录入次数:15.5次)3分
  3. 3、(三星A70总录入次数:16.5次)2分
  4. 4、(OPPO Reno总录入次数:19.5次)1分

Round 2:解锁速度

从解锁速度方面来看,毫无疑问,华为P30解锁用时占了绝对的优势。OPPO Reno和S10+紧跟其后,时间用时最长的是三星A70。如果从屏幕指纹解锁原理方面来说,则是两款非三星机型的光学识别方案名列一二名,而三星机型的超声波和光学指纹分别位列三四名。

得分:

  1. 1、(华为P30平均速度:0.223秒)4分
  2. 2、(OPPO Reno平均速度:0.33秒)3分
  3. 3、(三星S10+平均速度:0.523秒)2分
  4. 4、(三星A70平均速度:0.739秒)1分

Round 3:干指解锁

在干手指解锁成功率关节的数据可以看到,华为P30和OPPO Reno两位同事分别十次的测试中均成功解锁,解锁成功率达100%。而三星S10+则有一次解锁失败,解锁成功率为95%,三星A70有4次解锁失败,解锁成功率为80%。

得分:

  1. 1、(华为P30干指解锁成功率:100%)4分
  2. 2、(OPPO Reno干指解锁成功率:100%)4分
  3. 3、(三星S10+干指解锁成功率:95%)2分
  4. 4、(三星A70干指解锁成功率:80%)1分

Round 4:湿指解锁

在湿指解锁成功率测试环节数据可以看到,主打湿指解锁的三星S10+和华为P30的解锁成功率为100%,OPPO Reno的解锁成功率为90%,而三星A70的解锁成功率为50%。

得分:

  1. 1、(华为P30湿指解锁成功率:100%)4分
  2. 2、(三星S10+湿指解锁成功率:100%)4分
  3. 3、(OPPO Reno湿指解锁成功率:90%)2分
  4. 4、(三星A70湿指解锁成功率:50%)1分

Round 5:油指解锁

在油指解锁环节,我们会在录入过指纹的手指上涂上植物油,然后进行全覆盖的按压解锁。在测试数据可以看到,华为P30的油指解锁成功率为100%,OPPO Reno和三星S10+分别以95%和90%的解锁成功率分列二三名,最后的名次则是三星A70的70%解锁成功率。

得分:

  1. 1、(华为P30油指解锁成功率:100%)4分
  2. 2、(OPPO Reno油指解锁成功率:95%)3分
  3. 3、(三星S10+油指解锁成功率:90%)2分
  4. 4、(三星A70油指解锁成功率:70%)1分

Round 6:半按解锁

最后来到半按指纹解锁成功率的测试环节,测试过程为录入过的指纹按压屏幕时候只放置一半的指纹信息在屏幕显示位置。简单说就是屏幕显示的指纹录入区域里,我们的手指指按一半,另一半是按压在区域外面的。然后测试下来可以看到,华为P30和OPPO Reno解锁成功率都为100%,紧随其后的是三星S10+的90%解锁成功率,最后则是三星A70的25%的解锁成功率。

得分:

  1. 1、(华为P30半按解锁成功率:100%)4分
  2. 2、(OPPO Reno半按解锁成功率:100%)4分
  3. 3、(三星S10+半按解锁成功率:90%)2分
  4. 4、(三星A70半按解锁成功率:25%)1分

综合赛果

经过六轮测试后,根据各项得分综合后的赛果如下:

得分:

  1. 1、华为P30总得分:24分
  2. 2、OPPO Reno总得分:17分
  3. 3、三星S10+总得分:15分
  4. 4、三星A70总得分:7分

结语

从总分可以看到,华为P30以压倒性的分数位居第一,而OPPO Reno以2分之差领先三星S10+,排名最后的则是三星A70。虽然各环节对于屏幕指纹解锁的测试权重不一,但是我们测试已经是做到公平竞赛了。并且得分已经尽可能地直观呈现出四台智能手机的屏幕指纹解锁的差距。

值得一提的是,目前市面上绝大多数的屏幕指纹解锁机型所采用的方案都来自汇顶科技、神盾科技和高通指纹解锁方案。而这次横评被测试机型中刚好就覆盖了这三个不同的屏幕指纹解锁方案的厂商,可以透露下,华为P30和OPPO Reno都是采用了汇顶科技的光学屏幕指纹解锁方案;而三星S10+则采用了高通的超声波屏幕指纹解锁方案;三星A70则采用了神盾科技的光学屏幕指纹解锁方案。

从结果导向来说,无疑汇顶科技的解锁方案在目前来说是相当成熟的,无论什么场景下的解锁成功率还是速度,都得到了客观事实的认可。相较之下,高通超声波屏幕指纹解锁技术在湿指解锁方面有一定优势,但是在综合环境下还是略显逊色。而神盾科技的解锁方案则显得还有比较大的进步空间。虽然三者在解锁速度上都是毫秒之差,但是这在日常使用中的体验却差天共地了。

台积电包揽全球所有5G调制解调器代工订单

台积电包揽全球所有5G调制解调器代工订单

随着第一批5G智能手机逐步上市发售,5G调制解调器(MODEM,也被称为基带处理器)芯片成为手机厂商开始关注和采购的重要零部件。据台湾媒体最新消息,全球半导体代工巨头台积电已经拿下了全球所有纯芯片设计公司的5G调制解调器代工合同。

纯芯片设计公司也就是“无厂”芯片公司,他们只进行芯片产品设计和销售,并不开设芯片制造厂,而是将代工委托给了台积电这样的专业代工厂。

据台湾地区媒体报道,台积电负责代工的5G调制解调器,包括了美国高通公司的骁龙X50以及华为海思公司的巴龙系列芯片。

据业内人士透露,台积电已开始为高通和海思量产5G调制解调器芯片,并正在为2019年下半年台湾联发科公司Helio M70 5G调制解调器的生产做准备。这三家公司第一批5G调制解调器解决方案将使用台积电的7纳米工艺制造。

消息人士称,台积电还从Unisoc公司获得了5G调制解调器的订单,该公司此前被称为展讯锐迪科公司,隶属于大陆半导体企业紫光集团。Unisco公司计划于2019年年底或2020年初进行批量生产。

据报道,Unisoc原本计划推出一款使用英特尔调制解调器的高端5G智能手机芯片解决方案,但后来推出了自己的5G调制解调器。

Unisoc此前披露,其首个名为IVY510的5G调制解调器将使用台积电的12纳米工艺制造。

众所周知的是,三星电子是全世界第一家销售5G手机的智能手机厂商,该公司最近宣布,其5G通信芯片解决方案已投入批量生产,用于最新的高端移动设备。这些产品中包括三星的首个5G调制解调器解决方案Exynos Modem 5100,该解决方案使用三星的10纳米LPP工艺。

三星电子是全球最大规模的消费电子巨头,旗下拥有内存、闪存等芯片业务,同时拥有大规模的半导体制造厂,因此三星电子能够依靠自家的工厂来生产5G调制解调器。

之前,在苹果和高通公司签署和解协议之后,英特尔公司宣布退出手机调制解调器业务,未来也不再研发5G调制解调器,不过现有的4G调制解调器仍然会继续生产和支持。

调制解调器是智能手机内部两大最重要芯片之一,负责手机接入运营商的移动基站,另外一个芯片是应用处理器,相当于智能手机的“CPU”。也有一些厂商将调制解调器和应用处理器整合为一个芯片,即“手机系统芯片”(SOC)。

威刚、群联营运升温

威刚、群联营运升温

储存型快闪存储器(NAND Flash)报价急跌,使得下游价格甜蜜点浮现,加速采用NAND Flash的固态硬盘(SSD)在笔电和服务器渗透率快速拉升,也让威刚、群联等相关业者本季营运增温。

存储器业者透露,为消化目前庞大的NAND Flash,高容量的SSD正是最好的去化主力产品,因此今年各大厂都力拱个人电脑大厂全力抢攻SSD。

另外,过去几乎没有存储器模组厂能直接把产品卖进个人电脑大厂,但随着NAND Flash价格已跌破原厂成本价,让很多模组厂拿到的货源,成本比原厂还具优势,为存储器模组厂带来机会。

由于目前SSD和传统硬盘价差大幅缩小,加上原厂持续开出96层3D NAND及QLC NAND新产能,促使个人电脑大厂加快导入SSD,业界预期将使SSD笔电市场渗透率由去年的55%提高到今年的65%;甚至也加速导入在服务器领域运用比重。

威刚表示,该公司SSD销售自去年第4季以来,每月出货量与产品平均容量均稳步向上,目前单月营收占比已高达25%,写下二年多来新高。

三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元 预计明年Q1量产

三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元 预计明年Q1量产

据新华社5月17日报道,三星半导体存储芯片二期项目在西安的投资将超过140亿美元。

据了解,三星半导体存储芯片项目于2012年成功入驻西安高新区,主要生产“V-NAND”闪存芯片。2014年5月,项目一期竣工投产。值得注意的是,一期项目计划投资金额为70亿美元,但实际总投资比计划投资额超过了30亿美元,高达逾100亿美元。

至于二期项目,三星电子早在2017年曾表示,未来3年内将向其西安工厂投资70亿美元,用于生产NAND闪存芯片。而目前,三星二期项目已于2018年3月开工建设,预计今年7月份建成,2020年一季度实现量产。

根据三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基表示,三星半导体的存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元,主要分为两个阶段,其中第一阶段投资70亿美元,尽管第二阶段的详细计划还未出炉,但预计会超过70亿美元。

KLEVV科赋全新CRAS C700 RGB NVMe M.2 SSD 和电竞内存条将于台北国际电脑展盛大展出

KLEVV科赋全新CRAS C700 RGB NVMe M.2 SSD 和电竞内存条将于台北国际电脑展盛大展出

新兴内存大厂艾思科 (Essencore),将于2019台北国际电脑展(Computex) 展出旗下品牌科赋( KLEVV)备受瞩目的全系列旗舰产品,包含即将上市的RGB PCIeM.2 SSD固态硬盘和内存条。

继去年成功首度亮相之后,今年 5月 28 日至  6 月1 日,艾思科将再次于台北南港展览馆- M0619a展出旗下科赋的最新系列产品。

绚丽多彩CRAS C700 RGB NVMe M.2固态硬盘

KLEVV科赋于今年COMPUTEX将首次展出新品CRAS C700 RGB NVMe M.2固态硬盘,提供玩家在游戏、平面设计、视频剪辑等各种使用情境中,都能感受无与伦比的效能和速度。CRAS C700 RGB的铝合金材质的散热片提供优异的热传导性能,使产品在最短的时间内散热以确保产品正常运行。此外,CRAS C700 RGB导光条采用不规则的宝石立体切割外型,能让绚丽的RGB灯光效果多角度均匀散射,让主板的流光效果更加璀璨夺目。

CRAS C700 RGB采用市面上常见的M.2 2280接口规范,并采用PCIe Gen3x4超高速界面,并支持NVMe 1.3标准,效能表现大幅超越非PCIe界面的固态硬盘。CRAS C700 RGB的读取与写入速度最高可分别达1500MB/秒与1300MB/秒,并有120GB,240GB与480GB三种容量。而针对想要体验CRAS C700的极致效能和速度但又不需要RGB灯效的用户,KLEVV科赋也将提供无RGB配置CRAS C700标准版可供选购。

CRAS C700 RGB采用KLEVV科赋独家研发的散热片特殊设计,最高能降低27%的SSD核心温度,提升产品寿命、耐用性及稳定性,并确保在长时间使用的情况下效能依然稳定。CRAS C700 RGB也支持市面上各大主流主板品牌RGB灯效同步控制软件,让用户得以轻松定制个性独特的灯光效果。为提供更精致与多元的灯光组合,CRAS C700 RGB共使用8颗可以单独控制的RGB LED灯,并采用10层PCB板,以有效提升可靠度与资料完整度,带给消费者最佳使用体验。

屡获国际大奖肯定的 CRAS X RGB DDR4 电竞内存条及概念新品抢先曝光

科赋最具标志性的CRAS X RGB DDR4 电竞内存条今年发布更高的速度频率系列-包括 3600、4000 及 4266 MHz。科赋 CRAS X RGB DDR4 今年荣获2019德国红点设计奖产品设计类的奖项,足以彰显科赋对产品细节的精益求精与坚持努力。

CRAS X RGB DDR4电竞内存条是游戏、电玩爱好者及超频玩家的首选,高速表现、可控制的RGB灯光与性能卓越的散热片都是为用户量身打造。CRAS X RGB DDR4可兼容于英特尔 (Intel)和 AMD 处理器 (目前支持至 3600 MHz),同时也支持多家厂商的RGB灯效同步控制软件,包含华硕 (ASUS),微星 (MSI),技嘉 (Gigabyte) 和华擎 (ASRock)。

除了即将上市的RGB M.2 SSD 和内存条之外,科赋也将于台北国际电脑展中抢先曝光两款全新概念性产品:可通过蓝牙控制特殊连接功能的U盘,可运用手机APP远端上锁的加密便携式SSD。 敬请光临艾思科/科赋展位,亲身体验品牌领先的技术水准与独到精致的产品设计。

欲了解更多关于艾思科及科赋全系列产品信息,请移至下方网站查询 http://www.essencore.com/ 及 http://www.klevv.com

关于艾思科 (Essencore)
艾思科汇聚了来自半导体与内存行业的精英,其目标是成为全球领先的 DRAM 内存条及NAND Flash 闪存产品供应商。公司的核心目标旨在“改变世界,成为半导体界的领导者”。艾思科的经营策略是采用最先进的技术、结合核心专业人才,提供给客户以最专业、优异与多样化的内存产品。更多详情,请访问官网 www.essencore.com

关于科赋 (KLEVV)
科赋 (KLEVV) 是艾思科旗下的高端消费品牌,主打 DRAM内存条及 NAND Flash 闪存产品。科赋提供的产品包含电竞内存条、micro SD存储卡、U盘及SSD固态硬盘等。科赋致力于提供世界一流品质的产品,所有产品均在韩国设计。科赋的内存条产品先后荣获2015年及2019年德国红点设计大奖的肯定。更多详情,请访问www.klevv.com

中芯绍兴项目明年3月前实现主要产品量产

中芯绍兴项目明年3月前实现主要产品量产

据浙江日报报道,中芯绍兴集成电路项目年底可实现生产线试运行,明年3月前可实现主要产品量产。

2018年3月1日,中芯国际、绍兴市政府、盛洋集团共同出资设立了中芯集成电路制造(绍兴)有限公司,这也是也是中芯国际在上海以外,第一座专门聚焦于特色工艺集成电路制造的晶圆厂。

据了解,该项目是绍兴集成电路小镇建设的核心项目,首期总投资58.8亿人民币,规划建设一条集成电路8寸芯片制造生产线和一条模组封装生产线。该项目主要聚焦微机电和功率器件集成电路领域,专注于晶圆和模组代工,将打造国内领先、世界一流的特色工艺半导体代工企业,达产后可实现年产值45亿元。

根据中芯国际最初规划,该项目最快预计于2019年3月完成厂房结构封顶,9月设备搬入,2020年1月正式投产。