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在晶圆代工市场上，三星公司在14nm节点上多少还领先台积电一点时间，10nm节点开始落伍，7nm节点上则是台积电大获全胜，台积电甚至赢得了几乎所有7nm订单，三星只有自家Exynos及IBM的7nm订单，台积电也因此宣传自己在7nm节点上领先友商1年时间。

再往后呢？三星、台积电也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工艺了，其中在3nm节点上台积电也投资了200亿美元建厂，只不过他们并没有详细介绍过3nm工艺路线图及技术水平。

日前三星在美国的晶圆代工论坛上公布了自家的工艺路线图，FinFET工艺在7、6、5、4nm之后就要转向GAA环绕栅极晶体管工艺了，3nm节点开始使用第一代GAA工艺，官方称之为3GAE工艺。

基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

根据三星的路线图，他们2021年就要量产3GAE工艺了，这时候台积电也差不多要进入3nm节点了，不过台积电尚未明确3nm的技术细节，这意味着三星已经在GAA工艺上领先了。

根据IBS（International Business Strategies）公司CEO Handel Jones的说法，三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间，领先Intel公司2-3年时间，可以说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

但是三星的野心不止于此，目前尚未有公司宣布3nm之后的半导体工艺，目前大家都认为摩尔定律在3nm之后就要彻底失效，遭遇量子物理的考验，而三星则希望借助GAA工艺开发2nm工艺，未来甚至要实现1nm工艺。

日前，重庆市人民政府印发《重庆市推动制造业高质量发展专项行动方案（2019—2022年）》（以下简称《行动方案》），制定了到2025年基本建成链群完整、生态完备、特色明显、发展质量效益显著的国家先进制造业重镇的主要目标。

为实现目标，《行动方案》提出要巩固提升智能产业、汽车摩托车产业两大支柱产业集群，培育壮大装备产业、材料产业、生物医药产业、消费品产业、农副食品加工产业和技术服务产业集群，推动支柱产业向高端迈进。

其中，集成电路作为智能产业的重要领域之一，《行动方案》对其发展作出了详细规划，包括提出到2020年力争累计建成3条晶圆线，到2022年力争累计建成4-5条晶圆线等。

集成电路重点发展方向+重点工程

《行动方案》指出，重庆市集成电路领域需巩固提升电源管理芯片、存储芯片、驱动芯片，培育壮大先进工艺生产线、人工智能及物联网芯片、集成电路设计，研发方向包括下一代存储、宽禁带半导体、硅光集成、异质异构微系统集成。

根据《行动方案》，集成电路领域的重点发展方向涵盖了IP与设计、制造、封测、材料等各产业链关键，具体包括：

加大对集成电路相关IP、KNOW—HOW的积累、引进和保护力度，引进培育图形处理、人工智能、智能传感、汽车电子和工业互联网等领域FabLess企业，提升芯片设计供给能力。推动现有功率半导体领域IDM企业加快产能建设和新品研发，发展高端电源管理芯片。提升模拟及数模混合集成电路发展水平。聚焦大尺寸、窄线宽晶圆制造环节，与国内外集成电路龙头企业共建IDM模式为主的存储芯片生产线，继续做好国际先进工艺Foundry引进，推动MEMS、化合物半导体等多品种、小批量特殊工艺线建设。发展CSP、WLP和MCP等先进封装工艺，形成与设计、制造相匹配的封测能力。加快PCB、衬底片、靶材、电子级化学品等原材料发展，构建完整的集成电路产业链条。

此外，《行动方案》还制定了集成电路发展三大重点工程：

集成电路特色工艺及封装测试制造业创新中心建设工程：聚焦现有基础较好领域，在2019年启动集成电路特色工艺及封装测试、功率半导体等市级制造业创新中心建设，推动创建集成电路特色工艺及封装测试国家级制造业创新中心。

集成电路设计业集聚区建设工程：建设市级集成电路公共服务平台，提供EDA（电子设计自动化）工具、仿真和检测等公共服务，到2020年力争累计引进培育集成电路设计企业50家，到2022年力争累计引进培育集成电路设计企业100家。

多规格晶圆线建设工程：推动现有企业规划晶圆线尽快启动建设，加大在谈项目跟进，到2020年力争累计建成3条晶圆线、到2022年力争累计建成4—5条晶圆线。

《行动方案》提出，在本地人才培养方面要推动在渝高校与国内著名大学、科研院所、知名企业联合举办人工智能、集成电路等学院或二级学院；加快在集成电路、新能源及智能网联汽车等领域建设一批世界级、国家级和市级一流学科和国家级、市级一流专业点。

传感器+集成电路协同发展

此外，智能传感器亦为智能产业的重要领域之一。《行动方案》要求重庆加大智能传感器领域龙头企业引进力度，推动现有传感器生产企业与集成电路企业深化合作，加强基于MEMS架构的智能化产品、组件及生产工艺研发，提高传感器质量。

根据《行动方案》，重庆将重点发展车用激光雷达、毫米波雷达和位置传感器，智能终端用惯性传感器、重力感应传感器和指纹识别传感器，工业机器人用二维/三维视觉传感器、力矩传感器和碰撞传感器。

《行动方案》提出传感器+集成电路协同发展工程，要求加强MEMS与集成电路工艺共性技术和兼容性、小体积、低成本封装工艺等技术工艺研究，推动现有晶圆制造、封装测试企业开放流片及封测业务，加快传感器新品研发投放。

2022年目标突破1000亿元

近年来，重庆大力发展集成电路产业，此前已陆续出台《重庆市加快集成电路产业发展若干支持政策》、《重庆市集成电路技术创新实施方案》、《重庆市集成电路产业发展指导意见》等支持发展政策，该市集成电路产业发展思路日渐清晰。

目前，重庆已聚集了SK海力士、紫光集团、华润微电子、上海超硅等众多知名集成电路产业。据悉，重庆集成电路已安排了4个百亿级任务，目标到2022年集成电路销售收入预计突破1000亿元，其中装备材料100亿元、设计企业200亿元、封装测试300亿元、生产制造400亿元。

2018年由于英特尔14nm产能不足，导致NB处理器芯片供不应求、10nm制程迟迟无法量产，加上竞争者在技术及市场上的威胁，使英特尔备受考验。

根据英特尔于2019年第一季财报电话会议中表示，10nm芯片将于2019年用在NB，然搭载Ice Lake-U处理器的新品需等到2019年底耶诞假期才能上市。

英特尔积极扩产弥补14nm产能不足缺口，同时为10nm及7nm做准备

2018下半年开始，笔电市场笼罩在英特尔CPU缺货压力下，压抑笔电出货动能。造成笔电处理器缺货的主因之一为2018年服务器及PC市场需求超出预期，且英特尔供货政策为优先供给高利润产品，象是用于服务器的Xeon系列及高端NB Core i9/i7/i5系列，因此供给缺口主要集中低端NB处理器。

为解决产能问题，英特尔持续增加支本支出，在美国俄勒冈州、以色列、爱尔兰等地皆有扩厂计划，以解决14nm供货问题，为10nm甚至7nm技术做准备。

另一方面，2019上半年服务器需求停滞力道减缓，英特尔势必会调整其产品线供货比重，预期供给缺口于下半年将逐季改善。竞争对手AMD则于CES 2019推出专门为Chromebook设计的A4、A6处理器，与针对电竞NB的Ryzen+处理器，希望能增加其在PC产品的竞争力。

从AMD 2019年第一季财报来看，其计算与图形业务年减26%、季减16%，主要来自显卡渠道销售疲软，反而部份抵消终端处理器及资料中心显卡的成长。

英特尔10nm将优先量产高端移动处理芯片

英特尔的当前课题即是尽快推出10nm产品，据英特尔说法，2019年第一季已开始生产10nm Ice Lake-U处理器，并于第二季提供Sample给NB品牌厂进行产品验证，新品预计2019年底上市，服务器Xeon系列于2020年推出，桌上型处理器则最晚推出。

Ice Lake-U定位为高效、低功耗高端处理芯片，支援最新VNNI、Cryptographic ISA指令集，针对AI处理及深度学习应用提高执行效能，也针对内显部份做升级，搭配软件也可针对不同游戏需求进行优化，主要应用于轻薄NB及2 in 1等高端机种。

OEM大厂戴尔也表示搭载Ice Lake处理器XPS NB即将发表，配合英特尔量产及笔电验证时程，预期可在2019年底看到产品上市。

综合以上，2019年初英特尔在面临严重缺货问题及竞争者威胁下，选择发表10nm Ice Lack-U高端移动处理器，显示其主要目标还是笔电高端市场，低端处理器缺货并未影响产品推出策略。

随着扩增14m产能的同时，2019上半年终端市场需求疲软，在供给增加及需求减缓的情况下，CPU短缺风波应能在2019下半年获得缓解。

目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中。国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限。今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。

来自集邦咨询半导体研究中心 (DRAMeXchange) 的消息称，预计长江存储到年底扩张达至少60K/m的投片量，与其他竞争者动辄200K/m以上的产能并不算大，但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击，进而导致跌价趋势持续。

在技术方面，为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展，32层堆栈的只是小量生产，64层堆栈是今明两年生产的主力，再下一代则会直接进入128层堆栈，跳过了三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆栈闪存，这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。

在这个问题上，去年长江存储推出了Xtacking结构的3D NAND闪存技术，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。

此外，当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

性能上，长江存储表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

日前，在GSA Memory+高峰会议上，长江存储联席CTO汤强发表了《三维闪存技术发展的展望》演讲，表示为了应对数据量增长对存储器的挑战，长江存储将于今年8月正式推出Xtacking 2.0闪存技术，Xtacking依然会不断进化中。

2017年，全球模拟芯片总销售额为545亿美元，到2022年之前，该市场将以6.6%年复合增长率快速增长，预计到2022年，全球模拟芯片市场规模可达748亿美元。而继2017年电源管理芯片市场增长12%之后，2018年电源管理芯片市场平均增长8%；预计未来仍然会高速增长。2018年中国集成电路产业销售额6532亿元，同比增长20.7%。预计到2020年我国电源管理芯片市场规模将接近900亿元。

但中国芯片高度依赖于进口，自给率仅为14%。而最新消息是，南芯半导体作为国内知名模拟芯片厂商，已完成最新一轮融资。

继2018年年初完成A轮融资之后，南芯半导体近日正式对外宣布已完成近亿元人民币B轮融资，本轮融资由上海市集成电路产业基金领投，国科嘉和跟投，公司A轮投资方顺为资本和天使轮投资方晨晖创投继续追投。

2016 年，南芯实现业界第一颗适用于 Type-C Power Delivery应用的双向升降压充放电管理芯片量产。2018年底，南芯推出SC5001无线充电芯片；2019年年初，南芯的PD协议芯片SC2001通过了USB-IF的PD3.0 DRP认证，并可扩展支持多种市场主流快充协议。南芯的产品已在华为、三星、小米、OPPO等国内外知名品牌的产品中频频亮相，作为核心主控芯片承担产品的主要电能管理职责，并得到认可。

目前，南芯的产品已在华为、三星、小米、OPPO等国内外知名品牌的产品中频频亮相，广泛应用于智能手机、PAD 、笔记本、车载充电器、储能产品等消费电子产品和充电外设产品。

日前，国内模拟芯片设计厂商上海川土微电子有限公司（以下简称“川土微电子”）完成数千万A轮融资。

资料显示，川土微电子成立于2016年5月，是一家模拟芯片设计企业，主要为工业、行业级客户提供模拟芯片产品与IP服务，目前拥有卫星导航专用射频芯片和隔离器芯片两条核心产品线。该公司创始人陈东坡是国内首批射频芯片研发人员，在模拟与射频芯片设计领域有着多年的经验积累。

这次川土微电子的A本轮融资由中汇金领投，Pre-A轮独家投资方磐霖资本跟投。陈东坡向媒体表示，本轮融资资金将用于隔离器系列产品的研发和量产以及后续规划产品线的预研。

近年来，受益于智能手机和汽车电子等下游应用市场，国内模拟IC需求上涨，随着未来汽车电动化及5G通讯等应用领域的发展，国内模拟IC市场仍将呈现较高成长性。

然而，目前国内模拟IC市场被TI、ADI、英飞凌等国际厂商占据了绝大部分份额，国产芯片自给率较低，模拟IC的国产替代显得尤为重要，川土微电子完成融资有望提升自身技术，推动国产模拟IC发展。