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中国天风证券分析师郭明錤发布最新研究报告指出，市场对指纹识别芯片厂神盾在中国屏幕下指纹识别市场的进展太过悲观，中国智能手机市场庞大，能同时共存两家厂商，并看好神盾挟成功出货三星之经验，有可能在今年下半年成为 vivo 和华为屏幕下光学指纹识别的第二供应商。

郭明錤指出，预期神盾将分别在今年中和第四季取得 vivo 和华为的屏幕下光学指纹识别订单，原因包含神盾已出货三星屏幕下指纹，累积了解决品质问题的经验，且屏幕下指纹手机市场快速增长，让客户有更强动机寻找第二供应商以分散供应风险，以及神盾能协助客户改善自家演算法效能等三大因素。

郭明錤预估，华为今年第四季机型屏幕下指纹的 3 家供应商将分别是汇顶、神盾、万亿易创新 / 思立微；同时更看好联发科旗下汇顶和神盾都将是屏幕下指纹手机高速成长的最大受益者。

报告也指出，预估 2019 年屏幕光学指纹识别手机出货量年增幅将高达 900%-1,000%，总量则上看 2.8 亿支，这样的高速增长将逼使品牌厂商寻找第二供应商以分散供应风险，因此有利中国市场的后进者神盾；不过，即使神盾成为中国市场第二供应商，也无碍汇顶的领先优势，且中国市场规模庞大，能够同时容纳两个重要供应商共存。

由于半导体发展趋势，在相同晶圆面积下填入更多晶体管，势必使线宽逐渐微缩，但尺寸微缩却有限制，其闸极线宽极限约在3～5nm间(线宽愈小则电阻值愈大)，使得科学家试图找寻在不微缩线宽尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩尔定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶绝缘体技术，即为解决方法之一。

所谓SOI技术是由Si晶圆透过特殊氧化反应，使氧化层(Buried Oxide)形成于Si层与Si晶圆间，最终产生Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构，由于SOI的半导体特性(低功耗、高性价比与低制造周期等)，使得元件拥有取代线宽较大(16-12nm)之FinFET结构优势。

磊晶技术发展，无助于SOI生成上之演进

SOI的发展脉络可追朔至1960年中后期，由于半导体为了追求适当的绝缘材料作为基板，逐渐开发出以蓝宝石基板为基础而成长的Si磊晶层SOS(Silicon on Sapphire)技术，为SOI原型，但由于蓝宝石基板价格昂贵，目前已较无人使用此技术。

另一方面，日商Canon也于2000年初，针对SOI技术开发ELTRAN(Epitaxial Layer TRANsfer)成长方法，虽然SOI最上层之Si层材料可由磊晶方式成长，且条件易于控制，但整套流程需经阳极氧化(形成多孔性Si层)、磊晶、高温氧化、键结、分离蚀刻与氢气退火等步骤，过程十分繁琐，因而这项技术最后也无疾而终。

若以现阶段SOI生成技术评估，主要可分为离子布植及晶圆接合等方式进行，相关技术有以下几种：SIMOX(Separation by IMplanted OXygen)、BESOI(Bond and Etch-back SOI)与Smart-Cut等，作为后续供应现行SOI晶圆之方法。

三大SOI生成方法，以Smart-Cut技术独步群雄

以SIMOX技术为例，成长SOI方法主要透过离子布植机，将大量氧离子(O+ ions)打入Si晶圆前缘部分，再透过高温退火(1,300℃)使其产生氧化层，最终形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构。

该技术制作的SOI虽较容易，但由于氧离子于离子布植时，难以穿透Si晶圆达到深处，使得Si层只有约50～240nm厚度，因此后续还需经由磊晶成长方式，使Si层厚度增加，达到SOI元件所需的要求。

BESOI成长方式是先透过两片Si晶圆，经高温氧化后形成两片表面氧化层的结构(SiO2/Si Substrate)，再将两片氧化层相互接合并加热(1,100℃)，使其产生键结与退火，最终经CMP研磨后形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构。尽管Si层的厚度已较SIMOX技术相对好控制，但两片氧化层接合之键结良率，仍是SOI晶圆产能的决定关键，需大量时间研磨除去多余Si层。

而Smart-Cut技术则为法国SOITEC开发的方法，可有效加速SOI制作速率。Smart-Cut前半部分将如BESOI技术一般，先将两片Si晶圆经高温氧化形成表面氧化层，然后将其中一片的氧化层以离子布植机打入大量氢离子(H+)，随后再将两片氧化层以亲水性链结(Hydrophilic Bonding)方式相互接合，并加热至400～600℃使氢离子层产生断裂，分离多余的Si层，最终经退火(1,100℃)与CMP研磨后，形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate结构。

借由Smart-Cut方法，确实有效缩减CMP研磨时间(经氢离子层断裂后留下之Si层变薄的缘故)，但两片氧化层的接合键结良率仍是SOI决定要素，尽管如此，Smart-Cut还是能大幅提高SOI晶圆的生成速率，有效降低SOI晶圆成本，并得以驱使现行的光通讯元件、物联网与车用芯片领域加速发展。

集成电路是信息产业的核心。记者5月15日从最新一期《深圳市人民政府公报》获悉，深圳市政府日前发布《关于加快集成电路产业发展的若干措施》《深圳市进一步推动集成电路产业发展行动计划（2019－2023年）》，推进深圳集成电路产业重点突破和整体提升。

《若干措施》出台多项有“含金量”的措施：

在支持企业做大做强方面，《若干措施》规定，深圳集成电路企业年度营业收入首次突破1亿元、3亿元、5亿元、10亿元、20亿元的，分别给予企业核心团队100万元、200万元、300万元、400万元、500万元的一次性奖励，每上一个台阶奖励一次。

在支持突破关键核心技术方面，《若干措施》提出，每年由政府主管部门征集产品需求，遴选项目，面向全球招标悬赏任务承接团队，根据项目需求和专家评议结果，对承担并完成核心技术突破任务的单位（或联合体），给予该项技术研发费用最高50%的资助。

《若干措施》鼓励高校、科研机构开展前沿技术研发，对获得国家最高科学技术奖的，给予获奖人1000万元的一次性奖励；对获得国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科技进步奖特等奖、一等奖、二等奖的获奖人或牵头实施单位，分别给予300万元、200万元、100万元的一次性奖励。

对我市集成电路企业采用融资租赁方式开展技术改造的，《若干措施》提出按照融资租赁利息的5个百分点给予贴息，贴息年限最长不超过3年，单个项目资助最高不超过1500万元，且不超过企业融资成本。《若干措施》鼓励集成电路企业通过上市、收购控股上市公司、新三板挂牌等直接融资方式募集资金，分阶段给予最高不超过1000万元资助。

《行动计划》提出突破短板补齐芯片制造和先进封测缺失环节，同时发扬长板着重提升高端芯片设计业竞争力。以龙头企业为载体，积极布局用于数据中心和服务器等的高端通用芯片技术研发。依托深圳电子信息产业优势，围绕5G通信、人工智能、智能终端、物联网、汽车电子、超高清视频等高端新兴应用领域的市场需求，强化产品开发能力。

《行动计划》还提出，依托本地重点通信设备企业和高校，引进国内知名应用、器件和材料企业，共同成立5G中高频器件制造业创新中心，以整机企业需求为导向，研发5G中高频器件的材料、制造、封装、应用技术，推动成果产业化，提升通信整机产品的竞争力。

在中国传统文化中，60年被称作一甲子，也代表一个新周期的开始。

2018年，正是集成电路产业诞生60年。

1958年9月12日，美国德州仪器实验室工程师杰克·基尔比，成功地把电子器件集成在一块半导体材料上。就此，一个影响世界的产业诞生了。

如果没有它，智能手机会罢工，工厂的大型机器会瘫痪，哪怕是乘坐电梯回家都会成为难题，更别说涉及国家安全命脉的国防军工、信息安全等领域了。

日前,杭州国芯科技正式宣布获得1.5亿元人民币B轮融资，由国投创合国家新兴产业创业投资引导基金领投，创新工场跟投。正值资本寒冬之时，国芯获得本轮融资引人瞩目。

在杭州，像国芯科技这样走在前列的企业不是唯一。

与国芯科技隔江相望，阿里巴巴旗下的杭州中天微系统公司作为国内自主知识产权32位嵌入式CPU（中央处理器）供应商之一，其产品是列入国家核高基（“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”的简称）重大专项的国产CPU领域标志性成果，并在多家杭州企业形成产业化应用，技术水平处于国内领先，部分指标已经达到国际先进水平。

在集成电路的设计领域，作为首批7个国家集成电路产业设计基地之一、浙江省集成电路的核心区域，杭州更是集聚了一批优秀的设计企业——士兰微作为国内集成电路芯片设计与制造一体化企业（IDM）之一，名列2018年我国集成电路设计行业第七位；华澜微拥有一系列集成电路IP核，专注于计算机和服务器高速接口芯片，其接口桥芯片（Bridge）出货量居全球第三；杭州中科微电子有限公司研发的北斗导航芯片也是国内能与GPS芯片性能相比的高端芯片之一。

集成电路就跟石油、钢材等工业基础材料一样，是构成现代产业的根本支撑。自2014年6月《国家集成电路产业发展纲要》发布以来，我国各主要城市，包括上海、北京、深圳等城市，都纷纷加快集成电路产业布局。

《2018年度浙江省半导体产业发展报告》显示，杭州集聚了全省80%以上的设计企业和90%以上的设计业务收入。数据显示，2018年杭州对技术人才的吸引力指数首次超过北京，位居全国第一。尤其是2018年科技人才净流入率，杭州以12.6%远超上海的2.07%、北京的0.24%。

为加快国家“芯火”双创基地（平台）建设，充分发挥集成电路产业对信息经济的引领支撑作用，杭州市在2018年7月印发了《进一步鼓励集成电路产业加快发展专项政策》，包括扶持重点项目、企业，统筹安排各级专项资金、鼓励金融机构对给予信贷优惠等。

2018年1月16日，枕一湖清水而建的青山湖科技城内，一座以智能传感器及芯片设计研发、封装测试和智能传感器应用集成为产业方向的小镇——青山湖微纳智造小镇正式启动。

小镇启动建设后，多个国家科技重大专项项目相继落户，目前，小镇已累计引进26个总投资79.2亿元的微纳产业项目、13位“千人计划”专家。

杭州奕力科技有限公司是2017年青山湖科技城高层次人才创业创新大赛冠军项目的获得者。从2018年初签约入驻，3月注册公司，到半年后样机问世，奕力科技的速度，折射出企业自身的发展活力，更展现出微纳小镇对高端人才的虹吸效应。

“杭州市集成电路产业涵盖设计、制造、封测、材料和装备等全产业链领域，尤其在嵌入式CPU、微波毫米波射频集成电路、数字音视频等细分领域，杭州设计处于国内领先地位。未来我们也将在招引方向上进一步突出设计领域，补齐短板的同时也把长板做大做强。”杭州投资促进局相关负责人表示。

5月15日，中芯国际宣布与中芯宁波订立框架协议，内容有关货品供应、提供或接受服务、资产出租、资产转移以及提供技术授权或许可。该框架协议有效期自2019年1月1日起至2021年12月31日止。

中芯宁波框架协议持续关连交易将包括：1.买卖备品备件、原材料、光掩模板及制成品；2.提供或接受服务，包括但不限于：(a)委托加工及测试服务；(b)采购服务；(c)研发及实验支持服务；(d)综合行政、后勤、生产管理及资讯科技服务；(e)提供水、电、煤气及热能服务；3.出租厂房及办公场所等资产；4.资产转移；5.向中芯宁波提供技术授权或许可。

中芯国际认为，订立中芯宁波框架协议以及与中芯宁波进行持续关连交易将使公司能够支持客户在智能家居、工业和汽车电子、新一代无线电通信、增强现实、虚拟现实、混合现实和其他专业系统中的集成电路设计和产品开发。中芯宁波将继续为公司带来一个有效和完整的客户和产品组合。 

中芯宁波成立于2016年10月，是一家向全球客户提供高电压模拟、射频前端及光电集成技术方面的专业半导体制造和设计支持服务的公司，在宁波有一座200mm的中端专业工厂。截至这次公告日期，中芯国际与国家集成电路基金分别持有中芯宁波已注册资本约38.57%和32.97%。

5月15日上午消息，一加在北京时间今（15）日凌晨于海外推出旗舰定位新机一加7 Pro。该产品搭载骁龙855处理器芯片、弹出式前置镜头与后置三摄，海外版本参考价格为669美元（约合人民币4599元）。

该机的外观在此前经过多轮准确曝光，和传闻一致，一加7 Pro配有一块6.5英寸OLED曲面屏。通过升降式结构来进一步提升正面屏占比。机身中框材质为金属，背面为玻璃，并且取消了3.5毫米耳机孔。新机拥有灰/蓝两个基本配色可选，相对特殊的杏仁色，当场并没有透露发售时间。

屏幕是这款产品的主要卖点之一，甚至在发布会前刘作虎就针对屏幕刷新率等技术进行了微博上的科普。具体来说这块屏幕屏幕比例为19.5：9，分辨率为2K级别、屏占比为93%；支持90Hz的刷新率并拥有最高800nit的亮度与HDR+功能。

一加7 Pro是一加首款采用弹出式设计的产品，前置镜头为1600万像素的单镜头。弹出模组据官方数据包括：弹起用时0.53秒、可承受23公斤重量、300，000次升降；按照每天使用150次的频次算，能用五年半。而生物解锁方式也固定位屏下指纹。

相机部分根据一加在发布会上描述拿到了DxO综合评分111分的成绩，在总分上超越了华为Mate 20 Pro的109分。在照片的单项成绩则为118分，与华为P30 Pro的119只有一分之隔。

在参数部分，一加7 Pro后置三摄模组分别是4800万主摄（索尼IMX586，7P，F/1.6光圈）、1600万广角和800万像素长焦（3倍光变，F/2.4，OIS），功能则主打夜景2.0技术。
后置三摄（图片来自于外媒）后置三摄（图片来自于外媒）

其余部分，这款手机还拥有4000毫安时容量电池、30瓦快充、 UFS 3.0高速闪存（也是这一规格的存储在手机上首次商用）、横向线性马达、0.21秒识别的屏下指纹、液冷散热等功能。
新机售价新机售价

具体到发售环节，一加7 Pro全球发售时间为5月17日，其中6+128GB版的北美参考售价为669美元（约合人民币4599元），8+256GB版的价格则是699美元（约合人民币4879元）。此外该机还拥有12+256GB的顶配版，北美参考价为749美元（约合人民币5148元）。

最后一加还准备了非曲面屏的标准款手机一加7，相比较Pro版，该机将采用水滴刘海造型（没有弹出设计），以及非曲面屏幕，镜头部分为后置双摄电池容量则调整为3700毫安时。大家可以将之看成一加6T的核心升级版。

这款产品的6+128GB版本在欧洲的售价为559欧元（约合人民币4308元）。