近日，第二届数字中国建设峰会在福州海峡国际会展中心召开，据悉，福建省漳州高新区与福建一轮善淳科技发展有限公司牵手成功，双方将共同打造一个国家集成电路级单晶硅拉棒量产示范厂。
会上，总投资6亿元的集成电路级别单晶硅项目在第二届数字中国建设峰会的全省数字经济重大项目集中签约仪式中上台签约，该项目是高新区首个在数字中国建设峰会上签约的项目，漳州高新区和福建一轮善淳科技发展有限公司将携手打造一个国家集成电路级单晶硅拉棒量产示范厂。
据了解，未来该项目主要建设集成电路单晶硅拉棒量产示范厂，规划总建筑面积约为3.7万平方米，生产8-12英寸集成电路用单晶硅，年产单晶硅约900吨，达产后估算年销售收入达12亿元以上。该项目属于国家战略产业发展方向，是集成电路产业中较为重要的产业链条，将填补国内多项空白，对漳州高新区集成电路产业发展意义重大。
今年的谷歌I/O开发者大会已正式拉开帷幕，谷歌Nest Hub Max、Google Pixel 3a和Pixel 3a XL手机等硬件，以及Android Q新系统正式亮相。
与Android P系统相比， Android Q在以下方面进行了升级：
支持5G网络；
可折叠交互体验，为折叠手机作出优化；
Live Captions 实时视频字幕，支持所有APP；
Smart Reply 智能回复，谷歌表示该功能注重用户隐私；
新增 Dark Theme 深色主题与Focus Mode 专注模式；
安全与隐私提升。
首批支持Android Q系统的手机品牌共有13个，分别是Pixel，一加，TEcno，小米，ASUS，华为，索尼，诺基亚，OPPO，LG，Essential，vivo，realme。
适配机型分别是：华硕Zenfone 5z、Essential Phone、华为Mate 20 Pro、LG G8 ThinQ、 诺基亚8.1、一加6T、 Oppo Reno、Realme 3 Pro、索尼Xperia XZ3、Tecno Spark 3 Pro、vivo X27、vivo NEX S、vivo NEX A、小米9、小米Mix 3 5G.
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）研究显示，今年NAND Flash产业明显供过于求，固态硬盘（SSD）厂商大打价格战，导致PC OEM用SSD价格大跌，预期512GB与1TB等高容量SSD合约均价，在今年底前每GB均价将跌破0.1美元的历史新低水平，这转变将使得512GB SSD取代128GB，成为仅次于256GB的市场第二大主流规格。而PCIe SSD的市场渗透率，也受惠于与SATA SSD近乎同价而有机会挑战50%大关。
集邦咨询研究协理陈玠玮指出，2018年笔电SSD搭载率已首度突破50%大关。由于主流容量128/256/512GB SSD合约均价自2017年高点迄今已大跌超过50%，加上512GB与1TB SSD合约均价在年底前，每GB均价将跌破0.1美元，将刺激出大量取代500GB与1TB HDD（传统硬盘）的需求，预期2019年SSD搭载率将落在60∼65%。
在SSD价格方面，根据集邦咨询最新的调查显示，2019年第二季主流容量PC-Client（计算机终端）OEM SSD合约均价已连续下跌六个季度，其中SATA SSD合约均价较前一季下跌15∼26%、PCIe SSD部分则下跌16∼37%。
造成第二季价格持续下跌的原因，包括第二季PC、智能型手机、服务器及资料中心OEM端，客户对于后市销售趋于保守，以及手中库存水位偏高，导致备货动能疲弱，让NAND Flash市场持续严重供过于求。SSD领导厂商为求积极去化手中64/72层3D NAND库存而大打价格战，加上英特尔3D QLC SSD带来的比价效应。
展望第三季，即便有传统销售旺季与苹果新机备货需求加持，需求端有机会较上半年好转，加上多数NAND Flash原厂放缓扩产计划并宣布减产抑制供给量，然考虑产业链库存水位仍偏高下，陈玠玮预期，第三季SSD主流容量合约价持续走跌的机率仍偏高，但跌幅可望收敛。
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5月8日，国务院总理李克强主持召开国务院常务会议，决定延续集成电路和软件企业所得税优惠政策，吸引国内外投资更多参与和促进信息产业发展。
会议指出，集成电路和软件产业是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业。通过对在华设立的各类所有制企业包括外资企业一视同仁、实施普惠性减税降费，吸引各类投资共同参与和促进集成电路和软件产业发展。
受访的业内人士均认为，该政策对集成电路行业是利好，也是良好的政策导向，目前全球半导体行业处于周期性的低谷期时，税收优惠政策延续性显得更重要。
日前，浙江省衢州市政府印发《衢州市工业数字化转型三年行动计划（2019-2021年）》（以下简称“行动计划”），计划到2021年全市数字经济核心产业制造业营业收入超230亿元。
《行动计划》中提及，通过3年努力，打造“一区一基地”，其中“一区”指全省产业数字化转型示范区，“一基地”指省级集成电路产业基地。
省级集成电路产业基地将重点发展集成电路材料和高纯电子化学材料，完善集成电路产业规划，出台专项政策，加大支持力度。积极引进软件及大数据、云服务、物联网、人工智能等相关制造企业，做大做强数字经济核心产业。
在《行动计划》制定的重点任务中，提出要壮大信息技术基础产业，积极引进集成电路先进工艺生产线、等重大项目和行业龙头企业，着力补齐产业链条，完成产业配套。推动集成电路、元器材及电子化学材料等基础产业迈向价值链中高端，实现做大做强。
《行动计划》将集成电路材料、电子化学材料、新型元器件及材料、网络安全、软件和信息服务等列为基础产业发展重点领域。
其中，集成电路材料领域将实现12英寸生产线零突破，带动封装测试、关键装备和材料配套发展，推进省级集成电路产业基地建设；电子化学材料领域将发展电子级氢氟酸等各类湿化学品及电子级硅烷等各类电子特气，以及液晶显示材料。
5月8日，晶圆代工厂中芯国际发布其2019年第一季度业绩报告。一季度中芯国际营收、净利均有所下滑，但宣布12nm工艺开发进入客户导入阶段。
数据显示，中芯国际一季度实现销售额6.69亿美元，环比下降15.1%、同比下降19.5%，中芯国际表示主要由于一季度晶圆付运量减少及产品组合改变所致；实现毛利1.22亿美元，环比下降9.0%、同比下降44.6%，毛利率为18.2%；实现公司拥有人应占利润1227.2万美元，环比下降53.7%，同比下降58.2%。
一季度中芯国际在产能方面有所提升，月产能由2018年第四季的451325片8吋等值晶圆增加至2019年第一季的466575片8吋等值晶圆，中芯国际表示主要由于2019年第一季北京300mm晶圆厂产能扩充所致。
中芯国际联席首席执行官赵海军在报告中表示，一季度为今年营收低谷，产业库存周期调整结束，中芯努力耕耘的新成熟工艺平台也准备就绪，模拟与电源管理芯片、CMOS射频与物联网芯片等新应用带动业绩成长。
值得注意的是，中芯国际联席首席执行官梁孟松透露，中芯国际FinFET研发进展顺利，12nm工艺开发进入客户导入阶段，下一代FinFET研发在过去积累的基础上进度喜人，上海中芯南方FinFET工厂顺利建造完成，开始进入产能布建。
展望今年第二季度，中芯国际预计季度收入入增加17%至19%，毛利率介于18%至20%的范围内。
随着汽车电子、工控等应用领域蓬勃发展，市场对碳化硅（SiC）的需求持续增长，国内外碳化硅企业陆续扩产，日前碳化硅大厂Cree（科锐）也宣布将投资10亿美元扩大碳化硅产能。
5月7日，Cree发布新闻稿中表示，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大碳化硅产能，在美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。
这是Cree有史以来最大的生产投资，将为Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）业务提供动能。这次产能扩大在2024年全部完工后，将带来碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和碳化硅材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长。
5年的投资将充分利用现有的建筑设施North Fab、并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂，其中4.5亿美元用于North Fab，4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory），1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
Cree首席执行官Gregg Lowe表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是现有的供应却远远不能够满足对碳化硅的需求。”，他相信这次扩产大幅增加的产能将满足Wolfspeed 碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。
Cree旗下Wolfspeed是全球领先的碳化硅晶圆和外延晶圆制造商，整合了从碳化硅衬底到模组的全产业链生产环节，在市场占据主导地位。据悉，Cree的碳化硅衬底占据了全球市场近40%份额，在碳化硅器件领域的市场份额亦仅次于英飞凌。
此前，Cree相继与英飞凌、意法半导体等厂商签署多年供货协议，为这些厂商长期供应碳化硅晶圆，以满足工业和汽车等应用领域持续增长的市场需求。
目前除了Cree，罗姆前不久也宣布将扩大用于电动车等用途的碳化硅电源控制芯片产能，日本昭和电工近两年来曾三度宣布对碳化硅晶圆投资扩产，国内山东天岳等企业亦在进行产能升级，下游代工厂也在加速布局，碳化硅市场正在持续升温。
美光 (Micron) 和英特尔 (Intel) 的“分手”很快将迎来正式官宣。
根据科技媒体Tom’s Hardware最新消息，在5月3日提交给美国证券交易委员会(SEC)的监管文件中，美光公司表示，合资企业Intel-Micron Flash Technology (IM Flash) 中英特尔所持有的非控股股权出售事宜将预于10月31日完成。
IM Flash成立于2006年，旨在联手美光和英特尔，共同合作研发NAND Flash和3D XPoint技术。这是一种非易失性内存技术，将会使用在英特尔Optane产品中。
早在2018年7月，两家公司宣布，在今年上半年待第二代3D XPoint的研发工作完成后，将停止在3D XPoint技术上的合作。采用3D XPoint技术的产品的销售将不受影响，但在后续对该技术的研发上，英特尔和美光则将各自保持独立，不会通过合资企业IM Flash来进行。
2018年10月，美光表示将收购英特尔持有的IM Flash股份。但这笔分割操作并没有很果断——英特尔表示，美光必须至少等到2019年1月1日才会购买其在IM Flash中的股份。不过，这似乎只是时间的问题，因为美光在1月15日已宣布，它仍将推进收购英特尔所持有IM Flash的49%股份的计划。
根据提交给监管机构的文件，英特尔明确在5月3日告诉美光科技，这笔交易将于10月31日完成。文件中还提到，美光预计将向英特尔支付约13 至 15亿美元现金，以购买英特尔持有的IM Flash和IM Flash成员所欠英特尔债务的非控股权益，并确认获得约1亿美元的GAAP财务收益。”
若交易按计划进行，美光和英特尔将距离“自由”越来越近。但仍有一些悬而未决的问题，比如说英特尔声称，美光雇佣了一名Intel前工程师经理，这有可能会泄露出3D XPoint的相关信息。
具体情况如何，也只有等到那个时候，我们才知道这笔交易对3D XPoint和英特尔Optane产品的发展意味着什么。
集邦咨询：NAND Flash产业供过于求，512GB SSD价格或跌破新低
根据全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）研究显示，今年NAND Flash产业明显供过于求，SSD厂商大打价格战导致PC OEM用SSD价格大跌，预期512GB与1TB SSD合约均价在年底前有望跌破每GB 0.1美元的历史新低水平，这将使得512GB SSD取代128GB，成为仅次于256GB的市场第二大主流规格。而PCIe SSD的市场渗透率，受惠于与SATA SSD近乎同价，而有机会挑战50%大关。
集邦咨询研究协理陈玠玮指出，2018年NB SSD搭载率已首度突破50%大关。由于主流容量128/256/512GB SSD合约均价自2017年高点迄今已大跌超过50%，加上512GB与1TB SSD合约均价在年底前有机会跌破每GB 0.1美元，这将刺激出大量取代500GB与1TB HDD的需求，预计2019年SSD搭载率将落在60-65%的水位。
SSD第二季合约均价下跌逾两位数，第三季跌幅可望收敛
SSD价格方面，据集邦咨询最新的调查显示，2019年第二季主流容量PC-Client OEM SSD合约均价已连续六个季度下跌，其中SATA SSD合约均价较前一季下跌15-26%、PCIe SSD部分则下跌16-37%。
造成第二季价格持续下跌的原因包含：对于第二季PC、智能型手机、服务器/资料中心OEM端，客户对于后市销售趋于保守且手中库存水位偏高，导致备货动能疲弱，让NAND Flash市场持续严重供过于求；SSD领导厂商为求积极去化手中64/72层库存，大打价格战；以及Intel 3D QLC SSD带来的比价效应。
展望第三季，尽管在传统销售旺季与苹果新机备货需求加持下，需求端较上半年有机会好转，且多数NAND Flash原厂放缓扩产计划并宣布减产抑制供给量，但是考虑到产业链库存水位仍偏高下，陈玠玮预期，第三季SSD主流容量合约价持续走跌的机率仍偏高，但跌幅可望收敛。
价差大幅缩小，PCIe今年将取代SATA界面成为市场主流
从各SSD业者的产品进度来看，目前各家主流产品线已全数切换至64/72层SSD以256/512GB容量与PCIe界面为主力产品，最新的96层SSD新品则于今年第一季起逐步放量。
此外，从第二季合约价均价来看，Premium等级PCIe SSD和SATA SSD目前只有不到6%的价差，Value等级PCIe SSD和SATA SSD更是几近于零价差。在Value等级PCIe SSD的助攻下，PCIe界面预期将在今年取代SATA界面成为市场主流。
作为全国集成电路重要城市，深圳正在进一步加速产业发展。日前，深圳市人民政府办公厅印发《深圳市进一步推动集成电路产业发展行动计划（2019-2023年）》（以下简称“《行动计划》”）、《关于加快集成电路产业发展若干措施》（以下简称《若干措施》）。
5年行动计划：2023年整体销售收入突破2000亿元
根据《行动计划》，深圳市规划到2023年，建成具有国际竞争力的集成电路产业集群，提高设计水平和制造工艺水平，提升自主创新能力，突破一批关键核心技术，形成一批骨干企业和创新平台，在重点产品和技术上形成突出的比较优势，支撑和引领深圳市战略新兴产业高质量发展。
《行动计划》为深圳市集成电路产业制定了6大发展目标、5大主要任务。未来5年，深圳市集成电路产业将以做大产业规模、提升技术水平、完善产业链条、强化平台服务、完善生态体系为发展目标，以补齐芯片制造和先进封测缺失环节、提升高端芯片设计业竞争力、加快培育第三代半导体、推进核心关键技术突破、强化产业支撑服务水平、形成产业发展强大合力为主要任务。
发展目标中提及，到2023 年，深圳市集成电路产业整体销售收入突破2000亿元，设计业销售收入突破1600亿元，制造业及相关环节销售收入达到400亿元，引进和培育10家销售收入20亿元以上的骨干企业。
为补齐芯片制造环节，深圳将投资建设1-2条8-12英寸生产线，其中先进工艺制造重点引进12英寸先进工艺生产线，特色工艺制造布局建设8-12英寸特色工艺生产线；在第三代半导体方面，深圳将布局建设6英寸GaN射频器件生产线、基于SBD和MOSFET工艺的6英寸SiC生产线、基于HEMT工艺的6-8英寸Si基GaN生产线以及4-6英寸高纯半绝缘SiC衬底和n型SiC衬底等材料项目。
值得一提的是，为完善集成电路产业投融资环境，深圳将积极参与国家集成电路产业投资基金，做好本地项目储备。通过政府引导基金设立集成电路子基金，基金目标规模500亿元，首期为100亿元。
6大措施真金白银支持产业发展
除了对未来5年产业发展做出详细规划，深圳还发布了《关于加快集成电路产业发展若干措施》，将从健全完善产业链、核心技术攻关、新技术新产品研发应用、加大投融资力度、完善人才体系等多方面制定具体措施，为该市集成电路产业发展提供强有力支持。
健全完善产业链方面，深圳市将专项支持重大项目、支持企业做大做强，加大产业空间保障等，其中深圳市集成电路企业年度营业收入首次突破1亿元、3亿元、5亿元、10亿元、20亿元的，分别给予企业核心团队100万元、200万元、300万元、400万元、500万元的一次性奖励。
核心技术攻关方面，深圳市将建设核心技术攻关载体、支持突破关键核心技术、支持布局前沿基础研究，其中对获得国家最高科学技术奖的，给予获奖人1000万元的一次性奖励；对于获得国家自然科学、国家技术方明奖、国家科技进步奖特等奖、一等奖、二等奖的获奖人或牵头实施单位，分别给予300万元、200万元、100万元的一次性鼓励。
新技术新产品研发应用方面，深圳市将支持公共服务平台建设、加强对设计企业流片支持、加强对设计企业购买设计工具支持、鼓励推广应用等，其中对从事集成电路EDA设计工具研发的企业，每年给予EDA研发费用最高30%的研发资助，总额不超过3000万元。
加大投资力度方面，深圳市将降低企业融资成本、鼓励企业上市募资等，其中提及鼓励集成电路企业通过上市、收购控股上市公司、新三板挂牌等直接融资方式募集资金，分阶段给予最高不超过1000万元资助等。
完善人才体系方面，深圳市将支持引进人和留住人才，支持微电子学科建设，其中提及将建立集成电路领军人才库，加强对各类集成电路人才的支持力度，对符合深圳人才标准的科研项目带头人、技术骨干和管理人才等领军人才，在住房保障、医疗保障、子女就学、补贴奖励、创新创业等方面给予优先支持。
此外，《若干措施》中还提及支持集成电路环保配套，对集成电路制造企业建设废水、废气、固体废物等污染防治设施，给予建设费用最高50%的资助，资助金额最高不超过1000万元。
一口气发布两大新政，可见深圳市对于集成电路产业发展的高度重视。数据显示，2018年深圳集成电路行业将实现销售收入897.94亿元，其中IC设计业销售额为758.7亿元，是连续6年的全国集成电路设计业老大。随着《行动计划》和《若干措施》的出台及实施落地，深圳市集成电路产业有望迎来新一轮发展。
