昨日，OPPO广东移动通信有限公司宣布其首部5G智能手机顺利通过国际检测服务机构“Sporton International Inc.”的5G CE测试，并获得由CTC advanced GmbH签发的5G CE认证证书。
CE认证的获得意味着OPPO 5G手机已经完全符合欧盟设定的包括无线、安全、电磁兼容、健康等多个方面的标准，具备进入欧洲市场的必要条件，同时，这一认证的获得也是OPPO 5G手机正式在欧洲落地商用必不可少的一步。
青山湖科技城每年1亿元扶持发展集成电路产业
不久前，浙江省经信厅、省财政厅联合下发《关于公布2019年度工业与信息化重点领域提升发展工作实施名单的通知》，每年将拨出2000万元资金扶持临安集成电路产业发展。青山湖科技城借力发力，近日出台了《关于推进以集成电路产业为核心的微纳产业发展专项政策（试行）》，每年将安排1亿元扶持资金，扶持集成电路产业发展。
扶持对象为：注册地且经营场所、税务征管关系及统计关系在青山湖科技城范围内的微纳相关企业，包括特色工艺晶圆制造、半导体高端装备制造、半导体先进封装与加工、芯片设计测试与集成应用等产业。
1.租金补助 对租用楼宇、厂房用于研发生产的企业，按照先交后补的方式，给予3年的租金补助，单个企业每年租金补助总额不超过100万元。
2.鼓励做大 对入驻的成长型小微企业年度主营收入首次达到2000万元、5000万元和1亿元以上的，分别给予企业50万元、70万元和100万元的一次性奖励。
3.支持创新 鼓励企业加大科研创新，研发投入在100万元-300万元之间的，给予其实际研发投入的20%补助（最高补助不超过60万元）。
4.力挺“高人” 鼓励高层次人才在微纳产业领域创新创业，经评审最高给予1000万元的创业发展资金资助，按任务节点分期拨付。
5.引才有赏 对企业引进的微纳产业紧缺专业人才，分别给予本科、硕士、博士每人3万元、7万元、10万元（含临安区级补贴）的一次性生活补贴。给予微纳产业紧缺专业本科人才三年每人每月800元的租房补贴。鼓励企业与教育机构合作，建立微纳产业紧缺人才培养基地，给予企业连续三年每年最高100万元的资助。
6.特事特办 对市场前景好、产业升级带动作用强、经济发展支撑大的特别重大项目，以“一事一议”方式给予综合扶持。
扶持政策自2019年3月1日起执行，试行期为三年。
阿里达摩院去年卖出约2亿颗芯片，首款自研NPU将发布
3月21日，阿里云“云栖大会”召开。阿里云智能总裁张建锋在会上透露了达摩院的最新进展。
张建锋表示，阿里达摩院目前约有1100名员工，达摩院在IoT端嵌入式芯片发展非常快，去年销售约2亿片芯片，阿里自研的第一款NPU芯片很快会流片，并在今年下半年正式发布，性能将在同等芯片里面领先十倍以上。
2017年10月11日，阿里达摩院正式成立，芯片是其研究领域之一。
达摩院主要做两类芯片：NPU——针对AI应用提高数据处理能力；以及一些端上芯片，推进云端一体化发展。
2018年4月，达摩院宣布正研发神经网络芯片——Ali-NPU，它将可以解决图像、视频识别、云计算等商业场景的AI推理运算问题，并提升运算效率、降低成本。
2018年9月，阿里巴巴宣布将此前收购的中天微和达摩院的芯片业务整合，成立一家叫做平头哥的芯片公司，构建以Ali-NPU智能芯片和嵌入式芯片为核心的芯片战略。
苹果发布第二代AirPods无线耳机，支持语音唤醒Siri
自本周一开始，苹果先后发布新款的 iPad Air、iPad mini 以及 iMac；昨晚，苹果官网继续上新，带来了「让人心心念念」的新 Airpods。第二代 AirPods 无线耳机搭载全新的 H1 芯片驱动，延长 50% 的通话时间，支援语音唤醒 Siri 的功能，还可选购符合无线充电标准的无线充电盒。
source：苹果
第二代 AirPods 外观设计与配色不变，也没有外传的全黑版本。搭载了苹果自行设计、专为耳机开发的全新 H1 芯片，具有特制的音讯架构，比上一代搭载的 W1 芯片将能提供更好的效能、更快的连接时间、更长的通话时间。尤其第二代 AirPods 相较第一代多出 50% 的通话时间，连接时间更快达 2 倍，当搭配 iPhone、iPad 或 Apple Watch 聆听音乐时，AirPods 在各装置间切换比起过往更加流畅。
此外，第二代 AirPods 也如传闻般首度支援语音唤醒 Siri 的免持功能，只要对 AirPods 说声「嘿 Siri」，就能切换歌曲、拨打电话、调整音量或取得导航指引，使用上更简单方便。
第二代 AirPods 随附标准充电盒或者全新推出的无线充电盒，2 种充电盒皆储备额外电量可重复充电，提供 AirPods 逾 24 小时的总聆听时间，也便于随时随地充电。其中无线充电盒的设计，可让用户利用符合无线充电标准的无线充电板进行充电，充电盒正面的 LED 指示灯可一眼得知充电状态，已有 AirPods 的用户还能单独购买无线充电盒。
第二代 AirPods搭配标准充电盒的建议售价为人民币1279 元，而搭配无线充电盒的售价为人民币1599元，至于独立贩售的无线充电盒售价则是人民币 679 元。
现在彷彿「一天一苹果」，当新款?iPad Air 与 iPad mini、iMac、AirPods 接踵而来，难道过去曾公开的 AirPower 无线充电板也快要与消费大众重新见面了吗？此外，下周 25 日将有官方举行的发布会，预期带来类似 Netflix 的串流影音平台以及原创作品，值得期待苹果近期的发布内容。
化合物半导体磊晶厂现况与未来发展观察
传统硅半导体因自身发展局限和摩尔定律限制，需寻找下一世代半导体材料，而化合物半导体材料的高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，恰好符合未来半导体发展所需，终端产品趋势将由5G通讯、车用电子与光通讯领域等应用主导。
化合物半导体市场分析
根据现行化合物半导体元件供应链，元件制程最初步骤由晶圆制造商选择适当特性的基板(Substrate)，以硅、锗与砷化镓等材料作为半导体元件制程的基板，基板决定后再由磊晶厂依不同元件的功能需求，于基板上长成数层化合物半导体的磊晶层，磊晶层成长完成后，再透过IDM厂或IC设计、制造与封装等步骤，完成整体元件的制造流程，最终由终端产品厂商组装和配置元件线路，生产手机与汽车等智慧应用产品。
化合物半导体于终端市场应用
元件产品依循化合物半导体材料特性(如耐高温、抗高电压、抗辐射与可发光)加以开发，将终端市场分为5个领域：电源控制(Power Control)、无线通讯(Wireless)、红外线(Infrared)、太阳能(Solar)与光通讯(Photonics)。
以电源控制为例，由于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等材料有不错的耐高电压和高频特性，因此适合用于制造功率因素校正(Power Factor Correction，PFC)和高压功率放大器(High Voltage Power Amplifier，HVPA)等高功率元件，是现阶段支撑化合物半导体电源控制领域的重要指标。
在太阳能和光通讯方面，由于砷化镓(GaAs)材料具备较佳的能源转换率，以及适合接收来自红光和红外光等波段讯号，因此适合开发太阳能电池(Photovoltaics)和光侦测器(Photonic Detection)等应用场域。
近年手机通讯领域蓬勃发展，带动无线模块关键零组件滤波器(Filter)、开关元件(Switch)与功率放大器(Power Amplifier)等元件需求成长；而砷化镓材料因具有低噪声、低耗电、高频与高效率等特点，已广泛应用于手机通讯并占有重要地位，带动砷化镓磊晶需求逐年提升。
在国防领域，现阶段对红外光的需求(如红外光热影像和高功能夜视镜)以中、长波长红外光(LWIR、MWIR)等军事领域为主，同样带动砷化镓磊晶需求。在生物和医疗领域，由磷化铟(InP)材料作为雷射光源的关键核心，使得相关磊晶需求看涨。整体而言，将化合物半导体多元的材料特性应用于相关元件领域中，可产生许多新的可能性，带动磊晶产业持续发展。
化合物半导体磊晶厂现况
现行化合物半导体商用磊晶制程技术，大致可分成MOCVD(有机金属气相沉积法)和MBE(分子束磊晶技术)，若以成长技术而论，MOCVD成长条件由气相方法进行，透过氢气(H2)或氮气(N2)等特定载气(Carrier Gas)引导，使三族(III A)和五族(V A)气体均匀混合后，再导入反应腔体中，接着透过适当的反应温度(400～800度)，让气体裂解并成长于基板上。MBE成长条件则透过元素加热方式，借由超高真空环境的腔体，将所需磊晶元素加热升华形成分子束，当分子束接触基板后，就可形成所需磊晶结构。
若以量产速率分析MOCVD和MBE磊晶设备的优缺点，MOCVD为气相方式导入反应腔体，其速度较MBE快1.5倍(MBE需时间加热形成分子束)；但以磊晶质量来说，由于MBE可精准控制分子束磊晶成长，因此相较MOCVD有较佳结果。
观察现行磊晶厂发展趋势，虽MBE所需成本较高且速度较慢，但符合国防和光通讯领域等高精密元件产品需求。目前化合物半导体的IDM厂，大多选择以MBE磊晶设备为成长方式，除了IDM厂外，磊晶代工厂英商IQE和IET，亦选用MBE作为厂内磊晶设备。
另一方面，由于MOCVD采用气相成长方式，可快速且大范围进行磊晶成长，虽然其磊晶质量稍不如MBE，但对需要大量、大面积磊晶成长的元件产品有吸引性，例如太阳能电池元件等。目前全球化合物半导体磊晶厂中，主要有6成厂商选择可大范围成长的MOCVD机台；另外4成则选择高精密性的MBE设备。
根据2018年全球化合物磊晶厂预估营收占比可知，全球化合物半导体磊晶产业营收已超过4.9亿美元，且英商IQE营收占整体比例约44%，与2016年营收维持相同比例，稳居磊晶龙头宝座；排名第二的联亚，2018年预估占比依然维持在16%(同2016年)。此外，全新光电营收占比，由2017年17%降至2018年预估的14%；全球MBE磊晶第二大厂IET(英特磊)营收，则由2017年7%降至2018年预估的5%，其衰退原因与中美贸易战和全球手机销售不如预期有关，使得市占率小幅衰退。
化合物半导体磊晶厂未来发展
针对化合物半导体未来的终端市场需求，依照不同元件特性可分为传输和无线通讯的5G芯片、耐高温与抗高电压的车用芯片，以及可接收和回传讯号的光通讯芯片三大领域。借由5G芯片、车用芯片与光通讯芯片的元件开发，将带动未来磊晶厂营收和资本支出，确立未来投资方向。
终端市场未来走向
由化合物半导体发展趋势可知，未来元件需求将以高速、高频与高功率等特性，连结5G通讯、车用电子与光通讯领域的应用，突破硅半导体摩尔定律限制。
▲未来磊晶厂终端产品趋势；Source：拓墣产业研究院
硅半导体元件因受限于电子迁移率(Electron Mobility)、发光效率与环境温度等限制，难以满足元件特性需求，因此当化合物半导体出现，其高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，为元件发展的未来性提供新契机。随着科技发展，化合物半导体的元件制程技术亦趋成熟，传统硅半导体的薄膜、曝光、显影与蚀刻制程步骤，皆已成功转置到化合物半导体上，有助于后续半导体产业持续发展。
关于无线通讯领域的未来发展，现行厂商已逐渐由原先4G设备更新至5G基础建设，5G基地台的布建密度将更甚4G，且基地台内部使用的功率元件，将由宽能带氮化镓功率元件取代DMOS(双重扩散金氧半场效晶体管)元件。在基地台建置部分，目前已集中在IDM厂(如Qorvo、Cree与日本住友电工)，且各代工大厂相继投入，导致市场竞争激烈；此外，中国厂商原先欲借由并购国外大厂进入氮化镓代工市场，却因国防安全为由受阻，因此现阶段中国厂商对氮化镓基地台的发展受限。
为提升无线通讯质量，5G通讯市场将以较小功率消耗和较佳电子元件等特性为目标而努力，因此选择砷化镓和磷化铟等化合物半导体材料，作为PA(功率放大器)和LNA(低噪音放大器)等射频元件(Radio Frequency，RF)。
整体而言，由于砷化镓射频元件市场多由IDM厂(如Skyworks、Qorvo与Broadcom)把持，因此只有当需求超过IDM厂负荷时，才会将订单发包给其他元件代工厂，对其他欲投入元件代工的厂商而言则更困难。由于中国手机市场对射频元件的国内需求增加，且预期5G手机渗透率将提升，或许中国代工厂商的射频制程技术提升后，可趁势打入砷化镓代工供应链，提高射频元件市占率。
在车用芯片部分，由于使用环境要求(需于高温、高频与高功率下操作)，并配合汽车电路上的电感和电容等，使得车用元件体积较普通元件尺寸占比大，透过化合物半导体中，宽能带半导体材料氮化镓和碳化硅等特性，将有助实现缩小车用元件尺寸。
借由氮化镓和碳化硅取代硅半导体，减少车用元件切换时的耗能已逐渐成为可能。以氮化镓和碳化硅材料作为车用功率元件时，由于宽能带材料特性，可大幅缩减周围电路体积，达到模块轻量化效果，且氮化镓和碳化硅较硅半导体有不错的散热特性，可减少散热系统模块，进一步朝车用轻量化目标迈进。
此外，车用芯片对光达(LiDAR)传感器的应用也很重要，为了实现自动驾驶汽车或无人车技术，先进驾驶辅助系统(ADAS)中的光达传感器不可或缺，透过氮化镓和砷化镓磊晶材料满足其元件特性，作为光达传感器所需。
在光通讯芯片领域方面，为了解决金属导线传递讯号的限制和瓶颈，因而开发以雷射光在光纤中作为传递源的概念，突破原先电子透过金属缆线下容易发生电阻和电容时间延迟(RC Delay)现象，且借由雷射光快速传递和讯号不易衰退特性，使得硅光子技术(Silicon Photonics)逐渐受到重视。
由于光通讯芯片对光收发模块的需要，PD(光侦测器)与LD(雷射侦测器)等模块需求上升，带动砷化镓与磷化铟磊晶市场。此外，近年手机搭配3D感测应用有明显成长趋势，带动VCSEL(垂直腔面发射激光器)元件需求增加，砷化镓磊晶也逐步升温，未来3D感测用的光通讯芯片，其应用范围除了手机，亦将扩充至眼球追踪技术、安防领域(Security)、虚拟实境(VR)与近接识别等领域。
磊晶厂未来展望
虽然2018年手机销售量相较2017年略为衰退，且2019年手机销售量将趋于保守，但近年因Apple手机的3D感测技术受到重视，带动非Apple阵营加速导入3D感测市场，促使VCSEL需求增温，对光通讯领域的元件需求有增加趋势，带动2018年部分磊晶厂资本支出成长。
2019年手机销售量可能下滑和5G手机预估渗透率偏低等情形，将影响手机元件市场(如PA和LNA)与磊晶厂营收表现，现阶段5G通讯领域还有待电信营运商的基地台建置和开发市场，2019年营收成长有限，将连带影响磊晶厂部分营收。
车用芯片由于使用环境较为严苛与需承受高电压和高温等条件，多选择氮化镓和碳化硅等化合物半导体；而电动车市场未来将持续小幅成长，带动车用功率半导体元件需求，进而推升氮化镓和碳化硅磊晶营收成长。
此外，先进驾驶辅助系统的光达元件需求逐年提升，促使氮化镓和砷化镓磊晶需求增温，整体而言，未来车用化合物芯片的需求将逐步增加，成为磊晶市场持续成长的主要动能之一。
美光Q2营收超乎预期，预计今年Q4存储器将再回温
存储器大厂美光在 21 日上午公布了截至 2019 年 2 月 28 日为止的该年度第 2 季营收数字。根据数字显示，其营收达到 58.35 亿美元，相较 2018 年同期为 73.51 亿美元，以及第 1 季的为 79.13 亿美元都有减少。而且在税后净利部分，达到 16.19 亿美元，与 2018 年同期的 33.09 亿美元相比，下降 51%，与第 1 季的 32.93 亿美元相比也是下滑。不过，因为第 2 季的营收表现超乎华尔街分析师的预期，也拉抬了美光在 21 日美股盘后股价大幅上涨逾 5%。
事实上，在美光公布 2019 年第 2 季财报之前，因为全球半导体产业的供过于求，加上智能型手机需求的减缓，以及云端运算供应商的采购模式参差不齐，市场原本估计，此市场不景气的状况也将对美光带来严重的冲击。因为美光主要以供应手机及笔记型计算机所需要的 NAND Flash 快闪存储器，以及服务器所使用的 DRAM 为主要营收项目。不过，其公布财报的结果却超乎市场预期。
在从产品面来分析，在 DRAM 业务方面，营收较 2018 年同期下降 28%，较第 1 季则是成长 30%，占总营收比重的 64%。至于 NAND Flash 快闪存储器业务的营收，则是较 2018 年同期下滑 2%，较第 1 季下滑 18%，占总营收的 30%。另外，储存业务部分的营收则为 10 亿美元，较 2018 年同期下降 19%，较第 1 季下降 11%。这是因为来自 SSD 销售金额下降，导致了成长下滑。
由于美光股价自 2018 年 12 月触底以来，到目前反弹了近 40%，主要是受惠于市场预期存储器产业的高库存情况，有望在 2019 年下半年恢复到正常水平所带动。尽管美光对第 3 季的预测低于华尔街预期，但美光表示，2019 年第 4 季市场需求可能会再次回温。
自 2018 年第 4 季 DRAM 价格开始呈现下跌态势以来，目前 DRAM 的每季跌幅从之前的 25%，已经扩大到 30% 上下，创下 2011 年最大的单季价格降幅，而且 DRAM 的库存水平一直在攀升。为了因应这样的市场变化，美光已开始执行支出削减计划，并表示成本控制将有助于抵销芯片价格下降造成的影响，目前美光称已暂停部分工厂产线，以协助保持利润的回稳。
至于，针对预计 2019 年第 3 季营运表现，美光预估营收将收介于 46 亿到 50 亿美元之间，低于分析师预估的 53 亿美元。另外，在资本支出上，预计将把 2019 年的资本支出削减至 90 亿美元，低于之前预估的 90 亿美元至 95 亿美元之间。
市况低迷！传东芝存储器放弃9月IPO计划
时事通信社 20 日报导，从东芝（Toshiba）独立出去、已于 2018 年 6 月卖给以美国私募基金贝恩资本（Bain Capital）主导的「日美韩联盟」的全球第二大 NAND 型快闪存储器（Flash Memory）厂商「东芝存储器」（TMC）的 IPO（首次公开发行）计划生变，将无法如原先预期在 2019 年 9 月进行 IPO，主因为日美韩联盟之间的协商不顺；另外，关于变更公司名称一事，目前是考虑不再使用「东芝」的名称。
关系人士指出，TMC 原先表定会在 3 月内公布将在 2019 年 9 月 IPO 的计划，不过因日美韩联盟间，部分认为应早期 IPO，筹措资金，以追赶海外竞争对手，不过另一方面也有认为在存储器市况低迷环境下，不宜在不利的条件下进行 IPO。因此在上述意见纷歧情况下，TMC 已放弃 9 月 IPO 的计划，相关计划的发表时间也将顺延至 4 月份以后。
路透社 20 日报导，关系人士指出，TMC IPO 时间将从原先计划的 2019 年 9 月延后至 2019 年 11 月，且视市场环境而定、也有可能会进一步延后至 2020 年夏天。
对此，TMC 发言人向路透社指出，「尚未决定上市时间」。
三星宣布推出1Z纳米制程 DRAM，2019 年下半年开始大量生产
在动态随机存取存储器（DRAM）制程陆续进入 1X 及 1Y 制程领域之后，全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布，首次业界开发第 3 代 10 纳米等级（1Z 纳米制程）8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 纳米制程 DRAM 之后，经历 16 个月，再开发出更先进制程的 DRAM 产品。
据了解，新一代 1Z 纳米制程 DRAM，三星在不使用极紫外线光刻机（EUV）的情况下打造，这显示三星进一步提高了 DRAM 的生产极限，并拉高竞争对手的生产门槛。随着 1Z 纳米制程产品问世，并成为业界最小的存储器生产节点，目前三星已准备好用新的 1Z 纳米制程 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求，生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。
三星表示，1Z 纳米制程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年，以因应下一代企业服务器需求，并有望能在 2020 年支援新高阶个人计算机。除了提供市场需求，三星还指出，跨入 1Z 纳米制程的 DRAM 生产，将为全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等预做准备。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米制程产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其高阶 DRAM 市场应用的领导地位，包括服务器、图形和行动装置等领域。
另市场消息指出，与一家 CPU 制造商就 8GB DDR4 模块全面验证后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将面世的存储器解决方案。为了满足目前的行业需求，三星计划增加主要存储器生产比重。
NAND Flash厂商Q2业绩将回升
集邦咨询昨（20）日出具调查报告指出，储存型快闪存储器（NAND Flash）本季合约 价跌幅近20%，将写下2018年价格反转以来单季最大跌幅。不过下季受惠需求回温，跌幅可望收敛，NAND Flash族群包括威刚、群联、宇瞻等可望在本季落底后，营运逐步回升。
集邦旗下的集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，受到服务器需求疲弱、智能型手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，本季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。
DRAMeXchange分析，历经第1季的需求低谷之后，第2季智能型手机、笔记型计算机及服务器等主要需求有望改善，加上NAND Flash供应商纷纷透过抑制资本支出、减缓新制程产出比重，甚至透过减产压抑产出，虽无法立即扭转供过于求的态势，但对于市场环境确实有正面的帮助。
DRAMeXchange预估第2季嵌入式快闪存储器（eMMC/UFS）、固态硬盘（SSD）等产品合约价仍将继续下跌，但跌幅将会收敛至10~15%。
至于产品发展，供应商将眼光转向高容量的UFS及SSD产品，希望透过降价刺激需求增长，也争相以优惠价格竞逐市占；行动装置部分，包含威腾、三星在内的供应商纷纷推出高容量的UFS 3.0产品吸引客户采用，目标藉由效能提升以及价格诱因刺激下半年需求成长，同时供应商也完善UMCP产品线，除刺激中高阶机种往256GB转移以外，也让32GB机种逐渐往64GB转移。
不过随着快闪存储器价格快速下滑，让SSD在笔记型计算机搭载率成长增速，由于服务器和资料中心的SSD仍属毛利率较高，因此也成为兵家必争之地。
英伟达：不急推7纳米绘图芯片
绘图芯片大厂英伟达（NVIDIA）在今年的绘图处理器技术大会（GTC）中，并没有宣布新一代7纳米绘图芯片Ampere（安培）的任何讯息，就连NVIDIA何时可能采用7纳米制程也没有任何时间表。然而NVIDIA总裁暨执行长黄仁勋说，选择12纳米是因为这是对NVIDIA最好的制程，未来会聚焦在运算效率及架构上，并不急于进入7纳米世代。
业界人士指出，NVIDIA已透露在目前主流的绘图芯片Turing（图灵）之后的下一代绘图芯片会是Ampere，预期推出的时间应会落在明（2020）年之后，并且会采用届时已经十分成熟的7纳米制程。也就是说，NVIDIA今年内不会是台积电7纳米量产客户。
超微在今年全面转进7纳米，包括Zen 2架构处理器采用台积电7纳米生产，Vega绘图芯片也导入台积电7纳米制程。根据超微技术蓝图，新一代Navi绘图芯片会再度采用7纳米制程，而且明年开始包括新一代Zen 3架构处理器及Arcturus绘图芯片，会再进行制程微缩，直接采用台积电支援极紫外光（EUV）的7+纳米制程投片。
超微在7纳米及更先进制程的推进积极，但NVIDIA自去年以来一直没有跨入7纳米制程的动作。事实上，NVIDIA去年推出的Turing架构绘图芯片，采用台积电优化后的12纳米制程量产，至于新一代Ampere绘图芯片虽传出可能导入7纳米，但NVIDIA至今并没有推出时间表。也因此，市场十分好奇NVIDIA在先进制程的策略是否出现变化。
黄仁勋对此表示，台积电等晶圆代工厂提供7纳米晶圆制程服务，是开放给他所有的客户使用，要做7纳米制程并不难，但NVIDIA要的是让自家产品更具价值及竞争力，而并不是采用最先进制程就会让芯片效能及效率最佳化。就好像对手新产品没有光线追踪，用7纳米只能勉强追上NVIDIA脚步。
黄仁勋指出，NVIDIA有许多优秀的工程师及员工，Turing绘图芯片功能强大，在人工智能（AI）应用上有许多突出表现，现在采用12纳米的选择，对NVIDIA来说是最好的。绘图芯片应用已进入AI及资料科技的新时代，NVIDIA未来会持续聚焦在提供更好的运算效率及架构。也就是说，现在不急着进入7纳米。