DRAM市场供过于求，第1季产品价格下跌逾2成，市调机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)预期，第2季产品价格可能再跌15%。
DRAMeXchange表示，因淡季效应影响，库存水位依然偏高，买方拉货意愿疲弱，冲击第1季DRAM价格下跌超过2成，其中，又以服务器存储器下跌幅度最大，跌幅逼近3成。
展望后市，DRAMeXchange预期，第2季需求虽可能略有回温，只是先前累积的库存仍需时间去化，第2季供过于求压力仍在，DRAM价格将再跌15%。
DRAMeXchange预估，服务器存储器最快要到第3季库存水位才可望有效降低，产品价格跌幅才会随着收敛。行动存储器则受惠新机效应，第2季需求可望转强，只是产品价格仍难以止跌。
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)
集邦咨询昨（19）日出具调查报告指出，今年上半年DRAM市场仍供过于求，价格持续下跌，不仅本季价格跌幅将超过二成，下季仍持续看跌15%，相当于上半年累计跌价幅度超过三成，比市场原预期更悲观，华邦、南亚科等芯片厂，以及模组厂威刚、宇瞻等，营运将面临下修压力。
法人指出，DRAM价格持续下跌，营收比重较高的南亚科和华邦电首当其冲。南亚科元月营收已由前波高峰新台币85.86亿元降至52.58亿元；华邦也由新台币47.64亿元，降至38.77亿元，反映市况不佳冲击，预料也将导致本季毛利率、获利表现相形失色。
集邦咨询旗下存储器研究DRAMeXchange表示，第1季受淡季效应及美中贸易战响，加上DRAM库存水位仍然偏高，通路和系统厂买盘持续观望，导致需求疲弱，1月各品项DRAM价格跌幅都逾15%，2、3月持续看跌，整季跌幅将超过二成，其中，服务器DRAM跌幅更可能扩大至近三成。
集邦认为，整体DRAM库存去化尚未告一段落，供过于求压力仍在，预估下季跌幅仍达约15%，市况比先前预估更不乐观。
至于下半年各领域应用市况，集邦指出，因市场存在许多地缘政经议题不确定性，终端需求恐受到压抑，加上5G、人工智能、物联网、车用电子等新兴议题仍处于萌芽阶段，虽然DRAM供应商已相继放缓扩产脚步，希望缩小供需差距，但仍不足以支撑价格止跌，但是跌幅应可逐季收敛。
至于各产品别，集邦预估，标准型内存价格第1季持续下滑近25%最高，主流模组8GB价格估下探至45美元以下，预计最快第3季库存水位降低后，跌幅才会收敛。
行动式内存因去年涨幅较少，今年首季跌幅相对较小，都在二成以内，市场静待下季Android阵营新旗舰机发表，希望能带动市场需求，跌幅或许会收敛至10%到15%。
至于利基型内存第2季跌幅约10%至15%， DDR3与DDR4两种产品之间价差仍达15%至20%，短时间内恐难见到价格反转向上。
非挥发性快闪存储器大厂旺宏公告元月营收月增10.6%达新台币22.60亿元，表现略优于市场预期。旺宏过去几年积极耕耘车用存储器市场有成，今年车用NOR/NAND Flash出货持续放量，全球每台新车都有内建旺宏芯片；同时，旺宏今年亦将强攻19纳米SLC NAND及eMMC市场，已获得许多客户青睐。旺宏亦投入3D NAND研发，预期2021年开始出货。
旺宏去年合并营收达新台币369.53亿元，年增8.1%并续创历史新高，归属母公司税后净利达新台币89.93亿元，较前年大幅成长63.0%，每股净利新台币4.94元，优于市场预期。每年上半年是旺宏营运淡季，但日前公告元月合并营收月增10.6%达新台币22.60亿元，表现优于预期。
由于美中贸易摩擦尚未落幕，半导体市场第一季表现疲弱，旺宏董事长吴敏求表示，今年是充满不确定性的一年，上半年最不能预测，下半年若是美中贸易摩擦结束，就会明显变好，但美中纷争要多久才会结束，是见仁见智。
虽然近期大陆同业扩产导致NOR Flash价格松动，但吴敏求对NOR Flash看法不变，高质量的NOR Flash需求仍然十分强劲。而旺宏近年来积极卡位车用电子市场有成，并获得一线车厂及车用电子厂的采用，全球每台新车都有内建旺宏芯片。吴敏求表示，车用或医疗等应用是人命关天的市场，要用保守的态度去做，所以NOR Flash市场还有相当大的成长空间。
旺宏董事会已决议通过新增资本支出预算，将投入新台币142.03亿元扩充高阶制程产能，去年第四季开始投资，包括把12寸厂Fab 5的制程全面升级为19纳米，同时也会将NOR Flash制程由75纳米转进55纳米。旺宏今年将发挥19纳米技术优势，全力提高SLC NAND出货量，同时也将推出e.MMC存储器抢攻新应用市场，持续推升旺宏营运表现。
2月19日，华为消费者业务CEO余承东在微博公布，华为P30新品发布会将于3月26日在法国巴黎召开。
“万物之美，宜远观亦可近读”的宣传语，以及对应的宣传视频透露，P30将在拍照上“大做文章”。
视频来源：华为
据悉，此次华为P30发布会将有P30与P30 Pro两款，都将搭载麒麟980芯片，除了摄像头之外，其他硬件配置区别可能不大。
其中，华为P30可能搭配后置三摄像头，最高有4000万像素，支持5倍无损变焦，前置摄像头像素达2400万。
P30 Pro可能后置四个摄像头，包括3枚拍照用的摄像头，以及一枚3D ToF摄像头，用于提供3D人脸识别、3D建模等功能。
随着发布日期不断临近，相信华为也会陆续“官宣”新品其他重要功能。
集邦咨询预估，2019年第一季度，华为智能手机生产数量将达到4600万台，较去年同期成长近10%，在全球排名第二。
在低迷的智能手机产业环境里，华为成绩出色，原因众多。除因产品线布局完整、海外市场开发见效外，还有成功以P系列以及Mate系列瓜分苹果在中国的高端市场市占。
就在下周即将展开的世界通讯大会 （MWC） 之前，行动处理器大厂高通 （Qualcomm） 正式发表了新一代 Snapdragon X55 的 5G 基频芯片。相较于之前所发表的 Snapdragon X50 5G 基频芯片，X55 5G 基频芯片除了支援端频段的通讯连结之外，还是首款达到 7Gbps 速度的基频芯片，较 X50 的 5Gbps 速度要高出了 40%。
高通表示，新一代的 Snapdragon X55 5G 基频芯片采用 7 纳米的单晶片结构设计。5G 通讯方面，可支援毫米波和 sub-6 （6GHz以下） 频段，达成最高达 7Gbps 的下载速度和最高达 3Gbps 的上传速度。同时，在 4G 网络的连结方面也进行了升级，从 X24 支援的 Cat20，提高到支援 Cat 22，达到最高 2.5Gbps 的下载速度。
而除了支援 5G 和 4G 网络之外，Snapdragon X55 5G 基频芯片还支援 5G 和 4G 网络的共享重叠的频段。这方面的设计，主要是针对 5G 网络初期的建置而来。因为，一开始的5G网络建置，4G 网络寒士必须承载大多数资料流程量，使得如此的设计可以在 4G 及 5G 的网络上直接进行资源的分享。
相较于前一代的 Snapdragon X50 基频芯片，虽然也同支援 5G 网络。但是个缺点是 X50 是采用单模设计，如果要兼容 2G 到 4G 的通讯频段，就需要配合 X24 LTE 基频芯片来相互使用。所以，这也就是之前高通所指示的，必须使用外挂的形式来配合 Snapdragon 855 移动平台来支援 5G 网络模式。
另外，随着 Snapdragon X55 5G 基频芯片的发表，高通也同时发表全新的 QTM525 毫米波天线模块。QTM525 是针对 6GHz以下 5G 和 LTE 的全新单晶片 14 纳米制程射频收发器。配合 Snapdragon X55 5G 基频芯片的使用，可达成在手机产品设计上支援小于 8 毫米的轻薄外形，和目前 4G 手机尺寸接近。
高通还指出，因为 QTM525 体积小的关系，未来搭配 Snapdragon X55 5G 基频芯片将不只运用在手机中，其他包括移动基地台、个人计算机、笔记型计算机、平板计算机、固定无线基地台、以及汽车通讯替统的应用等都可以进行设计。
而高通表示，目前 Snapdragon X55 5G 基频芯片正在对客户出样中，预计 2019 年底将能看到相关商用产品问世。
2月18日，江苏省徐州市2019年重大产业项目集中开工。这次集中开工的全市重大产业项目共228个，总投资1756.4亿元，年度计划投资868.6亿元，项目平均单体投资7.7亿元。
本次集中开工设有徐州经开区主会场及五县两区分会场，其中半导体相关项目包括经开区的碳化硅项目、沛县的汉斯半导体模块项目、守航芯片制造及红外探测器项目等。
邳州市分会场的半导体项目更为集中，如科微光刻胶项目、江苏上合半导体有限公司集成电路封测项目、江苏鲁汶仪器有限公司投资扩建12英寸磁存储器刻蚀机项目、江苏实为半导体科技有限公司投资扩建新型半导体设备MOCVD配套材料项目、徐州海芯微电子有限公司智能语音芯片设计项目等。
其中，邳州科微光刻胶项目是由北京科华微电子材料有限公司投资，规划用地220亩，总投资15亿元人民币，将建设国家级光刻胶工程实验室、248纳米光刻胶量产线及193纳米研发产业基地。该项目建成后预计可年产600吨紫外正性光刻胶、350吨紫外负性光刻胶及万吨高档配套试剂，年产值可达20亿元。
据了解，目前徐州已形成了以徐州经济技术开发区、高新区和邳州市为代表的集成电路产业聚集地。根据规划，徐州把发展集成电路与ICT产业作为重中之重，先期重点发展半导体级多晶硅、光刻胶、光刻机等集成电路材料与设备，中期重点发展封装测试、晶圆制造，后期逐步引进芯片设计、制造，和高端设备制造企业。
目前，徐州已吸引江苏鑫华半导体材料、博康集团电子束光刻机、徐州大晶新材料的千吨级光刻胶及配套试剂项目、江苏天拓半导体的电子束光刻机、邳州稳胜芯片封装、邳州中科大晶高分辨率集成电路封装光刻设备、协鑫大尺寸晶圆项目等企业及项目落地。
日前，半导体设备商北方华创高管发生变动，副总经理金路辞职。
2月18日，北方华创发布公告称，公司董事会于2019年2月18日收到公司副总经理金路先生提交的书面辞职报告，金路先生由于工作调整原因申请辞去公司副总经理职务及北京北方华创新能源锂电装备技术有限公司执行董事、经理职务，辞职后不在公司担任任何职务。
根据《深圳证券交易所中小企业板上市公司规范运作指引》、《公司章程》等相关规定，金路先生的辞职申请自送达董事会之日起生效。公告指出，金路先生的辞职不会对公司生产经营产生不利影响。
资料显示，金路出生于1964年，为硕士、高级工程师、中国化学物理电源协会副理事长兼锂电分会副理事长，曾任国营第706厂总工程师、北京七星华电科技集团有限责任公司华盛分公司总经理、北京七星华创电子股份有限公司电子自动化设备分公司总经理、北京七星华创电子股份有限公司监事及副总经理等。
据了解，北方华创由原北京七星华创电子股份有限公司与北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司重组而成，金路在七星电子任职多年，重组后亦在公司担任要职，算是北方华创的老臣人物。
目前，北方华创未宣布何人接任金路的职务，亦未听闻金路的新去向。
集邦咨询：库存仍高加上需求疲软，第二季DRAM合约价季跌幅达15%
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2019年上半年DRAM产业仍处于供过于求的状态，导致价格持续下跌。第一季受淡季效应影响，加上由去年第四季递延至今的库存水位仍然偏高，因此买方拉货意愿依旧疲软，光是一月份各产品类别的价格跌幅都已经超过15%，预计二、三月价格将续跌，整体第一季的跌幅将超过两成，而服务器内存跌幅更可能扩大至近三成。
展望第二季，DRAMeXchange指出，虽然需求普遍略有回温，但先前累积的库存去化尚需要时间，导致供过于求压力仍在，预估季跌幅约在15%左右。展望下半年，由于市场存在许多地缘政经议题的不确定性，终端需求恐受到压抑，加上5G、AIoT、IIoT、automotive等新兴议题仍处于萌芽阶段，尽管DRAM供应商计划透过放缓扩产脚步进而缩小DRAM供需之间的差距，但仍不足以支撑价格止跌，惟跌幅可望逐季收敛。
行动式内存价格相对持稳，服务器内存跌幅最为显著
从各产品类别来看，标准型内存价格对供需波动反应最为敏感，因此往往是整体价格走势的先行指标，而该产品类别在去年第四季就已经出现10%的季跌幅，延续到今年第一季持续下滑近25%，主流模组8GB价格则下探至45美元以下。
与标准型内存性质最为相近的服务器内存，2017年与2018年涨幅最为剧烈，但在去年下半年服务器的需求成长暂时停滞以后，消化过高的库存水位便成为最重要的课题。以今年首季而言，服务器内存模组价格逐月快速下滑，预计最快要到今年第三季在库存水位有效降低后，跌幅才会开始收敛。以需求端来看，即便网络数据中心客户仍有相当程度的扩张意愿，但因为供给端库存偏高，因此拉货力道尚未明显复苏。
行动式内存则与服务器内存的情况相反，由于2017年与2018年的价格涨幅最少，目前的跌价幅度相对也最小，第一季不论是discrete或是eMCP产品的跌幅都在两成以内。展望第二季，受惠于Android阵营新款旗舰机种发表带动市场需求转强，及库存下降至相对合理水位等因素的支撑下，合约价跌幅将较第一季收敛，然而由于整体需求仍不佳，第二季依旧难以止跌，跌幅约在10%~15%。
利基型内存由于供货厂商众多而需求未见反转，第二季价格可能较第一季下滑约10%~15%，而DDR3与DDR4两产品之间价差仍达15%~20%，短时间恐难见到价格反转向上。
十铨科技公布1月营收新台币5.87亿元，较去年同期成长13.77%，较2018年12月成长1.63%，1月营收攀登九年来同期新高纪录，其中电竞内存营收已稳占DRAM逾4成。为因应2019年的市场挑战，十铨业已完成内部组织微调，整体资源将更聚焦电竞与工控团队的发展。
十铨持续抢攻电竞市场大饼，继去年以 T-FORCE NIGHT HAWK DDR4 及 T-FORCE XTREEM DDR4 桌上型超频内存条，获德国 iF DESIGN AWARD 肯定后，今年再度脱颖而出，T-FORCE XCALIBUR RGB DDR4 荣获 2019 德国 iF DESIGN AWARD，再度展现十铨在电竞超频领域深耕的实力，持续提高品牌国际能见度。
2019 年市场景气虽受大环境多变影响，十铨表示，仍将持续专注电竞与工控业务拓展，以稳健的营运促进集团健康成长。未来5G商转后，可望带动服务器、AI 等产业需求进一步增加，十铨无论在产品、研发、销售、营销、管理模式上皆已进行调整，改变想法与作法，以迎接5G新时代的趋势来临。
日前，瑞士信贷 (Credit Suisse) 董事总经理兼台湾股票研究主管Randy Abrams 表示，许多半导体公司都表示，尽管预计 2019 年第 1 季的前景不佳，但该季可能会触及周期的底部，并且至此开始复甦。而对于 Randy Abrams 的说法， Kiwoom Securities 全球战略与研究主管 Daniel Yoo 也对此表示赞同，并指出半导体产业的低迷周期可能比预期短得多。
Abrams 表示，中美贸易谈判的结果对科技市场气氛非常重要。他进一步指出，许多企业延迟的资本资出，原因就是担心贸易因为中美间的冲突而放缓，使得企业至今还在削减生产，以消耗库存。而且，全球最大的半导体市场中国，市场气氛和需求也受到了不确定的因素所影响。因此。中美间一旦能达成降低关税，或避免贸易冲突加温的协议，将有助于提振整体市场的需求和投资，使得企业增加产能或重建销售的信心。
Daniel Yoo 则是表示，韩国 1 月份的半导体出口虽然下降了 23%。但是，随着美国向中国施压要求其开放国内市场，韩国的芯片制造商可能会从中受惠。韩国的三星电子和 SK 海力士都是全球最大的芯片制造商，中国开放市场将使得能够销售更多的产品。因此，自 2019 年开年迄今为止，亚洲多数半导体类股都出现了强劲上涨的情况。
Daniel Yoo 进一步指出，多数投资者期望在芯片制造商削减资本支出之际，相关的产品会因供给量的下滑，而出现需求反转的情况。这将导致 2019 年下半年，半导体产业供应过剩状况的大幅调整。此外，目前市场上的零件生产商正在谈论，其需求回升的状况可能比市场预期强劲得多。
