南亚科本周法说会 聚焦两大重点

南亚科本周法说会 聚焦两大重点

南亚科将于周二 (15 日) 召开法说会,公布第 4 季与全年获利表现,市场将聚焦南亚科对第 1 季及今年整体市况展望。南亚科去年全年营收创新高、达到 847.21 亿元(新台币,下同),法人预期,南亚科第 4 季每股纯益可望达 2.5 元,全年每股纯益上看 12.5 元,可望写下历史次高成绩。

南亚科去年第 4 季受到美中贸易摩擦影响市场需求,加上 CPU 缺货等因素影响,且 DRAM 销售单价也下修,在价量同步走弱下,使营运表现受到影响,第 4 季营收为 169.57 亿元,季减 3 成,不过,由于前 3 季营运表现相当不错,带动去年全年合并营收达 847.22 亿元,年增率 54.3%,改写历史新高。

从南亚科大股东南亚公告的第 4 季财报来看,共认列南亚科投资收益 23.2 亿元,法人推估,南亚科第 4 季获利将达 79 亿至 80 亿元,虽然获利季减幅度可能超过 3 成,但单季每股纯益可望达 2.5 元,全年每股纯益则预期将超过 12.5 元,写下历史次高纪录。

今年市况方面,据集邦咨询半导体研究中心 DRAMeXchange 最新调查,继去年第 4 季 DRAM 合约价格较前一季大幅修正约 1 成后,受到终端产品需求疲软影响,DRAM 主要供应商纷纷放缓新增产能脚步,以期减缓价格跌势,今年 DRAM 产业用于生产的资本支出总金额约 180 亿美元,年减约 1 成,为近年来最保守的投资水位。

南亚科去年第 4 季起,开始延缓产能扩充与资本支出,去年全年资本支出也由原先的近 240 亿元、下调至 210 亿元,调幅逾 1 成,预期在市况未有太大变化之下,加上三星半导体、SK 海力士与美光均同步下修今年资本支出,南亚科今年资本支出可望比去年更保守。

DRAMeXchange 预期,今年 DRAM 价格仍将逐季修正,第 1 季价格下修幅度约 15%,第 2 季收敛至 10% 以内,下半年除非需求明显改善,否则价格仍将维持约 5% 的季度下修。

金泰克贪狼星内存凶猛上新

金泰克贪狼星内存凶猛上新

继烈焰风暴X3系列之后,金泰克又推出了一款凶猛型产品——贪狼星电竞内存,这款产品从外形设计到频率都做了新升级,尤其强化了散热功能。命名也是采用新系列星宿名,寓意在星宿众将里面代表着智慧的贪狼星,能在游戏杀场上助你一臂之力。

贪狼星目前推出的是2666MHz主流频率,单条容量8GB,8层PCB架构设计,搭载新一代DDR4技术架构,信号传输更稳定更高效,同时兼俱高性能低功耗,工作电压低至1.2V。在颗粒方面,贪狼星每一颗使用的DRAM颗粒,都经过层层筛选测试,性能持久。

金泰克贪狼星电竞内存采用新研制的“疾风”散热马甲,是借鉴高端电竞X系列内存的设计元素和散热参数,设计出1mm双翼对称高效铝制散热马甲,利用散热速度快的铝材质特性和导热胶材质,结合零组件和计算机系统流体力学,在冷热空气对流的过程中加快热传导速率,有效降低内存运作时的温度,延长内存寿命。

在游戏玩家界有一句俗语:一马甲定游戏生死!游戏的时候内存温度会升高,如果你的内存有好的散热马甲,就能更好的提高内存散热,使内存在高负荷运作时拥有更低的温度和更高的可靠性,保障游戏过程中的稳定性。并且这款贪狼星电竞内存的兼容性非常强,多家主板厂商验证测试,兼容Intel主流平台,非常适合游戏玩家用来给电脑升级。

三星拟在印度推出廉价智能手机 迎击小米等对手

三星拟在印度推出廉价智能手机 迎击小米等对手

据路透社14日称,韩国三星电子公司计划在全球发布之前在印度推出一个廉价智能手机系列,旨在在与小米等竞争对手争夺这一全球第二大手机市场的份额。

根据技术研究机构Counpoint的数据,2018年已公布数据的三个季度中,三星在印度以出货量计算的市场份额有两个季度落后于小米。

三星计划在印度推出三款新的M系列手机,只通过其网站和亚马逊印度网站销售,三星印度移动业务负责人Asim Warsi表示,这将有助于该公司将在线销售额翻一番。

Warsi表示:“M系列是围绕着印度千禧一代的消费者打造的,”并补充称,这三款手机将于1月底首先在印度推出,然后将在全球范围内推出。

他表示,这三款印度制造的手机售价在1万卢比(约合141.80美元)至2万卢比之间,将配备体积较大的电池和快速充电等功能。

监管文件显示,截至2018年3月底的12个月里,三星在印度的手机销售额达到3735亿卢比(约合53亿美元)。

三星一直在加大对印度市场的投入。印度拥有超过10亿移动用户,其中约3.5亿用户仍未使用智能手机。

去年,三星在印度首都新德里郊区开设了据称是全球最大的手机生产厂,并在班加罗尔开设了其全球最大的手机商店。

三星的印度业务通过25万家零售店和2000多家专卖店销售手机,并得到了2000家服务中心的支持。

苹果高管:新iPhone考虑用三星和联发科技的5G基带

苹果高管:新iPhone考虑用三星和联发科技的5G基带

据路透社报导,上周五(1月11日)美国联邦贸易委员会(FTC)针对高通的反垄断案的开庭审理过程中,Apple公司供应链主管托尼•布莱文斯在证词中称,Apple公司正在考虑由Samsung电子和联发科技以及现有供应商英特尔公司为2019年的iPhone提供5G调制解调器芯片。

基于此前高通在通信领域的强大技术优势和专利优势,2011年至2016年期间,高通都是Apple基带芯片的唯一供应商,帮助Apple设备连接网络。但从2016年开始,Apple将业务分拆给英特尔和高通。2018年,Apple将最新款手机业务仅由英特尔承接。

据悉,由于英特尔的基带芯片在性能上与高通仍有差距,所以英特尔基带芯片所占的比例还相对较低,有消息称只有不到20%。而且Apple为了平衡不同版本iPhone基带芯片性能的差异,还通过软件限制了高通基带芯片的性能。

布莱文斯在加州圣何塞的一家联邦法院出庭作证时表示,Apple一直在为调制解调器芯片寻找多家供应商,但与高通签署了一项协议,由高通独家供应调制解调器芯片,因为高通在专利许可成本上提供了高额回扣,以换取独家使用权。

2017年,Apple与高通之间的专利纠纷以及专利授权费问题的爆发,双方在全球展开了诉讼,两家公司之间的关系也是急剧恶化。Apple至今为止仍拒绝向高通支付专利授权费。而高通则开始积极谋求禁售非高通基带版本的iPhone。

据第三方拆解机构的信息来看,2017年Apple发布的iPhone仍有采用高通的基带芯片。高通基带版的iPhone 8系列采用的是SnapdragonX16。而英特尔基带版的iPhone 8系列则搭载的是X女生 7480。不过,Apple在iPhone 8当中确实进一步减少了高通基带芯片的比例。2018年推出的iPhone XS / XS Max / XR系列当中,则完全抛弃了高通的基带芯片,选择全部采用英特尔的基带芯片。

Apple一直在寻找新的供应商,而目前从近期AppleCEO库克的表态,Apple与高通短期内部应该不可能和解,那么在基带芯片性能上能够满足Apple基本要求的除了英特尔,可能就只有Samsung、联发科了。同时,布莱文斯表示,Samsung的Galaxy和Note设备与iPhone存在激烈竞争关系,与Samsung进行谈判对Apple来说“不是一个理想的环境”。

Samsung于2018年8月宣布推出旗下首款5G基带芯片——Exynos Modem 5100。据介绍,Exynos Modem 5100是业内首款完全兼容3GPP Release 15规范、也就是最新5G NR新空口协议的基带产品。Samsung表示,已经成功使用搭载Exynos Modem 5100基带的5G原型终端和5G基站间进行了无线呼叫测试,相关产品将会在今年商用。

而在2018年的台北国际计算机展 (COMPUTEX 2018) 的记者会上,联发科正式宣布推出了首款 5G基带芯片 ——M70。联发科预计,2019年将有机会看见搭载联发科5G基带芯片的产品推出。

据了解,2017年11月,业内就曾传出消息称Apple已秘密与联发科接触。而双方合作将包括手机基带芯片、CDMA的IP授权、WiFi定制化芯片等方面。而随后的消息也显示,Apple的HomePod采用了联发科定制的WiFi芯片。所以有不少人猜测,联发科技很有可能会成Apple新iPhone的5G基带芯片的第二大主力供应商。

但据路透社报导,布莱文斯并没有说明Apple是否已经就5G调制解调器供应商做出决定,也没有说明Apple是否会在2019年推出5G iPhone。此外,据彭博社之前援引消息人士报导称,Apple或将最早于2020年发布5G iPhone产品。

亚马逊野心勃勃放眼云端游戏市场  但微软早已抢占先机

亚马逊野心勃勃放眼云端游戏市场 但微软早已抢占先机

亚马逊、微软和谷歌正面临着一场激烈的竞争,战场不在实体而在云端。它们正在云端计算的一个非常另类市场展开竞争:游戏。

微软长期以来一直是游戏强权,在 2000 年推出 Xbox 游戏机。在扩大游戏方式和地点方面,微软在 10 月表示将在今年开始测试云端游戏产品。其 xCloud 计划将适用于行动设备。去年 1 月该公司收购了为游戏开发商提供云端基础工具的新创公司 PlayFab。

亚马逊对其在这块市场的野心保持沉默。但《The Information》报导,该公司已与出版商就 2020 年推出新服务发布游戏进行对话。该项目将建立在之前支持游戏开发商的努力基础之上。

与此同时,谷歌已经开始对特定用户测试名为 Project Stream 的云端游戏服务。

这是三家大型美国网络龙头企业的最新动作,这些公司将其科技用于让客户不再自行计算和储存,可以在不依赖昂贵硬件的情况下完成更多工作。

但这些企业立足点并非平等。在游戏方面,微软拥有主场优势。

「亚马逊不是一家游戏公司,谷歌也不是。索尼是一家游戏公司,但它没有云端服务。」云端游戏公司 OnLive 前 CEO Steve Perlman 说,「市场上只有微软两者兼具。」

Perlman 了解这个市场带来的挑战。他在 2007 年创立 OnLive,最终在 2015 年将资产出售给索尼,当年索尼宣布推出游戏串流媒体服务 PlayStation Now。在他职业生涯的早期,帕尔曼将 WebTV 出售给微软,该团队的一些成员后来在微软的 Xbox 360 控制台上工作。

当 Perlman 十多年前跨入游戏串流媒体时,可以透过连接远距服务器来玩游戏,但它从未进入大众市场。当时苹果 (AAPL-US) 和谷歌还没有成为拥有 App 商店的主要行动大咖,而且出版商也没有专注于为云端开发游戏。

尽管如此,该技术确实吸引了一些用户。Perlman 表示,即使在某些高性能竞争游戏场景中可能存在递延,OnLive 在测试后,发现人们通常无法分辨游戏是在远端运行还是在本机上操作。

他说,当时微软对游戏机销售更感兴趣。

Perlman 说:「我们与他们讨论过一些关于云端游戏的问题」。「但它们无意于此。」

不过如今的世界完全不同。微软现在「主要业务在云端」,他说,除与 Activision Blizzard (ATVI-US)、Electronic Arts (EA-US) 和 Take Two Interactive (TTWO-US) 等游戏公司建立合作关系外,该公司还对云端基础架构进行了大量投资。

他说,「至少在理论上,我认为微软可以做到。」

三星7nm工艺确认下半年量产 2021年冲3nm GAA量产

三星7nm工艺确认下半年量产 2021年冲3nm GAA量产

为了减低近期存储器降价带来的冲击,全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务,希望有机会进一步拉近与台积电的差距。在先进制程的发展方面,根据三星高层表示,将在 2019 下半年量产内含 EUV技术的 7 纳米制程,而 2021 年量产更先进的 3 纳米 GAA 制程。

根据国外科技网站《Tomshardware》报导,三星晶圆代工业务市场副总 Ryan Sanghyun Lee 表示,三星从 2002 年一直在开发硅纳米线金属氧化物半导体场效晶体管(Gate-All-Around;GAA )技术,也就是透过使用纳米设备制造 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET),可显著提升晶体管性能。三星准备在 2021 年量产 3 纳米 GAA 制程。

来源:三星

报导进一步表示,关于三星 3 纳米 GAA 制程何时进入量产,至今似乎并没有统一说法。三星晶圆代工业务负责人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 会议就表示,三星已完成 3 纳米制程技术性能验证,进一步优化制程后,目标是在 2020 年大规模量产。

不过 3 纳米 GAA 制程不论 2020 年还是 2021 年量产,都还离现在都还有点远。三星 2019 年主推的是内含 EUV 技术的 7 纳米制程,预计 2019 下半年量产。尽管三星 2018 年就已经宣布内含 EUV 技术的 7 纳米制程能量产,实际上之前所说的量产只是风险试产,远未达到规模量产的地步,2019 年底量产才有可能。

只是,在内含 EUV 技术的 7 纳米制程,台积电之前也宣布将在 2019 年量产,看起来三星也没有进度优势,目前仅能寄望在三星在内含 EUV 技术的 7 纳米制程有自己开发的光罩检查工具,而在其他竞争对手还没有类似的商业工具的情况下,能有更好的良率,以及更低的成本。因此 7 纳米节点,三星现阶段想要超前,似乎还需要一点运气。

 

CES2019风向已定!得一微电子重磅顶级旗舰PCIe3x4 SSD主控来袭!

CES2019风向已定!得一微电子重磅顶级旗舰PCIe3x4 SSD主控来袭!

每年的CES展都是开年大戏,电子行业的最新技术展示,市场趋势预测就在此呈现。今年CES展上,5G商用、8K显示技术和8K电视、人工智能、自动驾驶更加引人注目。

这几大亮点反映出的2019年最新技术与趋势,的确值得关注并做出相应的布局。

存储作为服务这些新技术的一环,这些新技术必然需要更大容量、更快速度、更安全耐用的存储产品,这对存储厂商提出更大挑战。

此次,得一微电子在CES展同期也正式宣布推出新一代顶级旗舰PCIe SSD存储控制芯片YS9203。
 

这颗PCIe Gen3x4 SSD主控芯片专门针对消费级旗舰以及轻企业级应用而打造,得益于硬件和固件上的优化,该主控将充分发挥NWMe1.3的性能。该主控提供PCIe 4个Lane和8个NAND Flash通道,支持3D MLC/TLC/QLC的NAND,使用LDPC以及Enhance RAID增强了数据可靠性和耐久性。

它还支持1.2V和1.8V接口电压,国密SM2/SM3/SM4,TCG OPAL。消费级工作温度范围:0°C-70°C,工业级工作温度范围:-40°C-85°C。顺序读写速度高达3500MB/s, 3000MB/s, 随机读写速度都高达700K IOPS。

我们知道PCIe Gen3x4理论最大顺序读写速度为4GB/s,理论上最大IOPS为1000K。由此可以看出,得一微电子的这颗YS9203已经达到了相当高速的性能。

这颗YS9203是得一微电子的最新力作,较上一代产品性能更高,稳定性更强。随着这颗芯片的推出,也彰显了得一微电子打造国内顶级超高性能,顶级消费级SSD控制芯片的实力。

毋庸置疑,PCIe接口的固态硬盘正在成为固态硬盘行业的发展主流。在云计算、大数据以及消费级笔记本电脑,乃至未来的5G、自动驾驶等,这些应用市场对数据存储容量要求更高,数据传输速度要求更快,产品性能表现要求更稳定,都将是PCIe接口固态硬盘的广阔市场。

2019年伊始,得一微电子发布重磅利器——顶级旗舰SSD存储控制芯片YS9203,相信将为消费级旗舰以及轻企业级PCIe接口固态硬盘产品乃至闪存行业带来新的突破和发展!

 

湖北省将研究出台集成电路政策

湖北省将研究出台集成电路政策

为贯彻落实湖北省“一芯两带三区”战略布局,加快推进该省芯片产业跨越发展,1月9日湖北省经信厅在武汉组织召开集成电路产业发展座谈会。

该座谈会由省经信厅党组成员陶红兵,武汉市、襄阳市、宜昌市经信委和东湖新技术开发区管委会分管领导,华中科技大学武汉国际微电子学院、省半导体行业协会以及芯片设计、制造、封装等骨干企业负责人出席。

会议上,与会成员深入地分析了湖北省集成电路产业发展所处的国际国内环境以及面临的机遇和挑战,结合湖北省集成电路产业发展实际情况,就如何更好地推动该省集成电路产业特色化定位、错位化布局、差异化发展提出了相关意见和建议。

陶红兵在会上强调,集成电路是国之重器,发展集成电路产业已成为国家重大战略。湖北省委、省政府审时度势、科学谋划、重点部署了以“一芯驱动、两带支撑、三区协同”为主要内容的高质量发展区域和产业发展战略布局,为湖北省高质量发展指明了方向,经信系统和广大企业一定要紧紧抓住这个重要历史性机遇,找准产业发展的突破点和发力点,以建设武汉国家存储器基地为契机,汇聚资源全力推进集成电路产业做大做强。

据了解,湖北省“一芯驱动”,即打造产业之“芯”,推动制造业高质量发展;“两带支撑”,就要以长江绿色经济和创新驱动发展带、汉随襄十制造业高质量发展带为纽带,打造高质量发展的产业走廊;“三区协同”,即推动鄂西绿色发展示范区、江汉平原振兴发展示范区、鄂东转型发展示范区竞相发展,形成全省东、中、西三大片区高质量发展的战略纵深。

陶红兵表示,会后省经信厅将立即研究吸收大家提出的意见和建议,归纳整理报送省委省政府领导参阅。同时,围绕集中产业、金融、土地、科技、人才等资源要素,研究出台支持集成电路产业发展的相关政策,并组织汇编全省集成电路企业产品名录,以利于各地开展招商引资,加强企业间的合作,形成完整的集成电路产业链,通过行业上下的共同努力,把湖北集成电路产业推向一个新的高度。

此前,湖北省市已相继出台了《武汉市人民政府关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的意见》、《湖北省集成电路产业发展行动方案》等政策。目前,湖北省以存储器制造为核心,同时发展设计、封装测试、材料、设备等集成电路产业链环节,拥有长江存储、台基股份、烽火通信、光迅科技、台基股份、兴福电子、鼎龙股份等企业。

近日,湖北省将加快国家存储器基地建设写入新政,提出加快国家存储器基地项目建设,重点推动芯片设计、封装测试、材料加工等方面研发应用。

TCL推进重组组织架构调整 部分高管因随重组标的业务调动

TCL推进重组组织架构调整 部分高管因随重组标的业务调动

TCL集团(000100.SZ)1月10日晚间发布公告,董事会于近日收到董事、首席财务官(CFO)黄旭斌先生的书面辞职申请,黄旭斌先生因个人及家庭原因申请辞去公司第六届董事会董事、首席财务官(CFO)及公司内全部职务。目前TCL集团董事会已审议通过决议,任命首席运营官(COO)杜娟女士兼任公司首席财务官(CFO),任期自2019年1月10日至本届董事会届满日(2020年9月1日)止。同日,TCL电子(01070.HK)也宣布,黄旭斌已辞任公司非执行董事及已不再出任审核委员会的成员,由TCL通讯CFO杨安明先生接任其职务。

黄旭斌先生表示,他从2001年3月加入TCL开始,至今已为公司服务18年,见证和参与了TCL集团走向全球化和加速业务转型的过程,对公司有非常深厚的感情。据了解,黄旭斌先生由于个人及家庭原因,实际于2018年7月已向公司提出辞职申请,但因当时公司正在筹划重组事项,在董事长李东生先生挽留下,黄旭斌先生决定推迟半年离职,并参与协助完成公司重组工作。

黄旭斌先生是财政部研究生部财政学专业出身的国内资深财务人士,在其努力下,TCL集团财务和融资部门已经积累了丰富的人才储备资源,将继续把公司业务向前稳步推进。公司董事会也在公告表示,对黄旭斌先生担任公司董事、高级管理人员期间勤勉尽责的工作高度认可,并对他为公司做出的贡献表示衷心的感谢。黄旭斌先生离任之后,经公司董事长、CEO(首席执行官)李东生先生提名,TCL集团现任首席运营官(COO)杜娟女士将兼任公司首席财务官(CFO),负责公司业务运营管理、财务管理工作。杜娟女士在公司服务近20年,在公司战略发展、业务运营和财务管理方面经验丰富。据了解,在杜娟女士的带领下,TCL金融业务过去几年发展较快、盈利贡献持续增长,此次具有资深财务背景的杜娟女士担任COO兼CFO,将有助于各业务板块运营效率和效益的提升,带领转型聚焦后的TCL集团进入精细管理、高效运营、关注企业成长和股东回报的发展阶段。

此外,因TCL集团实施重大资产重组的工作安排,服务于本次重组标的业务的主要管理人员不再担任上市公司的相关职务,原高级副总裁王成先生,副总裁李书彬先生、于广辉先生、郭爱平先生、王轶先生、何军先生,将随标的业务重组而不再担任上市公司的任何职务。目前TCL集团高管团队中,主要管理人员未发生变化,各职能分工明确完整。

管理专家指出,人随资产走是交易的基本原则,TCL集团近期的人事变动是上市公司重组中常见的高管团队按任职企业和业务的拆分,将进一步优化组织流程和人员,提高企业的竞争力。

同时,TCL集团此次通过重组战略聚焦半导体显示及新材料业务,一个深层意义在于减少上市公司层面与核心业务板块各部门的管理层级,精兵简政优化上层管理组织和人员。市场竞争激烈,企业强调战略明确后的行动力,TCL集团在原已领先行业的高效管理基础上进一步提升,全面建立起以用户以市场为中心的全新高科技集团公司。(CIS)

珠海高新区出台新政  加快推进集成电路设计产业发展

珠海高新区出台新政 加快推进集成电路设计产业发展

1月10日,珠海国家高新技术产业开发区官网发布《珠海高新区加快推进集成电路设计产业发展扶持办法(试行)》。

该政策主要为加快推进该区集成电路设计产业集聚发展,加快技术创新和应用创新,在集成电路设计领域培育若干个国内外知名龙头企业,扶持一批“专、精、特、新”中小型科技企业,打造集成电路产业生态链。

具体而言,该政策共列有十条,包括支持研发创新、场地补贴支持、支持企业做大做强、支持产业公共平台发展、鼓励专业人才培养等几大方面内容,对符合相关条件的集成电路设计企业给予支持及资助补贴等。

政策详情如下:

第一条  为加快推进我区集成电路设计产业集聚发展,加快技术创新和应用创新,在集成电路设计领域培育若干个国内外知名龙头企业,扶持一批“专、精、特、新”中小型科技企业,打造集成电路产业生态链,根据《珠海市促进新一代信息技术产业发展的若干政策》,并结合我区实际,制定本办法。

第二条  本办法适用于工商注册地、税务征管关系以及统计关系在珠海高新区主园区(以下简称“高新区”)范围内的独立法人企业和有关机构。

第三条  支持研发创新。

(一)流片补贴支持。集成电路设计企业在参加多项目晶圆(MPW)、工程片试流片阶段,市财政对企业多项目晶圆(MPW)直接费用给予最高70%的补贴,区财政再给予10%的补贴;市财政对企业首次工程片流片加工费(含IP授权或购置、掩模版制作、流片等)给予最高30%的补贴,区财政再给予20%的补贴;单个企业年度市、区两级补贴金额不超过600万元(其中区财政不超过200万元)。

(二)支持购买工具或服务。对集成电路设计企业购买IP(IP提供商或者FoundryIP模块)、集成电路设计软件工具,且单项购买费用达50万元以上,获得市财政专项补贴的,区财政按照市补贴金额给予1:1配套资助。单个企业年度市、区两级补贴金额不超过400万元(其中区财政不超过200万元)。

(三)研发设备购置补贴支持。年营业收入增幅在20%以上、且纳入我区规上企业统计的集成电路设计企业,对其当年采购相关研发设备(单个设备原值10万元人民币及以上)的实际支付金额(不含税),区财政按照10%的比例予以补贴,单个企业年度补贴金额不超过200万元。

第四条  场地补贴支持。

(一)租房补贴支持。对我区新引进设立的集成电路设计企业,实缴注册资本在100万美元或1000万元人民币以上的,租用自用办公用房的,按实际租金的50%予以补贴,年度补贴金额最高不超过50万元,补贴期限3年。

(二)购房补贴支持:对实缴注册资本在100万美元或1000万元人民币以上的集成电路设计企业,在我区首次购置办公用房且自用的,按购置额(不含税)的10%予以一次性补贴,最高补贴200万元。

第五条  支持企业做大做强。

(一)支持初创期优质企业快速发展。对成立5年以内的集成电路设计企业,成功获得专业投资机构(含我区天使投资基金)投资并在1年内向我区提出申请,按照单个专业投资机构实际到位股权投资资金的10%予以一次性奖励。本条款专项用于初创期优质企业扶持,单个企业奖励金额不超过100万元。

(二)支持成长期企业规模化发展。对年营业收入分别达到5000万元、1亿元、3亿元、5亿元、10亿元且同比实现正增长的集成电路设计企业,分别累计给予50万元、100万元、200万元、300万元、500万元的奖励资金。企业自获得首次奖励后,每新上一个台阶只奖励一次,并只奖励差额部分。同一企业奖励资金累计不超过500万元。

(三)支持产业链联动发展。对采购我区非关联集成电路设计企业自主研发设计芯片或模组,年营业收入增幅10%以上,且纳入我区规上企业统计的系统(整机)、终端企业给予补贴,按年度实际采购金额的10%予以补贴,单个企业年补贴金额最高100万元,最多享受3年。符合市相关政策资助标准的,协助其申报市级扶持资金。

第六条  支持产业公共平台发展。对由市财政资助建设的集成电路公共服务平台,每年按其实现服务收入的20%给予奖励,单个平台年度奖励金额不超过50万元。

第七条  鼓励专业人才培养。支持区内集成电路设计领域重点企业、有关机构联合国内外著名高校、培训机构,开展集成电路专业人才培训工作,根据工作开展情况及培训效果,最高给予奖励资金30万元。

第八条  符合本办法的企业同时符合我区其他扶持政策相关规定(含上级部门要求区配套或承担资金的政策规定),按就高不重复的原则予以支持,另有规定的除外。对引领我区科技进步和产业转型升级的重点企业和项目,采取“一事一议”的方式予以支持。

第九条  享受本办法扶持的企业应承诺自扶持资金到账之日起,10年内不迁出我区、不改变在我区的纳税义务、不减少实缴货币出资;若违反承诺,应退回已获得的扶持资金。

第十条  本办法自印发之日起实施,有效期至2021年12月31日。原《珠海高新区扶持软件和集成电路设计产业发展暂行规定》(珠高〔2016〕81号)同时废止。本办法有效期内,如遇法律、法规或有关政策调整变化的,从其规定。本办法由高新区科技产业局负责解释。