英特尔在7nm将依靠EUV技术实现

英特尔在7nm将依靠EUV技术实现

随着晶圆代工厂台积电及记忆体厂三星电子的7纳米逻辑制程均支援极紫外光(EUV)微影技术,并会在2019年进入量产阶段,半导体龙头英特尔也确定正在开发中的7纳米制程会支援新一代EUV技术。

英特尔10纳米制程推进不如预期,导致14纳米产能供不应求,并造成2018年第四季以来的处理器缺货问题,预期要等到2019年第二季才会获得纾解。英特尔日前已宣布将扩大资本支出提升产能,并且预期10纳米Ice Lake处理器将在今年第四季量产出货。

至于英特尔未来制程微缩计划,据外电报导,掌管英特尔制程及制造业务技术及系统架构事业的总裁兼首席工程师Murthy Renduchintala日前指出,10纳米制程与2014年订定的制程标准相同,不论性能、密度、功耗等都保持不变。另外,有了10纳米的制程研发经验,英特尔7纳米发展良好,并将加入新一代EUV微影技术,由于10纳米及7纳米是由不同团队开发,7纳米EUV制程不会受到10纳米制程延迟影响。不过,英特尔未提及7纳米何时可进入量产。

据猜测,英特尔原原计划10nm后第四年推出,所以就是2020年底,假如真能做到,那么10nm制程将会是最短命的一代制程。

按照估计,Intel可能还要配置多20~40台ASML的7nm EUV光刻机来达到月产10万片的能力。(7nm EUV光刻机单台售价1.2亿美元。)

业界指出,台积电及三星的7纳米EUV制程2019年逐步提升产能,但要开始真正大量进行投片量产,应该要等到2020年之后。英特尔的7纳米EUV制程要真正进入生产阶段,预期也要等到2020年或2021年之后。不过,以三大半导体厂的计划来看,EUV微影技术将成为7纳米及更先进制程的主流。

EUV光刻技术发展态势

光刻(lithography)为集成电路微细化的最关键技术。当前在16/14nm节点乃至10及7nm节点,芯片制造商普遍还在使用193nm ArF浸润式光刻机+多重成像技术,但采用多重成像技术后将增加曝光次数,导致成本显著上升及良率、产出下降等问题。根据相关企业的规划,在7/5nm节点,芯片生产将导入极紫外(EUV)光刻技术,EUV光刻使用13.5nm波长的极紫外光,能够形成更为精细的曝光图像。芯片厂商计划将EUV光刻应用到最困难的光刻工序,即金属1层以及过孔生成工序,而其他大部分工序则仍将延用193nm ArF浸润式光刻机+多重成像来制作。据EUV光刻机生产商阿斯麦(ASML)称,相比浸润式光刻+三重成像技术,EUV光刻技术能够将金属层的制作成本降低9%,过孔的制作成本降低28%。

EUV光刻的关键技术包括EUV光源和高数值孔径(NA)镜头,前者关乎光刻机的吞吐量(Throughput),后者关乎光刻机的分辨率(Resolution)和套刻误差(Overlay)能力等。目前,全球EUV光刻机生产基本上由荷兰阿斯麦公司所垄断,其最新 NXE:3400B EUV机型,采用245W光源,在实验条件下,未使用掩膜保护膜(pellicle),已实现每小时曝光140片晶圆的吞吐量;该机型在用户端的测试中,可达到每小时曝光125片晶圆的吞吐量,套刻误差2nm;按照阿斯麦公司EUV技术路线规划,公司将在2018年底前,通过技术升级使NXE:3400B EUV机型的套刻误差减小到1.7nm以下,满足5nm制程的工艺需求;在2019年中,采用250W EUV光源,达到每小时145片晶圆的量产吞吐量;在2020年,推出升级版的NXE:3400C EUV机型,采用250W EUV光源达到155片/时的量产吞吐量。总体上,目前的250W EUV光源已经可以满足7nm甚至5nm制程的要求,但针对下一代的EUV光源仍有待开发。据估算,在3nm技术节点,对EUV光源的功率要求将提升到500W,到了1nm技术节点,光源功率要求甚至将达到1KW。

高数值孔径(High-NA)光学系统方面,由于极紫外光会被所有材料(包括各种气体)吸收,因此极紫外光光刻必需在真空环境下,并且使用反射式透镜进行。目前,阿斯麦公司已开发出数值孔径为0.33的EUV光刻机镜头,阿斯麦正在为3nm及以下制程采开发更高数值孔径(NA)光学系统,公司与卡尔蔡司公司合作开发的数值孔径为0.5的光学系统,预计在2023-2024年后量产,该光学系统分辨率(Resolution)和生产时的套刻误差(Overlay)比现有系统高出70%,每小时可以处理 185 片晶圆。

除光刻机之外,EUV光刻要在芯片量产中应用仍有一些技术问题有待进一步解决,如:光刻胶、掩膜、掩膜保护薄膜(pellicle)。

光刻胶方面,要实现大规模量产要求光刻胶的照射反应剂量水平必须不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像,EUV光刻胶的照射剂量普遍需要达到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2剂量水平,250w光源的EUV光刻机每小时吞吐量只能达到90片,显著低于理想的125片。由于EUV光刻产生的一些光子随机效应,要想降低光刻胶的照射剂量水平仍需克服一系列挑战。其中之一是所谓的光子发射噪声现象。光子是光的基本粒子,成像过程中照射光光子数量的变化会影响EUV光刻胶的性能,因此会产生一些不希望有的成像缺陷,比如:线边缘粗糙(line-edge roughness:LER)等。

光掩膜版,EUV光刻使用镜面反射光而不是用透镜折射光,因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型,改用覆盖在基体上的硅和钼层来制作。同时,EUV光刻对光掩膜版的准确度、精密度、复杂度要求比以往更高。当前制作掩膜版普遍使用的可变形状电子束设备(VSB),其写入时间成为最大的挑战,解决方案之一是采用多束电子束设备。包括IMS公司、NuFlare公司等已在开发相关多束电子束产品,多束电子束设备能够提高光掩膜版制作效率,降低成本,还有助于提高光掩膜版的良率。未来,大部分EUV光掩膜版仍可以使用可变形状电子束设备来制作,但是对少数复杂芯片而言,要想保持加工速度,必须使用多束电子束设备。

EUV薄膜,EUV薄膜作为光掩膜的保护层,提供阻隔外界污染的实体屏障,可以防止微尘或挥发气体污染光掩膜表面,减少光掩膜使用时的清洁和检验。阿斯麦公司已经开发出83%透射率的薄膜,在采用245W光源,测试可达到100 片晶圆/时吞吐量,阿斯麦的目标是开发出透射率90%的透明薄膜,可承受300W的EUV光源,实现125片晶圆/时的吞吐量。

初期,EUV光刻还是主要应用于高端逻辑芯片、存储芯片的生产,主要芯片企业已相继宣布了各自导入EUV光刻的计划。

华润上华600V半桥工艺成功量产

华润上华600V半桥工艺成功量产

2019年1月2日,无锡华润微电子有限公司(“华润微电子”)旗下的华润上华科技有限公司(以下简称“华润上华”)宣布,公司的600V半桥工艺(HVIC工艺)已实现每月稳定产出超1000片的量产记录,累计量产逾万片。该工艺平台为华润上华在国内Foundry中首家提供,光刻层数少,性价比高,电学参数和成品率稳定,经过严苛的工艺可靠性考核。华润上华针对LLC电源、电机驱动等半桥驱动应用设计高性价比的HVIC工艺技术平台,能和客户一起快速高效地将设计产品导入,实现量产并推向市场。

华润上华的600V半桥工艺可提供200V/600V Highside 隔离,以及200V/600V Level shift LDMOS 结构,并可集成600V高压自举功能(bootstrap function),其20V中压器件单元可实现栅驱动功能,5V可选低压器件能实现各种保护功能和逻辑处理功能。该工艺器件性能优越,关态耐压典型值800V,保证足够余量,开态SOA (脉冲工作状态)大于700V,并通过严格的工艺器件可靠性考核。其Highside 对Lowside 具有HBM 2000V ESD自保护能力,提供Vdd对GND二极管具有电压钳位及HBM 2000V ESD的保护能力,可向客户提供齐备的PDK 设计工具包。该工艺多用于电机驱动、智能功率模块(IPM)、大功率电源等产品,终端应用广泛涉及工业机电、家用电器、智能开关、汽车电子等领域。

华润上华市场销售副总经理邵军表示:“当前,中国自主的功率半导体产品与国外相比差距很大,多处于低端市场,同质化竞争激烈,由此我们也看到相关产品的国产替代空间巨大。紧抓机遇,华润上华聚焦于功率半导体市场,将持续打造特色模拟工艺平台,助力中国功率半导体产业发展。”

DRAM厂放缓扩产 集邦估资本支出减1成

DRAM厂放缓扩产 集邦估资本支出减1成

动态随机存取存储器(DRAM)厂纷纷放缓扩产脚步,据市调机构集邦科技预估,2019年DRAM产业资本支出金额约180亿美元,将减少1成左右。

集邦科技表示,韩国两大DRAM厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)较早宣布放缓2019年投资计划,三星2019年DRAM投资金额约80亿美元,主要用在转换1y纳米制程及新产品开发。

随着平泽厂扩产计划终止,集邦科技预估,三星2019年位元成长率将约20%,将创下历年新低纪录。

SK海力士2019年DRAM投资金额也将降至55亿美元左右,将用以推进制程技术及提升良率,集邦科技预期,SK海力士因中国无锡新厂落成,2019年位元成长率将约21%。

美光(Micron)2019年资本支出将降至30亿美元左右,位元成长率也将降至15%。

集邦科技指出,2018年第4季DRAM合约价下跌约10%,预期受淡季效应影响,2019年第1季价格将再跌15%,第2季价格跌幅可能收敛至10%以内。

台积电、三星与英特尔EUV光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

台积电、三星与英特尔EUV光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

全球三大晶圆代工厂台积电、英特尔、三星,最快将在2019年导入极紫外光微影技术(EUV),值得注意的是,全球可提供EUV光罩盒的业者只有两家,家登是其中之一,且家登已经通过艾司摩尔(ASML)认证,此举无疑宣告,家登今年EUV光罩盒将大出货,公司更透露,接单强劲,目前已有供给告急压力。

首先就台积电的部分,今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产,而三星的7纳米制程也会采用EUV设备,并在今年进入量产阶段,至于英特尔方面,其7纳米发展进度佳,也确定会导入新一代EUV微影技术,但量产时间可能会落在2020年。

而台积电和三星采用EUV设备的7纳米,预计在2019年导入量产,并在2020年大量,但其相关的光罩盒等设备大量采购时间会集中在2019年开始,至于英特尔,虽采用EUV的7纳米会在2020年量产,但其光罩盒采购时间,可望落在2019年下半。

换言之,为了先进的EUV设备的7纳米制程,台积电、三星与英特尔将自2019年开始大举向家登采购相关的光罩盒,而家登新一代EUV光罩传送盒G/GP Type也在2018年底获得ASML认证通过,这意味着,家登光罩传送盒今年可望明显放量出货,营收与获利成长可期。

苹果新iPhone将搭载具ToF功能的Sony 3D相机传感器

苹果新iPhone将搭载具ToF功能的Sony 3D相机传感器

根据《彭博社》的报导,在 2019 年苹果即将推出的新款 iPhone 之中,将会搭载由 Sony  所提供,具备飞时测距 (Time-of-Flight,ToF) 的 3D 镜头传感器。而且,Sony 也将在 2019 年的夏季正式量产,以满足苹果通常在第 3 季推出当年度 iPhone 新机的需求。

报导指出,目前 Sony 为全世界最重要的相机传感器研发与生产厂商。而目前 Sony 也正在加紧研发新一代 3D 相机传感器,以满足包括苹果在内的厂商需求。根据 Sony 传感器事业负责人的说法,虽然目前 Sony 正在开发新一代的 3D 相机传感器,但目前并没有具体的生产目标,仅表示,目前 Sony 的 3D 相机传感器事业已经开始获利,并将会为新一年度公司营收带来帮助。

目前,苹果所采用的 3D 脸部辨识技术是以自家的 TrueDepth 技术相机为主。TrueDepth 的 3D 脸部辨识过程,是透过在 TrueDepth 相机模块中的红外线镜头 (Infrared Camera)、泛光照射器 (Flood Illuminator) 及测绘点投射器 (Dot Projector),利用 30,000 个隐形投射点,投射在使用者脸部之后,藉由红外线相机感测,将感测到的脸部形状与资料中的脸部影像进行比对之后,达成脸部辨识。

然而 ToF 则是一种全新 3D 立体图像扫瞄技术。原理是透过 3D 镜头发出红外线,比对红外线遇物体表面,反射后再回到红外线接收器的所需时间,藉此计算拍摄装置本身与被拍摄物之间的距离,以扫瞄出被拍摄物的形状,其中包括人脸也可以精准描绘出来,最后达到脸部辨识的功能。该项技术最大优点,就是只要单一镜头,便完成收发红外线光束工作,方便简化手机的设计,并且更加的节省电源。未来还可以整合到相关的应用与游戏中,扩大扩增实境(AR)或是虚拟实境(VR)的应用。

报导进一步指出,Sony 的 ToF 3D 相机传感器在获得 iPhone 选用之后,预计最快 2019 年的夏季量产。不过,这部分的说法,与中资天风证券知名分析师郭明錤的看法有些出入。不同于《彭博社》的说法,郭明錤认为虽然 2019 年新推出的 iPhone 仍将沿用 TrueDepth 的 3D 脸部辨识技术,但是泛光照射器的功率将提升,会有更佳的使用者体验。至于,ToF 3D 相机传感器部分,最快会在 2019 年第 4 季,或 2020 年第 1 季将被新款 iPad 采用。另外,到了 2020 年下半年,也被将会被新款的 iPhone 所采用。

 

宁波105个重大项目集中开工

宁波105个重大项目集中开工

1月2日上午,宁波杭州湾新区智能终端产业园二期项目开工现场热闹非凡,数十台工程机械整装待发,宁波市扩大有效投资重大项目集中开工仪式在此举行。105个项目参加此次活动,总投资1166亿元,其中2019年度计划完成投资226亿元。

据了解,当天集中开工的项目总投资均在两亿元以上,其中10亿元以上大项目38个,项目涵盖七大行业。

智能终端产业是宁波杭州湾新区发力布局的又一“千亿级”产业。开工现场所在的541亩土地上,将崛起一座座现代化的生产厂房和研发中心。据悉,新区智能终端产业园二期项目总投资16亿元,着力打造长三角地区具有鲜明特色和影响力的集成电路和软件产业园。

“接下来我们将会同各地各部门和项目业主,进一步优化服务、强化协调、细化管理,确保3月底前全部实现实质性开工。”宁波市发改委相关负责人表示。

2019年第一波!晶方科技参股基金拟3225万欧元收购荷兰Anteryon公司73%股权

2019年第一波!晶方科技参股基金拟3225万欧元收购荷兰Anteryon公司73%股权

日前,晶方科技参与投资设立的晶方产业基金拟通过控股子公司晶方光电出资3225万欧元收购荷兰光电传感器企业Anteryon公司73%股权。

2018年7月,晶方科技宣布参与发起设立苏州晶方集成电路产业投资基金合伙企业(有限合伙)(以下简称“晶方产业基金”),基金整体规模为6.06亿元人民币,重点围绕集成电路领域开展股权并购投资,其中晶方科技现金出资2亿元、持股比例33%。该基金已于2018年8月9日完成工商注册登记并取得营业执照。

今日(1月2日),晶方科技发布公告称,公司收到晶方产业基金的通知,晶方产业基金通过其持股99.99%的控股子公司苏州晶方光电科技有限公司(以下简称“晶方光电”,是为实施本次收购而设立的公司)与荷兰Anteryon International B.V.、Anteryon Wafer Optics B.V. (合称“Anteryon公司”)及其股东签订了股份收购协议,晶方光电拟整体出资3225万欧元(约合2.54亿元人民币)收购荷兰Anteryon公司,交易完成后晶方光电将持有Anteryon公司73%的股权。

据介绍,Anteryon公司创始于1985年,前身是荷兰飞利浦的光学电子事业部,2006年从飞利浦分拆并独立成立为Anteryon公司,主要为半导体、手机、汽车、安防、工业自动化等市场领域提供所需的光电传感系统集成解决方案。

公告称,Anteryon公司拥30多年相关产品经验和完整的光电传感系统研发、设计和制造一条龙服务能力,其完整的晶圆级光学组件制造量产能力与经验系三维深度识别领域中微型光学系统和光学影像类集成电路模组所需的关键环节。

晶方科技表示,Anteryon公司的相关半导体制造技术、能力与晶方科技现有传感器业务、市场可形成良好的产业互补,协同效应显著,有利于公司的产业链延伸与布局,并通过获得传感器发展所需的核心技术与制造能力,快速有效进入智慧物联网相关的新兴应用领域,取得新的业务机会与利润增长点。

目前,该交易晶方光电已取得江苏省商务厅核发的“企业境外投资证书”、苏州工业园区行政审批局核发的“境外投资项目备案通知书”等,其他涉及收购的相关手续尚在办理之中。

国产芯片的破局,萎靡还是腾飞,与每个人息息相关…

国产芯片的破局,萎靡还是腾飞,与每个人息息相关…

过去的一年多,全球集成电路产业正迎来前所未有的机遇和挑战,如果国产芯片产业能够在这轮竞争中取得竞争优势,那将为中国制造添上一双翅膀。

纵观全球,一方面智能手机增长趋于平缓、国际形势变化等因素,给集成电路产业的发展带来了很多的不确定性;另一方面,5G、自动驾驶和人工智能等新兴产业的日益崛起,又给集成电路产业带来了新的希望。

在此环境下,中国大力发展集成电路产业,在各种利好政策和资金的推动下,国内硅片项目密集上马、晶圆制造生产线相继投建,中国集成电路产业迎来爆发式发展。目前,我国已有部分集成电路企业在国际市场崭露头角,如设计领域方面,华为海思在技术水平方面已可与国际领先水平媲美;在封测领域,长电科技在全球封测市场中已位列第三……

但整体而言,我国集成电路产业仍相当薄弱,包括大硅片、核心设备以及某些核心器件等仍严重依赖进口,尤其高性能运算芯片CPU/GPU/FPGA以及高性能模拟芯片,目前国内终端厂商、通讯设备厂商等均面临着被芯片“卡脖子”的问题。

以通信设备为例,其所需的RF、PLL、ADC/DAC乃至外围测量电源电压的芯片等均未见国产企业的身影,而基站缺少其中一颗芯片,都将造成整台基站无法交付。贸易摩擦发生的一些事件,让我们更加清醒地认识到,中国芯片的薄弱和自主可控的迫在眉睫。

“这些事件,对于通信产业冲击较大,也敲响了半导体产业的警钟,自主可控不仅仅是口号,而是涉及到国家安全,国计民生的要务。我们不单要行远志,大张旗鼓建设晶圆厂,更要韬光养晦,从小处着力,支持本土芯片设计公司。”日前,媒体记者采访了iST宜特检测中国区工程总处协理黄志国,他对国产芯片的研发和创新还是保持着谨慎乐观的态度。

据了解,宜特(上海)检测技术有限公司自2002年成立,凭借台湾宜特二十多年在半导体验证、分析产业所累积的雄厚经验,上海宜特迅速发展,从工程技术移转、人员教育训练、与台湾同步的先进工艺验证、分析设备建置,至今为止,上海宜特已成为国内真正且全面性针对集成电路产业提供一条龙服务的工程验证与分析平台。自成立以来上海宜特高度注重研发与技术创新,目前公司员工共计254人,其中工程技术人员196人,占企业总人数77%。使公司在技术创新的整体实力得到充分保证与有效发挥。

宜特检测中国区工程总处协理黄志国在采访中表示:“宜特的服务客群及项目非常全面,客群囊括电子产业上游 IC设计、晶圆制造、封测制造,乃至下游终端成品,但凡与集成电路相关企业,宜特均可为其提供相应且快速有效率的验证分析服务。同时宜特在国内已建置实验室5间,提供客户一站到位的服务,严格的预约排程机制,全天24小时,一年365天全年无休,并且具备集成电路产业丰富经验的技术团队及人才的优势,提供国内及国际品牌大厂,高质量的技术服务。”

随着集成电路产业的蓬勃发展,大数据,云技术和物联网技术的兴起,上海宜特也紧跟科技发展的步伐,凭借雄厚的科研实力与丰富的行业经验支持,不断的创新发展,促进检测手法更新换代,并且上海宜特同样注重知识产权专利的申请,已拥有各项专利近40余项,目前这一数字还在逐年增加。

宜特检测中国区工程总处协理黄志国在采访中强调:“宜特既有强大的项目实施团队也有专业技术研发团队,透过国内大型客户不断提炼出的用户需求及快速互动,并协同与国际、国内知名科研院所、机构之间的技术交流,形成了良性的技术、和产品水平不断提升和创新的研发平台。”

上海宜特始终坚持追求精准、效率、客观的宗旨,先后获得2016年《优秀服务机构奖》、《最佳服务效益奖》、《最热门服务机构奖》,2017年 《闵行区科技小巨人企业》、《上海市科技小巨人培育企业》,2018年 《闵行区级研发机构》等诸多荣誉。

宜特检测中国区工程总处协理黄志国在后续采访中表示:“宜特除了不仅专注自身的核心服务,亦有在关注国内与国际多元性发展趋势,近两年更是建置了完整车用芯片验证平台、板级可靠度测试服务平台、高速传输讯号测试等,向我们的客户提供更全面的服务特性。 ”

此外,上海宜特建立了良好的质量管理体系并进行了持续有效地运行,公司以第三方实验室的身份,严格地为客户进行质量把关控制,用公平、公正、公开的态度开展监测工作,积极承担着社会的责任。目前,上海宜特已成为诸多国际品牌大厂、国际组织认可的第三方公正实验室。

宜特检测中国区工程总处协理黄志国在最后强调:“宜特一直坚持不变的使命及愿景,就是解决国内集成电路发展上所遭遇的问题,缩短研发时程,提升竞争力并加速客户产品投入市场。宜特重视国内各区域集成电路发展生态与实际需求,配合政府第一、二期大基金投入标的,包括晶圆厂、设备商、IC设计、AI及智能车辆,积极探索集成电路分析业务领域的拓展和复制,持续地改善和优化公司的技术体系,稳步提升公司在集成电路各个领域的市场份额,保持公司在集成电路行业中的领先地位和优质品牌形象。”科技成就梦想、创新引领未来。接下来,宜特(上海)检测技术有限公司将以始终如一的创新精神、拼搏精神与服务精神为前提,为客户提供更专业的服务,也为行业的提升贡献尽一份自己的力量!

虽然当前国内芯片设计产业仍属薄弱,但我们相信全国的芯片产业里,终归会走出巨头厂商,也希望无数个像宜特检测这样的服务型科技企业能够为我们国产芯片的研发助一份力,在未来尽早解决中国电子产业的缺芯之痛。

采访链接:https://v.qq.com/x/page/c08114z0kg4.html

广州加大与港澳台芯片产业合作 打造千亿元级产业集群

广州加大与港澳台芯片产业合作 打造千亿元级产业集群

新华社广州12月31日电(记者毛鑫) 记者31日从广州市工业和信息化委了解到,广州将加快发展芯片产业,深化穗港澳台合作,力争到2022年打造出千亿元级集成电路产业集群。

广州日前发布了《广州市加快发展集成电路产业的若干措施》,要求加快发展集成电路产业,通过芯片制造、设计、封装测试、配套产业、人才培育等七项工程,促进行业集聚,构建协同发展的集成电路产业生态圈。

其中,在芯片制造提升方面,广州将发挥粤港澳大湾区综合优势,重点在智能传感器、功率半导体、光电器件、混合信号、射频电路等领域,深化穗港澳台集成电路产业合作。为此,广州将引进2至3条12英寸集成电路制造生产线,支持建设第三代半导体生产线,尽快形成产能规模,建立起以芯片制造为核心的产业生态圈。

近年来,依托珠三角电子信息制造和信息消费市场的优势,与粤港澳大湾区重大发展机遇,广州加速布局新一代信息技术、人工智能和生物医药产业。

大摩看淡 2019 年全球半导体发展,机器学习与自驾车将成亮点

大摩看淡 2019 年全球半导体发展,机器学习与自驾车将成亮点

进入 2019 年之后,分析师们对于半导体产业的看法是否如同先前所提出一样的保守。根据摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)的分析师团队于 2018 年 12 月所发布报告指出,2019 年全球半导体产业周期性低潮尚未见底,对北美和亚太市场均持保留态度,将预期成长从 -1% 下调至 -5%;至于,中国半导体产业仍存在着机会,整体未来成长点,将在于人工智能与机器学习以及无人驾驶等两大领域。

根据报告指出,2019 年半导体产业整体销售金额将比 2018 年下降 4.7%,这与 2017 及 2018 年各自有 22% 及 14% 双位数的年度成长率形成鲜明的反差。从个别产业来分析,存储器设备的销售金额在经历前两年各自 60% 及 30% 的高幅度成长之后,将在 2019 年急剧下滑至仅有 18%。

对此,大摩认为,在未来 5 年内,全球半导体产业的成长率将围绕着 GDP 成长率上下波动。不过,对于 2019 年的半导体产业景气则不抱持乐观的看法,因为大摩认为,形势将比 2015 年的产业低潮的情况更加严重。原因是半导体产业存货和供应过剩,加上需求不足,导致 2019 年供需不平衡。这部分从 2018 年年初实际生产增加了 22%,但市场仅消化了 15% 的增加量。因此,2019 年的开年,需求面要如何消化这 7% 的过剩产能,将是个很大的挑战。

另外,在需求放缓的部分,是由于汽车和工业的垂直需求减少,以及整个供应链的库存调整。此外,智能型手机方面的成长疲软,特别是来自苹果 iPhone 的销售不如预期,以及中国厂商的市场需求缩小,更是对半导体需求方面的进一步造成压力。

报告指出,全球半导体产业未来两大长期成长点,关键在于人工智能与机器学习以及无人驾驶方面。其中。机器学习的应用正在升级,从资料中心扩展到边缘运算上。而目前的机器学习相对处于早期的发展阶段,但是在接下来的 3 到 5 年中,重点将从会用于算法开发、培训的半导体工具转向计算机解决方案,以取代人力资本。另外,人工智能及机器学习还有基于计算机视觉构建的 Amazon Go 概念店、脸部或车牌辨识、甚至正在进行的犯罪的监控摄影机、医学放射影像的内容解释等应用,使得未来的应用成长可期。

至于,在自动驾驶方面,大摩认为这是汽车设备制造商的一个重点发展方向。随着安全应用的反覆运算和技术的廉价化,全自动车辆正在阶段性发展。自动驾驶还伴随着处理器、传感器的应用,以及诸如车到车间的通讯等新技术普及。这些技术都将推动全球半导体产业在未来 5 到 10 年内,在汽车产业的市场产值扩大 2 到 3 倍,而目前车辆使用半导体产品的数量,也将从目前每辆车 400 美元,上升至 1,000 美元。