时光飞逝，我们结束2018年、迎来崭新的2019年。回顾过去一年，伴随着5G、AI、物联网、汽车电子等新兴市场日益崛起，全球半导体产业可谓机遇与挑战并存。在这辞旧迎新之际，全球半导体观察盘点出2018年全球半导体产业具有较大关注度和影响力、以及具有产业趋向性的十大标志性事件，助产业人士回顾过去、展望未来。
01 ▶ 高通终止收购恩智浦
2018年7月26日，历时21个月的高通收购恩智浦交易案正式宣告失败。
2016年10月，高通、恩智浦联合宣布，双方已达成最终协议并说经董事会一致批准，高通将以380亿美元收购恩智浦已发行的全部股票，约合每股110美元。随后该收购案相继得到了美国、欧盟、韩国等全球8个国家监管部门批准，但迟迟未获中国商务部批准。
为了得到中国监管机构的批准，高通与恩智浦一再延迟交易有效期。按照原计划，这次收购将于2018年4月25日完成交易，一再推迟至5月25日、7月20日，最终确定7月25日为最后期限。但截至美国时间7月25日23：59，由于尚未接到中国监管机构审批通过的消息，高通终止收购恩智浦。
点评：在特殊时代背景下，这一收购案最终“流产”可以说是注定的。
02 ▶ 台积电标志性事件
作为全球最大的晶圆代工厂，台积电的一举一动均备受瞩目，在此盘点台积电过去一年里的三大标志性事件。
产线感染病毒
8日3日，台积电遭到电脑病毒入侵，新竹总部Fab12厂区的内部电脑最先遭到病毒感染，并于当晚10时透过内网蔓延至中科Fab15厂、南科Fab14厂，导致这三大厂区产线停机。
台积电称，此次病毒感染的原因为新机台在安装软件的过程中操作失误，因此病毒在新机台连接到公司内部电脑网络时发生病毒扩散的情况。
台积电第三季度财报数据显示，病毒事件影响台湾厂区部分电脑系统及厂房机台，相关晶圆生产也受到波及，所有受影响机台都已在8月6日恢复正常，第3季认列电脑病毒感染相关损失25.96亿新台币。
点评：若真是装软件过程中操作失误所致，那么对于各晶圆厂来说，针对相关流程的梳理再优化将是必须长期坚持的一项重要工作；另外，也警示大陆半导体产业在人才培训方面容不得半点马虎，尤其在当前大批产线落地并陆续导入量产的时期，人员的流动将更加频繁，人才的筛选培训需更加严格。
南京厂量产
10月31日，台积电（南京）晶圆十六厂举行开幕暨量产典礼，宣布南京12英寸厂正式量产。该厂采用16纳米制程，是目前中国大陆制程技术最先进的晶圆代工厂，目前月产能为1万片，预计在2020年达到2万片的规模。
2015年底，台积电决定到南京投资。2016年3月28日，台积电正式与南京市政府签约，并于同年7月7日进行动土、2017年9月12日举行进机典礼。据悉南京厂是台积电建厂最快、上线最快、最美、最宏伟、最有特色的厂区。
点评：虽然台积电南京厂规划产能并不高，但是在承接大陆客户订单转移方面作用明显，不排除其后期更多的产能扩增计划；另外，基于TSMC的品牌效应，对于产业链配套的引进意义非凡，未来南京在全国半导体产业发展中的地位会越来越高。
15年来首建8英寸厂
12月6日，台积电在供应链论坛上宣布，由于8英寸需求相当强劲，台积电将在台南6厂新增1座8英寸新厂，专门提供特殊制程。这是继2003年台积电在大陆上海松江盖8英寸厂后，再次打算增建8英寸厂产能。
点评：台积电再建8英寸产线，一方面说明了8英寸覆盖产品领域广，市场驱动动能强劲；另一方面，也说明本土替代空间仍然较大，大陆半导体产业在规划的时候并不一定都需要上来就切入12英寸，事实上，成熟的8英寸产线能更多绑定市场订单，同时也能给予本土对应设备及材料厂商更好的支持。
03 ▶ 紫光集团股权改革
9月4日，紫光集团实际控制人清华控股分别与高铁新城、海南联合签署附生效条件的《股权转让协议》，分别向后两者转让所持有的紫光集团30%、6%股权，同时三方签署《共同控制协议》对紫光集团实施共同控制。不过，上述股权转让协议于10月25日终止。
同时，10月25日清华控股与深圳市政府国产委全资子公司深投控及紫光集团共同签署了《合作框架协议》，拟向深投控转让紫光集团36%股权，深投控以现金支付对价。本次股权转让完成后，紫光集团第一大股东北京健坤持股49%，第二大股东深投控持股36%，第三大股东清华控股持股15%。
公告称，清华控股和深投控应在签署36%股权转让协议的当天，签署《一致行动协议》或作出其他安排，约定本次股权转让完成后由清华控股和深投控一致行动或作出类似安排，达到将紫光集团纳入深投控合并报表范围的条件，以实现深投控对紫光集团的实际控制。
点评：作为校企改革先锋，紫光集团的这一股权变化将有利于实现混合所有制，通过体制变革激发企业活力，为紫光集团实现现代化管理提供机会，尤其是紫光集团已获得较强竞争优势的集成电路行业，市场竞争激烈，对相关人才极度渴求，这将有利于紫光集团引入专业的管理人才和技术人才。
04 ▶ 瑞萨67亿美元收购IDT
9月11日，瑞萨电子与IDT宣布双方已签署最终协议，瑞萨电子将以每股49.00美元的价格，总股权价值约67亿美元全现金交易方式收购IDT所有流通股份。该交易已获得双方董事会一致批准，预计在获得IDT股东和相关监管机构批准后，将于2019年上半年完成。交易若完成，将成为日本半导体产业史上最大规模的并购案。
瑞萨电子表示，IDT的模拟混合信号产品包括传感器、高性能互联、射频和光纤以及无线电源，与瑞萨电子MCU、SoC和电源管理IC相结合，为客户提供综合全面的解决方案，满足从物联网到大数据处理日益增长的信息处理需求。此外，IDT的内存互联和专用电源管理产品有利于瑞萨电子在不断发展的数据经济领域实现业务增长，并加强其在产业和汽车市场的影响力。
点评：随着近年来智能网联汽车市场的发展，模拟IC的需求也越来越大，全球范围内的半导体厂商都纷纷布局汽车市场，瑞萨大手笔收购IDT可以看作是对汽车芯片或者是自动驾驶汽车市场的加码。
05 ▶ 阿里成立平头哥半导体
2017年云栖大会上，阿里巴巴宣布成立达摩院进行基础科学和颠覆式技术创新研究，研究范围涵盖量子计算、机器学习、基础算法、芯片技术、传感器技术、嵌入式系统等多个产业领域。
2017年10月11日，达摩院正式注册成立，并组建了芯片技术团队进行AI芯片的自主研发。2018年4月，达摩院宣布正在研发一款神经网络芯片Ali-NPU，预计于明年下半年面世，并全资收购自主嵌入式CPU IP Core公司中天微。
今年9月云栖大会上，阿里巴巴CTO、达摩院院长张建锋宣布，阿里将把此前收购的中天微和达摩院自研芯片业务整合成一家独立的芯片公司，推进云端一体化的芯片布局。该公司由马云拍板决定取名“平头哥半导体有限公司”，目前阿里巴巴达摩院旗下已注册成立3家“平头哥”全资子公司。
点评：在成长为庞大的商业帝国之后，阿里入局芯片产业已在情理之中，据说“平头哥”是马云亲自命名，无论未来结果如何，其互联网的基因从一开始就“深入骨髓”，希望阿里芯片事业真的像“平头哥”所代表的的寓意一样，顽强执着、勇敢逐梦！
06 ▶ 联电格芯放弃高端制程
今年8月中旬，晶圆代工大厂联电宣布不再投资12nm以下的先进工艺，将专注于改善公司的投资回报率，未来经营策略将着重在成熟制程。据悉这一决定是由联电联席CEO王石、简山杰调研一年后作出的，联电将彻底改变以往的增长策略，不再盲目追赶先进技术。联电表示，未来还会投资研发14nm及改良版的12nm工艺，不过更先进的7nm及未来的5nm等工艺不会再大规模投资了。
在联电宣布上述消息不久后，全球第二大晶圆代工格芯（GLOBALFOUNDRIES）也于8月28日宣布，为支持公司战略调整，将搁置7纳米FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。在裁减相关人员的同时，格芯一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。
点评：半导体制程技术演进到7nm/5nm，不仅仅是开发难度呈指数级上升，对企业来讲，更是成本、市场不确定性等高风险，市场化机制下，企业若因为承担过高的风险而失去盈利信心和能力，企业最终可能会走向破产，所以以“舍”求“得”未必不是更好的经营策略。
07 ▶ 中芯14纳米获重大进展
2017年10月，中芯国际延揽三星电子及台积电的前高层梁孟松来担任联席首席执行长的职务，希望其指导中芯国际在加速14nm FinFET制程的发展进程。
8月9日，中国大陆最大晶圆代工厂商中芯国际在发布2018年第二季度财报时表示，中芯国际最新一代14nm FinFET工艺研发完成，正进入客户导入阶段。中芯国际执行副总裁李智在第二十一届中国集成电路制造年会上表示，中芯国际14nm制程将于2019年上半年实现量产。
据悉，进入客户导入阶段实际上是邀请芯片设计公司将其芯片设计的图纸放到中芯国际的14nm产线上流片，看看目前的14nm工艺有哪些需要改进的地方，通过双方的合作生产出一款合格的14nm制程逻辑芯片。
点评：首先，14nm工艺流片，对本土foundry来说，实现了从0到1的突破，但是真正实现多IP要求的14nm芯片制造工艺仍然面临很大挑战，中芯国际在对应IP储备方面仍有大量工作要做。
08 ▶ 海思发布7纳米芯片
8月31日，华为海思发布7nm制程芯片麒麟980。
根据官方介绍，麒麟980此次实现了TSMC 7nm制造工艺在手机芯片上首发，相比业界普遍采用的 10nm 制造工艺，性能可提升 20%，能效提升 40%，晶体管密度提升到 1.6 倍，在不到 1 平方厘米面积内集成了69亿晶体管。
点评：海思麒麟980的意义并不在于制程更高、性能更强、GPU更能打，作为华为旗下半导体平台其在芯片领域的某些核心技术已经开始引领潮流，这才是值得称道的地方，也说明华为自研芯片的路是走对了。
09 ▶ 长江存储发布Xtacking技术
8月6日，长江存储公开发布其突破性技术——XtackingTM。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
据官方介绍，采用XtackingTM技术可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道）将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。
点评：随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能占到芯片整体面积的50%以上，XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上，可实现更高的存储密度。长江存储XtackingTM主要是对传统3D NAND架构的突破，从这层面来看，殊为不易。
10 ▶ 中微5nm设备通过台积电验证
台积电对外宣布将于2019年第二季度进行5纳米制程风险试产，预计于2020年量产。12月中旬，国产刻蚀机龙头企业中微半导体向媒体表示，中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。
5纳米相当于头发丝直径（约为0.1毫米）的二万分之一，方寸间近乎极限的操作对刻蚀机的控制精度提出超高要求，中微半导体5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，突破了“卡脖子”技术，让国产刻蚀机跻身国际第一梯队。
点评：对外，中微半导体逐渐切入全球一流客户，赢得了在国际市场上的重要地位；对内，其刻蚀设备业务已扩展覆盖到介质刻蚀、深硅刻蚀，对国内其他对手的竞争压力越来越大。然而，中微半导体的成功可复制性并不强。
