国产MCU技术获突破 四维图新首颗车规级MCU芯片量产

国产MCU技术获突破 四维图新首颗车规级MCU芯片量产

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打破国外巨头垄断 四维图新MCU芯片获首批订单

近日，国产车规级MCU技术取得一大突破，实现量产。

四维图新旗下全资子公司AutoChips杰发科技对外发布消息称，国内首款通过AEC-Q100Grade 1, 工作温度-40℃~125℃的车规级MCU（车身控制芯片）在客户端量产，并获得首批订单。

四维图新首颗车规级MCU芯片实现量产，意味着国内MCU技术首次实现零的突破，打破国外企业的垄断。

据了解，这款车规级MCU芯片的诞生经历了三年时间才完成设计、研发与测试等阶段。四维图新副总裁、AutoChips杰发科技副总经理万铁军指出，“车规级MCU芯片因研发周期长、设计门槛高、资金投入大，使得国内厂商对车规级芯片产品望而却步。”但该款MCU芯片的面世也令车规级MCU芯片市场出现国内产品的身影。

国产MCU发展空间巨大

资料显示，MCU被喻为电子产品的心脏，被广泛应用在消费和工业电子产品中。但事实上，MCU技术被业界人士称为“核心之痛”，长期以来受国外巨头垄断。更重要的是，国内主营MCU的上市公司数量并不多，目前包括兆易创新、中颖电子和东软载波。而对于其他大型集成电路上市公司而言，如华大半导体、大唐微电子、同方微电子和贝岭股份等，MCU只是作为其产品线分支而存在。

目前，对于国内企业而言，占据的主流市场还停留在8位MCU，占比约50%。16/32位MCU占比分别为20%左右。国内MCU应用领域多集中在低端电子产品，中高端电子产品市场依然由国外掌控。总体来看，国内MCU不管是从市场份额还是技术优势，都落后于国外。

值得一提的是，除了电子产品领域，MCU芯片在汽车领域的应用也相当广泛，从车载信息娱乐产品，到雨刷、车窗、电动座椅等车身控制都需要芯片组来实现功能。据相关数据统计，一辆汽车中所使用的半导体器件数量中，MCU芯片约占30%。由此可见，MCU芯片在汽车领域应用的重要性。

这一次四维图新量产首颗车规级MCU芯片，虽然意味着迈出了国内MCU芯片的第一步，但如四维图新副总裁万铁军所说，“要实现真正的‘中国芯’，我们还有很长的路要走。”

三星7nm EUV工艺获IBM青睐，将代工Power处理器

三星7nm EUV工艺获IBM青睐，将代工Power处理器

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今年8月底Globalfoundries公司(简称GF）突然宣布停止7nm及以下工艺的研发、制造，受此影响AMD公司宣布将7nm订单全部交给台积电代工。GF公司停止7nm工艺代工影响的不只是AMD公司，还有一个重要客户IBM，后者的Power 9处理器使用的也是GF的14nm工艺，因此IBM也要寻找新的代工厂了。

早前有消息称IBM也选择了台积电的7nm代工Power处理器，不过IBM、三星今天联合宣布扩大战略合作关系，三星将使用7nm EUV工艺为IBM代工Power处理器。

作为OpenPower及IBM研究联盟的一员，三星在半导体工艺方面跟IBM已经合作至少15年了，三星的FinFET工艺技术也同样受益于IBM技术，今天双方的合作还将扩展到下一个十年，IBM选择三星代工未来的Power处理器。

根据双方的合作信息，IBM将使用三星的7nm EUV工艺生产未来的Power处理器及其他HPC产品，该工艺今年10月份才量产，三星表示7nm LPP工艺可以减少20%的光学掩模流程，整个制造过程更加简单，节省了时间和金钱，又可以实现40%面积能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目标。

不过三星与IBM的合作还缺少细节，目前的Power 9使用的是14nm工艺，依然由GF代工，下一代的Power 10处理器规划使用10nm工艺，再下一代的Power 11月才会使用7nm工艺，由于代工厂的变动，现在不确定IBM是跳过10nm节点直接上7nm还是会继续使用10nm工艺。

对三星来说，由于台积电几乎垄断了所有7nm工艺订单，现在获得IBM这个大客户对他们扩展代工业务至关重要，而与IBM的合作也会成为三星7nm EUV工艺的广告宣传，未来可以从台积电那里抢更多的客户了。

SK海力士第7座半导体厂动工 预计2020年正式完成

SK海力士第7座半导体厂动工 预计2020年正式完成

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随着NAND Flash快闪存储器及DRAM价格不断下跌，2019年存储器市场将迎接逆风。而为了应付降价导致的损失，包括存储器大厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光都计划减少资本支出。

不过，降低成本支出并不意味着他们不再建设工厂了，就在本周，SK Hynix正式开工建设第7座半导体工厂──M16厂，总投资不低于15万亿韩元（约133亿美元）。虽然还没确定最终生产NAND Flash还是DRAM，但是这座晶圆厂确定将会采用最先进的EUV光刻技术。

2018年10月份，SK Hynix才刚完成最新的M15工厂兴建，并且在日前正式进入量产，且该工厂是2015年SK Hynix宣布将斥资的46万亿韩元投资计划中的一部分。M15工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达15万亿韩元，以生产3D NAND Flash为主，初期以生产现在的72层堆叠3D NAND Flash，2019年开始，就会转到96层堆叠的3D NAND Flash上。

至于新动工的M16厂，在本周正式举行开工典礼之后，预计2020年正式完成，总投资额还没确定。不过，也确定不会低于15万亿韩元。其中，基础设施建设就要3.5万亿韩元，占地达30英亩。这座工厂最终会以生产DRAM还是NAND Flash为主，目前尚未确定。对此，SK Hynix表示，要看落成时的市场需求以及工厂的技术水准来决定。

虽然，还不确定要生产什么样的产品，不过有一点可以肯定，那就是M16工厂将会用上最先进的EUV光刻技术。事实上，存储器跟逻辑芯片不同，虽然对EUV光刻技术的需求没那么高，不过三星、SK Hynix仍会依计划，在未来使用EUV技术生产存储器。而相对于韩国两大存储器厂的做法，美系厂商美光对EUV使用的态度就显得比较保守。之前曾经宣布，在未来2代的存储器生产中都将不会用到EUV光刻技术。

而除了韩国之外，SK Hynix在无锡也有生产DRAM的晶圆厂。无锡厂目前的一期工程产能在每月10万到12万片之间，是全球重要的DRAM芯片基地之一。而SK Hynixy在2018年初期，还宣布将投资86亿美元在无锡建设第2座存储器工厂，预计完成后存储器产能将达到每月20万片。

另外，日前有韩国媒体报导，目前韩国政府正在推动大型半导体制造群体，预计在10年内投资超过120万亿韩元，并纳入4家大型半导体工厂及50家上下游材料及设备供应商。其中，SK Hynix就允诺，将依据计划在韩国境内再兴建一座大型半导体工厂。因此，在当前半导体景气面临逆风的状态下，韩系存储器厂的扩张计划将不会有所改变。

内存、闪存降价太狠，美光削减12.5亿美元支出以减少供应

内存、闪存降价太狠，美光削减12.5亿美元支出以减少供应

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美光公司昨天发布了2019财年Q1季度财报，当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的，但是相比上个季度已经放缓了，主要原因就是NAND闪存大幅降价，DRAM内存芯片也由涨转跌，影响了公司的毛利率。2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低，大趋势不可避免，为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出，减少内存及闪存芯片的产量。

美光总裁、CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少DRAM内存及NAND闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测DRAM内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而NAND闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。

美光明年的资本支出大概是95亿美元，削减了12.5亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，在这些领域美光认为需求量低于预期。

对于明年存储市场的情况，普遍的预期是2019年上半年会继续跌，花旗集团分析师Peter Lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的，预计2019年下半年市场需求就会升温。

在美光之前，三星、SK Hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少NAND闪存、DRAM内存产能，三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

中国首台ASML NXT2000i正式入驻SK海力士无锡工厂

中国首台ASML NXT2000i正式入驻SK海力士无锡工厂

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此前，光刻机霸主艾司摩尔（ASML）中国区总裁沈波在中国集成电路制造年会上表示，今年下半年艾司摩尔已开始出货家族最先进的NXT2000i，很快会在中国市场上也见到。如今，该消息正式被证实。12月19日晚间，中国首台艾司摩尔NXT2000i正式搬入SK海力士位于无锡的工厂。

此前有消息称，艾司摩尔已经开始出货新品Twinscan NXT:2000i DUV（NXT:2000i双工件台深紫外光刻机），可用于7nm和5nm节点。

NXT2000i将是NXE3400B EUV光刻机的有效补充，毕竟台积电/GF的第一代7nm都是基于DUV工艺。同时，NXT2000i也成为了艾司摩尔旗下套刻精度（overlay）最高的产品，达到了和3400B一样的1.9nm（5nm要求至少2.4nm，7nm要求至少3.5nm）。

据了解，艾司摩尔今年的EUV光刻机产能将达到20台，明后两年将逐步提升到40台。有消息称，中芯国际已向艾司摩尔订购了一台EUV光刻机，预计明年交付，用于7nm节点。

另外值得注意的是，无锡是SK海力士在中国的DRAM内存芯片生产基地，目前月产能约为14万片/月。

此外，SK海力士还成立了SK Hynix System IC公司，开始进军晶圆代工市场。今年7月，SK Hynix还通过SK Hynix System IC（即“SHSI”）子公司跟无锡实业发展集团达成合作协议，双方合作成立了合资公司海辰半导体（无锡）有限公司。

其中，无锡实业发展集团占股49.9%，SHSI占股50.1%，双方将在无锡建设一座200mm晶圆厂，用于生产传感器、电源管理芯片等。今年11月，SK海力士再次透过子公司SHSI向无锡晶圆代工事业出资1,000万美元，但资金用途视厂房兴建计划而定。

上海新昇大硅片通过中芯国际认证

上海新昇大硅片通过中芯国际认证

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作为国内首个300mm大硅片项目，上海新昇的动态一直备受业界关注，继向上海华力微销售正片后，日前再传出好消息：其大硅片已通过中芯国际认证。

上海新昇成立于2014年，由上海新阳、兴森科技、张汝京博士技术团队及新傲科技发起，项目占地150亩，总投资68亿元，一期总投资22亿元。目前国家集成电路产业基金旗下上海硅产业投资有限公司为第一大股东（持股62.82%），上海新阳为第二大股东（持股27.56%）。

上海新昇项目于2015年7月正式动工，自2017年第二季度开始有挡片、空片、陪片等测试片的销售，并向中芯国际、上海华力微、武汉新芯等晶圆制造企业提供正片进行认证。2018年一季度末，上海新昇300mm硅片正片通过上海华力微的认证并开始销售，但在中芯国际等企业的认证迟迟未有消息。

如今终于传来好消息。12月20日，上海新阳在互动平台上透露，上海新昇公司大硅片已通过中芯国际认证。这对于上海新昇甚至整个国产硅片而言都是个好消息。

中芯国际是国内规模最大、技术最先进的晶圆代工企业，通过中芯国际认证体现其对上海新昇大硅片产品品质的认可，同时也意味着中芯国际将有可能向上海新昇采购大硅片，有望提升大硅片的国产化率。

不过，某不具名的业内人士表示，上海新昇大硅片通过中芯国际认证表明其产品良率、纯度等指标达到了要求，但中芯国际是否向其采购还需考虑各方面因素，比如产能是否可保证持续供应等。据了解，上海新昇目前月产能10万片，预计2020年底前将实现月产能30万片，最终将达到100万片的产能规模。

值得一提的是，上海新昇或有望登陆目前火热筹备中的科创板。据上海新阳透露，上海新昇已收到《科创板优质企业信息收集表》，但此表仅为信息收集表（且是征集推荐）。此前上海市政府人员曾赴上海新昇实地调研，释出积极信号。

目前科创板相关细则尚未出台，但根据网传政策方向，申报企业的市值10亿元以上最低门槛，且对扣非净利润有所要求（1.市值10亿元以上，连续两年盈利，两年累计扣非净利润5000万元；2.市值10亿元以上，连续一年盈利，一年累计扣非净利润1亿元），而上海新昇今年上半年营业收入7825.89万元、净利润1014.56万元，实现扭亏为盈。

上海新昇是否会登陆科创板尚未可知，但其大硅片通过中芯国际认证后，可期待接下来通过更多晶圆代工厂的认证，并如其官网所言“将彻底打破我国大尺寸硅材料基本依赖进口的局面”。

英特尔放弃对外晶圆代工业务，不见得有利台积电转单

英特尔放弃对外晶圆代工业务，不见得有利台积电转单

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日前，市场传出为了能填补 14 纳米制程的产能缺口，处理器龙头英特尔（intel）在进行旗下 3 座位于包括美国俄勒冈州、爱尔兰以及以色列的晶圆厂产能扩产之外，还将关闭对外定制化晶圆代工业务。有相关人士看好此举，在英特尔退出晶圆代工市场的情况下，有机会对龙头台积电造成转单效应。不过，目前市场分析师表示，原本英特尔晶圆代工市占比例本来就不高，所以转单效应其实有限。

根据外媒的报导，过去一段时间以来，英特尔对无晶圆厂的 IC 设计公司开放定制化的晶圆代工服务是个错误决定。因为这不但影响了英特尔在处理器方面的核心竞争力，还因为程序上的错误，导致近期 14 纳米产能不足，使得个人电脑产业蒙受处理器缺少所带来冲击的结果。因此，英特尔为了填补 14 纳米制程的产能空缺，决定关闭对外晶圆代工业务，专心将珍贵的产能用于自身的产品量产上。

而在此计划传出之后，有人看好在英特尔退出晶圆代工市场之后，将有机会为台积电带来转单效益。对此，市场分析师表示，全球主要 IC 设计厂商在保护自家技术的考量下，下单给英特尔代工的本来就不多。

即便英特尔退出晶圆代工市场，释出的市占率极其有限。此外，以台积电在全球晶圆代工市占率 55% 来看，就算拿到英特尔释出的代工订单，顶多额外增加 1 到 2 个百分点的市占率，贡献度不大。

而值得注意的是，目前英特尔本来就有部分低端的芯片组是委外由台积电来代工生产的。若未来英特尔不再对外承接晶圆代工订单，在优先填补自家工厂产能利用率的考量下，这些订单有可能会回流，两相抵销后，将使得台积电的受惠程度更加降低。

所以，由这些角度来观察，英特尔放弃晶圆代工业务，除了是想解决 14 纳米制程产能不足的问题之外，也为提前为下一世代 10 纳米制程进入量产做好准备。如此一来，未来英特尔在晶圆制造的部份，藉由产能与制成的优化，可以完全达到配合设计端的目标。在双方磨合更好的情况下，制程进度有机会加快，反而将会为台积电带来压力。

集邦咨询：2018年全球服务器出货年增5%，2019上半年出货成长趋缓

集邦咨询：2018年全球服务器出货年增5%，2019上半年出货成长趋缓

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集邦咨询：2018年全球服务器出货年增5%，2019上半年出货成长趋缓

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年全球服务器市场持续成长，预估全年出货量年增约5%，达到1,242万台。从品牌厂出货市占率排名来看，前三名分别为Dell EMC、HPE（含H3C）与Inspur，出货市占率分别为16.7%、15.1%、 7.8%。

DRAMeXchange资深分析师刘家豪指出，2018年全球服务器出货成长动能仍主要来自于北美品牌厂的贡献，比重超过三成。就服务器属性来看，商务型服务器(Enterprise Server)仍占出货大宗，而网络型数据中心(Internet Data Center)的比重则成长至35%。其主要原因为数据中心需求受淡旺季影响较小，上半年北美直接代工规模年增17%，而下半年因库存调整与资本支出放缓，需求略为趋缓，年增约12%。

从品牌端来看，2018年第一季受到淡季影响，出货略为衰退，但第二季开始市况明显回温，出货量季成长超过一成。进入第三季后整体服务器更达到出货高峰，来到320万台。展望2019年，因新平台备货周期提前，多数需求已在2018年到位，厂商布局将转为保守，2019上半年出货成长幅度预估将收敛至2%。待下半年Intel的Gen2与AMD的Rome新平台问世后，才有可能再次驱动市场需求。

云端、商务需求带动，北美品牌出货强劲

现阶段北美品牌厂出货表现仍相当强劲，全球市占前两名的Dell EMC、HPE在商务型服务器表现依旧稳健；其次，随着云端运算兴起，Dell EMC在全球云端基础架构市场上已占有一席之地，且逐渐扩大存储服务器的比重，现阶段约占全球云端存储市场的10%。

反观营利导向的HPE则逐渐放弃低毛利的超大规模服务器基础设施代工（Hyperscale Server Infrastructure），转而专注在企业整合与云端超融合(Hyper coverage)的整合方案，以提高营收。

浪潮全年出货近百万台，华为出货年增20%

中国两大品牌之一的浪潮，今年受惠于政府政策推动数据中心订单增加，整体出货将会接近100万台，在中国区出货市占率近三成。在产品规划上，浪潮大部分服务器代工与品牌出货皆集中在中国国内互联网客户，尤其以一线互联网厂商BAT（百度、阿里巴巴与腾讯）最具规模，而在第二线互联网厂商头条、美团、京东、滴滴等崛起加持下，今年下半年订单仍然络绎不绝。

DRAMeXchange预估，浪潮明年战略规划将着重在新客户群的开发，尤以北美客户为主要目标。

华为今年在稳健的电信运营商标案加持下，整体出货动能来到历史新高，全年成长二成。若以出货规划来看，中国区服务器需求约占华为整体出货的七成，其余则以欧洲车厂与电信运营商的服务器与数据中心建案(5G、telecom server)为主。

3纳米之争！三星2020年量产 台积电建厂环评过关应战

3纳米之争！三星2020年量产 台积电建厂环评过关应战

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根据19日台湾地区环保署所召开的环评大会决议，晶圆代工龙头台积电预计斥资新台币6,000亿元，于南科兴建3纳米厂的计划，在经济部能源局、水利署、以及台电挂保障，在供电与供水都将无虞的情况下，环评委员已决议通过南科园区环境差异变更计划。

台积电3纳米新厂之前已确定落脚南科，而南科管理局也向环保署提出环境差异变更计划，将变更园区用水量、污水放流量、污水厂处理容量及用电量等。不过，对于之前环保团体提出质疑的电力与水利供给疑虑，包括能源局、水利署、台电表示，供电方面，包括再生能源以及发电机组都已汰旧换新情况下，供应台积电3纳米厂所需的75万千瓦用电将无虞。

另外，在供水部分，水利署则是表示，开源措施都能顺利完工，加上再生水发展等应对下，供水也没问题。因此，整个环评大会在历时2个小时说明之下，环评委员最后决议南科园区环境差异变更计划审核修正通过。而且，经济部和台南市政府得配合此案量产用电时程，协助优先满足该案再生能源发电。

事实上，台积电总裁魏哲家此前在供应链论坛上表示，3纳米将成为带领推动台湾半导体产业继续成长的动能。而预计在环评顺利通过后，将按照原本台积电的规划，这座3纳米厂将在2020年建厂，2021年开始安装，之后预估经过18个月的认证，在2022年底到2023年初开始量产。

不过，此前台积电的竞争对手，韩国三星已经放话，目前旗下的3纳米厂已经完成相关认证，目前正在进行相关制程的优化中，预计在2020年正式量产，正式超车台积电。因此，面对三星的来势汹汹，台积电3纳米制程的发展就成为攸关胜负的关键。如今建厂环评通过，两家公司的竞争再次白热化，究竟是先驰得点，还是后发先至，未来还有待观察。

存储器逆风维持到2019上半年，三星与SK海力士业绩不乐观

存储器逆风维持到2019上半年，三星与SK海力士业绩不乐观

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就在19日，美国存储器大厂美光（Micron）因为在DRAM、NAND Flash快闪存储器等价格下降的状况下，使得2019财年首季（2018年9到11月）财报缴出营收及第2季营运预期都不如分析师的预估下，造成当日美光股价在美股盘后交易大跌近9%的幅度。这也使外界开始忧虑，目前存储器市占率大于美光，分占市场前两大的韩国三星及SK海力士，接下来要发表的季财报结果，也将会受到不小的冲击。

根据外媒报导，由于美光主要的存储器产品，包括DRAM和NAND Flash快闪存储器的供过于求，因此导致市场价格下跌，让营收也跟着减少。而且，预计2019财年第2季的营收将持续下跌，金额落在57亿到63亿美元之间。虽然美光对于供过于求的局面，执行长也表示将做出了减量的调整。但市场认为，到2019年上半年为止，半导体存储器产业恐怕会持续维持低档的情况。

对此，美光执行长Sanjay Mehrotra就表示，对于现在的状况，美光的目标是配合产业的需求量，并采取减少产量的措施。但是，对于存储器半导体的负成长趋势，预计价格的逆风还是会持续好几季。因此，随着美光业绩的恶化，也让外界也担忧，目前存储器市占率更高的韩国三星和SK海力士在接下来缴出的季财报中，业绩恐怕不会有好表现。

根据韩国媒体《ETnews》最新报导，随着存储器业绩恶化的忧虑变成现实，韩国半导体企业在2018年第4季的业绩也将不乐观。业界分析，随着美光在11月增加了DRAM的供给，造成三星和SK海力士的半导体价格下跌，使得第4季的营收也会跟着减少。

报导指出，根据韩国市场调查及研究单位表示，原本法人平均预期三星2018年第4季营业利益为15万亿韩元，现在已经下调至14.298万亿韩元。另外，在SK海力士的部分，原本第4季营业利益预期将达到6.4724万亿韩元，目前也下调至5.6403万亿韩元。

业界预期，整体存储器产业的业绩逆风情况将会持续到2019年的上半年。呼应这样的看法，市场调查公司在日前发表的报告中也指出，2019年DRAM市场将会出现1%的逆成长。虽然，2017年和2018年各成长了77%和39%。但是。随着资料中心的需求减少，加上中美贸易战争所带来的不确定性，成长的趋势将转变。