耐威科技子公司成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”

耐威科技子公司成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”

近日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“耐威科技”)发布公告称,其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)成功研制“8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”,聚能晶源也因此成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业,但当期尚未实现量产。

第三代半导体材料氮化镓有何优势?

据悉,与第二代半导体硅(Si)、砷化镓(GaAs)等材料相比,第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有更大的禁带宽度(>3 eV),一般也被称为宽禁带半导体材料。得益于禁带宽度的优势,GaN材料在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于Si、GaAs等传统半导体材料。

此外,GaN材料在载流子迁移率、饱和载流子浓度等方面也较Si更为优异,因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件,在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。

与此同时,将GaN外延生长在硅衬底之上,可以有效地结合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圆的大尺寸、低成本优势。基于先进的GaN-on-Si技术,可以在实现高性能GaN器件的同时将器件制造成本控制在与传统Si基器件相当的程度。

因此,GaN-on-Si技术也被业界认为是新型功率与微波电子器件的主流技术。

设立子公司布局有成效

2018年,公司先后投资设立了聚能晶源、青岛聚能创芯微电子有限公司,依托专业团队优势,联合产业资源,积极布局并把握下一代功率与微波电子领域的市场机遇。

自成立以来,聚能晶源积极投入研发,充分发挥核心团队的技术优势,先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关,成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。

该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

耐威科技表示,在采用国际业界严苛判据标准的情况下,聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势,能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。

公告称,本次“8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”的研制成功,短期内不会对公司的生产经营产生重大影响,但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备,有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。

异构战略日渐盛行

异构战略日渐盛行

随着传统市场走向下坡路和摩尔定律的逐渐失效,半导体行业正在不断革新,力求了解人工智能、自动驾驶汽车、物联网等新市场的需求。

而其中最奇特的也许当属人工智能,因为它的计算范式与传统的“处理器-内存”方法有着明显差异。在近期于旧金山举办的国际电子器件大会上,法国研究员Damien Querlioz在谈及“神经形态计算的新型器件技术”时说道,“长期以来,模式识别和认知任务都是计算机的弱点,比如识别和解读图像、理解口语、自动翻译等。”

大约从2012年起,训练和推理阶段的人工智能技术开始加速发展,但当使用传统计算架构时,功耗仍是一个巨大挑战。

Querlioz是法国国家实验室CNRS的一名研究员,他举了一个活生生的例子:2016年Google的AlphaGo与围棋世界冠军李世石之间的著名围棋大战。李世石的大脑在比赛中消耗了大约20瓦,而AlphaGo估计需要超过250,000瓦才能使其CPU和GPU保持运转。

虽然从那以后Google和其他公司均在功耗方面做出了改进,但越来越多的工作开始侧重于为神经形态计算技术设计耗电更少的新器件。

Ted Letavic是格芯的高级战略营销人员,他表示,回想人工智能的各个阶段,从改进传统计算技术,到设计耗电更少的全新器件和架构,在整个过程中,先进高效的封装将发挥关键作用。

Letavic称,“人工智能时代正在逐步到来,我们可以利用现有的技术,再加上衍生技术,通过DTCO(设计技术协同优化)进行全面优化,一直深入到位单元设计层面。”

格芯的技术人员正在努力降低14/12 nm FinFET平台的功耗并提升其性能,所采用的办法包括双功函数SRAM、更快且功耗更低的累加运算(MAC)元件、对SRAM的更高带宽访问等。基于FD-SOI的FDX处理器的功耗也将降低,尤其是在部署背栅偏置技术时。Letavic表示,设计师掌握了这些技术后,客户便可以“重新设计功耗包络更低的人工智能固有元件,甚至达到7 nm。”

除了这些DTCO改进以外,全球各地也在开展其他研发工作,希望实现基于相变存储器(PCM)、阻性RAM (ReRAM)、自选扭矩转换磁性RAM (STT-MRAM)和FeFET的嵌入式内存与内存中计算解决方案。

Querlioz在IEDM专题会议上提到,在IBM Almaden研究中心,由Jeff Welser领导开发的基于PCM的芯片已取得显著进展,而基于STT-MRAM和ReRAM的人工智能处理器也前景光明。Querlioz表示,“现在,我们极有可能成功为认知类型的任务和模式识别重新发明电子器件。”

Letavic称,降低功耗的道路还很长,对于推理处理而言尤其如此,而这正促使众多初创公司开发新的人工智能解决方案,格芯也与其中部分公司及长期合作伙伴AMD和IBM保持着密切合作关系。

Letavic认为,凭借对冯诺依曼计算模式的DTCO改进,我们只能发展到这一步。除了分类逻辑和内存,下一步是发展内存中计算和基于模拟的计算。此外,为计算行业服务了35年的指令集架构(ISA)将需要被新的软件堆栈和算法取代。他说道:“对于特定领域的计算,必须重新发明软件。IBM对软件堆栈有着深刻的见解。”

“各方都必须一同转向人工智能。格芯将与主要客户紧密合作,我们不能将算法与技术分开,”Letavic在谈及该系统技术协同优化(STCO)方面的紧密合作时说道,“随着我们迈入计算发展的第四个时代,STCO将是DTCO的自然延伸。我们将朝着特定领域的计算发展,共同迎接这一转变。”

10年斥资约7300亿元 韩国力推大型IC制造集群计划

10年斥资约7300亿元 韩国力推大型IC制造集群计划

近日,根据韩国媒体《BusinessKorea》报道,为强化韩国半导体实力,韩国政府正在推出一项大型的半导体制造集群计划,该项计划将由 4 家大型半导体制造商,以及大约 50 家的上下游零组件或设备生产厂商来整合执行,韩国政府预计该计划在 10 年内将投入金额约 120 兆韩元(约人民币7334亿元 )。其中,韩国存储器大厂 SK 海力士将在这个半导体制造集群中投资兴建一座新的半导体工厂。

报道指出,韩国政府包括贸易、科技、以及能源部在提出 2019 年相关商业计划时,也已经将此大型的半导体制造集群计划纳入其中。因此,自 2019 年开始,韩国政府经订立相关计划细节,后续将依照计划分阶段执行。其中,存储器大厂 SK 海力士将在这个半导体制造集群中投资兴建一座新的半导体工厂,而该座新的半导体工厂将坐落于韩国京畿道龙仁,将与三星位于京畿道吉兴市的半导体工厂比邻。

韩国官员表示,如果 SK 海力士决定在半导体制造群体计划中建立一座新的制造工厂,它将可以整合附近的半导体零件和设备供应商,强化其整体半导体制造生态。对此,SK 海力士则是表示,还没有确认京畿道龙仁是新制造工厂所在地,正与政府持续讨论,因为包括利川和清州等地也是相关地点。

目前,SK 海力士正在韩国利川及清州地区都分别各兴建一座半导体生产工厂。其中,在清州的 M15 工厂近期完工,并预计于 近 日正式投入量产。而利川的工厂则是目前正在兴建中。因此,为了集群效应,SK 海力士希望能在利川及清州地区兴建新的生产工厂。只是目前两个地区都没有适合的空间,因此也正在与韩国政府商讨中。

报道指出,为了能在首尔大都市区建立半导体工厂,过去 SK 海力士必须遵守 「首尔都市维护计划法」 等法规。而在韩国政府推动大型的半导体制造集群计划后,计划放松管制,借以使 SK 海力士参与政府的半导体制造集群计划。 SK 海力士预计兴建的新半导体工厂,预计在 2025 年间完工,之后以协助建立整个半导体制造生态系,预计在 2029 到 2030 年间完成整个半导体制造集群计划的目标。

 

英特尔FPGA中国创新中心落户重庆西永微电园

英特尔FPGA中国创新中心落户重庆西永微电园

近日,英特尔FPGA中国创新中心正式在西永微电子产业园揭幕。

据了解,英特尔FPGA中国创新中心是英特尔在亚太区域内唯一聚焦FPGA技术与生态的创新中心,也是全球最大的聚焦FPGA技术与生态的创新中心,其致力于推动FPGA在云计算、智慧城市、人工智能、智能制造、金融科技、5G通信等领域的广泛应用及前沿创新。

相关资料显示,FPGA是指现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,缩写为FPGA),它是在PAL、GAL、CPLD等可编程逻辑器件的基础上进一步发展的产物。FPGA作为专用集成电路领域中的一种半定制电路,其之所以广泛应用于诸多领域,是因为它既解决了全定制电路的不足,又克服了原有可编程逻辑器件门电路数有限的缺点。

英特尔FPGA中国创新中心在重庆西永微电园落户,对国内FPGA的生态建设将产生积极作用。继落户之后,它将为国内FPGA研发人员及创新企业提供先进的开发、测试及验证的端到端平台,打造集FPGA培训认证、产业孵化、应用展示及空间活动为一体的综合性专业创新孵化加速中心。

同时,在人才方面,英特尔FPGA中国创新中心也将携手国内高校及生态合作伙伴开展FPGA优秀人才培养及技术应用研究。

思科拟6.6亿美元收购光学芯片制造商Luxtera

思科拟6.6亿美元收购光学芯片制造商Luxtera

此前,消息传出网络设备制造商思科正在洽谈收购光学芯片制造商Luxtera,如今传言得到证实。12月18日,思科官方宣布,拟以6.6亿美元的现金和股权奖励收购Luxtera。

资料显示,Luxtera成立于2001年,其开发了硅光子技术,这种技术将编码成光子的信息转换成光纤直接传输到半导体中,极大地加快了数据传输速度。该技术受到不少企业的青睐,媒体引援消息人士言论称,在这场收购交易竞标中,思科击败了包括英特尔和Broadcom在内的其他公司。

思科认为,Luxtera使用硅光子技术构建用于网络规模和企业数据中心、服务提供商细分市场和其他客户的集成光学功能,其技术、设计和制造创新显著提高了芯片规模和性能,同时降低了成本。

思科计划将Luxtera的技术整合到网络产品组合中,涵盖企业、数据中心和服务提供商市场。 

思科网络与安全业务执行副总裁兼总经理David Goeckeler称,随着2018年视觉网络指数预测未来五年全球互联网流量将增加三倍,客户将面临互联网带宽的巨大需求。光学是实现这一未来的基础技术,结合其芯片和光学创新技术,Luxtera将使客户可构建世界上最大、最快、最高效的网络。

具体而言,思科表示其与Luxtera在100千兆以太网(GbE)/ 400GbE、光学芯片和工艺技术方面的结合,将使客户能够构建针对性能可靠性和成本进行优化的、面向未来的网络。此外,Luxtera与思科光收发器产品组合的集成将扩大思科提供的100GbE和400GbE光纤产品。

思科将为收购Luxtera支付6.6亿美元的现金和股权奖励。交易完成后,Luxtera员工将加入思科光学业务部门,向负责网络和安全业务执行副总裁兼总经理David Goeckeler报告。

此次收购预计将在思科2019财年第三季度完成,具体取决于惯例成交条件和所需的监管部门批准。

抢占物联网商机 高通发布9205 LTE基带芯片

抢占物联网商机 高通发布9205 LTE基带芯片

为了抢攻物联网(IoT)商机,移动处理器大厂高通(Qualcomm)近日宣布,正式推出9205 LTE基带芯片。该产品这是一款专为对低功耗和广域网络(LPWAN)等特殊要求所研发的物联网应用设计的芯片组,未来将可广泛的应用在多数的物联网设备上。

根据高通所提出说明指出,新款9205 LTE基带芯片是在一个芯片组中支持全球多模LTE通讯类别,其中包含了包括M1(eMTC)和NB2(NB-IoT)以及2G/E-GPRS连接等。

此外,该基带芯片还包含ArmCortexA7提供的应用处理能力,主频高达800MHz,支援Thread X和Ali OS Things。高通表示,这样整合的应用处理器避免了对外部微控制器的需求,以提高成本效率和设备安全性。

另外,9205 LTE基带芯片在其他功能方面,还包括地理定位功能,可以通过GPS、北斗、Glonass和Galileo进行定位,还能通过高通的Trusted Execution Environment提高硬件级别的安全性,而且还支持云服务。

因此,该款基带芯片将可用于在广域网络上运行的设备和应用程序,包括可穿戴设备、资产跟踪器、健康监视器、安全系统、智慧城市传感器和智慧电表。

高通进一步强调,新款9205 LTE基带芯片已经将支持450 MHz至2100 MHz频段频宽的RF收发器也已整合到芯片中。因此,与其前代产品相比,9205 LTE基带芯片的体积缩小了50%,而且更具成本效益。该调制解调器还可以在空闲时将功耗降低多达70%。

高通预计,内建9205 LTE基带芯片的产品将在2019年正式上市。

台积电动作频频 晶圆代工产业将有何影响

台积电动作频频 晶圆代工产业将有何影响

台积电于一年一度的供应链论坛中发布众多讯息,包含各界最关注的先进制程状态,7nm仍为台积电重点成长产品线,随着越来越多国际芯片大厂导入,未来7nm将会持续扩产;而5nm产品为台积电下一个成长支柱,预计于2019年第二季进入试产,并在2020年开始贡献营收。由于台积电在晶圆代工产业市占过半,其一举一动都是晶圆代工产业的关注焦点。

15年来首次扩产 8寸成为新应用订单

台积电除了在供应链大会上公布先进制程进度外,也宣布将新建8寸厂,由于台积电没有针对此一计划多做解释,市场揣测长年为台积电代工8寸产品的世界先进,可能会受到不小冲击。

观察半导体产业近年产能建置布局,大部分扩产计划皆锁定12寸产品(即便是原本用于8寸产品的成熟制程),此次台积电预计扩产的8寸厂,主要是针对特殊制程产品线而建,与世界先进现下专注的显示驱动芯片、电源管理芯片等产品有一定差异,因此该计划对世界先进的影响应不至于如外界担心的显著。

台积电降价抢单 对其他代工厂商造成压力

台积电最近于8寸及12寸产品,皆传出有针对2019年的优惠价格,并积极与客户讨论2019年订单状况,事实上,众多芯片客户进入库存调整阶段,进而影响包含台积电在内的众晶圆代工厂商现下及2019年订单。台积电身为晶圆代工技术与质量的领导厂商,当其罕见以下降代工价格来争取订单时,也将迫使其他晶圆代工厂商同样面临降价压力,此外,由于台积电拥有业内最成熟的先进制程技术,此次台积电争取市占的动作,可能会进一步让依赖台积电先进制程技术的客户,加大采购台积电的成熟制程产品。

国微技术EDA项目获4亿元资助,国内EDA产业整体实力如何?

国微技术EDA项目获4亿元资助,国内EDA产业整体实力如何?

在国家及地方大力发展集成电路产业的大环境下,EDA作为必备的设计工具软件亦受到了关注,日前视密卡及mPOS设备供应商国微技术公告称,全资子公司国微深圳已获批国家重大科技专项,专项子课题EDA项目已获立项。

国微深圳获批国家重大科技专项

根据公告,国微技术全资子公司国微集团(深圳)有限公司(以下简称“国微深圳”)已获批国家重大科技专项,专项子课题“芯片设计全流程EDA系统开发与应用”(以下简称“该项目”)已获立项。

为此,国微深圳将获该项目资助共计约4亿元人民币,其中50%由中央财政经费资助、其余50%由深圳市政府资金支持。截至公告发布日,国微深圳已收到首批中央财政经费约7500万元人民币。

国微技术表示,该项目的批准表明,国微集团将在中国的EDA开发和研究领域发挥着关键作用,将致力于成为该领域的全球领先企业。

具体而言,国微集团将以布局布线工具为核心,重点开发布局布线、时序分析、物理验证和功耗分析等工具,着力开发硬件仿真加速器、门级仿真、逻辑综合和形式验证等工具,最终形成数字电路芯片设计全流程EDA工具平台;其亦将面向国产高端芯片(服务器CPU、FPGA等)高性能、低功耗需求,开发其他特色工具。

公告称,通过研发EDA技术,国微集团的产品线将进一步多元化,同时亦能提升在集成电路领域的行业地位,这将为其进入相关高门槛行业及实现可持续发展奠定了坚实的基础。

董事会认为,EDA技术的国产化和大规模应用将对集团未来业绩产生积极影响。

国产EDA现状

EDA(Electronic Design Automation)即电子设计自动化软件,是进行芯片自动化设计的基础,处于集成电路设计产业的上游,是实现超大规模集成电路设计的前提。EDA企业主要向客户销售EDA工具、IP核等,市场整体规模不大,但在整个集成电路产业链条中拥有重要的地位。

然而,这个对集成电路设计企业至关重要的细分市场,从曾经的百家争鸣发展至今已形成高度垄断状态。相关数据显示,2017年全球整体EDA产业市场规模约为85-90亿美元之间,Synopsys、Cadence、Mentor三巨头瓜分约70%的市场份额。

国产EDA产业虽然起步较早,但前期研发进展较慢,导致产业化严重滞后。目前,国内EDA市场超90%份额被海外三大EDA巨头所占据,剩下的市场还有ANSYS等国外公司来争夺,国产DEA企业可谓“夹缝中生存”,与三大巨头存在非常大的差距,甚至有分析指出这个差距至少是20年。

不过,近年来随着国内大力发展集成电路,国产EDA企业亦逐渐开始崭露头角。现我国拥有华大九天、广立微、芯禾科技、蓝海微、九同方微、博达微、概伦电子、珂晶达、创联智软等EDA企业,这些企业正在努力追赶并且寻求局部突破。

其中华大九天是国产EDA中的佼佼者,据华大九天董事长刘伟平介绍,华大九天目前已有一套完整的模拟电路设计平台,且SoC设计提供优化工具平台、针对显示器面板的全流程设计工具方面亦有所突破;此外,广立微在Foundry良率测试分析工具方面做得不错,芯禾科技亦针对射频芯片设计和验证推出了一个工具集……

但整体而言,国产EDA与国际水平差距仍非常明显,刘伟平曾向媒体表示,国内EDA厂商还“没有能力全面支撑产业发展。”其认为主要体现在产品不够全、与先进工艺结合的缺失、人才与研发投入不足等方面。

业界指出,国产EDA企业发展需要拥有自身特色,由点到面逐步突破,针对差距和问题各个击破。如今国微集团亦开始发力EDA,我们期待其后续表现。

美光2019年首季营收79.13亿美元 净利同比增23%

美光2019年首季营收79.13亿美元 净利同比增23%

存储器大厂美光 (Micron) 近日发布了公司 2019 财年首季财报。根据财报指出,美光首季营收为 79.13 亿美元,相较 2018 财年同期的 68.03 亿美元,成长 16%,净利达 32.93 亿美元,也同样成长 23%。

美光 2019 年首季营收为 79.13 亿美元,与 2018 财年同期的 68.03 亿美元相较,成长 16%。但是,根据华尔街分析师的预估,平均预期美光首季营收为 80 亿美元的情况下,整体表现不如预期。

而在毛利的部分,首季毛利为 46.15 亿美元,毛利率为 58.3%。相较 2018 财年同期的 37.47 亿美元,以及毛利率 55.1% 皆有成长。在不以通用会计准则计算下,美光首季的毛利则是来到 46.7 亿美元,毛利率 59%,较 2018 财年同期的 37.69 亿美元毛利,以及毛利率 55.4% 来说,也同样维持成长。

至于,在净利的部分,美光首季净利为 37.59 亿美元,净利率 47.5%,较 2018 财年同期的净利 30.97 亿美元,以及净利率 45.5% 呈现成长状态。而不以通用会计准则计算下,净利则为 38.87 亿美元,净利率 49.1%,较 2018 财年同期的 31.57 亿美元,净利率 46.4%,也维持成长状态。

四川省支撑“5+1”产业加快发展 打造电子信息产业高地

四川省支撑“5+1”产业加快发展 打造电子信息产业高地

近日,四川省发布了《关于优化区域产业布局的指导意见》,分别明确了21个市州重点布局产业及重点发展领域。引导各地优化产业布局,做强“一干多支”发展战略的产业支撑。值得一提的是,在之前已明确的五大经济区产业布局的基础上,该指导意见进一步分别明确了21个市州重点布局产业及重点发展领域。

未来,四川省将支撑“5+1”产业加快发展。落实主体功能区规划,引导各地加快产业布局调整优化,强化区域间产业协同合作,发展壮大电子信息、装备制造、先进材料等5个万亿级支柱产业,大力发展大数据、人工智能、第五代移动通信等数字产业,布局集中、配套完善的现代产业体系。

除此之外,四川省还将着力打造新一代信息技术、高端装备制造、钒钛新材料等四大世界级产业集群,培育国内领先的集成电路、新型显示、信息安全、航空航天新能源汽车等产业集群。

以下为指导意见中,关于电子信息、智能制造及先进材料的布局导向:

首先,成都将重点发展电子信息、装备制造、先进材料和数字经济,打造世界级新一代信息技术、高端装备制造产业集群和国内领先的集成电路、新型显示、航空航天等产业集群,争创国家数字经济示范区和国家大数据综合试验区。

在产业布局方面,成都将布局电子信息、装备制造、先进材料等产业。值得注意的是,其中电子信息产业方面,成都将大力发展集成电路、新型显示、信息安全、软件与信息服务、智能终端、新一代网络技术、大数据、人工智能、虚拟现实等领域。

而环成都经济圈将加快成都平原经济区产业布局一体化,推动成都部分产能向环成都经济圈疏解转移 则重点发展装备制造、电子信息、食品饮料、先进材料产业,重点打造高端装备制造、电子信息产业集群。据悉,环成都经济圈包括了德阳、绵阳、遂宁、乐山、雅安、眉山及资阳。

德阳:电子信息(电子元器件、智能终端、大数据),先进材料(锂电池材料);

绵阳:电子信息(新型显示、数字视听、大数据、软件与信息服务、新一代网络技术),装备制造(新能源与智能汽)等;

遂宁:电子信息(电子元器件、新光源、集成电路),先进材料(锂电池材料、石墨烯材料)等

乐山:电子信息(电子元器件、集成电路、光电信息、半导体);

雅安:电子信息(大数据、电子元器件),先进材料(电子专用材料),装备制造(汽车零部件、新能源与智能汽车);

眉山:电子信息(新型显示、大数据),装备制造(轨道交通、工业机器人),先进材料;

资阳:电子信息(集成电路、云计算),装备制造(智能装备)。

川南经济区也是重要的经济区之一,它致力于打造全省第二经济增长极,并重点发展先进材料、装备制造、电子信息等产业,打造智能终端、信息安全、新材料、通用航空和航空发动机研发制造等产业集群。

其中包括以下城市及重点发展领域:

自贡:电子信息(智能终端、电子元器件)

泸州:电子信息(智能终端、大数据、北斗应用),先进材料(太阳能电池材料);

内江:电子信息(大数据、信息安全)

宜宾:电子信息(智能终端、大数据),装备制造(新能源与智能汽车)。

川东北经济区则重点发展能源化工、装备制造、先进材料产业。具体城市及布局如下:

广元:电子信息(电子元器件、智能终端),先进材料(锂电池材料);

南充:电子信息(电子元器件、智能终端),装备制造(新能源与智能汽车);

广安:电子信息(智能终端、电子元器件);

巴中:先进材料(先进碳材料及石墨烯)。

最后,攀西经济区的发展重心不在于电子信息与智能制造方面,而是主要发展先进材料、能源化工,培育钒钛材料产业集群,创建钒钛新材料国家产业创新中心,进而有利于与其他经济区形成优势互补,打造电子信息等产业高地。