5月7日，5月7日，北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告（第二期）。
国开证券和天科合达于2019年12月6日签署《北京天科合达半导体股份有限公司与国开证券股份有限公司关于首次公开发行股票并上市辅导协议》，并于2019年12月12日取得中国证监会北京监管局辅导备案受理。
官网资料显示，天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为10364.2866万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2017年4月10日，天科合达在新三板挂牌上市，2019年8月12日终止新三板挂牌。
天科合达为全球SiC晶片的主要生产商之一，目前其在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位，国内排名居前列，晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。
电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND Storage Devices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而闪存 (NAND Flash) 厂商长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
据群联电子报道，该公司与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。例如高阶的PCIe SSD控制芯片PS5012、SATA SSD控制芯片PS3112、符合高速行动装置储存的UFS控制芯片PS8318及eMMC控制芯片PS8229、近期讨论的NM Card (Nano Memory Card) 控制芯片PS8229、以及消费应用的SD与USB控制芯片等，均支持长江存储的64层3D NAND，为接下来由5G技术带动的相关储存应用需求持续布局。
群联董事长潘健成表示，长江存储 (YMTC) 虽然是NAND Flash产业新人，但产品质量已受到特定应用市场的验证与认可，有机会在各储存应用领域逐渐普及。而群联电子身为全球最大的独立闪存控制芯片暨储存方案整合厂商，也将逐步地加深与长江存储的合作，期盼双方能互利共赢，让更多消费者享受到闪存所带来的高速及稳定的好处。
潘健成也指出，除了64层3D NAND以外，群联也已经开始安排研发团队着手支持长江存储近期发表的128层3D NAND。换言之，群联与长江存储的合作是长期且稳定的。而储存应用市场部分，群联也将偕同长江存储先从消费储存应用开始，并逐步延伸至工控嵌入式系统以及企业级服务器等高阶储存应用。
根据外媒报导，三星新款的自研移动处理器Exynos 1000曝光。与三星其他移动处理器相比，三星Exynos 1000采用了处理器大厂AMD旗下的RDNA GPU技术。而RDNA GPU技术则是2019年6月AMD授权给三星使用的，用以取代现有的Maili GPU。而且在测试软件的评分内容中，Exynos 1000在GPU的效能上较当前高通旗舰型骁龙865所采用的Adreno 650 GPU性能更加强悍。
事实上，之前有国外消费者连署，要求三星放弃自研的Exynos系列移动处理器，改用高通骁龙系列移动处理器，其主要原因就是Exynos系列移动处理器的CPU及GPU核心效能不如骁龙系列移动处理器。
对此，虽然三星表示，Exynos系列移动处理器与骁龙系列移动处理器都在相同环境下进行测试，性能并无差异。但是，面对消费者的要求，三星优化Exynos系列移动处理器的动作也在持续进行中。
报导指出，就在2019年AMD与三星签订授权协议，预计将AMD在Radeon GPU上的技术授权给三星使用之后，三星也宣布除了智能手机所使用的移动处理器将会采用AMD守权的矽智财权之外，还将延伸到其他周边及穿戴式装置上。如今，首款采用AMD旗下RDNA GPU技术的Exynos处理器就将问世。而在采用了RDNA GPU技术之后，三星的新款Exynos 1000移动处理器在测试软件上的跑分测试成绩就变得十分出色。
其中，在Manhattan 3.1的测试软件中，Exynos 1000移动处理器就跑出了181FPX的成绩，与高通骁龙865使用的Adreno 650 GPU相较，几乎提升了50%，而且这还只是差距最小的测试。另外，在性能需求更高的Aztech Norma l测试软件测试中，Exynos 1000也跑出了138FPS的成绩，差不多是骁龙865的2.5倍。
至于在性能需求最高的Aztech High测试软件的测试中，Exynos 1000的帧率达到了58FPS，则几乎是骁龙865的3倍表现。显见换上AMD的RDNA GPU技术之后，Exynos 1000的GPU效能提升状况令人惊艳。
报导进一步指出，三星新款的Exynos 1000移动处理器预将会在2020年底，或是2021年初发表，将采用三星的5纳米制程技术。因此，2020年下半年将发布的Galaxy Note 20旗舰型智能手机预计将还没有机会搭载Exynos 1000移动处理器。
之前，三星宣示为了达成 2030 年成为非存储器市场的系统半导体龙头，将在晶圆代工业务上力追台积电，也因此三星一直在努力争取其晶圆代工业务的新客户。就在几个月前，有报导指出，绘图芯片大厂英伟达 (NVIDIA) 的下一代 GPU 将可能选择三星的 7 纳米制程技术。如今，有外媒报导，英伟达的长期伙伴台积电能将吃下大多数 7 纳米 GPU 的订单，三星方面仅获得部分入门级 GPU 的生产。
根据外媒《SamMobile》的最新报导，供应链的消息指出，NVIDIA 已决定在三星和台积电之间分拆 7 纳米制程的 GPU 订单，台积电将赢得其中的大部分订单，至于三星方面则仅被选择用于入门等级的 GPU 生产。这也是台积电继 2019 年在高通骁龙技术大会上，被宣布赢得 7 项新产品当中的 4 项产品代工订单，超越三星的 3 项订单之后，又一次在同一个厂商的代工订单竞争上超越竞争对手。
之前，英伟达的韩国业务负责人 Yoo Eung-joon 曾经在 2019 年的公开场合中表示，三星的 7 纳米制程技术将用于制造英伟达的下一代产品，下一代 GPU，但是，对于三星能接到的订单规模实中没有透露。对此，三星也努力地希望能赢得英伟达的青睐，甚至在价格上大幅度降低。只是，台积电长期以来一直是英伟达 GPU 的代工合作伙伴，因此要从台积电手上拿下订单有其很高难度，所以三星才会祭出降价抢单的策略。不过，在当下英伟达决定将大多数的订单交由台积电生产，市场传言当前英伟达也已经向台积电下订了一定数量的 7 纳米制程产能，以准备用于生产新一代 Ampere 架构的 GPU。
至于在三星的部分，报导也指出，英伟达也已与三星进行签约，制造入门级的 Ampere 架构 GPU。这入门级的 Ampere 架构 GPU 预计将会是在三星的 7 纳米 EUV 制程，或 是 8 纳米制程技术上生产。而英伟达拆分 Ampere 架构 GPU 订单的原因，外界猜测是主要在减轻台积电 7 纳米制程的负担，同时又使两家代工厂的产量能最大化所做的决定。不过，当前三星似乎仍不满意英伟达这样的决定，日前又宣称两家公司当前正在讨论以三星的 5 纳米制程，并于 2021 年少量英伟达计划中的 5 纳米制程 Hopper 架构的 GPU。而这样的消息，其真相如何还有待后续观察。
5月7日，电力功率半导体器件供应商西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司（以下简称“派瑞股份”）正式在深圳证券交易所创业板挂牌上市。
根据上市公告书，派瑞股份本次公开发行总股数为8000万股（占发行后总股本的25.00%），发行价格为3.98元/股，募集资金总额为3.18亿元，扣除发行费用后募集资金净额2.69亿元。上市首日，派瑞股份截至午间休盘的股价为5.73元/股，涨幅超过40%。
资料显示，派瑞股份主营业务为电力半导体器件和装置的研发、生产、实验调试和销售服务，产品可分为高压直流阀用晶闸管、普通元器件及电力电子装置三大类，其中高压直流阀用晶闸管业务贡献主要营收。
据了解，派瑞股份的控股股东是西安电力电子技术研究所（以下简称“西电所”），直接持有派瑞股份1.27亿股股份，占本次发行后公司总股本的39.55%。陕西省国资委通过科控集团和西电所间接持有派瑞股份1.36亿股股份，占该公司股份总数的42.3487%，为派瑞股份的实际控制人。
招股书介绍称，西电所是我国电力半导体器件的发源地，我国第一只整流管、晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管（GTO）、光控晶闸管等电力半导体器件均由西电所研发。派瑞股份继承了西电所的技术，掌握了先进的5英寸超大功率电控、光控晶闸管制造技术，研制出拥有自主知识产权的6英寸特大功率电控晶闸管等产品。
此次上市，派瑞股份拟将所募集资金投资建设大功率电力半导体器件及新型功率器件产业化项目。项目第一阶段目标是建立8英寸芯片生产线，研发8英寸功率器件，额定电流达到或超过8000A；第二阶段目标是研发SiC器件及模块，建立SiC器件实验中心，在第一阶段成果的基础上形成小批量生产SiC器件的能力，为实现SiC器件产业化奠定基础。
派瑞股份表示，新的生产线工艺设备可生产特大功率8英寸晶闸管，并可向下兼容生产现有产品，包括直流输电用超大功率5英寸、6英寸晶闸管以及普通元器件。同时，在晶闸管生产线的基础上，研发IGCT和SiC器件等高端产品，通过建立第三代器件研发中心研发SiC器件，以期在第三代功率器件的技术和产品化方面获得突破。
4月9日，工业和信息化部网站发布消息称，针对全球疫情蔓延可能引发的断供，将指导企业寻求可替代产品，增强产业链抗风险能力，而近期欧美部分企业停工，也给国内企业提供了“技术替代”的机会。
近日，据南方日报报道到，粤芯半导体市场及营销副总裁李海明表示，希望尽快实现对进口的替代，并满足全球供应的需求。据其透露，今年底前，粤芯半导体二期项目将进入设备调试，争取明年上半年实现量产。
据了解，粤芯半导体二期项目专注于65-90nm模拟工艺平台，生产高精度数模转换芯片、高端电源管理芯片、光学传感器、车载及生物传感芯片等产品。
粤芯半导体总裁及首席执行官陈卫此前表示，二期项目的建设，除了满足粤港澳大湾区广阔民用和车用芯片市场的需求外，同时也聚焦于生物检测芯片、视频监控摄像头芯片、红外线测温控制芯片等生物安全与健康芯片产品的开发和运用上。
根据存储器大厂南亚科的最新重大讯息公告指出，南亚科董事会于6日决议，将追加新台币65.6亿元（约合人民币15.5亿元）的资本支出预算，用以打造10纳米级制程产线。
此前南亚科董事会决议，在年度资本支出的部分，南亚科2020年度资本支出预算以不超过新台币92亿元为上限，其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出等。如今再加入新的资本支出预算，预计2020年度的资本支出预算交以不超过157.6亿元为上限。
事实上，南亚科总经理李培瑛在上一季法说会上就已经宣布，南亚科已完成自主研发10纳米级DRAM生产技术，并且将在2020年下半年试产。而南亚科新成功开发出的10纳米级DRAM生产技术，预计将使DRAM产品可持续微缩至少3个世代。而第一代的10纳米级产品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台上，并预计2020下半年进入产品试产阶段。
至于第二代10纳米级制程技术，已开始进入研发阶段，预计2022年前导入试产，之后将会再开发第三代的10纳米制程技术。李培瑛强调，南亚科进入10纳米级制程之后，会以自行研发的技术为主，降低授权费用支出，以大幅提升效能。
目前以全球DRAM存储器市场来说，其主要生产技术掌握在韩国三星、SK海力士、以及美商美光等3家企业的手中，而且3家厂商的合计市场占有率高达95%以上，其关键原因就在于3家企业的技术专利形成了极高的门槛，使其他公司不容易有机会进入市场。
而当前南亚科现在以20纳米级的技术为主力，技术来源为过去的合作伙伴美光，而且每年也支付美光相关技术授权费用。而随着南亚科导入自主的10纳米级制程技术之后，则未来将不再大幅度仰赖美光授权，使得高昂授权费支付的情况也可以减少，有利于南亚科往后的营运发展。
根据国外科技网站《91Mobiles》的报导指出，移动处理器龙头高通(Qualcomm)将在2020年底推出新一代旗舰级智能手机移动处理器骁龙(Snapdragon)875，该款处理器将采用台积电的5纳米制程技术来打造，将成高通首款5纳米制程的移动处理器。
报导中表示，高通2019年推出骁龙865移动处理器，将不会有升级版，也就是不会像骁龙855那样推出骁龙855+，因此之后不会有骁龙865+，使得骁龙875将会是骁龙865真正的后继产品。而对于即将搭载在非苹阵营主要手机厂商的旗舰款智能手机上，高通的骁龙875当前研发已经进入最后阶段，这一移动处理器的内部代号为SM8350。
另外，针对相关的规格，报导指出骁龙875将采用Arm v8 Cortex技术所构建的Kryo 685 CPU，其他方面包括Adreno 660 GPU、Adreno 665 VPU、Adreno 1095 DPU以及高通的安全处理单元（SPU250）等。
在对外连结的部分，骁龙875将支援3G、4G和5G的网络连接。其中，5G的部分，将同时支援毫米波和sub-6 GHz频段。不过，目前还不确定高通是否会在骁龙875上整合新推出的X60 5G基带芯片。只是，在当前5G持续发展下，高通若决定将X60 5G基带整合进移动处理器中，而非同当前的骁龙865采外挂5G基带的方式，这似乎也是合理的决定。
至于，在制程技术方面，报导则是表示，高通骁龙875将采用目前最先进的5纳米制程技术来打造，这一制程技术能使芯片能有更好的性能、更好的能效以及更优异的能耗，而代工商将会是台积电。
最后在推出时间上，则是预计高通的骁龙年度高峰会若能维持在年底举行，骁龙875就将在2020年底推出；不过，如果峰会受疫情影响延后，则骁龙875也有可能延迟到2021年年初推出。
近日，工业和信息化部批复组建国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心，这是继国家集成电路创新中心、国家智能传感器创新中心之后，工信部在集成电路领域批复的第三个国家创新中心，对封装测试产业意义重大。
据悉，国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心依托江苏华进半导体封装研究中心有限公司组建，股东包括长电科技、通富微电、天水华天、深南电路、苏州晶方和中科院微电子所等集成电路封测与材料领域的骨干企业和科研院所。
工信部发文指出，创新中心将充分发挥前期在先进封装和系统集成领域的技术积累，围绕我国集成电路产业结构调整和创新发展需求，通过集聚产业链上下游资源，构建以企业为主体，产学研相结合的创新体系，突破集成电路特色工艺及封装测试领域关键共性技术，建设行业共性技术研发平台和人才培养基地，推动我国集成电路产业的创新发展。
作为集成电路产业发展的重要领域，此次特色工艺及封装测试创新中心的组建或将进一步推动国产化进程。
近日，云南省楚雄州在10县市举行项目集中开工仪式，其中包括川至电子半导体材料建设项目。
据了解，楚雄川至电子材料有限公司半导体材料建设项目位于楚雄市云甸工业片区，项目总投资1亿元，占地33亩，计划建设年产40吨高纯磷、60吨高纯铟、5吨高纯镓半导体生产线及相关配套设施。该项目属于新材料产业项目，产品广泛应用于红外线成像、半导体芯片、平板显示、5G通讯等方面。
项目建成投产后，预计实现年产值4亿元，上缴税收3000万元，将填补国内同类高端产品空白，打破高纯磷等产品依赖进口的局面，推进半导体材料的国产化，开启楚雄高新区新材料产业发展新篇章。
