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为响应国家大力发展半导体产业的号召，2018年10月，镇江高新区启动建设镇江高新区半导体及通信产业园，工程建设投资约3.5亿元，受疫情影响，项目施工一度按下”暂停键”，3月5日，建设工程恢复施工。今天的《复工复产进行时》，我们一起走进这片火热的施工现场。

记者姚群：在经过实名制的登记，健康码的扫描以及体温的测量之后呢，工人们就可以通过实名制考勤通道走进这个施工工地的现场，那在这个规划建筑面积约10万平方米的镇江高新区半导体及通信产业园项目施工工地的现场呢，我们可以看到，在我的右手边这个一号厂房已经完工，而其他的厂房和配套设施也在如火如荼的施工过程当中。

镇江高新区半导体及通信产业园项目负责人 胡家铭：二号厂房三号厂房主体已经封顶，外墙还在施工，四号厂房是一层结构在施工，5号6号7号在基础土方施工。在疫情没有爆发之前，我们预计完工是在7月底，受疫情影响，我们及时调整方案，预计在今年10月份全部竣工。

据了解，镇江高新区半导体及通信产业园拟建设厂房5幢，配套2幢，项目总用地面积约89.1亩，工程建设投资约3.5亿元。

镇江高新区半导体及通信产业园项目负责人胡家铭：整个项目建成之后是我们高新区打造的半导体产业的区域，就我们高新区半导体企业就基本上在这个厂房到时候，里面的入驻企业包括半导体封装测试，以及一些上下游企业都会在这里面到时候。

3月5日，经过批准，项目工程恢复施工，疫情防控阶段，施工及生活区域实施封闭管理。

镇江高新区半导体及通信产业园项目技术负责人刘俊：现在目前为止进场工人人数达到310多人，整个工人来的位置呢在我们江苏省省内，占到95%，管理人员25名，监理6名。

镇江高新区半导体及通信产业园项目负责人胡家铭：在上岗复工前，由我们安全员和班组长进行安全的交底，让他们在施工过程中包括在休息过程中尽量不要聚集，然后每天上午和下午我们工地也会安排专职人员进行消毒消杀。

目前，已经有7个项目确定落户产业园。在园区的1号厂房内，已经有入驻企业正在进行装修。

镇江高新区半导体及通信产业园项目负责人胡家铭：我们要求他们入企业也是提交施工人员的一些信息，包括他们行踪轨迹，包括他们的防疫物资，我们也要求他们储备一个星期的防疫物资，然后包括他们应急方案，我们也进行审核。

记者姚群：那我现在就是在这个项目施工工人们的生活区了，走进这片区域，工人们首先要在这边进行体温测量登记及消毒，而在这边我们也可以看到，这边也分出了一个隔离区，在我的身后呢，工人们也将从这个食堂打好饭菜回到我左手边的各自的房间进行就餐。

受疫情影响，该项目计划于今年10月整体交付验收。项目负责人表示，疫情特殊阶段，他们将严格按照上级指示，安全生产与疫情防控两不误，保质保量完成项目建设。

据北京日报报道，日前，顺义区第三代半导体材料及应用联合创新基地项目复工，预计今年六月底竣工，目前正在进行的是小市政施工作业。

顺义区第三代半导体材料及应用联合创新基地项目施工总包单位在完成编报《施工现场疫情防控工作方案》《五方自查表》《建设工程复工疫情防控检查表》后，2月18日，经顺义区住建委、中关村顺义园管委会、张喜庄卫生院三方的联合检查后顺义区第三代半导体材料及应用联合创新基地项目有序开工。

第三代半导体材料及应用联合创新基地项目复工的初期时间至3月15日，计划用工约80人，其中包括小市政施工、室内装修、机电安装，其施工人员主要分布为河北、河南、四川等省份。目前小市政20人的队伍有12人到场，装修队5人到场，正在进行医学观察，其他人员将分批分期进入工地。记者通过视频连续看到，基地现场一辆挖掘机正在进行雨污水处理的作业，两名监工人员相距两米以上站立。为落实好现场疫情防控各项工作，项目总包方按照相关要求成立了疫情防控指挥部，并明确了责任分工，制定了《第三代半导体项目新冠状病毒疫情防控应急预案》《新型冠状病毒感染的肺炎疫情防控工作管理规定》等方案，并健全了新型冠状病毒疫情防控宿舍及后勤管理制度、监督性医学观察管理制度、防疫测温制度等各项管理制度。

“我们在现场按要求设置了医学观察区与隔离区。其中，设立了医学观察室共10间，用于返京工人进场后的14天医学观察，14天后无问题后就会转到普通宿舍办理住宿。”项目总包方相关负责人表示，“我们还临时设置了2间隔离室，用于健康出现问题人员临时隔离使用。”项目前期该施工方还充分准备，储备了防护服、护目镜、测温枪等疫情防控物资。随着工人数量的陆续增加，现场物资将继续补充。

第三代半导体材料及应用联合创新基地项目总建筑面积71570平方米。其中，其中地上55370平方米，地下16200平方米。一期工程为2号生产实验车间及其地下，总建筑面积为32597平方米。二期工程为1号、3号生产实验车间、地下车库及气瓶储存间。

目前，工程主体及二次结构砌筑完成，配电室结构改造、地下设备基础及回填土、地下室地面垫层、屋面工程、室外雨水收集池及化粪池安装均已完成。本工程计划3月中旬开始机电安装及室内装修，5月底完成安装调试，6月中旬完成联动调试，2020年6月30日竣工。

2月27日，华润微电子有限公司首次公开发行股票并在上海证券交易所科创板正式挂牌上市，成为继卓胜微后无锡市第二家登上科创板的集成电路企业，加上A股上市企业长电科技，无锡集成电路已拥有三家上市企业。在今年1-2月份由于疫情带来的经济下行压力中，无锡集成电路产业画出一条强劲的上扬曲线，在复工潮中实现逆势增长。

集成电路制造业由于资产重、回报周期长，以往并不被资本市场所看好。无锡多年培育的优秀企业征战资本市场，市半导体行业协会秘书长黄安君解读认为，这将助力无锡集成电路产业开拓新的技术领域、延伸新的产品方向，搭建新的人才团队。

资本市场屡有斩获，证明无锡集成电路企业的盈利能力获得了资本的认可，产业整体实力晋级。SK海力士半导体1-2月销售收入35.5亿元，实现了同比增长25%的目标；华虹无锡基地自2月10日常日班员工复工以来，到岗率已达95%，还提前完成了两笔订单。公司相关人士透露，华虹无锡基地投产仅三个月就已经为集团贡献740万美元收入。长电科技通过国际并购收购新加坡星科金朋后，经过3年多整合、消化、调整，协同效应已见成效，目前实现了技术互补，形成了国内的完整技术产品全流程服务，为国内外客户提供最贴近市场的产业链。对于今年的发展，多家大型龙头企业预期良好。

数据显示出无锡集成电路产业在国内的地位：2019年全市产值达1178.3亿元，增长8.3%，位于全省第一，占比超过50%；全国排名第二，占比超过10%。2017年来引进的多个重大项目带动能级正在持续释放。目前，SK海力士半导体二工厂一期投资完成，带动效应明显，使得晶圆制造产业增长达20%，预计今年将提前2年完成86亿美元投资，成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级存储芯片产品生产基地；中环集成电路用大直径硅片8英寸生产线投产后，已形成4亿元销售，前景持续看好。卓胜微自主研发的适用于5G通信标准中某频段的产品在品牌客户处实现量产导入并逐渐放量，去年营业总收入同比增长170.45%。

崛起高峰的同时隆起高原。据悉，市工信局会同市发改委正在申报创建国家级集成电路集群，预计到2025年，全市集成电路产业产值将达到2000亿元。“产业链协同效应将发挥更大的作用。”长电科技相关人士说，随着物联网、人工智能的不断发展，个性化、定制化的电子产品不断涌现，无锡的设计、制造、封测产业链将更有利于物联网、人工智能等高度定制化的产品和市场发展。更为可喜的是，长久积累的技术优势、经年搏杀的市场历练，无锡众多集成电路企业正在积蓄借助资本骐骥一跃的能量。相关人士透露，未来2-3年内，无锡市在集成电路产业尤其是集成电路设计行业还有望培育出若干上市企业，“高技术含量、高人才密度的集成电路产业将成为无锡上市企业军团中亮眼的一支。”

近日，产投资本管理的语音基金与北京世纪金光半导体有限公司（简称“世纪金光”）签署投资协议并完成首期出资，标志着合肥首个第三代半导体产业项目正式落地。

随着碳化硅产业化日趋成熟，产投资本紧抓第三代半导体发展机会，抢先布局。本次，产投资本作为领投方参与世纪金光C轮融资，对合肥市半导体产业升级和技术创新有重要意义。

世纪金光是国内第三代半导体领军企业，成立于2010年，总部位于北京经济技术开发区，是国家大基金在第三代半导体领域投资的重点企业之一。

近几年来，世纪金光创新性地解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、碳化硅SBD、MOSFET材料、结构及工艺设计技术等，已完成从碳化硅材料生产、功率元器件和模块制备到行业应用开发与解决方案提供等关键领域的全面布局，是国内第一家拥有SiC全产业链技术的半导体公司。

据新民晚报3月12日报道，疫情发生以来，上海海关从严从紧防范境外疫情输入风险的同时，细化推出上海海关支持稳增长促发展13项措施，精准施策、全力支持企业复工复产，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微半导体”）便是受到海关“一企一策”精准化帮扶的企业之一。

报道指出，中微半导体是国内自主研发集成电路和LED芯片制造设备的龙头企业，承担着多个国家重大科技专项以及上海市战略性新兴产业重大项目。受益于2019年下半年全球半导体芯片行业复苏及自身技术优势，中微半导体2020年伊始即获得了批量订单。疫情爆发后，部分进口零配件到港延期，给公司供应链带来压力。

上海海关隶属浦东海关第一时间了解企业困难，指导企业运用海关便利化通关改革举措，开辟进口“绿色通道”。2月份以来，浦东海关“零延时”验放中微半导体7批次，价值30万美元的进口零部件，为该公司2月底准时向客户交付设备提供了支持。截至3月3日，中微半导体整体复工率达94%，复产率达93%。

今年年初，浦东时报报道称，中微半导体中标长江存储9台刻蚀设备订单。报道还指出，2020年中微半导体还将会有不少后续订单。长江存储、华虹系、粤芯、积塔半导体、合肥长鑫以及中芯国际等多条产线均启动国产设备采购周期，且每条产线拉动效应预计均不弱于长江存储2019年水平，拉动效应数倍增大，将助力中微半导体业绩成长。

中微半导体2019年度业绩快报显示，其2019年实现营业收入19.47亿元，较上年同期增长18.77%;；归属于母公司所有者的净利润1.89亿元，较上年同期增长107.51%。中微半导体表示，2019 年，公司整体发展态势良好，依托公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备领域领先的技术优势以及良好的客户基础，公司业务规模不断扩大，销售收入稳定增长。 

日前，又一家半导体企业进行上市辅导备案，拟申请在科创板上市。

3月11日，中国证监会上海证监局披露了中国国际金融股份有限公司（以下简称“中金公司”关于上海合晶硅材料股份有限公司（以下简称“上海合晶”）首次公开发行人民币普通股（A 股）的辅导备案情况报告。

根据报告，3月4日，中金公司与上海合晶签署了《辅导协议》，中金公司依据《证券发行上市保荐业务管理办法》、《科创板首次公开发行股票注册管理办法（试行）》、《上海证监局辅导监管工作规程》等相关证券法律、法规的有关规定和要求，以及《辅导协议》的有关约定，针对上海合晶的具体情况进行辅导工作，并于3月6日进行了辅导备案。

辅导备案资料显示，上海合晶成立于1994年12月，注册资本为5.63亿元人民币，经营范围为生产电子材料，销售自产产品，以及上述同类产品批发、进出口贸易（拍卖除外、涉及许可经营的凭许可证经营），道路普通货物运输。该公司核心收入贡献产品为半导体用硅外延片。

据官网介绍，上海合晶前身为硅晶圆制造厂商上海硅材料厂，2004年正式纳入中国台湾上市公司合晶科技股份有限公司（以下简称“合晶科技”），并更名为上海合晶硅材料有限公司，并于2007年成为合晶科技的全资子公司，2017年通过增资扩股成为中外合资企业，2020年改为上海合晶硅材料股份有限公司，目前拥有上海晶盟硅材料有限公司、郑州合晶硅材料有限公司、扬州合晶科技有限公司三家子公司。

上海合晶的控股股东为Silicon Technology Investment (Cayman) Corp.（以下简称“STIC”），STIC持有上海合晶56.7469%的股权。STIC为一家投资控股型公司，由合晶科技间接持有其85.3775%权益，合晶科技则通过STIC间接持有上海合晶48.45%股权。因合晶科技股权较为分散，不存在实际控制人，故上海合晶不存在实际控制人。此外，河南兴港融创产业发展投资基金（有限合伙）持有上海合晶35.28%股权。

辅导备案情况报告称，上海合晶为全球第六大、中国大陆第一大硅外延一体化生产厂商, 是中国大陆稀缺的具备从长晶、抛光至外延一体化完整生产设施及技术的硅外延片国际领先厂商。在8英寸硅外延片领域，上海合晶在中国大陆处于领先地位，现有8英寸硅外延片约当月产能20万片，具备全球领先的硅外延片生产技术。

客户群体方面，上海合晶已为德州仪器、安森美、意法半导体、达尔、台积电、华虹半导体、华润微电子等国内外知名厂商稳定大批量供货多年，其中还为台积电、华虹半导体等厂商长期提供外延片定制化服务。

对于上海合晶申请科创板上市一事，合晶科技于2019年12月发布公告称，公司董事会决议通过子公司上海合晶申请首次公开发行人民币普通股（A股）股票并在上海证券交易所科创板上市。2020年2月26日，合晶科技临时股东大会亦决议通过了上述议案。

合晶科技表示，上海合晶申请科创板上市主要考量长远发展，为快速大陆相关业务市场、吸引及激励优秀专业人才、提高集团全球竞争力。从股权结构角度，合晶科技仍将通过STIC保有对上海合晶的控制地位，且上海合晶本次股票上市计划采取公开发行新股方式进行，并未涉及转让公司既有股份之情形。

此前处理器龙头厂商英特尔(Intel)的财务长George Davis在公开场合表示，目前除了10纳米产能正在加速之外，英特尔还将恢复制程技术领先的关键部分寄望在未来更先进制程的发展上，包括英特尔将在2021年推出7纳米制程技术，并且将在7纳米制程的基础上发展出5纳米制程。对于英特尔5纳米制程的发展，现在有外媒表示，在这个节点上英特尔将会放弃FinFET电晶体，转向GAA电晶体。

根据外媒《Profesionalreview》的报导表示，随着制程技术的升级，芯片的电晶体制作也面临着瓶颈。英特尔最早在22纳米的节点上首先使用了FinFET电晶体技术，当时叫做3D电晶体，就是将原本平面的电晶体，变成立体的FinFET鳍式场效电晶体，不仅提高了芯片的性能，也降低了功耗。之后，FinFET电晶体也成为全球主要晶圆厂制程发展的选择，一直用到现在的7纳米及5纳米制程节点上。

作为之前先进制程的领导者，英特尔曾提到目前5纳米制程正在研发中。只是，对于制程的发展并没有公布详情。因此，根据《Profesionalreview》的报导，英特尔在5纳米节点上将会放弃FinFET电晶体，转向GAA环绕栅极电晶体。

报导强调，目前在GAA电晶体上也有多种技术发展路线。如之前三星提到自家的GAA电晶体相较于第一代的7纳米制程来说，能够提升芯片35%的性能，并且降低50%的功耗以及45%的芯片面积。对于三星而言，GAA电晶体就已经有这样的效能，而英特尔在技术实力上会比三星要更加强大，未来英特尔在GAA电晶体的发展上，期提升效能应该会更加明显。

报导进一步强调，如果能在5纳米制程节点上进一步采用GAA电晶体，则日前英特尔财务长所强调的“英特尔将在5纳米制程节点上重新夺回领导地位”的说法就可能比较容易实现。

至于，另一个市场上的强劲竞争对手台积电，目前在2020年首季准备量产5纳米制程上，依旧采用FinFET电晶体。但是，到了下一世代的3纳米节点，目前台积电还尚未公布预计的制程方式。根据台积电官方的说法，其3纳米相关细节将会在2020年的4月29日的的北美技术论坛上公布。

另外，英特尔5纳米制程的问世时间目前也还没明确的时间表。不过，英特尔之前提到7纳米之后制程技术发展周期将会回归以往的2年升级的节奏上，因此就是表示最快2023年就能见到英特尔的5纳米制程技术问世。

存储器大厂美光（Micron Technology）于11日宣布，业界首款搭载LPDDR5 DRAM的通用快闪存储器储存（UFS）多芯片封装（uMCP）正式送样。新款UFS多芯片封装（uMCP5）是基于美光在多芯片规格尺寸创新及领导地位所打造。

美光的uMCP将LPDRAM、NAND和内建控制器相结合，较双芯片解决方案减少40%占用空间。最佳化的配置可节省功耗、减少存储器占用空间，并支援更小巧灵活的智能手机。

美光指出，uMCP5采用先进的1y纳米DRAM制程技术，以及世界上最小的512Gb 96层3D NAND晶粒。新型封装解决方案采297球栅阵列封（BGA），支援双通道LPDDR5，速度高达6,400Mbps，较上一代介面提高50%效能，并提供目前市场上最高储存和存储器容量的uMCP规格──分别为256GB和12GB。

美光资深副总裁暨移动设备事业部总经理Raj Talluri强调，此款业界首创的封装解决方案搭载最新LPDRAM和UFS介面，可将存储器和储存频宽提高50%，并降低功耗。

美光最新的uMCP5满足中端5G智能手机对超低延迟运行、低功耗模式的频宽需求，能支援多项如高解析度影像处理、多人连线游戏及AR/VR应用的旗舰手机功能。

另外，因为5G网络将于2020年起于全球大规模部署，美光次世代LPDDR5存储器将可满足5G网路对更高端存储器效能及更低耗的需求。美光LPDDR5将支援5G智能手机以高达6.4Gbps的峰值速度处理资料，这对避免资料瓶颈而言极为重要。美光搭载LPDDR5的uMCP5将于2020年第1季起开始对部分合作伙伴送样。