加速布局氮化镓 意法半导体收购Exagan多数股权

加速布局氮化镓 意法半导体收购Exagan多数股权

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视,半导体企业正在竞相加速布局。日前,意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。

据意法半导体介绍,Exagan成立于2014年,总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变,研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。

双方的交易条款没有对外公布,等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。据披露,现已签署的并购协议还规定,在多数股权收购交易完成24个月后,意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。

意法半导体表示,Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划,意法半导体将为其部署产品提供支持。

意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery称,收购Exagan的多数股权是对意法半导体目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。

据了解,2018年意法半导体宣布与CEA Tech旗下研究所Leti合作研发硅基氮化镓功率切换元件制造技术。前不久,意法半导体宣布与台积电携手合作加速氮化镓(GaN)制程技术的开发,并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。

意法半导体汽车产品和分立器件部总裁Marco Monti曾指出,意法半导体在氮化镓制程技术的加速开发与交付看到了庞大的商机,将功率氮化镓及氮化镓集成电路产品导入市场。

3.96亿元拿下长沙创芯土地 比亚迪意欲如何?

3.96亿元拿下长沙创芯土地 比亚迪意欲如何?

前不久,媒体报道了长沙创芯集成电路有限公司(以下简称“长沙创芯”)相关资产被法院拍卖的信息,引起了业界关注。日前该事件有了新进展,据科创板日报报道,长沙比亚迪半导体有限公司(以下简称“长沙比亚迪半导体”)以3.96亿元竞得了长沙创芯的拍卖土地。

3.96亿拍下长沙创芯土地

湖南法院网信息显示,2月13日长沙县人民法院对创芯公司土地使用权、地上建筑物及设施设备在淘宝网整体拍卖,最终以3.9亿余元成交。

根据淘宝网司法拍卖网络平台,长沙县人民法院对长沙创芯名下位于长沙县黄兴大道以东、映霞路以南、人民东路以北的国有土地使用权及其地上共计6栋房屋建筑物、地下管网、厂房内设备、设施及附属设施进行拍卖。该土地宗地面积68169.6平方米,使用年限为50年,使用权起止时间2011年4月8日-2061年4月8日,用途为工业用地,权利性质为出让。

网络拍卖竞价结果显示,长沙比亚迪半导体通过竞买号M4026于2020年02月13日在长沙县法院于阿里拍卖平台开展的项目公开竞价中竞得上述土地使用权,拍卖成交价格为3.9亿元。

此外,长沙县人民法院还在阿里拍卖平台上对长沙创芯名下的办公电子设备、存货等进行拍卖,其中长沙创芯名下的办公电子设备亦被长沙比亚迪半导体以135.93万元的成交价竞得。

据了解,长沙创芯成立于2010年8月,注册资本3100万美元。媒体此前报道称,长沙创芯是湖南省首家开放式IC制造工厂,专门从事IC制造及工艺研发,是一家纯晶圆代工企业,规划产能为6万片6寸晶圆代工,分两期开发,8英寸晶圆加工项目预计2016年开工。

或将进一步布局IGBT产业

长沙比亚迪半导体竞拍拿下的长沙创芯名下土地使用权的用途目前尚未清楚,业内猜测或是为了进一步布局IGBT产线。

今年1月,比亚迪半导体有限公司(曾用名“深圳比亚迪微电子有限公司”)投资设立了长沙比亚迪,注册资金2000万元,经营范围包括半导体分立器件、集成电路、照明灯具、LED显示屏、安防监控、智慧路灯的制造;集成电路测试;智慧城市相关服务等。业内人士认为,长沙比亚迪半导体的成立,或是比亚迪在进一步布局IGBT产业。

据长沙晚报3月3日报道,长沙比亚迪IGBT项目日前正式启动建设,计划建设集成电路制造生产线,该项目致力于解决新能源汽车电子核心功率器件“卡脖子”问题。湖南省委常委、长沙市委书记胡衡华调研时表示,比亚迪IGBT项目对激活长沙集成电路全产业链具有关键作用。

事实上,比亚迪在IGBT领域已布局已久。根据比亚迪此外官方信息,2005年比亚迪正式组建IGBT研发团队,正式开启了IGBT自研之路,并于2007年建立IGBT模块生产线,完成首款电动汽车IGBT模块样品组装。

2008年,比亚迪斥资1.71亿元人民币收购宁波中纬晶圆代工厂,将其整合到微电子产业链中,为其IGBT产业布局再添晶圆制造一环。2009年,比亚迪IGBT芯片通过了中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定,随后相继研发成功IGBT2.0、IGBT 2.5、IGBT 4.0。

如今,比亚迪已相继掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节,并且还在布局第三代半导体材料SiC全产业链。据比亚迪所言,其IGBT芯片不仅供自用,还对外销售。

2018年12月比亚迪曾表示,2018年底其IGBT芯片月产能5万片,正在规划扩产,预计2020年可实现月产能10万片。媒体报道称,2019年全年比亚迪的IGBT模块共装了19.4万套电控,历史累计已达70万套以上。

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三星华城厂失火 对闪存市场影响如何?

三星华城厂失火 对闪存市场影响如何?

在闪存(NAND Flash)现货市场方面,在消息传出后,3/9早盘在中国交易商积极询问下呈现上涨态势,但由于实际上该事件对供需并没有冲击,因此预估后续现货持续追价的动能不会太明显。

距离火灾最近的Line 16主要为生产3D闪存(3D NAND Flash)以及CMOS影像传感器(CIS/CMOS Image Sensor)的厂房,在生产制程方面以64层(V4)为主,目前约占三星闪存(NAND Flash)总投片量的11-12%,并规划逐季减少闪存(NAND)产能,该厂将逐步转作CIS生产用。

根据了解,本次起火点与先前跳电的位置是同一个地方,三星已经着手调查是否是电路设计问题。

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月产13万片存储芯片 西安三星半导体存储芯片一期项目实现满产

月产13万片存储芯片 西安三星半导体存储芯片一期项目实现满产

记者从三星(中国)半导体有限公司获悉,地处西安高新区的三星半导体存储芯片一期项目一、二月份实现满产生产,二期项目正按计划推进。

据三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基介绍,受疫情影响,2月份公司曾出现物流不畅、原材料供应乏力、人力不足等问题,但在陕西省、西安市政府和企业共同努力下,公司一期项目一、二月都保持着每月生产13万片存储芯片的满产成绩。

记者采访了解,春节期间,三星(中国)半导体有限公司在原有全封闭生产的基础上,采取多重“抗疫”措施,生产没有停工。

记者在三星存储芯片一期项目外看到,项目4个入口分别设立了热成像测温仪,24小时自动捕捉、实时测温,提高了检测效率。一旦发现异常,还将用水银体温计再次确认。项目的多个区域还循环播放洗手、消毒、戴口罩等疫情防疫的注意事项要领。

据陕西省政府外事办公室介绍,为做好防疫工作,三星半导体公司还建立AB角和人员备案制度,通过采取A角和B角在公司内走不同路线、食堂内不同区域就餐、办公区相对独立等措施,确保A角和B角相互之间没有共同接触机会。一旦人员出现异常情况,AB角可以迅速相互替代,确保工厂运行不受影响。

为保障企业正常生产和供应链安全,陕西省、西安市政府帮助三星半导体公司联系了数十家上下游企业,确保一些关键半导体原材料的运输和供应;西安高新区还成立了政府专班,24小时服务企业,帮助公司解决交通、物流和人力等问题。

三星存储芯片项目2012年落户西安高新区,一期项目2014年5月竣工投产,实际总投资超过100亿美元。

二期项目2018年3月开工建设,计划投资约140亿美元。记者从三星(中国)半导体有限公司获悉,第一阶段项目目前正在调试安装设备,第二阶段争取按原定计划在8月底完成内部装修工程。

宁波南大光电第一条ArF光刻胶生产线已安装

宁波南大光电第一条ArF光刻胶生产线已安装

近日,南大光电在互动平台透露,宁波南大光电目前已安装完成第一条ArF(193nm)光刻胶生产线,该产线仍处于调试阶段。目前,研发的产品正在测试、认证过程中,尚未形成量产和销售。

2019年7月,南大光电在互动平台透露,公司设立光刻胶事业部,并成立了全资子公司“宁波南大光电材料有限公司”,全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”落地实施。

2019年10月,南大光电公告称,公司与宁波经济技术开发区管理委员会签署了《投资协议书》,拟在宁波经济技术开发区投资开发高端集成电路制造用各种先进光刻胶材料以及配套原材料和底部抗反射层等高纯配套材料,形成规模化生产能力,建立配套完整的国产光刻胶产业链。该项目计划总投资6亿元,预计总用地50亩。项目完全达产后,预计实现约10亿元的年销售额,年利税预计约2亿元。

资资料显示,南大光电主要从事高纯电子材料研发、生产和销售,通过承担国家重大技术攻关项目并实现产业化。目前,公司形成MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料等业务板块。值得注意的是,2017年,南大光电还承担了集成电路芯片制造用关键核心材料之一的“193nm光刻胶材料的研发与产业化项目”(以下简称193nm光刻胶项目)。

对于两个光刻胶项目之间的联系,南大光电此前在公告中强调,“ArF光刻胶开发和产业化项目”与“193nm光刻胶材料的研发与产业化项目”系两个独立的项目。公司称,投建新项目是为加大对先进光刻胶材料以及配套原材料的建设。

广州或新添12英寸IDM厂 要求动工后18个月内建成并投产

广州或新添12英寸IDM厂 要求动工后18个月内建成并投产

近日,经广州南沙经济技术开发区管理委员会批准,广州南沙经济技术开发区规划和自然资源局公开挂牌出让1宗国有建设用地使用权。挂牌出让土地位置位于万顷沙镇智能网联汽车产业示范园东南侧、万泰路南侧,土地面积为162554平方米,规划用途为一类工业用地。

挂牌出让地块的基本情况和规划指标要求:

根据广州南沙区政府披露的消息,竞得人须承诺在广州市南沙区注册成立的具有独立法人资格的公司,注册资本不低于1亿元;主要从事集成电路研发生产,并承诺在竞得土地后须以IDM(垂直整合制造)模式建设年产不少于30万片的8英寸晶圆及芯片生产线及年产不少于5万片的12英寸晶圆及芯片生产线。

同时,竞得人核心技术团队须具备实现40纳米、28纳米芯片产品(包括数模混合产品设计与制造)的技术能力,具有建设运营不少于5座国内外知名半导体工厂的经验;竞得人须自土地移交之日起1个月内动工开发建设,18个月内建成并投产。

据悉,该土地网上挂牌时间(网上报价时间)为2020年3月2日至2020年3月11日15时。

日本半导体材料厂商纷纷在韩设厂 维持与三星合作关系

日本半导体材料厂商纷纷在韩设厂 维持与三星合作关系

北京时间3月9日消息,由于日韩贸易关系紧张迟迟得不到解决,担心与全球供应链脱轨的日本半导体材料厂商, 日本半导体材料厂商纷纷在韩国设立生产基地。

被称作ADEKA的公司,已经将半导体材料的生产基地由日本鹿岛市搬迁到韩国全州市。

关东电化学工业公司向韩国半导体厂商供应NF3(三氟化氮),目前在位于韩国天安市的工厂生产这种产品。

在韩国设厂,成为日本半导体材料厂商维持与三星和SK海力士长期合作关系的一个举措。预计未来会有更多日本半导体材料厂商在韩国建厂,防止与全球半导体供应链脱轨。

三大存储器Q2合约价喊涨

三大存储器Q2合约价喊涨

新冠肺炎疫情扩散带动各大资料中心扩大建置规模,推升服务器存储器需求转强,加上5G手机推陈出新,以及三星、SK海力士和美光等主要供应商库存下滑等因素催动,第2季DRAM、NAND Flash、NOR Flash等三大存储器行情看涨,助攻南亚科、华邦电、旺宏、威刚、群联等厂商营运。

目前主要大厂正密集与系统/模组厂进行第2季合约价议价。渠道商透露,包括三星等主要供应商已通知调涨下季DRAM、储存型快闪存储器(NAND Flash)合约价,涨幅都达双位数。

编码型快闪存储器(NOR Flash)方面,因中国大陆主要大厂复工、出货不顺,中国台湾指标厂旺宏已决定第2季调涨NOR Flash合约价,涨幅逾一成。

尽管市调机构及法人担心新冠肺炎疫情冲击全球经济,导致终端消费需求减弱,不过存储器市场受惠于疫情带动宅经济大好,网购、电商、线上游戏、电竞游戏逆势成长,首季三大存储器需求仍强,其中,因资料中心扩大服务器建置,推升服务器用的DRAM和NAND Flash需求更为强劲。

存储器模组厂宇瞻总经理张家鲲透露,很多系统厂受到返工率缓慢,以及供应断链影响,工厂停工甚至整机出不了货,但来自资料中心、电竞和电商等宅经济的拉货力道强劲,两项因素相抵,主要存储器芯片供应商仍不愿降价,宇瞻等主要买家想补货,也不易拿到低价。

另外,本季因服务器市场拉货,包括三星、SK海力士和美光等三大DRAM厂库存水位降到四至六周,加上5G新手机搭载DRAM位元数量大增,预估下半年DRAM市场供给将短缺,推升价格上涨;NAND Flash下半年供应会更紧张。

存储器业者表示,首季DRAM、NAND Flash现货价因备货需求增加,涨幅远大于合约价,预期第2季在中国大陆系统厂复工率逐步提升下,合约价也将跟上涨幅,与现货市场价差将缩小。

系统厂也证实,旺宏下季将调涨NOR Flash和SLC NAND Flash合约价,涨幅逾一成。主因大陆相关芯片生产重镇武汉封城,以及多个省市进行封闭式管理,导致产品出货延误,在考量风险下,备货采购订单已大幅提高台厂备货比重。

传英特尔独显GPU将采用台积电6纳米代工

传英特尔独显GPU将采用台积电6纳米代工

近来,处理器大厂英特尔(Intel)虽然10纳米制程已经在2019年赶上进度,但是在14纳米制程的产能上仍有不足的地方。因此,陆续传出英特尔要将部分产品交由晶圆代工龙头台积电来生产的消息。

虽然,英特尔与台积电已不是第一次合作,之前英特尔的SoFIA系列移动处理器就是交由台积电来代工生产,但是再次合作的消息目前还没看到成果。如今,市场又传出,英特尔预计将旗下的自研得独立显示GPU交由台积电的6纳米制程来代工,而且到2022年还将采用台积电的3纳米制程来生产。

根据外媒《El Chapuzas Informatico》的报导指出,之前英特尔财务长George Davis曾经公开表示,针对14纳米制程的产能不足问题,英特尔2020年将增加更多产能来填补空缺。至于10纳米制程的部分,预计将不会像22纳米或14纳米制程那样的大规模产出。

而面对未来更多新产品的陆续推出,英特尔势必要想办法解决先进制程的问题。因此,传出英特尔要联手台积电,将旗下的自研独立显示GPU交由台积电的6纳米制程来代工的讯息,甚至到2022年还将采用台积电的3纳米制程来生产。

报导表示,相关消息来源指出,英特尔将于2021年开始采用台积电6纳米EUV制程来生产旗下自研的GPU及芯片组。至于,为什么会交由台积电来生产GPU,其主要原因在于GPU的生产相对于CPU的生产来得更简单一些,而且台积电在GPU生产上也很有经验。

而根据英特尔官方公布的数据显示,英特尔自研的Xe架构DG1独立显示GPU使用的是自家10纳米制程技术来制造,2020年底上市,拥有96组执行单元,一共是768个核心,基础频率1GHz,加速频率1.5GHz,还具1MB二级缓冲存储器以及3GB显示存储器,最大功号为25W。外界传闻,在性能方面,Xe架构的DG1独显将在Nvidia GeForce GTX 1050和GeForce GTX 1650之间。

虽然DG1的定位不算高阶,但是之后还会有DG2的新世代独立显示GPU产品推出,外界预估DG2就将是一款高性能GPU了。根据之前的市场消息表示,英特尔的DG2会采用台积电的7纳米制程技术,但就目前市场消息来看,最终可能将采用台积电的6纳米EUV制程。

不过,2021年英特尔预计自家的7纳米制程技术也会量产,且官方早已宣布用于资料中心的Ponte Vecchio加速卡会使用自家的7纳米制程。因此,届时英特尔与台积电是不是真的能够联手成功,为英特尔得独立显示GPU生产记上新页,则有待后续的发展。

约4亿美元 苹果供应商Qorvo收购Decawave

约4亿美元 苹果供应商Qorvo收购Decawave

UWB(Ultra-Wideband,超宽频)技术供应商Decawave宣布由苹果供应商Qorvo以约4亿美元的金额收购,此举有望助益IR-UWB技术(Impulse-Radio Ultra-Wideband,脉冲无线电超宽频)市场渗透率提升,且推升通讯、汽车、IoT应用发展。

Qorvo提供苹果iPhone 11、iPhone 11 Pro与iPhone 11 Pro Max UWB处理器

UWB短程无线通讯技术具备「高定位精度、高安全性、高传输速率、高系统稳定性与抗干扰能力、低功耗」优势,因频宽达500MHz较高,且相比蓝牙与Wi-Fi使用频段2.4GHz于外界干扰高(例如微波炉亦为2.4GHz),UWB使用频段3.1~10.6GHz于外界干扰信号较低;原为军用技术,经美国FCC(Federal Communications Commission,联邦通信委员会)发布规范始转为商用。

藉由苹果iPhone 11系列搭载UWB技术亮眼,备受市场瞩目,Qorvo亦为苹果提供iPhone 11、iPhone 11 Pro与iPhone 11 Pro Max UWB处理器;Android手机亦乐观看待此短程通讯技术,推估由FiRa联盟成员三星手机于2020年领航搭载发表。

综观UWB发展性极佳,尤以其「高安全性、高传输速率、低功耗」特性可运用于高精度测距,亦促使车厂与芯片厂合作(如福斯汽车与恩智浦),共创新型无钥匙进入系统;UWB于汽车领域发展,更可延伸发展应用,例如自动启动拖车挂钩装置、车内乘客检测、自动泊车、免下车支付等。苹果亦宣布将UWB运用于AirDrop,预计将使iPhone更具定向功能,且推估UWB与U1芯片将可能提供Apple Car无钥匙进入功能;Qorvo亦乐观看待UWB于汽车领域应用,更推估至2024年将达40亿美元市场,加上Qorvo深耕智能手机立基市场,将更增添筹码。

▲UWB与窄频频谱密度。(Source:FiRa联盟;拓墣产业研究院,2020.2)

Qorvo收购Decawave以强化UWB通讯技术,有望双赢布局iOS与Android市场

Qorvo主要提供RF(Radio Frequency,射频)解决方案于手机与基础设施,且年营收约三分之一源自苹果;另Decawave系为UWB技术供应商,亦属UWB联盟主要成员,藉由Qorvo收购Decawave强化UWB通讯技术,有望拉升苹果订单增加,且伴随Apple Watch等穿戴式设备兴起提高连网需求、VR与AR精准定位与动作撷取需求,UWB技术因具备高频宽特性均可满足。

Qorvo亦有望拉拢Android手机于UWB技术需求以提高订单数,达到立足iOS与Android市场双赢局面;Qorvo预计将偕Decawave致力贡献于IEEE、CCC(Car Connectivity Consortium,国际汽车连线联盟)、UWB联盟、FiRa联盟,且定义PHY(Physical Layer,实体层)确保跨运用程序操作,企盼高阶短程通讯技术UWB成为标配。