SK海力士将展示两款新SSD 采用128层堆叠4D TLC NAND闪存

SK海力士将展示两款新SSD 采用128层堆叠4D TLC NAND闪存

近日,SK海力士在官网宣布,将于CES 2020上展示两款新SSD,型号分别为Gold P31及Platinum P31。

这两款SSD都将采用SK海力士之前宣布量产的最新的128层堆栈4D TLC NAND Flash,单颗芯片容量最高可达到1Tb,整合超过3,600亿个储存单元。

根据外电报导,SK海力士早就在2019年6月份就宣布,正式量产128层堆栈的4D NAND Flash,成为全球首家量产128层NAND Flash的存储器厂商。不过,SK海力士的这个4D NAND Flash基本上其实也是3D NAND Flash架构,只是把过去3D NAND Flash Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路,从之前的位置迁移到底部,所以称之为4D NAND Flash。

因此,其实所谓4D NAND Flash,本质上还是3D NAND Flash,只不过单芯片采用4层架构设计,结合了3D CTF(电荷捕获快闪存储器)设计、PUC(Peri.Under Cell)技术,PUC是指制造NAND Flash时先形成外围区域再堆栈晶体,有助于缩小芯片面积。

报导表示,SK海力士宣布,公司于上个月开始正式向客户交货的128层堆栈4D NAND Flash的工程样品,全部都是TB容量等级的高密度解决方案,包括手机所用的1TB UFS 3.1 4D NAND Flash,消费等级的2TB SSD、以及企业级的16TB E1.L规格SSD。

SK海力士指出,其新推出的128层堆栈4D NAND Flash的单颗容量为1TB大小。所以,未来可以做到很大的容量,是业界储存密度最高的TLC NAND Flash。

报导进一步指出,现在1TB储存空间的手机,通常需要使用两颗512GB的UFS NAND Flash,在SK海力士的1TB UFS 3.1 4D NAND Flash正式出货后,手机使用NAND Flash的数量就会减少一半,节省更多的手机主机板空间。

再加上SK海力士这颗1TB的4D NAND Flash封装厚度仅1mm,是未来超薄5G手机的绝佳选择。预计搭配这款4D NAND Flash的手机有望在2020年下半年量产,而搭载128层堆栈4D NAND Flash的2TB消费级SSD,以及16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在2020年下半年量产。

晶圆代工资本支出盘点:先进制程拉抬增幅 成熟制程弹性调整

晶圆代工资本支出盘点:先进制程拉抬增幅 成熟制程弹性调整

资本支出是晶圆代工厂对半导体产业未来趋势看法与投入状况的重要指标,在2019年全球经济不稳定造成的晶圆代工产业衰退下,晶圆代工厂若要提高资本支出需有明确强劲动能支撑。

从台积电与Samsung来看,先进制程发展是推动两家厂商增加资本支出最主要项目;而成熟制程厂商虽然在2019年布局较少,但在5G产业带动及中国芯片自制的政策趋动下,仍有部份厂商可望在2020年持续性增加资本支出。

先进制程竞赛推动厂商资本支出竞争激烈,Samsung的额外投资计划令人关注

台积电为扩展7nm产线与开发5nm及以下制程技术,2019年资本支出增加幅度约40%,达140~150亿美元,用于扩展7nm与5nm产品开发;另外,在5nm产能规划上优于预期,以及对先进封装厂的相关投资,皆名列资本支出主要项目,冀望在先进制程发展上持续拉开与竞争对手的距离。

而从台积电在2020年布局来看,3nm试产线的建置、2nm先进研发中心厂房的建置,以及新8寸厂产线和扩增先进封装产能等,可预期台积电在2020年资本支出将维持一贯的高水平,甚至可望持续增加,对于下游供应链厂商的助益效果及在产品竞争力上的进步仍相当可期。

Samsung晶圆代工业务资本支出同样也较2018年高,约68亿美元,用于扩产7nm产能与更先进制程研发;此外,Samsung在2019年4月宣布将于2030年前投入1,160亿美元发展半导体业务,主要用在逻辑IC设计方面。虽没有特别说明使用在晶圆代工份额,不过若在不造成Samsung整体集团的经济负担下,增加投资确实对技术开发与市场布局有助益,为与台积电的军备竞赛做准备。

分析投资先进制程研发的厂商,开发过程中的细节与良率提升需从Try and Error获得经验,因此对资金需求相当大。Samsung的10年投资计划在短期可能对技术发展有助益,但若从长期来看,主要观察重点仍在Samsung如何于市场上扮演好两种角色:晶圆代工方面需免除客户对Samsung LSI同为竞争对手的疑虑。

在IDM方面需考量提升设计与制造能力,并选择正确的应用领域以获得更好利润,例如台积电就是在技术或竞争关系上与客户建立起良好信任度;而Intel则在主要应用市场建立起其巩固地位。因此若同时要对应两种商业模式且都能获得好的结果,增加投资或许只能说是必要的第一步,后续发展仍需重点观察。

成熟制程厂商弹性调整资本支出,大陆区域扩产计划最为积极

相较于发展更先进制程所需增加的资本支出,在以成熟制程为主的第二梯队方面则视市场需求变化弹性调整。GlobalFoundries与联电在先进制程开发暂缓脚步,因此没有较大的扩产计划,2019年资本支出预估持平或减少,其中联电虽收购日本三重半导体(MIFS),不过在2019年尚无额外购买设备计划,故在营运分类上不会增加资本支出。

展望2020年,联电受惠成熟制程方面预估接单状况良好,以目前市场关注的CMOS与OLED驱动IC来看,联电皆有好消息传出,除助益台湾地区厂房的产能利用率,也可稳定日本厂房的投片状况,2020年较有机会提高资本支出。

而GlobalFoundries在2020年将交割出售给ON Semiconductor与世界先进的厂房,届时在产能分配上可能做出调整,较不易有扩产可能,因此预估2020年资本支出可能持平或小幅衰退。

相较之下,大陆区域晶圆代工厂商扩产计划则较为明确,主要厂商中芯国际与华虹半导体皆对产能进行扩充,尤其在8寸晶圆产能预估将面临吃紧态势,2019年就有调高资本支出提前准备。展望2020年,中芯国际预计增加8寸晶圆月产能25K,12寸晶圆月产能30K;华虹半导体则计划补足12寸晶圆规划的总产能,加上两家厂商皆有发展先进制程规划,未来资本支出还可望持续提升。

另一方面,在中国芯片自制的政策推动下,不少中国晶圆代工厂在2020年扩产计划仍相当积极,尤其在5G和车用等产业推升下,成熟制程也逐渐出现产能吃紧状况,加上市场普遍对2020年需求预估抱持正面态度,更加添晶圆代工厂商提高资本支出的信心。

值得注意的是,中美贸易摩擦虽释出正面讯息,仍不减中国市场去美化趋势,无论是晶圆代工厂产能规划或上游硅晶圆到半导体设备厂商皆积极提升国产化供给占比,或许在先进制程上存在技术落差,但在成熟制程产品的国产供给量确实有逐步提升,使得许多专注在成熟制程的厂商愿意增加资本支出以因应国内市场未来具成长性需求,加上2020年中国8寸硅晶圆将逐步启动供应,虽从整体半导体市场来看可能出现供过于求状况,但对中国境内市场来说是提升战力的一环,或将挹注中国晶圆代工厂商额外的硅晶圆补给量以加速成熟制程布局。

DRAM产业景气 拨云见日

DRAM产业景气 拨云见日

美中将签署第一阶段贸易协议,贸易摩擦不确定因素可望淡化,加上三星华城厂跳电,各方指标都有利DRAM景气向上,业者预期,DRAM报价也可望于本季提前上涨。

存储器业者预期,本季DRAM涨势由服务器、绘图用DRAM率先发动,DRAM产业翻转向上号角正式响起,后续伴随在5G和AI人工智能 、智慧车、物联网等边缘运算对DRAM需求爆发,整体DRAM族群营运都会翻转向上,产业景气正式拨云见日。

尤其是稍早美国存储器大厂美光释出部分产品开始恢复供货华为,市场正面看待主要大厂库存快速去化,今年DRAM供需逐渐平衡,并随市场需求提升而逐季调涨,DRAM产业重回景气向上的正循环,台厂包括南亚科、华邦电、力积电、威刚、十铨等族群提前迎春燕。

美光在最近的法说会中释出包括服务器、移动设备、绘图芯片等需求展望皆正面,仅PC DRAM因英特尔的CPU缺货仍要今年初才会舒缓,但整体需求往正向发展。

市调机构集邦咨询也预估,因主要大厂1X纳米制程良率不佳、供货不及,让服务器和绘图用DRAM翻涨速度比预期快,绘图用DRAM首季合约价涨幅逾5%,超过服务器用DRAM,让整体DRAM产业景气提前在首季翻扬向上,存储器族群提前迎接景气春燕,明年营运看俏。

三星华城厂区跳电 影响DRAM、NAND Flash及LSI部分业务

三星华城厂区跳电 影响DRAM、NAND Flash及LSI部分业务

根据外电的报导,韩国半导体厂商三星电子旗下位于华城的工厂发生了跳电事故,影响了DRAM、NAND Flash,以及采用EUV技术的系统半导体生产部分。

根据外电报导指出,三星电子位于韩国华城的工厂,在2019年12月31日发生了短暂的跳电情况,使得华城厂区内的部分工厂短暂停产。整个跳电的时间约1分钟,之后立即恢复了供电,目前三星正在积极的进行产线检查,在了解受损程度之后,以便在最短时间内恢复生产。

据了解,这次三星电子华城厂区的跳电事件,影响的是生产DRAM的Line 12产线,以及生产Nand Flash的Line 13产线,另外还有以EUV(extreme ultraviolet)技术进行生产的LSI(large-scale integration)部分。

根据市场人士估计,由于是生产DRAM的Line 12产线,以及生产NAND Flash的Line 13产线都属于制程比较落后的产线,因此受影响较大的部分的将会是在以EUV来生产系统半导体的领域,整体损失金额可能达到3,000万美元。

至于,会发生跳电的原因目前并不清楚。只是,以中国台湾的晶圆厂为例,在供电方面多半都设计有两套回路,分别由两个不同的变电所来供电,以降低因意外而发生跳电的风险。不过,如果发生大规模的天然灾害,例如地震而导致电厂停止运转的情况,这部分就另当别论。因此,这次韩国三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况下,却发生跳电的情况,这个过程就必须好好地确认。

至于,这次的跳电事件是否会影响市场上DRAM及NAND Flash的价格,就如同2019年6月份,日本存储器大厂东芝在三重县四日市的厂区发生跳电,造成市场供货冲击的状况,目前还不得而知。

不过,日前三星才宣布,将在未来10年内投资超过千亿美元以发展系统半导体业务,已达成未来登上全球系统半导体业务龙头的计划,会不会因为这样的断电事件而受到影响,未来还需要进一步的观察。

环宇决议与三安分手,另与晶电一同开发射频及光电元件

环宇决议与三安分手,另与晶电一同开发射频及光电元件

化合物半导体制造代工大厂环宇光电,于2019年12月9日召开董事会。会中决议考量于现行国际贸易情势变化起伏,以及尝试满足中国大陆生产需求目标,因此决定撤销与厦门三安集成(三安光电子公司)之合资案,进而转向与常州晶品光电(晶元电子子公司)共同成立新晶宇光电;该厂商目标将锁定无线射频及光电元件,并以6英寸化合物半导体晶圆为主要代工业务。

三安光电转型于化合物半导体应用仍不够快速,环宇董事会决议撤销合资案

LED大厂龙头三安光电,由于受到相关LED厂商抢市的竞争压力,使得整体营收持续下探。由图可知,三安光电自2018年开始,营收表现已呈现持续下滑态势,甚至2019年第二季已达到整体营收低点(年减26%),这点对于全体投资人及合资厂商而言是一个坏消息。

▲2017年第一季~2019年第三季三安光电营收表现。(Source:三安光电;拓墣产业研究院整理,2019/12)

或许环宇光电已观察到传统中、低端LED市场渐入市场成熟衰退期,因而于2019年12月董事会决议撤销先前与三安光电的合资案(厦门三安环宇集成),进而与晶电(晶元电子)子公司晶品光电共同合资成立新公司。此结果似乎也反应三安光电近期试图由LED制造商逐步转型成为第三代半导体元件厂之行动,产业转型速度对应于市场需求面,仍旧显得不够快速。

晶元电子积极投入于化合物半导体元件应用市场,成功吸引环宇进行合作

晶电早期与三安光电同属于LED制造大厂,但晶电已于2010年陆续投身于中、高端LED照明产品开发,试图拉开与其他低端LED厂商削价竞争的商业模式;且该厂商也尝试积极布局化合物半导体应用,于2018年10月成立子公司晶成半导体,目标以研发磊晶及制造相关事业为主(如VCSEL、射频元件等)。

相对而言,晶电于化合物半导体应用领域中,除了主动走向中、高端LED商品化,更积极投身于3D感测与通讯事业中,所以面对LED市场的白热化,晶电仍然可保有一定市占比,并且透过踊跃参与化合物半导体等相关的研发工作,藉此吸引如环宇光电共同成立新公司(新晶宇),锁定生产光电及无线射频元件等应用领域。

2019年华为智能机出货2.4亿部 同比增长20%

2019年华为智能机出货2.4亿部 同比增长20%

华为公司轮值董事长徐直军2019年12月31日向员工和客户发表了题为《求生存,谋发展,砥砺奋进》的2020年新年致辞。他在致辞中称,2020年预计将是“艰难的一年”,公司的增速不太可能像今年上半年那样快。

华为同时公布,2019年全年营收很可能将增长18%至8500亿元人民币(约合1217.2亿美元),低于此前的预期,也慢于今年上半年的23%、2018年的19.5%增速。华为在2019年出货了2.4亿部智能机,同比增长20%。

华为并未单独公布第四季度数据,但是路透社根据华为此前公布的数据计算出,截至12月31日的第四季度,华为营收为2392亿元人民币(约合232.8亿美元),同比增长3.9%,慢于第三季度的27%增速。

生存将是第一要务

“生存将是我们的第一要务,”徐直军称,“我们将无法像2019年上半年那样快速增长,贯穿全年的增长多亏了市场的绝对动力。”

他指出,外部环境前所未有的复杂,全球经济的下行压力加重。“从长远来看,美国政府将继续打压领先技术(公司)的发展,对于华为的生存和繁荣来说这是一个巨头挑战性的环境。”他表示。

徐直军还表示,2020年,华为将“全力以赴”开发自主移动服务生态系统,其中包括云存储和官方应用商店AppGallery等服务。他把移动服务生态系统称之为“华为在中国以外市场销售智能设备的基础”。此外,徐直军还表示,华为将扩大自主芯片在云计算和企业业务中的使用。

末位淘汰10%主管

徐直军称,公司有必要在2020年末位淘汰10%的主管,以摆脱公司内部滋生的自满情绪。

“树立正确导向,铲除平庸干部,祛除惰怠员工,激活组织。干部和员工要祛除自身的惰怠行为。要主动规划队伍的梯队化建设,干部队伍要保持10%的淘汰率。”他在致辞中称。

他还表示,一些支持甚至运营部门将会被合并或者缩小规模,增加的员工可能会被重新分配到其他部门。

集成电路产业这一年

集成电路产业这一年

在2019年全球半导体市场进入下行周期的背景之下,中国半导体产业依然取得了优于全球水平的成绩,预计全年产业增速将在10%左右,为下阶段发展注入了信心。新的一年,市场有望回暧,挑战可能依旧,中国半导体产业如何抓住机遇,迎接挑战,需要全体从业者的共同努力。

“小散弱”问题得到改善

2019年,行业寒冬成为业界经常谈论的话题。根据WSTS的数据,2019年全球半导体产业市场增速从2018年的13.7%,下跌至-12.1%,全球主要半导体厂商业绩普遍受到影响。相较而言,中国半导体市场依旧保持了相对良好的走势。根据中国半导体行业协会的数据,2019年上半年在全球半导体产业两位数跌幅下,我国集成电路产业依然保持两位数增长,预计全年产业增速将在10%左右。

除市场表现出较强的发展韧性之外,中国集成电路产业整体水平也在不断提升。2019年1-9月中国集成电路产业销售额为5049.9亿元,同比增长13.2%。其中,设计业销售额为2122.8亿元,同比增长18.5%;制造业销售额为1320.5亿元,同比增长15.1%;封装测试业销售额1606.6亿元,同比增长5.5%。集成电路三业当中,技术含量相对较高的设计业销售额占比最大,制造业的增长速度也超过了封测业,显示出我国集成电路产业的整体发展水平正在稳步提高。

“小散弱”一直是困扰我国集成电路的主要问题之一。2019年这个问题正在得到改善。中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军表示,2019年十大设计企业的销售总和占全行业销售总和的比例首次超过50%,扭转了之前一直下降的局面。而且三家最大通信芯片企业的销售之和超过1000亿元,占该领域销售之和1128.2亿元的88.7%。进入10大设计企业榜单的门槛提高到48亿元,比去年的30亿元,大幅增长了18亿元。中国集成电路设计业拥有若干支航母舰队的状况有望在不久的将来出现。

2019年,在一些关键技术上,我国集成电路企业也获得重大突破。9月6日,华为海思在IFA 2019上正式发布麒麟990旗舰芯片,采用全球最先进的7纳米+EUV工艺,实现5G手机芯片的成功开发。8月8日,中芯国际在第二季度财报中披露,14纳米工艺进入客户风险量产阶段,可以贡献有意义的营收,第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入阶段,将与客户保持合作关系,把握5G、物联网、车用电子等产业发展机遇。存储芯片实现了初步的布局,长江存储成功投产64层3D NAND,长鑫存储成功投产19纳米DRAM。随着异构计算的发展,先进封装的重要性不断提升,我国在先进封装领域取得进展,长电科技、通富微电、华天科技等逐渐掌握凸块封装、TSV等先进封装技术。在装备材料方面,中微半导体的等离子体刻蚀机进入台积电7nm逻辑器件生产线;上海新昇的12英寸大硅片开始批量供货。

供给不足矛盾仍旧尖锐

在取得一系列成绩的同时,我国集成电路产业仍然存在诸多不足。首先是集成电路产品种类虽然齐全,但高端核心芯片缺乏。如CPU、存储器和高性能模拟芯片等均存在巨大的缺口。国产存储器虽在2019年实现了初步布局,但尚未形成规模。国产CPU主要集中在党政办公系统的专用市场当中,虽然部分企业已开始尝试进入公开市场参与竞争,但总体上我国芯片尚不能满足市场的需求。正如魏少军指出,“需求旺盛与供给不足”依然是当前面临的根本矛盾。

其次,2019年虽然在一些重点技术领域取得突破,但是整体差距仍然很大,特别是在底层基础领域。从设计业来看,我国的集成电路设计企业依靠制造工艺和EDA工具的进步,实现产品升级换代的现象依然严重。在制造领域,中国大陆企业的制造技术节点,与三星和台积电7nm仍有大概两代的差距。在封测方面,虽然通过自主研发和兼并收购,本土封测厂基本形成先进封装的产业化能力,但占封测总营收比例只有30%,远低于全球水平。在装备材料方面,虽然有部分高端装备与材料进入生产线实现供货,但主要依赖进口的局面仍未改变,产业发展存在瓶颈。

最后,随着我国集成电路产业的快速发展,对高质量的专业人才需求极为迫切。人才问题正在成为制约我国集成电路产业可持续发展的主要瓶颈。《中国集成电路产业人才白皮书(2018-2019年版)》显示,截至2018年年底,我国集成电路产业从业人员规模约为46.1万人,比2017年同期增加了6.1万人,增长率为15.3%,人才供需状况得到一定程度的改善,但整体来看缺口依然较大。

对此,国家集成电路产业发展咨询委员会副主任马俊如分析指出,从我国集成电路领域现有的人才状况来看,虽然经过多年的发展,我国已培养出大批人才队伍,但仍感到人才供给不足。主要问题集中在三个方面,一是高端和领军人才紧缺,二是集成电路专业领域的高校毕业生流失严重,三是人才工程和实践经验匮乏。应积极探索产教融合人才培养新模式,在创新实践中发现人才,在创新活动中培育人才,在创新事业中凝聚人才。

以产品为中心重塑中国IC产业

经过60多年的发展,集成电路行业已经走向成熟,产业的发展也从技术驱动转变为应用拉动。中国集成电路产业虽然仍有诸多不足之处,但中国作为全球最大的制造业基地,同时也是集成电路最大的应用市场,未来具有巨大的发展潜力,也能够发挥更大的作用。

2020年,5G通信是最令人期待的巨大市场。市场调研公司Canalys报告,到2023年,全球5G智能手机出货量将达到8亿部,占整个智能手机市场份额的51.4%,中国作为全球5G网络建设的重点区域,将是全球最大的5G智能手机市场,出货量预计将占全球市场的34%。

除5G以外,高铁、智能电网、北斗导航、超高清视频、安防……随着信息技术与传统产业的加速融合,集成电路的应用领域越来越多,本土集成电路企业凭借贴近市场、贴近用户的优势,可以发挥的作用也将越来越大,产品也将从中低端升级到存储、模拟、射频等更多战略级通用或者量大面广的高端产品上。

对此,魏少军指出,未来中国集成电路产业应抓住5G通信、VR/AR、物联网、医疗健康、超高清电视及显示技术、人工智能与类脑计算、自动驾驶等带来的机遇,积极探索适合中国的集成电路产业模式,以产品为中心重塑中国集成电路产业。

同时中国集成电路创新发展也离不开国际合作。在2019年,集成电路产业出现了一些反全球化的言论,这对中国乃至全球行业企业均产生了巨大的影响。但是,集成电路是一个高度国际化的行业,任何一个国家都不可能关起门来做集成电路产业。中国集成电路产业只能走开放的道路,参与全球市场竞争,也欢迎世界各国的企业来中国投资和经营。正如紫光集团董事长赵伟国所说:“中国和世界已经融为一体,想割裂这种状态,无论对全球经济的发展,还是对某些国家的发展,都是非常不利的。”

5G手机年底密集发布 手机厂商明年全面押注5G

5G手机年底密集发布 手机厂商明年全面押注5G

近日,包括OPPO、华为、小米在内的多个手机厂商均选择在本月发布5G手机。记者了解到,5G手机已成为手机厂商明年的主要策略。目前临近年末,有机构预计今年手机行业出货量仍将处于下滑状态,而其中唯一快速增长的5G手机出货量也成为手机厂商“押宝”的重点领域。

5G手机价格门槛降至2000元

目前,中兴、小米均提出明年将推出至少10款5G手机,Vivo至少推出5款5G机型,有产业链消息指出苹果明年发布的5款新品中也将有4款为5G机型。

根据中国信通院的数据,11月份国内5G手机出货量达507.4万部,环比提高103%,5G手机渗透率高达15.2%,较前几个月有大幅提高。

渗透率的提高主要得益于5G手机的价格门槛不断下降。小米于近期发布的新机价格已低于2000元,大幅降低了5G手机的入门门槛,有望带动5G加速普及。中泰证券指出,小米打响了5G经济型手机竞争的第一枪,该策略有望助力公司在5G手机启动窗口期快速抢占优势份额。

数据显示,今年第三季度华为、小米、OPPO、Vivo和苹果五家手机厂商在中国的市场份额达92%,较2018年同期提升3.3%。业内人士表示,在市场份额如此集中的情况下,其他竞争者很难在5G时代拥有机会。

去4G库存成年底营销重点

如今,“去4G库存”成为各家手机厂商的营销重点。小米公司董事长雷军曾表示,现在处于4G向5G切换期,手机市场大环境承压,小米选择了稳健增长,提高自己的盈利能力和现金储备,把不良的库存都消化掉。

出于消减成本、集中精力的考量,手机厂商在明年的发行策略也会较为激进。OPPO副总裁、全球销售总裁吴强曾表示,预计明年中国市场接近20%的产品会是5G产品,几乎所有品牌的旗舰机都会是5G手机。

与此同时,运营商也会加快降低5G套餐的门槛,使得5G手机进一步普及。工信部部长苗圩曾在上月表示,三大运营商推出5G套餐不足一个月后就有87万用户签约。中泰证券认为,预计明年上半年手机厂商将全面押注5G,而运营商也将借助经济机型推动用户向5G网络迁移,两方面将共同带动品型和出货量加速提升。

上述业内人士表示,参考当年三大运营商推出4G套餐的情况,预计5G套餐价格将在未来一年里有较为可观的降幅,届时将带动5G手机市场的发展,手机厂商和供应链都将受益于明年的5G换机潮。

定增预案出炉 晶方科技拟募资14.02亿元扩产升级

定增预案出炉 晶方科技拟募资14.02亿元扩产升级

2019年12月31日,半导体封测厂商晶方科技发布《非公开发行A股股票预案》,拟定增募资不超过14.02亿元加码主业。

根据预案,晶方科技本次拟采用非公开发行方式,向合计不超过10名的特定对象发行股票不超过4593.59万股,募集资金总额不超过14.02亿元,扣除发行费用后用于集成电路12英寸TSV及异质集成智能传感器模块项目。

公告显示,本次募集资金投资项目名称为“集成电路12英寸TSV及异质集成智能传感器模块项目”,主要建设内容围绕影像传感器和生物身份识别传感器两大产品领域。项目建成后将形成年产18万片的生产能力。

对于此次募投项目,公告指出,公司产品主要应用于影像传感器和生物身份识别传感器。由于手机三摄、四摄的趋势导致摄像头数量大幅增加,传感器在安防监控和汽车电子领域的应 用稳定增长、屏下指纹将成为手机生物身份识别主流等市场产品趋势,影像传感器和生物身份识别传感器的封测需求大幅增加。

公告进一步指出,公司已针对市场需求的新趋势进行了前瞻性的技术储备和布局,目前生产已达到饱和状态,现有产能已经无法满足市场的需求,有必要通过本项目一方面扩大产能,同时对工艺与及机器设备进行相应升级换代,顺应市场新产品趋势,满足客户的新产品需求。

此外公告称,公司自设立以来,坚持“做强”而非“做大”的战略,专注于传感器领域,通过持续不断的技术积累,保持在这一领域的技术领先地位。本次投资项目将推动高可靠性TSV晶圆级封装工艺、扇出型系统级封装工艺平台等技术的发展,进一步巩固公司已有的技术领先优势和地位。

总体而言,晶方科技表示公司本次非公开发行符合国家的产业政策,顺应未来市场新产品需求趋势, 有利于公司解决公司产能受限问题,提升公司市场规模,进一步巩固公司行业领先地位并提升核心竞争力,为公司运营和业绩的持续快速增长奠定坚实的基础。

截至预案出具之日,中新创投在晶方科技持股比例23.97%,为第一大股东;EIPAT持股比例为11.72%,为第二大股东;大基金持股比例为9.44%,为其第三大股东;公司无控股股东和实际控制人。本次发行完成后,晶方科技股权结构未发生重大变化,公司仍无控股股东及实际控制人。

该项目实施达标达产后,预计新增年均利润总额1.6亿元,预计投资回收期(税后)约6.19年(含建设期),内部收益率(税后)为13.83%。

截至本预案出具之日,本次发行尚无确定的发行对象;预案已于2019年12月31日经公司第四届董事会第三次临时会议审议通过,本次发行尚需获得公司股东大会审议通过和中国证监会核准。

万业企业:集成电路装备集团前期筹备工作延期

万业企业:集成电路装备集团前期筹备工作延期

12月30日,万业企业发布《对外投资进展公告》,披露其拟参与设立的集成电路装备集团的前期筹备工作将延期。

根据此前公告,万业企业于2019年6月24日与中国科学院微电子研究所(以下简称“中科院微电子所”)、芯鑫融资租赁有限责任公司(以下简称“芯鑫租赁”)签订《关于合资设立集成电路装备集团之合作备忘录》(以下简称“《合作备忘录》”)。

根据《合作备忘录》,万业企业与中科院微电子所拟共同牵头发起设立集成电路装备集团有限公司(以下简称“装备集团”),项目总投资15亿元,其中,中科院微电子所与万业企业共同 出资8亿元,芯鑫租赁拟为装备集团提供意向性融资额度5亿元,具体以决策审批结果为准。

按照要求,《合作备忘录》签署后,各方制定人员组成筹备组,并选举筹备组组长、副组长;筹备组负责选择装备集团落户地以及装备集团设立其他前期工作,在2019年12月30日前完成筹备工作。

本次《对外投资进展公告》指出,在《合作备忘录》签署后,公司就合作事宜积极开展装备集团的前期准备工作,与意向方开展了调研工作,进行了多次洽谈。由于客观原因,截至2019年12月30日,各方未就装备集团具体的合作方案细节达成一致意见,亦未签署正式法律文件。公司决定在谈判中把维护公司利益、防范可能的风险放在首要位置,因此,装备集团的前期筹备工作不得不延期。

据此前披露,拟对外投资发起设立的装备集团主营业务领域为集成电路产业装备、泛半导体产业装备研发、制造和销售,将以集成电路前道制造和后道封装的关键装备为核心,通过提供零部件制造、集成电路装备设计与制造、集成电路制造关键工艺优化的服务能力,为客户提供成套装备及工艺解决方案。

当时万业企业表示,这符合公司既定战略转型方向,利用微电子所在集成电路领域的研发资源和芯鑫租赁的产业及融资资源,对公司向集成电路产业的战略转型具有现实意义。

对于现今装备集团前期筹备工作延期,万业企业表示,截止本公告日,公司尚未投入资金。装备集团筹备工作的延期不会对公司财 务状况和经营状况产生影响,不存在损害公司和中小股东利益的情形,不会影响公司未来的发展规划。公司将继续利用各种资源和优势,积极推动公司向集成电路产业的战略转型。