兆易创新:首款DRAM芯片最晚2025年量产

兆易创新:首款DRAM芯片最晚2025年量产

此前,兆易创新发布非公开发行A股股票预案,公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股(含本数),募集资金总额(含发行费用)不超过人民币432,402.36万元,用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。近日,兆易创新在此次非公开发行A股股票申请文件的反馈意见的回复中,透露了具体规划。

表中可知,兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证,最晚将于2025年量产。

兆易创新披露,公司Flash芯片的下游客户与DRAM芯片的下游客户重合度较高。

对首款芯片试样片进行封装测试,后送至系统芯片商处进行功能性认证,认证完毕后送至客户进行系统级验证,包含功能测试、压力测试、烧机验证等,通过所有验证后完成客户验证,验证完成后进行小批量产,实施时间预计在2021年。

另外,兆易创新表示,公司拟通过本项目,研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施,有助于公司丰富自身产品线,有效整合产业资源,巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

瞄准AIoT商机,华邦电跨足HyperRAM

瞄准AIoT商机,华邦电跨足HyperRAM

存储器大厂华邦电看好人工智能物联网(AIoT)应用将随着5G商用而快速成长,将跨足支援HyperBus界面的HyperRAM市场。华邦电表示,传统的SDRAM和pSRAM已发展成熟,无法针对新兴物联网应用再做最佳化设计,华邦电HyperRAM采38奈米制程,将持续朝25奈米移转。若考虑车用、工规应用的长期供货需求,华邦电HyperRAM的先进制程可满足客户长寿产品生命周期。

华邦电公告11月合并营收月减6.1%达40.57亿元,较去年同期成长0.9%,前11个月合并营收446.97亿元,年减率降至5.9%为今年最低。由于DRAM及NAND Flash价格将在2020年上半年止跌回升,NOR Flash价格将因TWS需求大增而供不应求且价格看涨,法人看好华邦电2020年第一季业绩表现淡季不淡,且优于2019年第一季。

随车用电子、工业4.0、智慧家庭等市场快速兴起,已为IoT终端装置与人机界面装置的尺寸、功耗与效能带来新的功能需求。为此,除微控制器(MCU)业者纷纷开发新一代具高效能与低功耗特性产品以满足市场需求外,与其搭配的存储器也需要新的选项,才能从整体的系统设计考量提供比既有SDRAM和pSRAM更佳的优势。

支援HyperBus界面的HyperRAM便是锁定此市场需求的新技术方案。华邦电DRAM存储器产品技术经理廖裕弘表示,低脚数、低功耗、易于应用设计是HyperRAM的最主要特性,使其能显著提升终端装置的效能。(新闻来源:工商时报─涂志豪/台北报导)

俄罗斯科技公司开发Multiclet S2处理器,或采用台积电16纳米打造

俄罗斯科技公司开发Multiclet S2处理器,或采用台积电16纳米打造

目前全世界发展自家处理器的厂商仍属少数,不过现在又有新的参与者加入。根据外电报导,日前俄罗斯科技公司「Multiclet」宣布,正在开发 Multiclet S2 通用型处理器,可在 Windows 及 Linux 系统运作,宣称性能甚至超过处理器大厂英特尔(Intel)Core i7 系列,预计最快 2020 下半年问世。

外电报导,Multiclet 公司开发的 Multiclet S2 处理器与现在市面处理器都不同,有不同的运算单元,能同时跑整数及浮点。预设如果有 256 个运算单元,以及 2.5GHz 的频率运算,总和性能高达 81.9TFLOPS,非常接近针对 AI 加速运算开发的 Google TPU-3 处理器 90TFLOPS 性能。

目前看来,Multiclet S2 处理器较像 AI 加速芯片,但 Multiclet 表示,Multiclet S2 处理器依然是通用型处理器,且性能比英特尔 Core i7 系列处理器还强。据 Multiclet 的说法,Multiclet S2 处理器性能同时超过英特尔 XeonPhi 7290 及 Core i7-5960 处理器。虽然 Core i7-5960 处理器是 2014 年发表的 Haswell E 架构处理器,但仍是颗 8 核心 16 执行续的处理器、具备最高 3.5GHz 运算频率,性能仍相当有实力。

虽然 Multiclet 一直强调 Multiclet S2 处理器有诸多不同,不过这款芯片展示的还是计划中的东西,完成度约 20%。另外,Multiclet 的 Multiclet S2 处理器也同样看上台积电先进制程,预计以台积电 16 奈米制程打造,预计 2020 下半年问世。

Multiclet 在 2018 年就曾发表 Multiclet S1 处理器,当时也预计采用台积电 28 奈米制程,且预计以当时热门的挖矿机市场为主要销售对象,不过后来芯片完成度不足,结果并不理想,因此这次 Multiclet S2 处理器会有什么样的发展,有待持续观察。

中芯国际订立中芯长电(开曼)框架协议

中芯国际订立中芯长电(开曼)框架协议

中芯国际(00981.HK)公告,由于2016年框架协议将于2019年12月31日届满,且其项下拟进行的交易将继续按持续进行基准订立,于2019年12月26日,公司与中芯长电(开曼)订立中芯长电(开曼)框架协议,内容有关持续关连交易,年期由2020年1月1日起至2022年12月31日止,受其规定的条款及条件所限。

积塔半导体举行特色工艺生产线主设备搬入仪式

积塔半导体举行特色工艺生产线主设备搬入仪式

2019年12月28日,积塔半导体特色工艺生产线首台光刻设备搬入仪式在上海自由贸易试验区临港新片区积塔半导体厂区举行,这标志着积塔半导体从建设期向生产运营期迈出重要一步,为2020年底实现批量生产打下了坚实基础。

 

上海市人民政府副秘书长、中国(上海)自由贸易试验区临港新片区管理委员会党组书记、常务副主任朱芝松,上海市经济和信息化委员会总工程师刘平,中国(上海)自由贸易试验区临港新片区管理委员会专职副主任吴晓华,上海临港经济发展(集团)有限公司党委委员、副总裁翁恺宁,华大半导体有限公司董事长、中国电子信息产业集团有限公司党组成员、副总经理陈旭,上海集成电路产业投资基金管理有限公司董事长沈伟国,华大半导体有限公司总经理、上海积塔半导体有限公司董事长董浩然,上海积塔半导体有限公司总经理洪沨,以及政府代表、设备厂商代表、参建单位代表和积塔半导体员工代表共200余人出席此次仪式。仪式由积塔半导体临港厂区建设总指挥汪国兴主持。

 

积塔项目以建设成为模拟与功率领域国内领先的特色工艺半导体生产线为目标。建成投产后,将进一步帮助完善上海打造集成电路产业高地布局,发挥产业集聚效应,加快建设具有国际竞争力的综合性产业集群。

江苏天科合达半导体碳化硅项目投产仪式顺利举行

江苏天科合达半导体碳化硅项目投产仪式顺利举行

2019年12月26日18:30,江苏天科合达半导体有限公司投产仪式欢迎晚宴在徐州博顿温德姆酒店举行。北京天科合达总经理杨建先生及江苏天科合达总经理彭同华先生对前来参加投产仪式的各级领导、嘉宾致以最热烈的欢迎和诚挚的问候。

 

2019年12月27日上午9:18分,江苏天科合达半导体有限公司投产仪式在徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园内拉开序幕。

 

莅临投产仪式:
■ 中国科学院物理研究所党委书记文亚;
■ 新疆生产建设兵团科技局原局长田笑明;
■ 中国科学院大学党委副书记高随祥;
■ 国家集成电路产业大基金唯一管理机构——华芯投资管理有限责任公司投资一部总经理汤树军;
■ 北京天科合达半导体股份有限公司法人代表、总经理,江苏天科合达半导体有限公司董事长杨建;
■ 中国科学院物理所重点实验室主任,北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙;
■ 日本高鸟公司副社长松田;
■ 江苏中科汉韵半导体有限公司总经理许恒宇;
等一批半导体业内精英、大咖共百余人参加了投产仪式;

北京天科合达半导体股份有限公司法人代表、总经理,江苏天科合达半导体有限公司董事长杨建先生致辞。

徐州经济技术开发区党工委副书记、管委会副主任陈明先生致辞。

文亚书记、田笑明局长、高随祥书记、才华会长、陈明书记、戴雷主任、汤树军总经理、陈小龙主任、杨建董事长和许恒宇总经理共同上台启动投产按钮,标志着江苏天科合达半导体有限公司在徐州开启新的篇章。

随后,现场与会领导及嘉宾参观了江苏天科合达生产车间,车间内250台(套)碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛设备的碳化硅衬底生产线早已安装就绪,蓄势待发。

 

江苏天科合达半导体项目总投资5亿元,占地面积26000平方米,可实现年产4-8英寸碳化硅衬底6万片,该项目顺利建成投产标志着天科合达的碳化硅产业化进程跨出了关键的一步,同时也标志着我国第三代半导体碳化硅衬底产业的发展进入一个崭新的阶段。
今后,江苏天科合达将继续秉承大胆创新、潜心钻研、坚持不懈地走自主创新的发展道路,以科技创新、引领未来为己任,为全国乃至世界第三代半导体产业自主可控、快速可持续发展做出更大的贡献!

台媒:苹果iPhone 12 A14 BIONIC芯片将由台积电通吃

台媒:苹果iPhone 12 A14 BIONIC芯片将由台积电通吃

12月30日消息 据台湾工商时报报道,苹果2020年下半年将推出四款iPhone 12系列手机,除搭载运算效能更强大的A14 Bionic处理器,也会搭载高通Snapdragon X55基带,并依各国5G网络不同而仅支持Sub-6GHz、或同步支持Sub-6GHz及mmWave(毫米波)。供应链业者指出,苹果A14采用5纳米制程,高通X55采用7纳米制程,晶圆代工订单由台积电通吃,其中,苹果A14将在第二季底开始量产,并包下台积电三分之二的5纳米产能。

随着各国将在2020年开通5G电信网络,苹果2020年推出的iPhone 12将支持5G。供应链消息显示,苹果预估推出四款iPhone 12,包括搭载5.4吋及6.1吋OLED面板的iPhone 12、搭载6.1吋OLED面板的iPhone 12 Pro、搭载6.7吋OLED面板的iPhone Pro Max等,其中,iPhone 12 Pro/Pro Max会搭载3镜头及支持飞时测距(ToF)。

苹果iPhone 12系列全数搭载A14应用处理器,将采用台积电5纳米制程量产。台积电5纳米已进入试产阶段,2020年上半年进入量产,苹果及华为海思是首批两大客户。苹果看好支持5G的iPhone 12将带动iPhone 7/8等旧机用户强劲换机需求,市场乐观预估出货量将上看1亿部以上,设备业者估算,苹果已包下台积电三分之二的5纳米产能,2020年第二季底开始量产。

苹果与高通达成和解,并买下英特尔手机5G芯片业务,但iPhone 12系列将全数搭载高通5G基带X55。高通X55是现在唯一同步支持Sub-6GHz及mmWave的5G基带芯片,苹果将依各国5G开通情况,通过调整仅支持Sub-6GHz单频段或同时支持双频段。由于高通X55采用台积电7纳米量产,在苹果强劲需求带动下,高通已大举预订2020年7纳米产能,是让台积电上半年7纳米产能利用率维持满载的关键原因之一。

屏下指纹识别or人脸识别,谁是智能手机的未来?

屏下指纹识别or人脸识别,谁是智能手机的未来?

Samsung因两款旗舰机Galaxy S10、Note 10屏下指纹识别引发信息安全问题,主要系若在屏幕上贴上保护贴,只要有残留保护贴上的指纹印,任何人按压指纹都可解锁,故传闻Samsung将放弃手机屏下指纹识别,改采用「飞时测距模块」(ToF)的3D人脸识别方案,但Samsung仍未下最后决定。

目前iPhone仍采用结构光方案的3D人脸识别系统,但也有传闻2020年iPhone将改回指纹识别。

屏下指纹识别相较3D人脸识别仍具方便、屏占比高及成本优势

目前屏下指纹识别有光学式及超声波式两种方案,Samsung本次出现问题的Galaxy S10、Note 10系采较高阶的超声波指纹识别,Samsung于中低阶的A系列及其他陆系品牌也已导入光学式指纹识别,预期未来屏下指纹验识将逐渐取代传统电容式。

虽然信息安全问题导致传闻Samsung将在2020下半年上市的Galaxy Note 11改采用TOF方案的3D人脸识别,但目前以Apple结构光方案来说,仍有屏幕刘海、成本较高及反应速度较慢等问题,且部分重要专利在Apple手上,也使得Android手机阵营采用困难,而Android手机阵营想采用的TOF方案则受限识别率较差及体积过大问题仍待改善。

屏下指纹识别由于不需指纹感测按键,可提高屏幕占比方便使用,且较3D人脸识别具成本优势,预期仍是未来主流发展,只是本次事件影响可能使Samsung 2020下半年旗舰机种改采用光学式指纹识别,或同时结合光式指纹识别及3D人脸识别,不至于在旗舰机种完全抛弃屏下指纹识别。

光学式屏下指纹识别渗透率提升仍待LCD方案出台

光学式屏下指纹识别于OLED机型渗透率逐渐提升,而LCD机型则受限技术限制无法量产。

OLED机型可采用光学式指纹识别系因OLED为自发光源,当光往上打到手指时,利用OLED可让2~3%反射光穿透屏幕特性,再被屏下指纹传感器接收进行解锁功能;LCD机型则受限LCD屏幕与指纹传感器间被背光模块隔开,需要解决透光问题而无法使用,故原先预期光学式屏下指纹识别无法使用在LCD机型上。

然而坊间已传出2019年华为开发者大会上由京东方制作的LCD屏下指纹工程机照片,而京东方于2019年10月29日在投资者关系互动平台上也表示,该厂商LCD屏下指纹识别已有解决方案,产品化方案已与手机品牌厂商持续沟通中,更早之前也曾于6月的2019全球显示菁英峰会上表示将于2019年底量产。

再加上汇顶科技于2019年第三季投资者交流会议上也表示针对LCD之光学屏下指纹识别方案将于2019年底推出,结合LCD领导厂商与指纹识别领导厂商说法,可预期LCD采用光学式指纹识别之技术已被克服。

只要LCD机型也能搭载光学式屏下指纹识别,将全面打开光学式屏下指纹识别市场,预期将加速取代电容式指纹识别,因此也预期2020~2021年光学式屏下指纹识别将持续呈现高成长态势。

总投资12.7亿元的合肥奕斯伟COF卷带生产线量产

总投资12.7亿元的合肥奕斯伟COF卷带生产线量产

12月27日,合肥奕斯伟COF卷带项目正式量产。据合肥日报报道,在今天举行的项目量产暨客户交付仪式上,合肥奕斯伟还分别向知名设计公司联咏、晶门、瑞鼎交付了COF卷带产品。

据悉,合肥奕斯伟COF卷带项目是北京奕斯伟科技有限公司在合肥投建的第一个半导体材料制造项目,该项目总投资12.7亿元,设计产能为每月7000万片,满产年产值10亿元,可提供就业岗位800余个。

项目主要生产COF卷带,用于连接半导体显示芯片和终端产品,是COF封装环节的关键材料。产品具有超薄、轻便、高集成度、可绕行等特点,广泛应用于显示器件、人工智能、车联网、可穿戴设备等领域。

COF卷带常称为覆晶薄膜,是连接半导体显示芯片和终端产品的柔性线路板,是COF封装环节关键材料。合肥晚报此前报道指出,COF卷带目前只有韩国、中国台湾地区的极少数公司可以生产。

合肥奕斯伟董事长王家恒表示,COF卷带作为集成电路产业链中的关键资材组件,本地化生产,提高国内自给率将是未来发展趋势,该项目的量产将填补中国大陆地区在该产业的空白。

世界先进:8英寸晶圆产能吃紧

世界先进:8英寸晶圆产能吃紧

专业8英寸晶圆代工厂世界先进董事长方略昨(26)日表示,近几个月半导体市况明显回温,8英寸晶圆代工产能已吃紧,他不透露订单能见度,但强调美中贸易摩擦趋缓,明年全球经济成长增强、5G(第五代移动通讯)趋势确立与4G需求并行,加上半导体产业库存去化得差不多,四大正面因素让他对明年半导体展望“相当乐观”。

方略强调,5G加速布建是半导体产业相当大的驱动力,对半导体元件需求大增,先进制程、成熟制程产品都有,尤其是电源管理、影像感测器、分离式元件、指纹识别芯片、面板驱动IC、各式微机电元件和特定应用IC的需求,会随5G渗透率提升而增加。

他分析,明年是5G和4G并行,目前4G手机采用半导体元件的金额是3G的一倍,进入5G后,还是会有相当大的需求增加,5G发展趋势确立,正面助益半导体产业。

方略表示,世界先进最近受惠电源管理、面板驱动IC与CIS影像感测器订单需求回温,8英寸晶圆代工产能已吃紧,而且是全面性,原估第4季营收介于新台币68亿至72亿元,实际表现应可向中高标靠近,且明年首季动能仍强。

他也预告,世界今年12月31日正式接管从格芯收购的新加坡8英寸厂,产品线及生产方式只要调整会很快满载,比预期还快。

明年中国台湾四个厂产能都会吃紧。新加坡厂未来会和台湾三个厂代工项目相通,提升产能调度弹性。

方略表示,当前营运重点是提升新加坡厂能力,未来若还有收购机会,只要时间对,产品技术、价格与与地点适合,也还会评估,也会适时评估收购或新建12英寸晶圆厂。