标签：功率半导体

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。

集邦咨询旗下拓墣产业研究院数据显示，电动汽车的发展将带动IGBT市场总值持续成长，预估2021年IGBT的市场总值将突破52亿美元。中国作为全球最大的IGBT需求市场，主要市场份额被欧美、日本企业所占据，但是经过多年努力，目前已建立起完整的IGBT产业链，下面将按照IDM、设计、制造、模组分类盘点国内IGBT产业链主要企业——

IDM

· 中车时代电气

株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年，其现已形成了集IGBT产品设计、芯片制造等成套技术研究、开发、集成于一体的大功率IGBT产业化基地。

2008年，中车时代电气（当时名为“南车时代电气”）收购全球IBGT厂商丹尼斯，2009年建成国内首条高压IGBT模块封装线，自2010年开始着手筹建国内首条专注于IGBT芯片的先进生产线。目前，中车时代电气IGBT产品已从650V覆盖至6500V，并批量应用于高铁、电网、电动汽车、风电等领域，2017年其高压IGBT模块在电力系统收获订单，并成功研制世界最大容量压接型IGBT。

· 比亚迪微电子

2003年，比亚迪成立深圳比亚迪微电子有限公司（即其“第六事业部”），致力于集成电路及功率器件的开发并提供产品应用的整套解决方案，其IGBT的研发制造主要由比亚迪微电子负责。2005年，比亚迪正式组建IGBT研发团队，并于2007年建立IGBT模块生产线，完成首款电动汽车IGBT模块样品组装。

目前，比亚迪已相继掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，拥有IGBT完整产业链。2018年底，比亚迪正式发布其自研车规级IGBT 4.0技术。全球市场研究机构集邦咨询报告指出，比亚迪微电子凭借拥有终端的优势，在车用IGBT市场快速崛起，取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率，一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商。

· 士兰微

杭州士兰微电子股份有限公司成立于1997年，从集成电路芯片设计业务开始，逐步搭建了特色工艺的芯片制造平台，并已将技术和制造平台延伸至功率器件、功率模块和MEMS传感器的封装领域，建立了较为完善的IDM经营模式。

目前，士兰微5英寸、6英寸芯片生产线已稳定运行，8英寸芯片生产线也顺利投产，陆续完成了高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET、快回复二极管、MEMS传感器等工艺的研发。今年4月，士兰微推出了应用于家用电磁炉的1350V RC-IGBT系列产品，据悉其所开发的IGBT已在多个领域通过了客户的严格测试并导入量产。

· 华微电子

吉林华微电子股份有限公司成立于1999年，集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体，官网信息显示其拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年400万片，封装资源为24亿只/年，模块360万块/年。

华微电子主要生产功率半导体器件及IC，目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品，其650V~1200V的Trench-FS IGBT平台产品已通过客户验证。今年4月，华微电子拟募投8英寸生产线项目，600V-1700V各种电压、电流等级IGBT芯片是该项目的重点之一。

· 重庆华润微

华润微电子（重庆）有限公司，即原中航（重庆）微电子有限公司，集半导体设计、研发、制造与服务一体化，以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础，面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台。

重庆华润微拥有国内第一条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线，月产能5.1万片，工艺能力0.18微米，以及一条8英寸特种工艺生产线。目前该公司已启动12英寸晶圆生产线及相关配套封测线建设规划，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。

· 台基股份

湖北台基半导体股份有限公司成立于2004年，是是国内大功率半导体器件领域为数不多的掌握前道（扩散）技术、中道（芯片制成）技术、后道（封装测试）技术，并掌握大功率半导体器件设计、制造核心技术并形成规模化生产的企业。

台基股份主营产品为功率晶闸管、整流管、IGBT 模块、电力半导体模块等功率半导体器件，其早于5年前开始了IGBT模块的研发，目前基本具备IGBT设计、封装测试的能力。近期，台基股份定增募投“新型高功率半导体器件产业升级项目”，其中包含了月产4万只IGBT模块(兼容MOSFET等)封测线。

· 扬杰科技

扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展，主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。

据了解，在IGBT方面扬杰科技于2018年3月控股了一条位于宜兴的6英寸晶圆线，目前该生产线已经量产IGBT芯片，主要应用于电磁炉等小家电领域。扬杰科技在互动平台上表示，2018年度，公司IGBT芯片实际产出近6000片。

· 科达半导体

科达半导体有限公司成立于2007年，是由科达集团投资成立的高新技术企业，主要从事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半导体器件（电力电子器件）的设计、生产和销售，在深圳、浙江、山东等地区均设有销售中心。

据科达半导体官方介绍，其拥有功率器件设计中心、性能测试实验室和可靠性实验室以及省级设计中心，省级功率半导体工程中心，在IGBT、FRD、MOSFET等多个产品领域开发出拥有自主知识产权的多种规格产品，其中1200V IGBT被国家科技部列为国家重点新产品，产品广泛应用于电磁炉、小功率变频器、逆变焊机、无刷马达控制器、UPS等领域。

设计

· 中科君芯

江苏中科君芯科技有限公司成立于2011年，是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。中科君芯前身是中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国物联网研究与发展中心以及成都电子科大的三个研究团队，最早始于上世纪80年代。

中科君芯官网介绍称，公司目前形成具有市场竞争力的产品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片，并拥有222项专利，其中PCT专利12项。IGBT技术方面，中科君芯已开发出沟槽场终止（Trench -FS）电压650V-6500V、单芯片电流8A-400A全系列IGBT芯片，成功解决了沟槽栅沟槽成型技术、载流子增强技术、晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火技术等关键工艺技术。

· 达新半导体

宁波达新半导体有限公司成立于2013年，是以海归博士为主创立的一家中外合资的高科技公司，主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，拥有IGBT、MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，建有IGBT产品性能测试、应用及可靠性试验室，拥有一条测试和制造手段完备IGBT模块研发生产线。

达新半导体官网介绍称，其团队在8英寸和6英寸晶圆制造平台上同时开发成功平面型NPT、平面型FS、沟槽型NPT、沟槽型FS等IGBT芯片技术，能够制造从600V至1700V， 可满足大部分应用领域的IGBT芯片产品。此外，达新半导体已成功开发多种IGBT模块产品，电压等级涵盖600V～3300V、电流等级涵盖10A～1000A，可应用于逆变焊机、变频器、感应加热、大功率电源、UPS、新能源汽车、太阳能/风力发电、SVG等领域。

· 紫光微电子

无锡紫光微电子有限公司（原无锡同方微电子有限公司）成立于2006年，是紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。

据紫光微电子官网介绍，该公司开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力\电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。IGBT方面，其以IGBT实际应用为设计基础，使用NPT（非穿通型）和沟槽型FS（场终止型）IGBT技术为大功率应用客户提供优质可靠的系统解决方案。

· 无锡新洁能

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发设计及销售，主要产品按照是否封装可分为芯片和封装成品，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备 制造、物联网、光伏新能源等领域。

据无锡新洁能官方介绍，目前其主要产品包括12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

· 芯派科技

西安芯派电子科技有限公司成立于2008年，是一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业，产品包含低压至高压全系列MOSFET、IGBT、二极管、桥堆以及电源管理IC等。其总部位于西安，拥有省级重点实验室西安半导体功率器件测试应用中心。

据了解，芯派科技自2016年研发出应用于1200V/900V/650V的IGBT功率器件，产品性能指标达到和国外同类产品的技术性能。目前其600V/1200V FS系列IGBT产品在工业类电源中批量使用，450V的IGBT产品适用于闪光灯应用与点火应用，NPT工艺的1200V/3300V IGBT系列产品适用于汽车行业。

制造

· ​华虹宏力

上海华虹宏力半导体制造有限公司由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成，是全球首家提供场截止型绝缘栅双极型晶体管（FS IGBT）量产技术的8英寸集成电路芯片制造厂。

华虹宏力自2011年起就已成功量产了1200V非穿通型（NPT）IGBT；2013年600V-1200V FS IGBT实现量产，随后与多家合作单位陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺，成功解决了IGBT的关键工艺问题，包括硅片翘曲及背面工艺能力等。据悉目前华虹宏力是国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工企业，同时正在加速研发6500V超高压IGBT技术。

· 上海先进

上海先进半导体制造股份有限公司，前身为1988年由中荷合资成立的上海飞利浦半导体公司，拥有5英寸、6英寸、8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路、功率器件的制造，自2004年开始提供IGBT国内、外代工业务。

上海先进2008年在国内建立IGBT背面工艺线，具备IGBT正面、背面、测试等完整的IGBT工艺能力，IGBT/FRD的电压范围覆盖650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技术能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、沟槽IGBT等。其6英寸晶圆厂专注于平面IGBT和FRD工艺平台，电压覆盖1200V~6500V，8英寸晶圆厂专注于Trench Field Stop IGBT工艺平台，电压覆盖450V~1700V。

· 中芯国际

中芯国际集成电路制造有限公司是中国内地技术最全面、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业，提供0.35微米到28纳米8寸和12寸芯片代工与技术服务。

根据中芯国际官网介绍，其IGBT平台从2015年开始建立，着眼于最新一代场截止型IGBT结构，采用业界最先进及主流的背面加工工艺，包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等，已完成整套深沟槽+薄片+场截止技术工艺的自主研发，并相应推出600V~1200V等器件工艺，技术参数可达到业界领先水平。

· 方正微电子

深圳方正微电子有限公司成立于2003年，由方正集团联合其他投资者共同创办，专注于为客户提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成电路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等领域的晶圆制造技术。

根据官网介绍，方正微电子拥有两条6英寸晶圆生产线，月产能达6万片，产能规模居国内6英寸线前列，0.5微米/6英寸工艺批量生产能力跃居国内行业第二，未来月产能规划将达8万片。IGBT方面目前支持430V、600V Trench PT IGBT以及1200V、1700V Planar NPT IGBT等工艺及时。

· 华润上华

无锡华润上华科技有限公司隶属于华润集团旗下负责半导体业务的华润微电子有限公司。华润上华向客户提供广泛的晶圆制造技术，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等标准工艺及一系列客制化工艺平台。

据官网介绍，华润上华拥有国内最大的6英寸代工线和一条8英寸代工线，6英寸月产能逾11万片，八英寸生产线目前月产能已达3.5万片，未来整体月产能规划为6万片，制程技术将提升至0.11微米。IGBT方面，华润上华于2012年已宣布开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工艺平台。

模组

· 嘉兴斯达

嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体元器件尤其是IGBT模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业，其主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功开发近600种IGBT模块产品，电压等级涵盖100V～3300V，电流等级涵盖10A～3600A。

在技术方面，嘉兴斯达已开发出平面栅NPT型1200V全系列IGBT芯片和沟槽栅场中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片，解决了包括8英寸晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火激活技术以及沟槽栅挖槽成型技术等关键工艺技术。有数据显示，2017年嘉兴斯达在IGBT模块领域的市场占有率排全球第9位。

· 芯能半导体

深圳芯能半导体技术有限公司成立于2013年，由深圳正轩科技、深圳国资委、深圳人才创新基金、达晨创投、方广资本、厦门猎鹰等知名机构联合投资，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片以及大功率智能功率模块的研发、应用和销售。

目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT产品，IGBT单管、IPM、IGBT模块和HVIC四个领域都有完善的产品序列，产品性能国内领先。产品广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、变频家电、电磁炉、工业电源、逆变焊机等领域；针对中大功率产品，芯能也能提供系统化解决方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模块、34mm模块、62mm模块等产品均得到终端客户的一致认可。

· 西安永电

西安中车永电电气有限公司成立于2005年，是中车永济电机有限公司全资控股的专门从事电力电子产品的研发、生产、销售、服务的高技术企业，主要产品包括IGBT?模块、IPM模块、整流管、晶闸管、组合元件等电力半导体器件，以及变流器、功率模块、城轨地面整流装置、地铁单向导通装置、充电机等装置。

2011年12月，陕西省工业和信息化厅在西安经济技术开发区北车永济研发中心主持召开了西安永电“6500V/600A、3300V/1200A、1700V/1200AIGBT模块”新产品新技术鉴定会。与会专家一致认为，其6500V/600A、3300V/1200A和1700V/1200AIGBT模块三种产品技术参数整体达到国际先进水平，其中6500V/600A产品指标达到国内水平，一致同意通过省级新产品鉴定。

· 宏微科技

江苏宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于电力电子元器件行业，业务范围包括设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块(CSPM)，并提供高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案。

2018年，宏微科技与北汽新能源成立宏微－北汽新能源IGBT联合实验室，计划从芯片设计到模块设计与封装再到电机控制器设计与生产，联合打造电机控制器产业链。宏微科技年报显示，2018年其电动汽车用IGBT模块在SVG行业应用中逐步放量，同时客户定制化产品也开始批量销售。

· 威海新佳

威海新佳电子有限公司成立于2004年，注册资本2000万元，是专业从事新型电力电子器件及其应用整机产品设计、研发、生产、销售的国家高新技术企业。

威海新佳是IGBT国家标准和交流固态继电器行业标准起草单位之一，建有“国家高技术产业化示范工程”IGBT生产线、山东省电力电子器件工程技术研究中心，并先后承担过国家发改委新型电力电子器件产业化专项项目、工信部电子发展基金项目等多项国家和省部级项目。

· 银茂微电子

南京银茂微电子制造有限公司成立于2007年11月，是江苏银茂（控股）集团有限公司控股公司。官网介绍称，该公司一期项目以研发、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块、全气密半气密高可靠性混合电路电子器件、大规模变流技术核心组件为主营业务，具备年产通用功率模块65万件和高压大功率模块10万件以上的生产能力，是目前国内最大的电力电子功率模块生产基地之一。

2019年6月14日，受江苏省科技厅、南京市科技局委托，溧水区科技局组织银茂微电子承担的“江苏省大功率IGBT模块工程技术研究中心”项目通过验收。

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今年3月，台基股份发布关于筹划非公开发行股票的提示性公告，如今预案终于出炉。根据预案，这次非公开发行台基股份拟定增募资7亿元加码半导体产业，并引入屹唐同舟及汉江控股两大具有国资背景的重磅战略投资者。

募资7亿元投资功率半导体

根据预案，台基股份本次发行非公开发行不超过4262.4万股，不超过总股本的20%，募集资金总额不超过7亿元，发行对象为包括北京屹唐同舟股权投资中心（有限合伙）（以下简称“屹唐同舟”）、汉江投资控股有限公司（以下简称“汉江控股”）、王鑫及邢雁在内的不超过5名特定对象。

这次募集资金扣除发行费用后将用于新型高功率半导体器件产业升级项目，其中1.71亿元将投入月产4万只IGBT模块（兼容MOSFET等）封测线，兼容月产1.5万只SiC等宽禁带半导体功率器件封测项目；9400万元将投入月产6500只高功率半导体脉冲功率开关生产线建设项目；2.3亿元将投入晶圆线改扩建项目；2.05亿元将投入新型高功率半导体研发中心和营销中心建设项目。

台基股份表示，公司现已建成大功率IGBT模块封测线，产品电流规格在50A至200A之间，电压规格在600V至1700V 之间，封装能力达5万块/月。本次募投项目中，台基股份计划拓展高功率密度、高性能应用的IGBT模块产品，技术规格将升级到2000A/4500V，同时该封测线将兼容MOSFET、SiC等半导体功率器件的生产。

此外，高功率半导体脉冲功率开关方面，台基股份目前掌握的固态脉冲开关技术规格主要为250kA/6500V，本次募投项目将进一步推动脉冲功率开关产品线的产品升级，规格将进一步提升至 500kA/6500V；晶圆线改扩建项目，作为与固态脉冲开关核心芯片完整配套的前道工序，将直接应用于高功率半导体脉冲功率开关的芯片生产，所生产芯片将自产自用。

经测算，此次募投项目达产后年均销售收入（不含税）为7.96亿元。台基股份表示，未来将重点开发新型IGBT模块等智能化功率器件，继续保持在大功率半导体脉冲开关领域的技术和产品优势，还将持续研发以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术。

将引入两大国资背景战投

这次非公开发行股票，台基股份加码半导体意图明显，还将借此引入了两大重磅战略投资者。

预案显示，在本次非公开发行募资总额不超过7亿元中，屹唐同舟、汉江控股、王鑫、邢雁分别认购金额为人民币2.9亿元、1.5亿元、4000万元、1000万元。其中，屹唐同舟和汉江控股为台基股份的战略投资者，王鑫为公司董事、邢雁为公司实际控制人。

在本次非公开发行股票前，屹唐同舟、汉江控股与台基股份不存在关联关系；发行完成后，，按照本次非公开发行股票的数量上限计算，屹唐同舟将持有台基股份5%以上的股份；截至预案出具之日，汉江控股已与台基股份控股股东新仪元签署了附生效条件的一致行动协议，若协议生效，汉江控股将成为新仪元的一致行动人。

资料显示，屹唐同舟成立于2019年1月，目前暂未开展实质性业务，其执行事务合伙人为北京亦庄国际产业投资管理有限公司（以下简称“亦庄产投”）。亦庄产投是北京亦庄国际投资发展有限公司（以下简称“亦庄国投”）是金融服务体系中专业的产业投资基金管理公司，实控人为北京经开区国资办。

说到亦庄国投，相信业界并不陌生。亦庄国投是北京市政府确定的重大科技成果转化和产业化统筹资金的五家受托管理机构之一，参与发起了国家集成电路产业投资基金，并重点支持了中芯国际等相关项目。

而汉江控股背景已不俗，其实控人为襄阳市国资委，是由湖北省襄阳市政府批准并独资设立的综合性国有金融控股集团，是市政府运作资本、支持产业转型发展的公共投融资平台，是管理运作襄阳市汉江产业基金的专业公司。

台基股份分别与屹唐同舟、汉江控股签订《投资合作协议》。作为参与此次定增的条件，台基股份承诺将本次非公开发行涉及的IGBT模块封测线、固态脉冲开关生产线、研发中心和营销中心三个项目在北京亦庄开发区落地实施；将本次非公开发行涉及的晶圆线改扩建项目在湖北省襄阳市落地实施。

台基股份表示，公司将与上述战略投资者在业务和资本层面进一步深化合作，充分调动各方优质产业资源，进而推动在产业布局和业务开拓等方面实现更快、更好的发展。本次战略投资者的入股，将进一步优化公司现有的股权结构。

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7月27日，闻泰科技发布重大资产重组进展公告，公司于2019年7月25日收到菲律宾竞争委员会的决定（NO.23M-020/2019），菲律宾竞争委员会决定对于本次交易的经营者集中不实施进一步审查。

根据此前披露的重组方案，闻泰科技拟以发行股份及支付现金相结合的方式，总计268.54亿元购买安世集团部分GP和LP的份额，最终间接持有安世集团控股权。本次收购后，闻泰科技将从ODM公司延伸到上游半导体器件领域。

闻泰科技于4月25日收到证监会《关于闻泰科技股份有限公司发行股份购买资产材料核准受理》的通知。

2019年6月5日，中国证券监督管理委员会上市公司并购重组审核委员会对闻泰科技股份有限公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项进行了审 核。根据会议审核结果，本次重大资产重组事项获得有条件通过。

2019年6月25日闻泰科技股份有限公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项获得中国证券监督管理委员会核准批复。

据厦门广电报道，近日福建省委常委、厦门市委书记胡昌升在前往杭州招商的相关座谈走访活动过程中，有不少总部设立在杭州的优质企业达成在厦投资合作、增资扩产的意向。

其中国内集成电路芯片设计与制造一体的龙头企业士兰微电子，决定加速推进在厦门的化合物半导体芯片及12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线建设，并分别计划在今年第四季度和明年试投产。

2017年12月18日，厦门市海沧区政府与士兰微在海沧共同签署战略合作框架协议，拟投资220亿元，在海沧建设两条12英寸特色工艺晶圆生产线及一条先进化合物半导体器件生产线。

2018年10月18日，士兰微厦门12英寸特色工艺芯片生产线暨先进化合物半导体生产线在海沧动工。

根据规划，士兰微电子厦门项目规划建设两条12英寸90—65nm的特色工艺芯片生产线和一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线。

其中两条12英寸特色工艺芯片生产线总投资170亿元。第一条芯片制造生产线总投资70亿元，规划产能8万片/月，分两期实施，其中一期总投资50亿元，实现月产能4万片；项目二期总投资20亿元，新增月产能4万片。

第二条芯片制造生产线预计总投资100亿元，定位为功率半导体芯片及MEMS传感器。项目一期预计2020年完成厂房建设及设备安装调试，2021年实现通线生产，2022年达产。项目二期2022年前后启动，2024年达产。

另一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片。分两期实施，项目一期预计在2019年第一季度完成厂房建设及设备安装调试，2019年实现通线生产，2021年达产；项目二期计划2021年启动，2024年达产。

杭州士兰微电子股份有限公司董事会秘书陈越表示，海沧集成电路产业有非常高的起点，目前已经引进了通富微电子先进封装等半导体产业链项目。士兰微加入海沧以后，会带去芯片设计和制造，届时海沧将基本涵盖集IC设计、制造、封测于一体的半导体产业链。

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据世界半导体贸易统计协会统计，2018年全球半导体销售额4,687.78亿美元，从产品结构来看，存储器占比达到33.7%、微处理器占比14.34%、逻辑器件占比23.32%、模拟器件12.54%、光学器件8.11%、传感器和制动器占比2.85%、分立器件占比5.14%。

从集邦咨询《中国半导体产业深度分析报告》对中国半导体产品结构的分析来看，绝大部分产品中国芯片厂商均有布局，但仅有少数产品在全球具有竞争力，大部分产品在全球有些许能见度、个别产品在全球占有率几乎接近空白。中国芯片产品的整体产值结构同全球差异较大，特别是在存储器和微处理器领域最为薄弱。

集邦咨询依据现有的企业数据库资源盘点来看，2018年全国设计业销售额达2515亿人民币，其中存储器部分，中国厂商仅在利基形存储如NOR Flash、SPI NAND、小容量DRAM等产品上有产值贡献，整体存储器产值占比远不足5%，微处理器领域仅中低阶MCU有一些产值贡献、DSP和MPU等产品贡献微弱，整体产值占比亦不足5%。

但在逻辑器件领域，由于中国海思、紫光展锐在手机SOC市场拥有较好的竞争力及多媒体AP厂商如瑞芯微、全志、晶晨等在其他智能设备市场表现较好，使得逻辑器件成为中国半导体产值贡献最大的品类。

图表一：2014-2019(F)年中国半导体设计企业营收及增速（Source:集邦咨询顾问，2019）

图表二：2018年全球半导体产值构成（Source:集邦咨询顾问整理，2019）

分析中国的逻辑器件参与厂商来看，具规模效应的厂商主要集中在手机SOC、多媒体AP两大领域，在桌面CPU、GPU、FPGA等领域虽都有厂商参与，但整体竞争力和影响力较弱，AI芯片则属于新技术竞赛期，各应用场景均有厂商参与布局，在去年矿机需求的带动下，比特大陆率先脱颖而出获得规模级的产出效应，在2018年度中国设计厂商Top30排名中位列第五。

图表三： 中国本土主要处理器厂商及应用市场（Source: WSTS, 集邦咨询顾问，2019，备注：红色字体为中国本土厂商）

总结来看，在手机SOC领域，海思和紫光展锐等厂商经过多年深耕，目前在全球具有不错的竞争力；多媒体AP厂商主要集中在不需通讯功能、对处理性能亦有一定要求的市场，在液晶电视、平板、安防监控、智能音箱等众多领域本土设计厂商均有参与度，但各领域的整体竞争力情况则有所差异。

目前终端产品智能化的趋势愈演愈烈，且越来越多新的智能产品种类出现，处理器厂商通过扎实的技术积累、充分的资源整合，亦有机会选准适合自己的赛道获得更大的成长空间。

集邦咨询最新《中国半导体产业深度分析报告》中的国内集成电路设计企业章节，亦针对中国设计业产值构成、Top 30企业产品布局、处理器SOC等领域主要IC企业进行了深入分析，如有需求可联系集邦咨询了解报告详情。

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自2018年开始，功率MOSFET（Power MOSFET）的平均售价(ASP)持续上升，其中以工作电压范围超过400伏特高电压功率MOSFET产品成长幅度最显著，已位居价格带中的首位；至于其他中低电压的功率MOSFET产品成长幅度较小，但仍缓步上升。

为因应平均售价成长趋势的差异化表现，12寸晶圆功率半导体厂的建置及高电压功率MOSFET产品布局，或将成为未来厂商发展重点。

中低电压功率MOSFET价格微幅成长，将由12寸晶圆制程提高毛利

过去功率MOSFET以8寸晶圆制造为主，在制程成熟度与稳定性上达到平衡，并已完成成本优化。但在消费性电子产品需求激增下，8寸晶圆需要制造的产品也增加，包括PMIC、指纹识别IC、TDDI及IoT相关芯片等，让8寸晶圆产能呈现吃紧状态，引发8寸晶圆厂产能不足的问题，因此对功率MOSFET的IDM大厂来说，转进12寸晶圆厂是绝佳选择。

目前具12寸晶圆厂制造功率MOSFET量产能力的厂商为Infineon，已有1座12寸功率半导体厂房生产，且计划兴建第二座，预计2021年开始量产；从Infineon官方资料来看，12寸厂在功率与传感器半导体的前段制程上具有6%成本效益，能为毛利带来约2%增幅，因此未来将持续扩大12寸晶圆制造比例。

另外，AOS(Alpha & Omega semiconductor)为市场上第二家将以12寸晶圆厂制造功率MOSFET的厂商，预计于2019下半年量产供货，AOS认为，12寸晶圆制造最直接优势在产能，且在降低制造成本及提升良率方面也较8寸厂优秀；ON Semiconductor也购入12寸晶圆厂，准备生产功率半导体相关元件。

分析中低压功率MOSFET(工作电压范围<400V)的平均售价趋势可发现，其价格相对平稳，近期价格虽有上涨但幅度较小，因此降低生产成本为提升毛利的必要条件，也令12寸晶圆制造功率MOSFET备受重视，未来中低电压功率MOSFET在无法透过价格上涨创造更高利润下，凭借12寸厂成本优势仍有机会贡献毛利率，并同时解决产能不足问题。

高电压功率MOSFET价格表现亮眼，为IDM大厂产品主要发展重点

功率半导体在终端产品应用愈发广泛，尤其近年在车用、5G与高端运算等领域话题性高，皆有部分需求属于高规格功率MOSFET的应用领域，吸引主要IDM大厂积极投入开发高电压功率MOSFET(工作电压范围>400V)产品，推升平均售价大幅度成长，位居价格带首位。

为因应高电压功率MOSFET市场与技术需求，其中一项发展重点是宽能隙化合物半导体应用，其使用的基底材料朝向以GaN及SiC等化合物半导体材料为主，能达成在高功率与高切换频率需求。在主要供应链厂商中，Infineon、On Semiconductor、STM、ROHM、AOS、Cree等积极开发使用SiC的功率MOSFET元件，除欧美日大厂外，陆系厂商比亚迪、台系厂商强茂也积极开发SiC 功率MOSFET产品。

而在GaN部份，主要玩家有Infineon、AOS、Transphorm等，在高规格需求的功率MOSFET市场中抢占份额。值得一提的是，由于SiC与GaN晶圆的制造成本较Si晶圆高，也是拉抬高电压功率MOSFET价格的主要推手之一。

总体而言，欧美日IDM大厂看好高规格功率MOSFET的未来发展，将持续增加既有的Silicon基底功率MOSFET与SiC/GaN基底功率MOSFET的产品数量及应用领域，可望支撑高电压功率MOSFET价格保持成长水平，进一步带动高电压功率MOSFET的市场需求与产值成长。

6月26日，上海证券交易所网站信息显示，华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）首次公开发行股票并在科创板上市申请获受理。

招股书显示，华润微电子本次拟公开发行不超过2.93亿股，公开发行股份数量不低于本次发行后已发行股份总数的25%，拟募集资金30亿元，用于传感器和功率半导体等项目。

实控人隶属国务院国资委

招股书显示，华润微电子是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域，为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。

华润微电子的唯一股东是华润（集团）有限公司（以下简称“华润集团”）旗下的全资子公司华润集团（微电子）有限公司（以下简称“华润集团（微电子）”），中国华润有限公司（以下简称“中国华润”）间接持有华润集团的100%股权，是华润微电子的实际控制人，国务院国资委持有中国华润100%的股权。

作为华润集团的半导体投资运营平台，华润微电子曾先后整合了华科电子、中国华晶、上华科技等中国半导体先驱，其及下属相关经营主体曾建成并运营中国第一条4英寸晶圆生产线、第一条6英寸晶圆生产线。

华润微电子的发展历程可追溯至1999年。据招股书介绍，1999年陈正宇博士与中国华晶合作设立无锡华晶上华半导体有限公司（后改名为无锡华润上华半导体有限公司）以运营一家6英寸MOS晶圆代工厂。2002年，华润集团间接收购中国华晶全部股权，与陈正宇博士等人共同经营前述晶圆代工厂。 

2003年，华润集团和陈正宇博士为实现无锡华润上华半导体等半导体资产在香港上市，经过一系列重组将无锡华润上华半导体等境内公司权益置入CSMC（即发行人的前身），并以CSMC作为上市主体向香港联交所申请上市。

于香港上市期间，华润集团取得华润微电子控制权并将自身下属的半导体资产和业务整合并入，后华润微电子于2011年11月从香港联交所私有化退市。 

中国领先的功率器件企业

历经整合发展，华润微电子在国内半导体领域尤其是功率半导体领域已取得了一定成绩。

招股书显示，华润微电子主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块。其中产品与方案业务包括功率半导体、智能传感器、智能控制以及其他IC产品，制造与服务业务则包括晶圆制造、封装测试、掩模制造及其他。

经营业绩方面，2016-2018年，华润微电子的资产总额分别为74.11亿元、96.21亿元、99.02亿元，分别实现营业收入43.97亿元、58.76亿元、62.71亿元，分别实现归母净利润分别为-3.03亿元、7028.29万元、4.29亿元。

报告期内，华润微电子的产品与方案业务板块收入占比持续提高，从2016年度的30.52%增长到2018年度的42.90%；在其细分业务领域中，功率半导体、晶圆制造两大产品线是其主要收入来源，两者收入占比合计超70%。

数据显示，2016-2018年，华润微电子功率半导体的收入分别为10.81亿元、20.69亿元、24.19亿元，收入占比分别为24.78%、35.31%、38.67%；晶圆制造的收入分别为21.88亿元、25.63亿元、26.74亿元，收入占比分别为50.14%、43.75%、42.75%。

招股书称，在功率器件领域，华润微电子多项产品的性能及工艺居于国内领先地位。其中，MOSFET是其最主要的产品之一，其是国内营业收入最大、产品系列最全的MOSFET厂商。

华润微电子表示，公司在主要的业务领域均掌握了一系列具有自主知识产权、技术水平国内领先的核心技术，如MOSFET、IGBT、SBD、FRD等产品的设计及制备技术、BCD工艺技术及MEMS工艺技术、功率封装技术等，广泛应用于公司产品的批量生产中。

截至2019年3月31日，华润微电子境内专利申请共计2383项，境外专利申请共计277项；其已获得授权的专利共计1274项，包括境内专利共计1130项，境外专利共计144项。

募集30亿元投建传感器和功率半导体等项目

招股书显示，这次申请科创板上市，华润微电子拟募集资金30亿元，扣除发行费用后将投资于8英寸高端传感器和功率半导体建设项目、前瞻性技术和产品升级研发项目、产业并购及整合项目、补充营运资金。

其中，8英寸高端传感器和功率半导体建设项目主要围绕华润微电子聚焦功率半导体以及智能传感器的战略布局，通过完成基础厂房和动力设施建设推进工艺技术研发，提升8英寸BCD工艺平台的技术水平并扩充生产能力；同时建立8英寸MEMS工艺平台，完善外延配套能力，保持技术的领先性。

该项目总投资额为23.11亿元，拟投入募集资金金额15亿元，项目将在无锡现有的8英寸晶圆厂区和厂房内进行扩充实施。首期项目投产后，华润微电子计划每月增加BCD和MEMS工艺产能约16000片。

前瞻性技术和产品升级研发项目则主要拟利用现有研发体系开展前瞻性技术和产品研发工作，通过配置先进设备、 引入高端人才、充分利用产业链一体化的生产能力及技术资源，拓展华润微电子在相关领域的自主创新能力和研发水平。

该项目的具体研发方向包括第三代半导体功率器件设计及工艺技术研究、功率分立器件及其模组的核心技术研发、高端功率IC研发、MEMS传感器产品研发四个方向，拟投入募集资金6亿元，计划用于各研发方向的资金比例均为25%。

产业并购及整合项目则拟通过投资并购方式整合行业优质标的，以谋求产业资源的有效协同。华润微电子考虑在产业链各个环节投资并购国内外优质企业。该项目拟投入募集资金3亿元，本项目从寻找相关标的至完成收购计划周期为3年。

华润微电子表示，未来公司将围绕自身的核心优势、提升核心技术及结合内外部资源，不断推动企业发展，进一步向综合一体化的产品公司转型，矢志成为世界领先的功率半导体和智能传感器产品与方案供应商。

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6月26日晚，上交所披露华润微电子有限公司（简称“华润微电子”）的科创板上市申请获受理。公司此次拟募资30亿元，投入传感器和半导体等项目。其保荐机构为中金公司，选择了第二套上市标准。

据申报稿，华润微电子为尚未在境外上市的红筹企业，是华润集团半导体投资运营平台，先后整合了华科电子、中国华晶、上华科技等中国半导体先驱。华润微电子及下属相关经营主体曾建成并运营中国第一条4英寸晶圆生产线、第一条6英寸晶圆生产线，承担了多项国家重点专项工程。目前华润微电子已成为中国本土具有重要影响力的综合性半导体企业，自2004年起连续被工信部评为中国电子信息百强企业。

根据中国半导体协会统计的数据，以销售额计，华润微电子在2017年中国半导体企业中排名第九，是前十名企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。以2017年度销售额计，华润微电子是中国规模最大的功率器件企业。以销售额计，华润微电子在中国MOSFET市场中排名第三，仅次于英飞凌与安森美两家国际企业。

目前华润微电子主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块，在主要的业务领域均掌握了一系列具有自主知识产权、技术水平领先的核心技术，如MOSFET、IGBT、SBD、FRD等产品的设计及制备技术、BCD工艺技术及MEMS工艺技术、功率封装技术等，广泛应用于产品的批量生产中。截至2019年3月31日，华润微电子境内专利申请共计2383项，境外专利申请共计277项；公司已获得授权的专利共计1274项，包括境内专利共计1130项，境外专利共计144项。

华润微电子目前唯一股东为CRH（Micro），持有华润微电子100%股份，其实际控制人为中国华润，国务院国资委持有中国华润100%的股权。此前，华润微电子前身CSMC曾于2003年申请在香港联交所上市，并于2011年11月从香港联交所私有化退市。

财务数据显示，华润微电子2016年至2018年分别实现营业收入43.97亿元、58.76亿元、62.71亿元，归属于母公司所有者的净利润分别为-3.02亿元、7028万元、4.29亿元。

6月21日， Silvaco成都技术中心项目签约仪式在成都天府软件园举行，本次签约由成都高新区、矽能科技以及美国Silvaco公司三方共同达成。成都高新区相关负责人表示，此次合作有助于补齐成都高新区半导体产业发展短板、助力成都EDA（电子设计自动化）产业发展，进一步提升成都半导体产业竞争力。

Silvaco是一家专为工艺和器件开发、模拟及数模混合信号、功率集成电路和存储器设计等提供软件工具的EDA供应商。公司总部位于美国加利福尼亚州圣塔克莱拉，在全球设有12个分支机构，其软件包是全球半导体厂家采用的主流产品。

记者了解到，EDA即电子设计自动化软件。EDA是集成电路产业的上游环节，是进行集成电路设计的必备工具。利用EDA工具，工程师可以将芯片电路设计、性能分析以及IC版图的全过程交由计算机处理完成。由于EDA涉及电路、软件、材料等多学科领域，开发难度大，加之EDA软件的授权使用费用高昂，动辄数十万、百万甚至几千万的费用，EDA工具研发一直是中国集成电路产业的短板。

按照签约合作协议，Silvaco公司将在成都矽能科技孵化器设立技术研发中心，中心将通过调用公司本部研发专家、吸收国内外研发人才的形式，组建专门研发团队进行EDA软件研发；同时组建技术服务团队，与半导体设计、测试、制造生产等相关企业、机构建立密切合作关系，快速响应，做好软件支持服务；针对成都高新区相关企业和机构在EDA设计方面的薄弱点，Silvaco将积极给予支持和服务。

促进此次合作的成都矽能科技有限公司是一家位于成都高新区的中外合资企业，于2019年1月初成立,公司专注于功率半导体的研发和功率半导体初创企业的孵化服务。

成都高新区相关负责人表示，此次合作是成都高新区探索民营孵化器培育扶持企业的新尝试，有利于发挥资金服务优势，不断拓宽融资渠道，建立立体式、多层次、全生命周期投融资形成机制，培育一批有强大研发实力、有市场竞争力的半导体企业。