7月1日，西安高新区重点项目集中开工、竣工仪式举行，据西安高新区消息，此次集中竣工投用仪式的项目共有25个，总投资560亿元，包括三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目，西安高新区发文指出，这些项目的顺利投产，将为高新区半导体产业发展注入更强大的动能，进一步巩固高新区全球半导体产业基地的地位。
资料显示，三星存储芯片项目2012年落户西安高新区，一期项目于2014年5月竣工投产，总投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，分两个阶段进行，其中第一阶段项目总投资70亿美元；第二阶段投资80亿美元，已于去年年底启动建设，预计2021年上半年实现量产。
2020年3月10日，三星（中国）半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线上市。
据此前的消息指出，三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。
3月10日，陕西省发改委正式发布2020年省级重点项目计划，确定实施600个省级重点项目，其中续建项目312个、新开工项目188个、前期项目100个，项目总投资3.4万亿元。
根据陕西省2020年省级重点项目计划名单，三星12英寸闪存芯片一阶段（二期）、西安奕斯伟硅产业基地（一期）、华天集成电路封装及测试技术改造等入列续建项目，三星（西安）12英寸闪存芯片（二期）二阶段入列新开工项目，咸阳8-12吋晶圆生产线入列前期项目。
媒体报道称，2012年三星落户西安，一期项目已于2014年建成投产，二期项目分为两个阶段，其中第一阶段于2018年新建，预计将在今年3月竣工投产，3月10日消息显示第一阶段项目产品下线上市；第二阶段于2019年12月正式启动，预计将于2021年下半年竣工。
新冠肺炎疫情扩散带动各大资料中心扩大建置规模，推升服务器存储器需求转强，加上5G手机推陈出新，以及三星、SK海力士和美光等主要供应商库存下滑等因素催动，第2季DRAM、NAND Flash、NOR Flash等三大存储器行情看涨，助攻南亚科、华邦电、旺宏、威刚、群联等厂商营运。
目前主要大厂正密集与系统/模组厂进行第2季合约价议价。渠道商透露，包括三星等主要供应商已通知调涨下季DRAM、储存型快闪存储器（NAND Flash）合约价，涨幅都达双位数。
编码型快闪存储器（NOR Flash）方面，因中国大陆主要大厂复工、出货不顺，中国台湾指标厂旺宏已决定第2季调涨NOR Flash合约价，涨幅逾一成。
尽管市调机构及法人担心新冠肺炎疫情冲击全球经济，导致终端消费需求减弱，不过存储器市场受惠于疫情带动宅经济大好，网购、电商、线上游戏、电竞游戏逆势成长，首季三大存储器需求仍强，其中，因资料中心扩大服务器建置，推升服务器用的DRAM和NAND Flash需求更为强劲。
存储器模组厂宇瞻总经理张家鲲透露，很多系统厂受到返工率缓慢，以及供应断链影响，工厂停工甚至整机出不了货，但来自资料中心、电竞和电商等宅经济的拉货力道强劲，两项因素相抵，主要存储器芯片供应商仍不愿降价，宇瞻等主要买家想补货，也不易拿到低价。
另外，本季因服务器市场拉货，包括三星、SK海力士和美光等三大DRAM厂库存水位降到四至六周，加上5G新手机搭载DRAM位元数量大增，预估下半年DRAM市场供给将短缺，推升价格上涨；NAND Flash下半年供应会更紧张。
存储器业者表示，首季DRAM、NAND Flash现货价因备货需求增加，涨幅远大于合约价，预期第2季在中国大陆系统厂复工率逐步提升下，合约价也将跟上涨幅，与现货市场价差将缩小。
系统厂也证实，旺宏下季将调涨NOR Flash和SLC NAND Flash合约价，涨幅逾一成。主因大陆相关芯片生产重镇武汉封城，以及多个省市进行封闭式管理，导致产品出货延误，在考量风险下，备货采购订单已大幅提高台厂备货比重。
先进的封装技术简化了高复杂度多芯SoC生产，提高了其性能，因此，半导体行业正将芯片组SoC视为大型芯片的替代方法，从而避免开发时间较长，制造成本昂贵等缺点。但设计2.5D多芯片有其自身的特点，这就是为什么三星晶圆厂及其竞争对手为其客户提供了一个特殊的2.5D-IC多芯集成（MDI）设计流程，该流程结合了对早期系统级寻路的分析和实现，以帮助克服潜在问题。本月，Synopsys的芯片开发软件支持了三星2.5D-IC MDI流程，以简化工程师开发过程。
三星晶圆厂目前使用7LPP（7nm带有多个EUV层）制造工艺和SUB20LPIN硅中介层生产芯片，并且为这些芯片提供2.5D-IC MDI流程。该公司表示，其2.5D-IC MDI流程可帮助客户在设计的早期阶段解决多芯片与封装之间的耦合噪声等问题，从而减少解决问题所花费的时间，最终意味着降低开发成本，克服性能问题，并加快产品上市时间。现在，用于开发SoC的Synopsys Fusion Design Platform和Custom Design Platform软件包都支持三星2.5D-IC MDI流程。?
这些程序特点是硅中介层的自动创建和布线；微泵、TSV和C4缓冲器之间的布线；电源网络设计；多芯片和中介层的EM/IR分析；HBM和高速接口的信号完整性分析等等。 Synopsys的设计解决方案使多芯片集成设计环境更容易，更高效，并帮助三星晶圆厂客户提供更快，性能更高的2.5D-IC产品。
全球最大的晶圆代工厂台积电在7纳米产能热销之后，现在又专心在5纳米及3纳米开发，并且还将眼光放在更先进的2纳米研发，这些进展看在韩国媒体眼里也不得不承认，相较于三星正苦于不确定性增加，两家公司的差距未来将会越来越大。
根据韩国媒体《Business Korea》报导，台积电计划在2019年或2020年第1季时启动5纳米制程，并且在2021或2022年启动3纳米制程。一旦顺利量产，藉由3纳米制程生产的芯片，性能有望较5纳米制程产品提升35%，效率提高50%，与最先进的7纳米制程芯片相较，7纳米制程产品将被远远抛在后面。
台积电曾表示，相信摩尔定律依然有效。依据摩尔定律，半导体的电晶体数目每隔18个月会增加1倍，性能也提升1倍，尽管有人仍会提及物理限制，台积电仍强调，摩尔定律的基础将会延伸到1纳米制程之后。
台积电补充，有能力达到1纳米制程，目前预计将在2纳米制程技术投资65亿美元，并在2024年开始制造基于该技术的产品。
报导进一步指出，对台积电循序渐进、且越来越精密的制程发展计划，对三星来说是沉重的负担。三星原本目标是在2030年前在全球晶圆代工市场占最大市占率，但许多因素让这目标不再乐观，包括之前日本对光阻等半导体生产原料出口限制，导致三星的不确定性不断增加等。
一位韩国业内人士指出，目前三星已完成3纳米技术研发，现正招聘许多具极紫外线（EUV）制程的相关设备技术人员，加速采用EUV技术的制程研发。该人士也表示，在外部不确定因素增加情况下，投资和相关规划仍必须在不确定性问题解决后，才可能有进展。
不让Sony专美于前，近年三星在图像传感器市场动作同样频频，继先前推出全球首个超过1亿像素的图像传感器ISOCELL Bright HMX，24日再发表全球单位像素最小的图像传感器ISOCELL Slim GH1，单位像素缩小到0.7μm(微米)，主攻强调轻薄的无边框手机市场。
24日三星发表0.7μm图像传感器ISOCELL Slim GH1，解析度达4370万像素（43.7Mp），这是三星继2015年推出首个1μm图像传感器、在64MP和108MP像素发展到使用0.8μm后的再一新突破，也刷新了业界最小单位像素尺寸图像传感器纪录。
三星指出，透过自家的最新像素隔离技术ISOCELL Plus，可最大程度减少色彩串扰（cross-talk）与光学损失（optical loss），让0.7μm像素传感器也能吸收足够的光源，保持成像色彩鲜明和鲜艳，而在低光源环境下支援Tetracell技术，会将像素进行合成，可表现相当于1.4μm图像传感器甚至更高的光敏感度，GH1也支持4K影像录影。
GH1为三星图像传感器品牌ISOCELL中的ISOCELL Slim产品线，主要主打轻薄、面向智能手机市场，GH1的推出，主要锁定目前无边框、全面屏的手机市场。ISOCELL Slim GH1预计将于今年底进行量产。
目前图像传感器市场仍由Sony独大，三星在2017年为自家图像传感器ISOCELL分设了四个产品线，除了Slim还包含Bright、Fast、Dual，分别主打色彩还原、快速自动对焦、双镜头系统不同功能与应用市场，并增加了新的Auto产品线抢攻车用图像传感器，企图用明确的应用市场抢食Sony的这块市场大饼。
尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm工艺明年就完成开发了。
三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产。
在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管，官方称之为3GAE工艺。
根据官方所说，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
在这次的日本SFF会议上，三星还公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
在工艺进度上，三星今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片，今年内完成4nm工艺开发，2020年完成3nm工艺开发。
各大晶圆代工厂商密集召开2019年第二季法人说明会，相较于第一季的惨淡，各厂商第二季营收已有稍稍回神迹象，尤其是台积电、Samsung两大厂商，预计2019下半年除可依赖先进制程需求外，其他成熟节点市场也会成为两大厂商在不景气的2019年中另一重要成长动能。
第一梯队厂商侵入二、三梯队市场
由于2019年全球政治局势极度不稳定，半导体产业自2018年底便已亮出红灯警讯，业界传出台积电、Samsung皆于2019上半年积极在部分较成熟产品线中，争取客户订单的市场讯息。
事实上，若细看在晶圆代工领域拥有绝对市占的台积电，其过往毛利表现从2016年第二季51.5%，逐步下滑至2019年第二季40%出头。
然其7nm营收占比却也与过往最先进制程节点营收，同样保持在20～30%间的比重，推估拉低台积电毛利表现的主要原因并不是先进制程推广不佳所致，而是在2019年不景气的市况氛围下，台积电为保持其营收持续正成长，朝向较成熟却低毛利的市场入侵，进而挤压其他二、三线晶圆代工厂商空间。
台系厂商市场占比将再次攀升
2019年晶圆代工产业中，大者恒大的趋势更加明显，台积电、Samsung两大厂商有望带动台湾地区、韩国两区域占比再次成长。其中，台湾地区因受到Samsung在2017年5月拆分晶圆代工事业部之影响，导致其区域占比自2016年67%快速下滑至2018年60%，此一现象将在2019年重新反转，在台积电引领下，2019年台湾地区占比将成长至62%。
日韩贸易战加剧，日本管制关键高纯度氟化氢等应用在极紫外光（EUV）原料输韩，直接打乱三星冲刺7纳米以下先进制程布局，预料受原料管制趋严下，三星要藉冲刺先制程抢食台积电晶圆代工大饼的难度大增，并加速台积电拉大和三星差距。
日本限制光阻剂、高纯度氟化氢及聚醯亚胺等关键半导体原料输韩，虽然南韩半导体厂仍可透过专案审查程序申请，但进口时程将由过去简化程序拉长至90天（专案审查期），包括三星和SK海力士除均对外收购既有三项原料存货外，也透过专案申请、加速他厂认证双管齐下，希望将冲击降至最低。
半导体业者表示，由于目前三星和SK海力士存储器库存仍高，日本管制光阻剂等三项半导体原料输韩，韩厂可将生产快闪存储器（Flash）的原料转去支援利润较高的DRAM，并趁机抬高价格、消化库存，对三星和全球DRAM供给，短期还不会构成太大影响。
不过，日本厂商生产用于先进制程的高纯度氟化氢，目前替代厂商占比极低，将直接冲击三星在半导体先进制程布局。
据了解，三星稍早也曾透过中国台湾厂商转手卖给三星，不过台厂担心台韩出口高纯度氟化氢，将遭日本原厂发现异常，拒绝这项交易，让三星吃到闭门羹。
高纯度氟化氢是在采用极紫外光（EUV）进行光罩制程时，要让积体电路精准对位的蚀刻材料，而三星也靠着7纳米制程导入EUV微影设备并成功抢下高通和辉达等前往下单的重要利器。
如今日本管制这项原料输韩，虽然三星正自行生产这项关键化学品，但这又等于让制程良率增添变数，而且三星也是领先全球把EUV设备导入生产更先进的DRAM产品的大厂。
半导体业者分析，三星发展7纳米以下制程受阻，未来要追赶台积电，得花费更大的财力和物力 ，日韩贸易战其实反而助攻台积电拉大和三星差距。
在先进制程的发展上，台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然，台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米制程。不过，三星也不甘示弱，预计透过新技术的研发，在 2021 年推出 3 纳米制程的产品。根据三星表示，其将推出的 3 纳米制程产品将比当前的 7 纳米制程产品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，而且芯片的面积也再减少 45%。
根据外媒报导，三星 14 日于美国加州所举办的晶圆制造论坛 (Samsung Foundry Forum) 上宣布，目前三星正在开发一项名为 ｢环绕栅极 (gate all around，GAA) ｣ 的技术，这个被称为当前 FinFET 技术进化版的生产技术，能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造，使其更小更快。三星指出，预计 2021 年透过这项技术所推出的 3 纳米制程技术，将能使得三星在先进制程方面与台积电及英特尔进行抗衡，甚至超越。而且，能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题，以延续摩尔定律的持续发展。
而根据国际商业战略咨询公司 (International Business Strategies) 执行长 Handel Jones 表示，目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而在 GAA 的技术发展上，三星大约领先台积电 1 年的时间，而英特尔封面则是落后三星 2 到 3 年。三星也强调，GAA 技术的发展能够期待未来有更好的图形技术，人工智能及其他运算的进步，以确保未来包括智能型手机、手表、汽车、以及智慧家庭产品都能够有更好的效能。
事实上，之前三星就宣布将在未来 10 年内投资1,160 亿美元来发展非存储器项目的半导体产业，以成为未来全球的半导体产业霸主。其中，透过 GAA 技术发展的 3 纳米制程技术就是其中重要的关键。三星希望藉此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台积电客户的青睐，以获取更多晶圆生产上的商机。
