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据韩国媒体报道，三星电子准备在韩国平泽新建一个大型半导体生产基地，并计划在9月份启动工厂建设。

报道指出，三星P3工厂的生产制造规模将比P2工厂增加50%，预计将采取“综合半导体工厂”的形式，同时生产DRAM，NAND闪存和系统半导体，并有望采用最新工艺。P3工厂预计将在2021年第三季度竣工，投入量产时间将从2021年底开始。

三星电子是全球最大的存储器厂商，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)此前发布的NAND Flash和DRAM厂商营收排名显示，2020年第一季度，三星电子在NAND Flash和DRAM市场的营收分别为45.01亿美元和65.37亿美元，均排名第一。

目前，三星电子在韩国平泽设有名为“P1”和“P2”的半导体工厂，其中P2是新工厂，已于去年竣工。

6月初，三星电子曾宣布，将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始，将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。据三星官方当时消息指出，新工厂位于韩国平泽2号线内，计划于2021年2月量产，将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。

根据韩国媒体《sammobile》的报导，虽然目前因为全球存储器市场在新冠肺炎疫情的冲击下，可能面临到下半年库存过剩的压力，但是韩国存储器大厂三星仍无惧于市场上的状况，已经于日前成立了一个特别工作小组，而该工作小组最重要的工作是进一步提高三星的生产技术，以提高其NAND Flash快闪存储器的产能。

事实上，在当前新冠肺炎疫情的冲击之下，存储器厂商对于扩产的状况变得保守，相对于投资大量成本来新建产线，藉由技术的发展来提高NAND Flash的产能已经成为当前的主流。

日前，三星在实现量产128层堆叠的的第6代NAND Flash快闪存储器之后，又在两个月前宣布将完成160层堆叠第7代NAND Flash快闪存储器的开发，这使得目前看来。三星已经将对手远远抛在身后。

报导指出，由于NAND Flash快闪存储器目前堆叠的层数越高，储存容量就越大。目前，存储器芯片使用的层数最高为128层，但三星有望在不久后完成160层或更高堆叠的存储器开发和生产。这使得其在不增加新产线的情况下，三星也能进一步提升NAND Flash快闪存储器的容量供应，满足市场的需求。

鉴于此，为了提高在128层堆叠V-NAND Flash快闪存储器生产上的竞争力，三星成立了一个特别工作组，成员包括三星设备解决方案（SDS）制造技术中心，以及负责NAND Flash快闪存储器生产的部门的高端主管。新团队将解决芯片生产过程中出现的任何问题，并负责监督提高整个流程的生产率。

报导进一步说到，三星在赢得了128层NAND Flash快闪存储器的市场竞争后并没有得到满足，该公司希望进一步提高与竞争对手的差距，进一步将技术转移到160层堆得的技术上，已持续保持在市场上的竞争优势。

据根据韩国媒体《ddaily》的报导，韩国三星目前仍在努力争取苹果iPhone新机的处理器代工订单。不过，对于三星要争取苹果的订单，外界并不看好，表示三星旗下的代工部门想要维护一个大型客户并不容易。而且，随着晶圆代工龙头台积电前往美国设厂，其与苹果的关系预计将进一步加深，三星要抢下苹果的订单也更加困难。

报导指出，根据半导体产业的消息人士透露，在台积电吃下2020年秋季即将发表的苹果新iPhone的处理器订单之后，预计接下来苹果仍会继续委托台积电生产iPhone所使用的A系列处理器。也就是说，与其将代工单分开由两家晶圆代工厂来生产，还不如继续保持单一供应商体系。而且，日前也有国外媒体指出，现阶段的台积电将更加集中于服务于苹果、高通、AMD等企业。

事实上，过去iPhone的A系列处理器订单经常由台积电和三星同用承接，直到2015年，台积电推出了扇型晶圆级封装（Fan-out WLP，FoWLP）技术，并藉此与苹果签署了独家代工合约之后，三星就此失势，再也无法取得苹果A系列处理器的代工订单。

只是，截至目前为止，三星并未放弃争取苹果A系列移动处理器的代工订单。报导指出，三星电子为获得苹果的A系列移动处理器代工订单，已经与三星电机成立了特别工作小组，并着手开发新的Fanout封装技术（FO-PLP）。之前，三星电机已成功将FO-PLP技术商业化，并于2018年将其应用于Galaxy Watch AP上。这也使的三星开始期望将此过去用于面板的封装技术，进一步运用在半导体的封装制程中。

只是，对于这样的发展，韩媒本身也不看好，指出三星与台积电在制程技术方面本来就有所落差，加上在封装技术上，台积电仍然占据优势，这个结果似乎也让三星在竞争上始终处于弱势。

对此，产业人士表示，三星不是纯粹的代工厂，因此本身就存在有局限性，只是在当期的先进制程上，市场上除了台积电之外，其他替代方案也就只有三星这个。所以，藉此特性，若未来三星能具备先进封装能力，而且获得顾客的信赖，则可能有机会增加订单量。

近日，三星电子宣布了在韩国平泽厂区的扩产计划，除扩建采用极紫外光(EUV)的晶圆代工生产线及DRAM产能之外，还将扩大3D NAND闪存方面的产能规模。业界预估三星电子仅用于3D NAND闪存方面的投资额就达8万亿韩元(约合470亿元人民币)。新冠肺炎疫情导致NAND市场的不确定性大增。然而，三星电子过往多选择在景气低迷时大举投资，以此增强其在存储器领域的竞争力，此次再度大举投资扩产，或将带动其他NAND闪存厂商的跟进，再掀NAND闪存的扩产浪潮。

三星、铠侠率先扩产

据了解，三星电子将在平泽厂区的二期建设中投建新的3D NAND生产线，量产100层以上三星电子最先进的第六代V-NAND闪存，无尘室的施工5月份已经开始进行。新生产线预计将于2021年下半年进入量产阶段，新增产能约为2万片/月的晶圆。

受新冠肺炎疫情的影响，当前NAND闪存市场上的不确定性仍然存在。根据集邦咨询的报告，2020年第一季度NAND闪存出货量与上季度大致持平，其中服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，因此疫情对于数据中心需求的影响或许有限。但是笔记本电脑与手机品牌厂生产及物料供应则受到零组件供应链断链的影响，也间接拖累了市场对NAND闪存的需求。

然而，在此情况下，三星电子依然选择了扩产。去年年底，三星电子便启动了中国西安厂二期的建设，投资80亿美元。西安厂二期主要生产100层以下的第五代V-NAND，平泽二厂则会生产100层以上的第六代V-NAND。三星NAND Flash生产线主要分布在韩国华城厂区、平泽厂区以及中国西安厂区。

除三星电子之外，近日有消息称，铠侠(原东芝)也将按照原计划增产投资，在日本四日市工厂厂区内兴建3D NAND闪存新厂房“第7厂房”，总投资额预估最高达3000亿日元(约合200亿元人民币)，预定2022年夏天完工。铠侠合作伙伴西部数据预估会分担投资。

研究机构人士指出，数据中心、服务器受疫情影响较小，甚至疫情还推动网上直播、线上电子商务、线上教育、远程办公等对数据中心、服务器的需求，让存储芯片的需求有所增加。

这或许是存储厂商加码投资3D NAND闪存的原因之一。

128层3D NAND成比拼重点

本次投资扩产及相关市场竞争当中，各大闪存厂商无疑将先进工艺放在了重点位置。三星电子此次在平泽二期中建设的就是100层以上的第六代V-NAND。目前三星电子在市场上的主流NAND闪存产品为92层工艺，预计今年会逐步将128层产品导入到各类应用当中，以维持成本竞争力。

美光也在积极推进128层3D NAND的量产与应用，特别是固态硬(SSD)领域，成为美光当前积极布局扩展的重点，与PC OEM厂商进行Client SSD产品的导入。美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品成本。美光于2019年10月流片出样128层3D NAND。

今年第一季度SK海力士以14.47亿美元的销售额击败英特尔，重新夺回NAND闪存市场第五的位置，在全球市场中占比10.7%。受此激励，预计SK海力士将向NAND闪存方面投入更多的力量。根据集邦咨询的介绍，SK海力士将继续增加96层产品的占比，同时着重进行制造工艺上的提升。SK海力士2019年6月发布128层TLC 3D NAND，预计今年将进入投产阶段。

铠侠今年1月发布112层3D NAND，量产时间预计在下半年。铠侠今年的主力产品预计仍为96层，将满足SSD方面的市场需求。随着112层产能的扩大，未来铠侠会逐步将之导入到终端产品中。

去年9月，长江存储发布了64层3D NAND闪存。随着生产线产能规模的扩大，长江存储的产品也将陆续加入到市场竞争当中。有消息称，长江存储64层消费级固态硬盘将于今年第三季度上市。有分析认为，长江存储今年的重点在于扩大产能，同时提升良率，并与OEM厂商合作进行64层3D NAND的导入。不过今年4月长江存储也发布了两款128层3D NAND闪存，量产时间约为今年年底至明年上半年。在先进工艺方面，长江存储并不落于下风。

半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要集中在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。

QLC展现成本优势

在本轮NAND闪存竞争中，QLC(每个存储单元可存储4bit数据)3D NAND闪存也是各大存储厂商关注并且展开竞逐的重点。

QLC的优势在于成本更低，但是它的性能特别是写入性能和擦写次数方面与TLC(每个存储单元可存储3bit数据)产品相比有一定差距，使得此前市场对QLC产品的接受程度不高。对此，长江存储市场与销售高级副总裁龚翊指出，在QLC推出之际，3D NAND的堆叠层数还没有现在这么高，主流为64层或96层，因而成本优势没有表现出来。不过，随着128层产品量产，并逐步进入市场，QLC的成本优势将进一步得到体现。

此外，数据中心也将极大激发QLC的发展，成为QLC产品的巨大潜在市场。受疫情影响，在线应用大热，如在线会议、在线视频、在线教育等。这些应用在大数据中心存储系统层面更多表现为对存储器读取能力的需求，一次性写入之后更多是从数据库进行数据的读取，而非频繁写入。而在这些方面QLC存储器是有其应用优势的，加上成本优势，将有效拉动市场对QLC的需要。今年4月，长江存储发布两款128层3D NAND，其中包括业内首款128层QLC 3D NAND闪存，可提供1.33Tb的单颗存储容量，展现了在QLC方面的市场竞争力。

“从全球的半导体市场结构来看，计算机领域的市场份额占全球市场的1/3左右，消耗了全球45%左右的存储器。”行业分析师表示。2020年，5G等先进技术将首次应用于数据中心，而机器学习及其他AI技术的应用也将创造新的学习和工作方式。这意味着，数据中心供应商将有更多的机会发展和增强其现有业务。

英特尔也一直对QLC非常关注。从研发出64层QLC之后，英特尔就将其大量应用到SSD中。目前，英特尔在大连工厂生产基于QLC的3D NAND SSD产品。有消息称，英特尔计划于2020年推出144 层 QLC产品。美光也于日前推出采用QLC NAND的经济型SSD，这显示美光今年也加大了在QLC产品方面的投入力度。

据新华社报道，三星（中国）半导体有限公司一季度进出口额为278.67亿元，相较去年同期增加45%，二期项目第一阶段预计在今年第三季度实现满产。

三星（中国）半导体有限公司副总裁池贤基介绍称，疫情期间，三星半导体存储芯片二期项目第一阶段正处于设备调试期。为了确保产品顺利下线，西安高新区建立了重大外资项目专班机制，通过包机帮助三星接回700多名工程师，还从湖北帮忙运回了关键原材料。

资料显示，三星西安二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，分两个阶段进行，其中第一阶段项目总投资70亿美元，预计2020年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，已于去年年底启动建设，预计2021年上半年实现量产。

2020年3月10日，三星（中国）半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线上市。至于第一阶段的产能，韩国媒体曾报道称，三星计划每月生产6.5万片NAND闪存芯片，但该数字并未得到三星中国的确认。

据此前的消息指出，三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

6月1日，三星电子 (Samsung Electronics) 宣布，将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始，将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。

据三星官方消息指出，新工厂位于韩国平泽2号线内，计划于2021年2月量产，将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。

在不久前，5月21日，三星电子官方宣布了将在平泽市再投建一条全新的晶圆代工生产线，以满足全球对极紫外光刻技术 (EUV) 的需求。时隔10天，三星再次宣布新的NAND Flash产线投资计划。

虽然官方暂未公布具体投资金额，但业界推测该新晶圆代工生产线和NAND生产线的投资规模，或分别达到10万亿和8万亿韩元。

三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 、以及5G的普及而带来的NAND需求。业者认为，三星电子近期连续宣布的投资计划，尤其是在目前新冠疫情重创全球经济的情况下，反映出其欲在全球闪存市场继续拉大优势的决心。

目前，EUV晶圆代工生产和NAND闪存生产所需的洁净室已在着手建设中，争取在2021年下半年可以投产5纳米EUV芯片及V-NAND闪存产品。

5月21日，三星宣布计划提高其在韩国平泽市新生产线的晶圆代工生产能力。

新闻稿指出，该生产线已于本月开始建设，将专注于基于EUV的5纳米及以下工艺技术，预计将于2021年下半年全面投入生产。三星的目标是在包括5G，高性能计算（HPC）和人工智能（AI）在内的众多当前和下一代应用中扩展最新工艺技术的使用。

三星电子总裁兼代工业务负责人ES Jung博士表示，新的生产线将扩大三星在5纳米以下制程的制造能力，并能够迅速满足客户对基于EUV解决方案的日益增长的需求。此外，新的生产线还将使三星能够继续开拓新的领域，同时推动三星代工业务的强劲增长。

三星指出，在2019年初首次批量生产基于EUV的7nm工艺之后，三星最近在韩国华城增加了一条新的EUV专用V1生产线。而随着新的平泽工厂于2021年全面投入运营，三星基于EUV的晶圆代工产能预计将大幅增加。

根据规划，三星将于今年下半年开始在华城工厂开始批量生产5nm EUV工艺。加上平泽工厂，三星将在韩国和美国总共拥有7条晶圆代工生产线，其中包括6条12英寸生产线和1条8英寸生产线。

5月18日，陕西省委书记胡和平、省长刘国中在西安会见了三星电子副会长李在镕。

胡和平表示，当前，陕西疫情防控取得阶段性重要成果，经济社会秩序加快恢复，包括三星在内的外资企业保持良好运行态势。陕西将进一步加大对外资企业复工复产的支持力度，帮助解决物资流通、人员往来等方面问题，为企业在疫情防控常态化条件下生产经营创造良好环境。

胡和平还指出，愿与三星增进友谊、深化合作，全力服务和保障三星在陕项目建设，进一步加强闪存芯片、逻辑芯片、动力电池、生物医药等领域的合作，推动双方共同发展、互利共赢。

李在镕表示，三星在陕项目进展顺利、效益良好，愿继续拓展合作领域、深化交流交往，为谱写陕西新时代追赶超越新篇章作出积极贡献。

资料显示，西安三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段投资80亿美元。

今年3月10日，西安三星电子二期第一阶段项目产品正式下线上市，据西安新闻网此前报道，西安三星电子二期二阶段已经全面开工建设。三星西安二期项目建成后将新增产能每月13万片，占三星电子全球产量的40%，新增产值300亿元。