三星电子归档 - 第10页共15页 - 北京中代科技有限公司

新突破！三星量产100+层V-NAND 未来还有300层

2019年8月7日由中代科技评论关闭

8月6日，三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（SATA）固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第六代（1xx层）256Gb，适用于全球PC OEM的三位V-NAND。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND，三星已将批量生产周期缩短了四个月，同时确保了业界最高的性能，功效和制造生产率。

三星电子解决方案产品与开发执行副总裁Kye Hyun Kyung说：“随着下一代V-NAND产品的开发周期加快，我们计划快速扩展我们的高速，高容量512Gb V-NAND解决方案的市场。”

具有100多层设计的唯一单堆栈3D存储器芯片

三星的第六代V-NAND具有业界最快的数据传输速率，充分利用该公司独特的制造优势，将3D内存提升到新的高度。

利用三星独特的“通道孔蚀刻”技术，新型V-NAND可将先前9x层单层结构的单元数量增加约40％。这是通过构建由136层组成的导电模具堆叠，然后从顶部到底部垂直穿透圆柱形孔来实现的，从而产生均匀的3D电荷捕获闪光（CTF）单元。

随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加，NAND闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响。为了克服这些限制，三星采用了速度优化的电路设计，使其能够实现最快的数据传输速度，写入操作低于450微秒（μs），读取低于45μs。与上一代产品相比，性能提升了10％以上，同时功耗降低了15％以上。

得益于这种速度优化设计，三星将能够在不影响芯片性能或可靠性的情况下，通过安装三个电流堆栈，提供超过300层的下一代V-NAND解决方案。

此外，创建256Gb芯片密度所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个减少到6.7亿个孔，从而减小了芯片尺寸并减少了工艺步骤。这使制造业生产率提高了20％以上。

利用高速和低功耗特性，三星不仅计划将其3D V-NAND的范围扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域，而且还扩展到高可靠性至关重要的汽车市场。

继今天推出250GB SSD之后，三星计划在今年下半年推出512Gb三比特V-NAND SSD和eUFS。该公司还计划从明年起在其Pyeongtaek（韩国）园区扩大更高速和更大容量的第六代V-NAND解决方案的生产，以更好地满足全球客户的需求。

参考：三星V-NAND批量生产时间表

注：本文根据三星网文章编译，原文链接：https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-takes-3d-memory-to-new-heights-with-sixth-generation-v-nand-ssds-for-client-computing

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日韩贸易战升温，三星与海力士相关原料库存恐仅剩1.5个月

2019年8月7日由中代科技评论关闭

根据韩国媒体报导，自7月初日本宣布半导体材料管制出口韩国，韩国主要半导体厂商至今已一个月未能从日本进口高纯度氟化氢及光阻剂等材料。市场预计，韩国三星电子与SK海力士原料库存仅能维持2.5个月，目前剩下1.5个月库存，日本对韩国原料管制出口措施影响力，预计将在第3季末开始发酵。

由于日本对韩国的外销审查已实施一个月，韩国业界推测，SK海力士剩下的高纯度氟化氢与光阻剂库存只剩下1.5个月分量，三星电子的情况也大致相同，虽然三星电子副会长李在熔曾于7月中旬访日，当时传出已取得相关原料供应管道。不过，如今库存仍不足，显见当时并未顺利解决原料取得问题。

尽管如此艰难，韩国半导体制造公司也仍在寻求其他国家相关原料进口，不过，寻找另外供应商还要一些时间，即便找到合适的外部供应商，半导体公司还要测试这些原料，并花时间转换生产线。这对半导体行业影响极巨大。

《科技新报》日前曾独家报导，这次日本控管3项高科技原物料出口韩国，并非完全针对韩国的经济制裁，而是日本政府担心，这些原物料有可能非法出口到朝鲜或伊朗受管制的国家或地区，因此要求严格控管查核申报的内容。此前的审核流程是一次查核后就可多次进口产品，如今每次进口都要查核，三星也证实的确没有受日本政府刁难进口原料。并非日本禁止这些原物料出口韩国，而是查核时间拉长，导致出口时间延后。

不过8月2日，日本宣布将韩国踢出简化出口手续的白名单，为了应对日本，韩国也将日本移出白名单，贸易战开始升温。日本会不会因此收紧控管出口韩国，目前不得而知。

目前日本每批原物料出口查核时间约45天，以日本政府自7月初开始严格控管出口韩国计算，预计8月中若第一批产品可出口，则状况就能解决。反之，韩国半导体生产恐将面临压力。

即使最坏的情况下，也就是日本最后决定禁止相关原物料出口韩国，存储器厂商部分也还有海外工厂生产可解套，如三星在中国有西安存储器厂，SK海力士在无锡也有存储器生产线，海外工厂都有办法生产存储器以满足市场的需求。

就晶圆代工方面来说，用于7纳米以下EUV制程的光阻剂遭日本管制，未来发展先进制程就会遭遇困难。因此，日韩双方贸易问题要如何解决，还有待后续观察。

陕西重大项目进展：三星芯片二期主厂房进入试运行

2019年8月5日由中代科技评论关闭

陕西日报消息，上半年陕西省电子信息行业重大项目建设进展顺利。

其中，三星芯片二期项目基础设施建设已接近尾声，主厂房和附属设施进入试运行状态，预计今年内完成设备调试等工作；奕斯伟硅片基地项目6月5日正式启动设备搬入工作，计划年内交付认证产品，2020年将实现批量生产；华天集成电路封测项目，一期建设已按计划完成，预计三季度开始投产。

报道指出，下半年陕西省将继续推动电子信息制造业重大项目建设，如协调推动三星芯片二期、中兴智能终端二期、奕斯伟硅材料产业基地等重点项目建设，力争尽快建成投产；延伸并拓展产业链，培育配套企业群体；发挥西安电子科技大学在第三代化合物半导体氮化镓领域的技术研发优势，积极推动省内氮化镓生产线项目落地等。

另外，陕西省将依托陕西半导体先导技术中心和陕西光电子集成电路先导技术研究院等平台，推动以第三代化合物半导体、功率器件和光电子集成为核心的技术创新，着重培育电子信息产业自主创新能力，打造产业核心竞争力。

三星宣布将于8月7日推出下一代Exynos芯片

2019年8月5日由中代科技评论关闭

上个月高通推出骁龙855 Plus旗舰平台，目前已经有ROG游戏手机2、黑鲨游戏手机2 Pro所采用，努比亚、realme、iQOO等手机品牌也将会推出骁龙855 Plus机型。继骁龙855 Plus之后，三星即将发布全新旗舰级芯片。

8月3日消息，三星Exynos官方推特宣布将于8月7日推出下一代芯片，考虑到三星Galaxy Note 10系列将于8月7日发布（北京时间是8月8日凌晨4点），由此确认Exynos 9825即将登场。

GSMArena报道指出，在Galaxy S10系列中，Exynos 9820版本和骁龙855版本差距较为明显，其中Exynos 9820使用8nm工艺制程，骁龙855使用7nm工艺制程。

Exynos 9825的出现有望弥补这一差距，它基于7年工艺制程打造，功耗控制相信会有所改善。根据GeekBench曝光的跑分信息，Exynos 9825单核成绩为4495，多核成绩为10223，属于安卓阵营的顶级水平。

另外，知名爆料人士透露三星Galaxy Note 10系列仅在美国提供骁龙855版本（Verizon），其它市场供应Exynos 9825版本。

值得注意的是，三星Galaxy Note 10已经通过3C认证，页面显示该机支持5G网络，这将是三星首款国行5G手机，值得期待。

三星：不会减产存储器，将额外打造7纳米EUV生产线

2019年8月2日由中代科技评论关闭

虽然日本限制关键科技原料出口至韩国，对业界投下震撼弹，但三星电子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算，还说日本出口限制令的冲击难以估算，只能尽量把伤害降到最低。

BusinessKorea、东亚日报报导，三星一名高层7月31日在第二季（4-6月）财报电话会议上表示，日本政府并不是完全禁止半导体材料出口，只是增添了新的执照申请程序，影响了三星的日常营运。日本政府未来究竟会怎么做，还是充满不确定性，难以估算对公司的影响。该名高层并说，“目前不考虑减少晶圆产出，生产线将弹性运作，以因应需求波动。”

在谈到下半年的存储器库存变化时，三星高层透露，“今年下半年库存将会下滑，但难以预测下降的速度有多快，因为外部环境仍有不确定因素。”他说，NAND型快闪存储器库存开始大幅下降，预料将在第三季来到适当的水位。

在被问到近来存储器报价突然跳升的现象时，该名高层说，此一上升趋势是否会影响到长期合约价，还是很难说。

展望明年，三星高层表示，存储器设备的投资方案还在规划中，位于中国西安的厂房可望在今年底前竣工，韩国的平泽厂则会在明年底前完工。

在专业晶圆代工方面，三星高层指出，华城厂的极紫外光（EUV）制程生产线预计明年上半年运作、一如原先规划，该公司还将另外打造一条7纳米EUV制程生产线、一条图像传感器生产线（S4）。该高层指出，三星实验室正在评估一项设备，看看是否能把EUV制程应用到第3代10纳米级（1z-nm）DRAM的生产上面。

在被问到面板生产线是否已部分关闭时，三星高层说，“我们会依据市况及营运策略，弹性运作生产线”。

三星芯片代工计划曝光 6nm 5nm和4nm接踵而至

2019年8月1日由中代科技评论关闭

去年10月，三星芯片工厂正式开始使用其7LPP（7nm低功耗+）制造工艺生产芯片，此后并未放缓其制造技术的发展。该公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP（6nm低功耗+）技术开始批量生产芯片。此外，该公司表示将推出其首款5LPE（5nm低功耗早期）SoC并且将在未来几个月内完成其4LPE（4nm低功耗早期）工艺的开发。

由于DRAM和NAND价格下降，三星半导体业务的综合收入在第二季度下降至16.09万亿韩元（143.02亿美元），而营业利润总计为3.4万亿韩元（28.77亿美元）。虽然三星的内存业务疲软，但该公司表示其代工业务表现强劲。据三星称，其合同生产部门对使用10LPP / 8LPP技术制造的移动SoC以及使用14LPx / 10LPP工艺制造的移动，HPC，汽车和网络产品的需求强劲。总的来说，三星芯片工厂使用其领先的FinFET工艺技术生产大量优质产品。

今年晚些时候，三星将采用其6LPP工艺技术开始生产芯片，该技术早些时候又回到了其路线图。三星的6LPP是三星7LPP的精制版，提供更高晶体管密度（密度提升10%），更低的功耗、此外，6LPP为愿意开发全新IP的客户提供智能结构支持。三星7LPP生产技术发展的下一步将是其5LPE制造工艺。与6LPP相比，这在功耗，性能和面积方面提供了更多的好处，三星预计将在今年下半年推出使用其5LPE技术的首批芯片，预计将在2020年上半年大规模生产。

三星财报出炉存储器业务表现如何？

2019年7月31日由中代科技评论关闭

今日，三星电子公布了最新财报，数据显示，三星电子第二季度营收为56.13万亿韩元(约合475亿美元)，同比下滑4%；运营利润为6.6万亿韩元(约合56亿美元)，同比下滑55.6%，净利润5.18万亿韩元（约合44亿美元），同比下滑53.1%。

Source：三星财报

三星表示，第二季度净利润的同比下滑，主要受内存芯片价格疲软，以及手机业务下滑的影响。

Source：三星财报

事实上，三星第二季度不论是DRAM，还是NAND的出货量，都优于原先公司预期，不过报价下跌幅度较高(DRAM相比上季下跌20%出头，NAND下跌约15%)，且获利能力相比上个季度有大幅压缩。

三星表示，第二季度末，DRAM库存水位仍维持在高档(不过因为销售量成长，销售周转天数有较上季下滑)，至于NAND的库存水位已在第二季显著下滑，预估第三季就会回归正常水位。

具体而言，DRAM产业方面，下半年配合智能手机旺季、datacenter（数据中心）业者库存水位已逐渐去化，加上高容量产品(无论在mobile or server)的渗透率提升，下半年的需求会逐渐好转。

NAND产业方面，随着价格已跌至底部，价格弹性逐渐发酵，因此第二季需求成长不少，下半年有强劲的旺季需求。

针对日韩事件，三星表示会尽可能缩小生产端的潜在冲击。事实上，近期市场上现货价确有上涨趋势，但对于长期的合约价会不会有影响仍有待观察。

投片方面，三星DRAM投片规划并未改变(晶圆投入也没有减少)，不过三星会配合需求端保持弹性。此外，三星Line 13还未转换DRAM投片至CIS，不过会保持关注做动态调配。Line 12的NAND投片下滑主要是2D NAND转换至3D NAND做RD研发。

制程方面，三星表示，2019年年底10nm级(含1X/1Y/1Znm)的比重会拉到7成，而1Znm仍持续按照计划研发，并同时有导入EUV与不导入EUV的版本。

2020年的capex（资本支出）还未定，不过由于现在的市况变动太快，三星会增加评估资本支出的频率以维持弹性。

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三星电子12Gb LPDDR5 DRAM量产

2019年7月31日由中代科技评论关闭

近日，三星官方宣布，公司将量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要针对未来智能手机，优化其5G和AI功能。

此外，三星还表示，在7月底即将大量生产12Gb的LPDDR5模组，每个模组都包含8个12Gb芯片，总计达到96Gb的容量，以满足高端智能手机制造商对更高手机性能和容量的需求。

三星指出，采用第2代10纳米等级制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，传输速度可达到5500Mbps，是现有LPDDR 4X速率（4266Mbps）的1.3倍。

三星指出，在本次12Gb LPDDR5 DRAM大量生产之后，2020年将量产16Gb的LPDDR5 DRAM颗粒。因此，未来很有可能会出现16Gb LPDDR5规格的模组。

三星进一步指出，凭藉在产业中领先的速度和能效，三星的新型行动式DRAM可使下一代高端智能手机充分发挥5G和AI的功能，包括高画质影像的录制和机器学习功能，同时极大化电池的续航力。

三星东京晶圆代工论坛如期举行将展示GAA技术制程套件

2019年7月30日由中代科技评论关闭

尽管日韩贸易冲突持续延烧，但三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛依然将如期举行。届时三星将展示自家先进制程技术，并提供用于生产3纳米以下芯片、名为“环绕闸极”（GAA）技术的制程套件。三星称在GAA技术领先全球晶圆代工龙头台积电一年，更超前英特尔（Intel）两到三年。

韩国媒体BusinessKorea报导，三星28日宣布，2019年“三星晶圆代工论坛”（SFF）将如期于9月4日在东京举行，且已于26日在网站上开始受理报名。在日韩贸易紧张不断升高之际，业界正怀疑这场论坛能否如期在东京举行，三星这项决定消弭了外界的疑虑。

产业专家分析，三星想要传达的讯息是，尽管面临日本的“断货”威胁，三星电子旗下的晶圆代工事业不受中断。

报导指出，三星将展示自家纳米制程技术，并提供名为“环绕闸极”（GAA）技术的制程套件。GAA技术将用于3纳米、甚至更精密的制程技术。

日本在4日加强管制三项重要半导体原料的出口，其中，日制光刻胶为极紫外光（EUV）微影技术的关键材料，让三星的晶圆代工部门首当其冲，也削弱与台积电在7纳米芯片的竞逐能力。

EUV制程是三星欲在2030年于全球存储器、无晶圆厂及晶圆代工业务稳坐龙头宝座的关键。在EUV制程与台积电旗鼓相当的三星电子，正快马加鞭量产7纳米芯片，希望能借此提前进度超车台积电。但日本本周非常有可能把韩国踢出“白色名单”，三星的高科技原料进口预料将更加受限。

三星预定未来几个月完成位于华城的第一条EUV芯片产线，并计划之后在京畿道平泽建设另一条EUV产线。如今，三星一名高端主管指出，“考量到当前情况，我们必须考虑投资新EUV产线的时机”。

三星电子自5月开始陆续在美国、上海及首尔举办晶圆代工论坛，待9月论坛落幕后，下一场将论坛于10月在德国慕尼黑登场。

经过改良与测试后，三星首款折叠手机将在9月登场

2019年7月26日由中代科技评论关闭

7月25日，三星电子在官网宣布，三星首款折叠手机——Galaxy Fold将于今年9月起陆续在特定市场与消费者见面。三星表示，会在接近上市日期时，与外界分享更多细节。

今年早些时候，三星Galaxy Fold已经发布。随后的时间内，三星投入大量时间，评估产品设计，进行必要改良与严格测试。产品设计与改良有：

Infinity Flex屏幕顶部保护层已延伸至外边框，使其成为结构的一部分，不会被撕除掉。

加入多项强化设计，避免异物影响，以及为装置提供更高的保护性。包括在铰链顶部和底部，增加了强化结构的保护罩；在Infinity Flex屏幕下方新增金属结构层，为屏幕带来更强悍的保护；使铰链设计和机身的间隙减少。