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在晶圆代工龙头台积电日前的法说会中，台积电表示，目前7纳米制程产能几乎满载，而且未来5纳米制程也依照计划顺利进展的情况下，看好未来因5G与AI商机所带来的发展。

事实上，台积电除了7纳米与5纳米的发展情况积极之外，更加先进的3纳米制程也同样发展顺利，而且已经有相关的早期客户参与其中，这将使得台积电在先进制程为持续维持领先的位置。

根据外媒《anandtech》的报导，由于3纳米制程目前仍在研发中，使得其相较于5纳米制程的优势与具体生产流程目前都尚未公布。不过，台积电指出，目前的技术开发进展顺利，而且已经就电晶体各项的结构进行了评估，可以使得客户在未来获得最佳的方案，而且已经有早期的客户开始接触，甚至参与其中。

日前，在台积电法说会上，总裁魏哲家就指出，希望3纳米制程未来能进一步延续及扩展台积电的领先地位。

目前台积电主要竞争对手三星也宣布将在3纳米制程上推出全新的GAA(Gate-All-Around)技术，号称能降低使用能耗、缩小面积，提高效能，并且预计在2021年正式量产。因为三星预定的量产时间几乎与台积电相同，这使得台积电与三星的竞争，将从当前的7纳米制程，延续到未来的3纳米制程上。

而对于这样的情况，台积电先前也曾表示，从7纳米到5纳米，再到未来的3纳米，台积电在每一个节点是全节点的提升，不同于竞争对手每一个节点都仅是部分性能的优化而已，并非全节点的性能提升。因此，对于未来3纳米制程上的竞争，台积电对于自己的技术竞争力仍是信心满满。

报导进一步表示，对于台积电的3纳米制程，目前可以确定的将是深紫外光(DUV)及极紫外光(EUV)两种微影技术共同使用的情况。由于在5纳米制程上台积电使用了14个EUV层，预计未来3纳米将采用数量更多。而因为台积电目前对于使用EUV状况感到满意的情况下，未来EUV技术仍未扮演其关键的角色。

根据韩国媒体《Etnews》的报导，在当前存储器市况仍不佳，加上日韩贸易冲突不确定性增加等因素，韩国科技大厂三星已经决定暂缓2019年下半年针对平泽市P2存储器生产线的投资。

报导引用知情人士的消息指出，目前许多迹象都显示三星正在延迟平泽P2厂的投资计划。其中包括原本在2019年下半年开始采购机器的订单，现在已经延迟到2020年第1季，这使得原本三星自2018年开始投资的P2存储器产线，以成为全球最大存储器产线的愿望将要延迟。

报导指出，业界人士认为，三星原本认为存储器产业将在2019年下半年开始复苏，那么三星平泽P2产线在2019年上半年完成厂房兴建之后，下半年开始陆续订购且进驻机器之后将可以赶上这一波存储器复苏时期。不料，市场状况似乎没有三星所预期的顺利，这也使得三星不得不调整投资的步伐。

报导进一步指出，业界人士指出，三星调整平泽P2厂最大的原因，除了当前在客户端存储器的库存水位，就上半年的情况来说仍有3到4个月的数量，再加上近期发生的日韩贸易冲突等诸多不确定性原因提升的情况之下，使得三星不得不做出调整。

业界人士强调，虽然近期的存储器报价有所提升，不过这是基于日韩贸易冲突下，市场的预期心理所造成。但是，这对三星来说却并非是好消息，因为后续的状况可能使的三星无法供货，造成市场上存储器的短缺，这更让三星感到忧虑。

而有半导体设备商表示，虽然目前三星预计将2019年下半年对平泽P2产线的投资，延迟到2020年第1季，但也不排除这投资会继续延后。原因是当前日韩贸易争端，日本有可能进一步扩大管控产品的品项。这有结果将会冲击到三星的生产，使得原定的投资计划不得不再延期。

近日，全球最大的GPU设计公司英伟达（NVIDIA）确认，其下一代产品将采用三星电子最新的7nm EUV极紫外工艺进行代工生产。此前，英伟达的GPU一直都是台积电独家代工。此举意味着英伟达下一代GPU产品的代工制造将同时使用台积电、三星电子两家公司。同时，这也意味着两大重量级厂商在代工领域的市场争夺战正式开打。

7nm EUV极紫外工艺市场争夺战开打

近段时间以来，三星电子在半导体代工市场频获喜讯。先是与高通拓展了战略伙伴关系，接获高通骁龙865的订单，随后又以低价拿下英伟达下一代GPU的代工业务，如果再加上三星电子传统伙伴IBM的Power处理器，一时之间，三星电子可谓风光无二。

根据半导体专家莫大康的介绍，三星电子在半导体代工市场咄咄逼人的态势，是与其公司整体战略相符合的。2019年4月，三星电子公布了“半导体蓝图2030”计划。三星电子副董事长李在镕宣布，将在未来10年集中投资133万亿韩元，在2030年成为逻辑芯片领域的世界第一。在三星电子已经是全球最大的存储器制造商之际，下一个目标自然就放到了逻辑芯片代工之上。由此也就不难理解三星电子要积极抢占市场，挑战台积电了。

事实上，三星电子早有在尖端工艺领域挑战台积电的计划。2018年10月，三星电子便宣布了7nm EUV工艺量产的计划，目标就是争夺全球少数领先设计公司的代工订单。但是由于三星电子7nm EUV工艺技术不够成熟，成品率不高，市场接受度受到影响，一度除了自家Exynos处理器之外，几乎没有获得主流用户采用。

与三星电子不同，台积电在2018年第一代7nm工艺中，采用了传统的DUV+多重曝光方式（而非相对激进的EUV工艺技术），反而取得成功，几乎囊括了当时所有7nm芯片代工生产的业务。在日前举办的2019中国技术论坛上，台积电副总经理张晓强十分肯定地告诉记者，目前市场上所有7nm芯片都是出自台积电。

不过随着时间的推移，从高通、英伟达相继将下一代7nm芯片的代工制造业务交给三星电子承担，表明三星电子在7nm EUV极紫外工艺上已经逐渐成熟，具备了经济价值。这也意味着未来一段时间三星电子有信心向台积电发起挑战，将与台积电在代工市场上展开一番争夺。

台积电三星长期竞争态势待观察

三星电子此番的抢市之举对台积电将造成多大影响呢？莫大康认为，短期来看，以台积电的实力，影响并不会太大。硅片的流片量是工艺成熟的主要标志，台积电凭借DUV+多重曝光的方法，在2018年实现7nm的量产，抢得了先机。目前，台积电流片量已经很大，7nm工艺占台积电2018年公司营收的20%，说明技术十分成熟了。

同时，2019年年底台积电也将推出下一代采用EUV设备的加强版7nm工艺，时间上并不落后于三星电子。因此，三星电子虽然凭借低价抢到部分订单，但是对台积电的整体影响并不会太大。台积电目前仍握有苹果、高通、海思、AMD、赛灵思、联发科等厂7nm订单。

摩根士丹利也在报告中指出，英伟达下单给三星的报道过于夸大。英伟达和台积电有紧密的伙伴关系，若真有下单给三星，也会以台积电为主要供货商，三星扮演第二供货商。

但是，对于未来双方长期的竞争态势，分析师却不容易得出定论。“长期还看不准，7nm之后还有5nm、3nm。5nm采用EUV设备已经可以实现，但是3nm现有的技术是否能够实现还说不准。这就要看两家公司研发上谁能更快掌握了。”莫大康指出。

中国台湾地区经济研究院研究员暨产业顾问刘佩真也表示，台积电客户如果会变心，也不会是在初期，一定是在良率及量产都稳定之后才会愿意转单。以英伟达来看，可能是台积电7nm产能满载的溢单效应，也可能是出于对价格的考虑，但不管原因如何，台积电必须留意三星这个竞争对手。

未来代工格局或现双雄之争？

那么，未来全球半导体代工产业格局将会如何演变呢？“我的判断是，三星电子在逻辑芯片代工上超过台积电的可能性并不高。但是三星的市场占有率会进一步上升。”莫大康表示。

2018年以前，全球代工市场一直是以台积电为首，顺序为格芯、联电、中芯国际。随着三星电子的异军突起，未来有望出现台积电与三星同列第一阵营，第二阵营为格芯、联电、中芯国际等公司的情况出现。

在拓墣产业研究院发布的统计报告中，2019年第二季度全球半导体代工厂排名，台积电以49.2%的市占率排名第一，三星电子以18%的市占率排名第二，格芯、联电和中芯的市场占有率分别为6.7%、7.5%和5.1%。仅从市场占有率上已经隐隐可以看出未来的产业格局走向。

同时，莫大康还强调，代工市场竞争的并不仅仅是资本与技术。台积电多年来一直称雄代工市场，一些竞争优势是三星等其他厂商目前所不具备的。首先是交货速度快。这对IC设计公司是一个极大的吸引力。其次是台积电的工艺重复性非常好。只要台积电旗下一家工厂开发出某项工艺并稳定量产后，这个工艺转到其他工厂，产品的成功率依然有保障。要想取得代工市场的竞争优势，全面提升自身水平，方是取胜之道。

日本对关键半导体材料加强出口管制，重创韩国科技业，据传三星电子(Samsung Electronics)原本打算在明(2020)年初发布7纳米高端处理器，如今只能被迫延后上市计划。

日经新闻英文版10日引述未具名消息人士报导，三家供应三星光阻剂(photoresist)的关键厂商──东京应化工业(Tokyo Ohka Kogyo)、信越化学工业(Shin-Etsu Chemical)及JSR都表示，在日本政府7月4日加强管制对韩出口后，不知供应何时才能恢复正常。

一名资深政府官员直指，在取得政府执照前，日本厂商必须全面暂停出货，这个过程也许得花上90天、甚至更久，端看个案情况而定。熟知三星先进芯片制造计划的未具名人士则透露，三星的研究计划已经受到影响，“为确保未来光阻剂的供应无虞，部分跟极紫外光(EUV)制程有关的芯片研发作业已暂时停摆。”

EUV光阻剂的供应若受干扰，三星明年初发表7纳米芯片的计划，恐因此受到冲击，这些芯片对三星明年要推的旗舰智能机、以及其5G电信设备都非常关键。不只如此，这对三星想要挑战台积电、在2023年将先进晶圆代工市占从不到10%拉升至25%的野心，也非常重要。

分析师表示，替换光阻剂供应商的难度极高，倘若日本对韩国的出口限制无法尽快解除，那么三星生产最新智能机处理器的进度肯定会受到拖累，推出先进芯片制程、夺取台积电市占的野心也将备受打击。

日本政府加强了三项半导体材料对南韩的出口管制，分别是OLED面板材料氟聚醯亚胺(fluorinated polyimide)、半导体制程关键材料的光阻剂和蚀刻气体(高纯度氟化氢)。

争取芯片领先地位是日本意图？

韩国中央日报11日报导，韩国国家文官培训院院长Yang Hyang-ja 8日接受访问时认为，日本限制半导体材料出口的最大目的，应是拖慢南韩的半导体发展、争取芯片产业的领先地位。

Yang说，“韩国过去27年来一直都在存储器产业位居龙头地位，对日本的领先差距愈拉愈大。韩国从未在其他领域领先别国这么多，这包括美国与日本。”她表示，即便许多国家都已宣布要带头进行第四次工业革命，但少了韩国芯片，想要实现计划并不容易。

Yang先前曾为三星带领快闪存储器设计与检验团队，直到2016年1月进入公共服务部门为止。她的日语非常流利。三星集团(Samsung Group)已故创办人李秉(吉吉)1988年曾邀请日本半导体专家Shigetaka Hamada前来参加首尔奥运，Yang即是Hamada的随行口译。

Yang表示，倘若日本关键材料要花上90天才能抵达，韩国将难以发展晶圆代工。台积电、三星是全球唯二两家有能力以EUV微影技术竞争7纳米制程的业者，今年EUV设备仅生产30台，台积电已预购18台、韩国则即将失去关键原料的供应源。

先前NAND Flash受到东芝存储器工厂停电事件影响供给，加上日本对关键半导体原料祭出限制令，韩国存储器业面临断料风险，据传最快本月开始减产NAND Flash并有意拉抬价格。

全球NAND Flash第二大厂东芝存储器6月发生工厂停电意外后，减产20%。另外，外媒报导，韩国存储器大厂担忧日本限制令将影响生产，打算藉机去化库存，据传最快本月开始减产NAND Flash；三星电子更有意把NAND Flash价格提高10%，美国的美光可能跟进。周三，三星电子、SK海力士及美光股价均上涨。

日本限制半导体原料出口，短期韩国存储器大厂难以找到替代的供应商，反而拟趁机减少库存、拉高价格。

NAND Flash供应商陆续紧缩供给，加上日本加强管制光阻剂等3项关键电子材料出口韩国，近期市场掀起一波NAND Flash抢货潮，带动NAND Flash价格止跌，酝酿短期涨势。

裁撤七大支社、调整区域办事处之后，中国三星电子再调组织架构。近日，有媒体从三星内部拿到的一份文件显示，6月初，三星电子已调整此前的23个分公司架构，改为11个分公司28个大区。

据悉，原有的23个分公司中，部分分公司被合并，包括辽宁、黑龙江、吉林三个分公司合并为沈阳分公司，上海、江苏合并为上海分公司等。也有部分分公司保持原来编制，比如四川分公司，其负责人郑永焕也未变动；此外，山东分公司虽未与其他分公司合并，但其负责人换成了由安徽分公司调过来的周本武。

7月3日，多位分析师预计，三星第二季度营业利润将达到6万亿韩元（约合51.4亿美元），较上年同期的14.9万亿韩元下降60%。

前不久，韩国三星电子公司发布了2019年第二季度业绩展望，三星表示由于内存芯片的价格和需求持续疲软，预计第二季度营业利润为6.5万亿韩元（55亿美元），略高于业界预计的6万亿韩元，但较上年同期下降约56%。

三星表示，第二季度的最终数据将于本月晚些时候公布。如果这些数据与业绩展望相符，这将是连续第二个季度三星的营业利润比去年同期减少一半以上。