AMD与三星达成授权协议 将Radeon拓展到手机中

AMD与三星达成授权协议 将Radeon拓展到手机中

据路透社报道,AMD和三星电子6月3日宣布,双方已达成一项多年期战略合作协议。该协议有利于AMD更好地与对手英伟达(Nvidia)展开竞争。

作为该合作协议的一部分,AMD将授权三星在包括智能手机在内的移动设备上使用其定制图形芯片知识产权。与此同时,三星将向AMD支付技术许可费和版权费。

这笔交易将为AMD带来数亿美元的许可收入;而三星将获得AMD的图形芯片技术,从而提升其设备性能。受该消息刺激,AMD股价今日一度上涨7.5%至29.47美元,而三星股价一度上涨3%。

三星电子S.LSI业务总裁Inyup Kang称:“与AMD的合作将使我们能够为明天的移动应用市场带来突破性的图形产品和解决方案。我们期待着与AMD合作,加速移动图形技术的创新,这将有助于将未来的移动计算提升到一个新的水平。”

AMD总裁兼CEO苏姿丰(Lisa Su)称:“这一战略伙伴关系将把我们的高性能Radeon图形技术扩展到移动市场,显著扩大Radeon的用户基础和开发生态系统。”

三星发布3纳米路线图 半导体工艺物理极限将至?

三星发布3纳米路线图 半导体工艺物理极限将至?

近日,三星电子发布其3nm工艺技术路线图,与台积电再次在3nm节点上展开竞争。3nm以下工艺一直被公认为是摩尔定律最终失效的节点,随着晶体管的缩小将会遇到物理上的极限考验。而台积电与三星电子相继宣布推进3nm工艺则意味着半导体工艺的物理极限即将受到挑战。未来,半导体技术的演进路径将受到关注。

三星计划2021年量产3nmGAA工艺

三星电子在近日举办的“2019三星代工论坛”(Samsung Foundry Forum 2019)上,发布新一代3nm闸极全环(GAA,Gate-All-Around)工艺。外界预计三星将于2021年量产3nm GAA工艺。

根据Tomshardware网站报道,三星晶圆代工业务市场副总Ryan Sanghyun Lee表示,三星从2002年以来一直在开发GAA技术,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,从而实现3nm工艺的制造。

如果将3nm工艺和新近量产的7nmFinFET相比,芯片面积能减少45%左右,同时减少耗电量50%,并将性能提高35%。当天的活动中,三星电子将3nm工程设计套件发送给半导体设计企业,并共享人工智能、5G移动通信、无人驾驶、物联网等创新应用的核心半导体技术。

相关资料显示,目前14/16nm及以下的工艺多数采用立体结构,就是鳍式场效晶体管(FinFET),此结构的晶体管内部通道是竖起来而被闸极包围的,因为形状像鱼类的鳍而得名,如此一来闸极偏压便能有效调控通道电位,因而改良开关特性。但是FinFET在经历了14/16nm、7/10nm这两个工艺世代后,不断拉高的深宽比(aspect ratio),让前道工艺已逼近物理极限,再继续微缩的话,电性能的提升和晶体管结构上都将遇到许多问题。

因此学术界很早就提出5nm以下的工艺需要走“环绕式闸极”的结构,也就是FinFET中已经被闸极三面环绕的通道,在GAA中将是被闸极四面包围,预期这一结构将达到更好的供电与开关特性。只要静电控制能力增加,闸极的长度微缩就能持续进行,摩尔定律重新获得延续。

此次,三星电子3nm制程将使用GAA技术,并推出MBCFET,目的是确保3nm的实现。不过,三星电子也表示,3nm工艺闸极立体结构的实现还需要Pattern显影、蒸镀、蚀刻等一系列工程技术的革新,并且为了减少寄生电容还要导入替代铜的钴、钌等新材料,因此还需要一段时间。

台积电、三星竞争尖端工艺制高点

台积电也在积极推进3nm工艺。2018年台积电便宣布计划投入6000亿新台币兴建3nm工厂,希望在2020年动工,最快于2022年年底开始量产。日前有消息称,台积电3nm制程技术已进入实验阶段,在GAA技术上已有新突破。4月18日,在第一季度财报法说会中,台积电指出其3nm技术已经进入全面开发阶段。

在ICCAD2018上,台积电副总经理陈平强调,从1987年开始的3μm工艺到如今的7nm工艺,逻辑器件的微缩技术并没有到达极致,还将继续延伸。他还透露,台积电最新的5nm技术研发顺利,明年将会进入市场,而更高级别的3nm技术研发正在继续。

实际上,台积电和三星电子两大公司一直在先进工艺上展开竞争。去年,台积电量产了7nm工艺,今年则计划量产采用EUV光刻工艺的第二代7nm工艺(N7+),2020年将转向5nm。有消息称,台积电已经开始在其Fab 18工厂上进行风险试产,2020年第二季度正式商业化量产。

三星电子去年也公布了技术路线图,而且比台积电更加激进。三星电子打算直接进入EUV光刻时代,去年计划量产了7nm EUV工艺,之后还有5nm工艺。3nm则是两大公司在这场工艺竞逐中的最新赛程。而就以上消息来看,三星将早于台积电一年推出3nm工艺。然而最终的赢家是谁现在还不能确定。

摩尔定律终结之日将会到来?

虽然台积电与三星电子已经开始讨论3nm的技术开发与生产,但是3nm之后的硅基半导体工艺路线图,无论台积电、三星电子,还是英特尔公司都没有提及。这是因为集成电路加工线宽达到3nm之后,将进入介观(Mesoscopic)物理学的范畴。资料显示,介观尺度的材料,一方面含有一定量粒子,无法仅仅用薛定谔方程求解;另一方面,其粒子数又没有多到可以忽略统计涨落(Statistical Floctuation)的程度。这就使集成电路技术的进一步发展遇到很多物理障碍。此外,漏电流加大所导致的功耗问题也难以解决。

那么,3nm以下真的会成为物理极限,摩尔定律将就此终结吗?实际上,之前半导体行业发展的几十年当中,业界已经多次遇到所谓的工艺极限问题,但是这些技术颈瓶一次次被人们打破。

近日,有消息称,IMEC和光刻机霸主ASML计划成立一座联合研究实验室,共同探索在后3nm节点的nm级元件制造蓝图。双方合作将分为两个阶段:第一阶段是开发并加速极紫外光(EUV)技术导入量产,包括最新的EUV设备准备就绪;第二阶段将共同探索下一代高数值孔径(NA)的EUV技术潜力,以便能够制造出更小型的nm级元件,推动3nm以后的半导体微缩制程。

然而,衡量摩尔定律发展的因素,从来就不只是技术这一个方面,经济因素始终也是公司必须考量的重点。从3nm制程的开发费用来看,至少耗资40亿至50亿美元,4万片晶圆的晶圆厂月成本将达150亿至200亿美元。如前所述,台积电计划投入3nm的资金即达6000亿新台币,约合190亿美元。此外,设计成本也是一个问题。研究机构分析称,28nm芯片的平均设计费用为5130美元,而采用FinFET技术的7nm芯片设计费用为2.978亿美元,3nm芯片工程的设计费用将高达4亿至15亿美元。设计复杂度相对较高的GPU等芯片设计费用最高。半导体芯片的设计费用包含IP、Architecture、检查、物理验证、软件、试产品制作等。因此,业内一直有声音质疑,真的可以在3nm甚至是2nm找到符合成本效益的商业模式吗?

三星高通和解细节流出:高通曾支付一亿美元和解金

三星高通和解细节流出:高通曾支付一亿美元和解金

5月23日消息,据国外媒体报道,智能手机制造商三星当地时间周三向法庭提交了一份紧急动议,要求修改其与芯片制造商高通达成和解协议中“高度敏感和机密”细节。据悉,该和解协议“无意中”被公开。

这些细节此前一直处于保密状态,但因法官高兰惠(Lucy Koh)对高通(Qualcomm)智能手机芯片业务做出严厉判决中被披露。

三星表示,有关高通去年同意向三星支付1亿美元和解金的消息,将“不可挽回地损害”公司商业优势,因为竞争对手可以借此谈判争取“相同或更好的和解条款”。

当地时间周二,加州法院法官高兰惠做出了有利于美国联邦贸易委员会但不利于高通的裁决。此前,这位法官曾负责苹果和三星之间的诉讼。

高兰惠的调查结果长达230多页,揭示了高通谈判和诉讼策略的细节。

在周二晚些时候发布的一项裁决中,法官高兰惠表示,高通“扼杀了”智能手机调制解调器芯片市场的竞争,从而对其拥有的知识产权收取“价格畸高的授权费用”。高通表示,将寻求加快对该裁决的上诉。

三星在动议中表示:“三星将继续研究法院关于事实和法律结论的调查结果,以确保其他保密材料不会在不经意间被泄露。”

三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元 预计明年Q1量产

三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元 预计明年Q1量产

据新华社5月17日报道,三星半导体存储芯片二期项目在西安的投资将超过140亿美元。

据了解,三星半导体存储芯片项目于2012年成功入驻西安高新区,主要生产“V-NAND”闪存芯片。2014年5月,项目一期竣工投产。值得注意的是,一期项目计划投资金额为70亿美元,但实际总投资比计划投资额超过了30亿美元,高达逾100亿美元。

至于二期项目,三星电子早在2017年曾表示,未来3年内将向其西安工厂投资70亿美元,用于生产NAND闪存芯片。而目前,三星二期项目已于2018年3月开工建设,预计今年7月份建成,2020年一季度实现量产。

根据三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基表示,三星半导体的存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元,主要分为两个阶段,其中第一阶段投资70亿美元,尽管第二阶段的详细计划还未出炉,但预计会超过70亿美元。

三星3nm工艺领先台积电1年领先Intel 3年 未来进军1nm

三星3nm工艺领先台积电1年领先Intel 3年 未来进军1nm

在晶圆代工市场上,三星公司在14nm节点上多少还领先台积电一点时间,10nm节点开始落伍,7nm节点上则是台积电大获全胜,台积电甚至赢得了几乎所有7nm订单,三星只有自家Exynos及IBM的7nm订单,台积电也因此宣传自己在7nm节点上领先友商1年时间。

再往后呢?三星、台积电也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工艺了,其中在3nm节点上台积电也投资了200亿美元建厂,只不过他们并没有详细介绍过3nm工艺路线图及技术水平。

日前三星在美国的晶圆代工论坛上公布了自家的工艺路线图,FinFET工艺在7、6、5、4nm之后就要转向GAA环绕栅极晶体管工艺了,3nm节点开始使用第一代GAA工艺,官方称之为3GAE工艺。

基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

根据三星的路线图,他们2021年就要量产3GAE工艺了,这时候台积电也差不多要进入3nm节点了,不过台积电尚未明确3nm的技术细节,这意味着三星已经在GAA工艺上领先了。

根据IBS(International Business Strategies)公司CEO Handel Jones的说法,三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间,领先Intel公司2-3年时间,可以说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

但是三星的野心不止于此,目前尚未有公司宣布3nm之后的半导体工艺,目前大家都认为摩尔定律在3nm之后就要彻底失效,遭遇量子物理的考验,而三星则希望借助GAA工艺开发2nm工艺,未来甚至要实现1nm工艺。

巩固苹果独家供应商地位 三星开发多功能OLED屏幕

巩固苹果独家供应商地位 三星开发多功能OLED屏幕

韩国媒体报导,三星电子正在开发OLED屏幕下的多样功能,包括屏幕下指纹辨识、屏幕声音技术、屏幕下摄影镜头,以及屏幕下震动反馈功能等,若这些功能开发完成,智能手机将达到真正全屏幕的效果,三星电子希望藉此巩固做为苹果OLED屏幕独家供应商的地位。

目前三星电子在中小尺寸OLED屏幕市场,产能和技术上仍处于领先地位,拥有逾90%的市占率。

而开发OLED屏幕下的多样功能,对三星电子来说意义重大,例如屏幕下摄影镜头,这个可让手机制造商做到真正全屏幕的手机,对仍以三星电子为唯一OLED屏幕供应商的苹果,未来如果要去除iPhone上让人感觉困扰的刘海,这些技术就非常重要。

三星电子表示,开发OLED屏幕下新功能,除了为未来智慧手机提供新选择之外,另一个重要的目的在于巩固自己在中小尺寸OLED屏幕供应商的地位。虽然三星电子目前仍是中小尺寸OLED屏幕的龙头,但包括乐金显示器、中国京东方科技等厂商都拚命追赶,使三星电子不得不谨慎,希望藉由新技术来拉开与竞争对手的差距。

存储器跌价冲击,三星 2019 年首季获利年衰退 56.9%

存储器跌价冲击,三星 2019 年首季获利年衰退 56.9%

韩国科技业巨擘三星电子 30 日发布该公司截至 2019 年 3 月 31 日为止的 2019 年首季财报。财报显示,第 1 季合并营收为 52.39 兆韩元,净利则为 5.11 兆韩元,较 2018 年同期下滑 56.9%,低于市场预期的 5.72 兆韩元。

根据财报显示,受到存储器价格下滑及显示屏面板需求放缓的影响,在截至 3 月 31 日为止的 2019 年第 1 季,三星的营收为 52.39 兆韩元,较 2018 年同期下滑 13.5%,而营业利益为 6.23 兆韩元,虽较 2018 年同期下滑 60%,但却符合公司之前预期的 6.2 兆韩元金额。净利则是来到 5.11 兆韩元,较 2018 年同期下滑 56.9%,也低于市场预期的 5.72 兆韩元。

而就各部门的营运状况来看,三星电子营运核心的半导体部门,2019 年第 1 季的营业利益较 2018 年同期下滑 7.4%,来到 4.12 兆韩元。显示屏业务当季营业利益则是亏损 5,600 亿韩元,手机部门营业利益也来到 2.27 兆韩元,较 2018 年同期下跌 1.5%。至于,家电部门的营业利益则为 5,400 亿韩元。

在当前全球经济成长放缓情况下,包括三星在内的存储器制造商受到智能型手机市场疲软和服务器需求下降的冲击。根据统计资料显示,2019 年第 1 季,32GB DRAM 服务器存储器的合约价,较 2018 年同期已下跌了 38%。

至于,128GB MLC NAND Flash 的价格也较 2018 年同期下滑 23%。三星的存储器竞争对手 SK 海力士,就在上周公布了两年多来最少的季营业利益。不过,SK 海力士表示,有信心随着服务器存储器客户增加投资,需求将在 2019 年底前回温。而之前,三星就针对 2019 年首季财报预测发过警讯,如今成绩揭晓,证实了存储器下跌的情况的确对三星的营收造成不小的影响。

对于 2019 年第 2 季的营运展望,三星表示,预计第 2 季存储器市场依旧疲软,尽管需求会有所改善,但价格很可能延续当前跌势。其中,高密度存储器产品需求将在下半年继续成长,但不确定性犹存。至于在面板市场方面,软性 AMOLED 的需求将随智能型手机新品的推出而提升,因此预计面板业务有机会进一步回升。而在智能型手机业务方面,三星则是预计下半年智能型手机销售将持续成长。

三星折叠手机状况频传 发布会临时喊卡

三星折叠手机状况频传 发布会临时喊卡

韩国智能手机大厂「三星电子」表示,原订这个星期在上海与香港所举办的「Galaxy Fold」折叠屏幕手机发布会,决定延期,至于延期多久,还没决定。

三星电子研发的「Galaxy Fold」折叠型智能手机,原订这个星期召开发布会,不过在目前所释出的一些实测机上,却状况频频,包括屏幕破裂、隆起,以及画面闪烁等等。

外电报导,三星只说这个星期在上海与香港的新品发布会,将会延迟,不过没有说明延迟的原因,也没有说要延到什么时候。

英特尔新显卡或用三星存储器?高层访韩,揣测满天飞

英特尔新显卡或用三星存储器?高层访韩,揣测满天飞

英特尔(Intel)主管造访三星电子工厂,引发许多联想。有人猜测英特尔 CPU 生产短缺,或许将下单给三星晶圆代工部门。但是业界推估,比较可能是英特尔的独立显示卡,考虑使用三星存储器。

韩国媒体 BusinessKorea 报导,英特尔 GPU 团队资深副总 Raja Koduri,16 日造访三星位于韩国器兴(Giheung)工厂。有些分析师推测,Koduri 到访或许和晶圆代工订单有关。英特尔 CPU 供给不足,可能想委请三星代工生产 CPU,取得额外产能。三星选在 15 日宣布完成 5 纳米制程研发,正和大客户讨论 6 纳米制程生产,更让人遐想。

但是英特尔表态年底将解决 CPU 短缺问题,而且就算英特尔找三星代工,Process design 需要很长时间,无法立刻提高产量,消除燃眉之急。Koduri 原本是超微(AMD)显示卡的执行副总,去年跳槽英特尔。英特尔随即宣布 2020 年要发布独立显卡「Xe」,由此看来,Koduri 访韩国或许想和三星存储器部门合作。

显示卡通常会内建 GPU 和 RAM,英特尔独立显卡 Xe,可能搭载三星次世代 DRAM──DDR5。业界观察家说,最近三星强化非存储器部门,但是存储器仍是该公司强项;英特尔则主攻系统半导体。

三星 Galaxy A 系列新机齐发,抢攻分众市场

三星 Galaxy A 系列新机齐发,抢攻分众市场

为了迎合各种消费者的需求,三星(Samsung)推出 Galaxy A 系列的 5 款新机,分别针对影音、直播和拍照等不同的客群提供不一样的产品。

三星表示,为了迎接千禧世代和 Z 世代的消费者,并迎合这些消费者的使用习惯,新的 Galaxy A 系列产品都配备 123 度超大广角镜头、6.4 寸以上的大屏幕以及更强的电池续航力。

台湾三星电子行动与信息事业部副总经理陈启蒙表示:「Galaxy A7 已连续 4 个月蝉联 Android 单机榜首,A 系列的销售占比更高达三星手机系列单一月份的五成。期望全新 Galaxy A 系列上市后,吸引千禧世代消费者,也期待第二季的 Galaxy A 系列陆续推出后,能带动台湾中阶市场销量持续成长。」

Galaxy A80

Galaxy A80 采用 6.7 寸的 FHD+Super AMOLED 显示屏幕,并配备三星首款翻转式镜头。翻转式镜头的设计让拍摄和自拍共享同一组相机,用户在相机应用程序选择自拍时,3 个镜头的相机组将自动从机背弹出并翻转。相机组包含 4,800 万像素的主镜头、800 万像素的超广角镜头和 3D 景深镜头,「场景智慧辨识」功能可以辨识并强化 30 种场景,「瑕疵检测」功能能在按下快门前自动辨识拍照失误。

Galaxy A80 内建 8GB RAM 和 128GB ROM,拥有 3,700mAh 的电池容量,并支援 25W 闪充技术。Galaxy A80 也具有 Bixby 智慧助理、Samsung Pay 和 Samsung Health 等三星功能,并支援杜比环绕音效和屏幕下指纹辨识功能。

Galaxy A50 & Galaxy A70

Galaxy A50 和 Galaxy A70 锁定爱好拍照的消费者,提供高像素的镜头和大电池容量。两款手机都采用 Full HD+Super AMOLED Infinity-U 全屏幕,A50 的屏幕尺寸为 6.4 寸,A70 的屏幕尺寸则为 6.7 寸。Galaxy A50 内建 6GB RAM 和 128GB ROM,并拥有 4,000 mAh 的电池容量。Galaxy A70 内建 8GB RAM 和 128GB ROM,并拥有 4,500 mAh 的电池容量。

Galaxy A50 和 A70 配备三镜头相机,都具有 800 万像素超广角镜头和 500 万像素景深镜头,A50 的主镜头和前镜头为 2,500 万像素,A70 主镜头和前镜头为 3,200 万像素。主镜头支援日夜智慧切换功能,在光线不足的情况下也能增加进光量并抑制噪声。内建 AI 相机可以辨识 20 种场景,自动优化拍摄效果。

Galaxy A20 & Galaxy A30

Galaxy A20 和 Galaxy A30 都拥有比例 19.5:9 的 6.4 寸全屏幕,其中 Galaxy A20 采用 HD+ Super AMOLED Infinity-V 全屏幕,Galaxy A30 则采用 Full HD+ Super AMOLED Infinity-U 全屏幕。Galaxy A20 搭载 Exyons 8 核心处理器,内建 3GB RAM 和 32GB ROM,并拥有 4,000 mAh 的电池容量。Galaxy A30 搭载 Exyons 8 核心处理器,内建 4GB RAM 和 64GB ROM,同样拥有 4,000 mAh 的电池容量。Galaxy A20 和 A30 都支援 NFC,方便用户直接使用手机支付。

Galaxy A20 配备 1,300 万像素和 500 万像素的双镜头,再加上 800 万像素的前镜头。Galaxy A30 则是配备 1,600 万像素和 500 万像素的双镜头,再加上 1,600 万像素的前镜头。123 度超广角镜头让大范围拍照更便利,前镜头的景深实时预览功能可以自由调整景深效果。Galaxy A30 还有 19 种 AI 场景智慧辨识,可以自动选择适合的拍摄效果。

Galaxy A80 会有黑色、灰色和金色 3 种颜色,预计在 6 月上市。Galaxy A50 提供蓝色、黑色和白色 3 款给消费者选择,定价为台币 11,990 元,Galaxy A70 同样也是蓝色、黑色和白色三色,定价为台币 13,990 元,两款手机都会在 5 月 1 日开卖。Galaxy A30 提供蓝色、黑色和白色 3 款给消费者选择,定价为台币 8,990 元,目前已经上市。Galaxy A20 则有蓝色、黑色和橘色 3 种颜色,定价为台币 5,990 元,预计在 4 月中下旬开卖。