苹果高管:新iPhone考虑用三星和联发科技的5G基带

苹果高管:新iPhone考虑用三星和联发科技的5G基带

据路透社报导,上周五(1月11日)美国联邦贸易委员会(FTC)针对高通的反垄断案的开庭审理过程中,Apple公司供应链主管托尼•布莱文斯在证词中称,Apple公司正在考虑由Samsung电子和联发科技以及现有供应商英特尔公司为2019年的iPhone提供5G调制解调器芯片。

基于此前高通在通信领域的强大技术优势和专利优势,2011年至2016年期间,高通都是Apple基带芯片的唯一供应商,帮助Apple设备连接网络。但从2016年开始,Apple将业务分拆给英特尔和高通。2018年,Apple将最新款手机业务仅由英特尔承接。

据悉,由于英特尔的基带芯片在性能上与高通仍有差距,所以英特尔基带芯片所占的比例还相对较低,有消息称只有不到20%。而且Apple为了平衡不同版本iPhone基带芯片性能的差异,还通过软件限制了高通基带芯片的性能。

布莱文斯在加州圣何塞的一家联邦法院出庭作证时表示,Apple一直在为调制解调器芯片寻找多家供应商,但与高通签署了一项协议,由高通独家供应调制解调器芯片,因为高通在专利许可成本上提供了高额回扣,以换取独家使用权。

2017年,Apple与高通之间的专利纠纷以及专利授权费问题的爆发,双方在全球展开了诉讼,两家公司之间的关系也是急剧恶化。Apple至今为止仍拒绝向高通支付专利授权费。而高通则开始积极谋求禁售非高通基带版本的iPhone。

据第三方拆解机构的信息来看,2017年Apple发布的iPhone仍有采用高通的基带芯片。高通基带版的iPhone 8系列采用的是SnapdragonX16。而英特尔基带版的iPhone 8系列则搭载的是X女生 7480。不过,Apple在iPhone 8当中确实进一步减少了高通基带芯片的比例。2018年推出的iPhone XS / XS Max / XR系列当中,则完全抛弃了高通的基带芯片,选择全部采用英特尔的基带芯片。

Apple一直在寻找新的供应商,而目前从近期AppleCEO库克的表态,Apple与高通短期内部应该不可能和解,那么在基带芯片性能上能够满足Apple基本要求的除了英特尔,可能就只有Samsung、联发科了。同时,布莱文斯表示,Samsung的Galaxy和Note设备与iPhone存在激烈竞争关系,与Samsung进行谈判对Apple来说“不是一个理想的环境”。

Samsung于2018年8月宣布推出旗下首款5G基带芯片——Exynos Modem 5100。据介绍,Exynos Modem 5100是业内首款完全兼容3GPP Release 15规范、也就是最新5G NR新空口协议的基带产品。Samsung表示,已经成功使用搭载Exynos Modem 5100基带的5G原型终端和5G基站间进行了无线呼叫测试,相关产品将会在今年商用。

而在2018年的台北国际计算机展 (COMPUTEX 2018) 的记者会上,联发科正式宣布推出了首款 5G基带芯片 ——M70。联发科预计,2019年将有机会看见搭载联发科5G基带芯片的产品推出。

据了解,2017年11月,业内就曾传出消息称Apple已秘密与联发科接触。而双方合作将包括手机基带芯片、CDMA的IP授权、WiFi定制化芯片等方面。而随后的消息也显示,Apple的HomePod采用了联发科定制的WiFi芯片。所以有不少人猜测,联发科技很有可能会成Apple新iPhone的5G基带芯片的第二大主力供应商。

但据路透社报导,布莱文斯并没有说明Apple是否已经就5G调制解调器供应商做出决定,也没有说明Apple是否会在2019年推出5G iPhone。此外,据彭博社之前援引消息人士报导称,Apple或将最早于2020年发布5G iPhone产品。

三星7nm工艺确认下半年量产 2021年冲3nm GAA量产

三星7nm工艺确认下半年量产 2021年冲3nm GAA量产

为了减低近期存储器降价带来的冲击,全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务,希望有机会进一步拉近与台积电的差距。在先进制程的发展方面,根据三星高层表示,将在 2019 下半年量产内含 EUV技术的 7 纳米制程,而 2021 年量产更先进的 3 纳米 GAA 制程。

根据国外科技网站《Tomshardware》报导,三星晶圆代工业务市场副总 Ryan Sanghyun Lee 表示,三星从 2002 年一直在开发硅纳米线金属氧化物半导体场效晶体管(Gate-All-Around;GAA )技术,也就是透过使用纳米设备制造 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET),可显著提升晶体管性能。三星准备在 2021 年量产 3 纳米 GAA 制程。

来源:三星

报导进一步表示,关于三星 3 纳米 GAA 制程何时进入量产,至今似乎并没有统一说法。三星晶圆代工业务负责人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 会议就表示,三星已完成 3 纳米制程技术性能验证,进一步优化制程后,目标是在 2020 年大规模量产。

不过 3 纳米 GAA 制程不论 2020 年还是 2021 年量产,都还离现在都还有点远。三星 2019 年主推的是内含 EUV 技术的 7 纳米制程,预计 2019 下半年量产。尽管三星 2018 年就已经宣布内含 EUV 技术的 7 纳米制程能量产,实际上之前所说的量产只是风险试产,远未达到规模量产的地步,2019 年底量产才有可能。

只是,在内含 EUV 技术的 7 纳米制程,台积电之前也宣布将在 2019 年量产,看起来三星也没有进度优势,目前仅能寄望在三星在内含 EUV 技术的 7 纳米制程有自己开发的光罩检查工具,而在其他竞争对手还没有类似的商业工具的情况下,能有更好的良率,以及更低的成本。因此 7 纳米节点,三星现阶段想要超前,似乎还需要一点运气。

 

两年来首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超级周期告终

两年来首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超级周期告终

三星电子两年来首次季度盈利下滑某种程度上正式宣告了为期两年的芯片超级周期的结束。

全球最大的芯片和智能型手机制造商三星电子周二称,公司 2018 年最后三个月的营业利润为 10.8 兆韩元 (合 96.5 亿美元),年增率下降 28.7%,较第第三季 17.5 兆韩元的创纪录高点下降 38.5%。第第四季销售额估计为 59 兆韩元,年增率下降 10.6%。这是公司 2 年来首次季度盈利下滑。

三星不是唯一一家因芯片超级周期结束而盈利受损的公司。此前,储存芯片巨头镁光季度销售及利润皆大幅低于市场预期,公司称整个储存芯片行业产出(包括三星 SK 海力士)大大超出市场需求,其将采取果断行动,减产稳价格。 而三星更是发出警告,称持续两年的行业景气周期已经到头。

储存芯片此前经历了 2 年的景气行业。从 2016 年下半年开始,全球储存芯片进入了新一轮的旺季,DRAM、NAND 价格从那时候起大幅上涨,一直持续到 2018 年。

这其中,智能型手机储存容量增大(内存军备竞赛)、AI 人工智能、无人车、机器学习、深度学习等新兴技术对于储存芯片的额外需求预期(AI 训练对内存、闪存的需求量都会大幅增加)是本轮上行周期背后的重要推手。

从芯片周期角度而言,上次行业经历如此程度的暴跌还要追溯到 2015 年。但本轮下跌与 2015 年又有所不同。

在 2015 年,对于需求端疲弱的担忧主导了上轮储存芯片的大幅回调。2015 年是智能型手机高增长期的分水岭——自 2010 年开启的智能型手机高增长期基本结束。而当年苹果 iPhone 也处于周期的低点,销量放缓加剧市场的恐慌情绪。

而本轮下跌则是需求不振叠加产量过剩。贸易冲突则加剧了市场的恐慌情绪。

在需求端方面,新的智能型手机硬件规格难以吸引换机需求(以苹果为代表)、消费级的 PC 市场由于 Intel CPU 的供货不足出货不振。而诸如 AI、无人车等新兴技术则由于技术限制,大规模场景应用还需时日,市场期望需求放缓。

而在供应端方面,新技术的良品率提高及产能的扩充使得市场供大于求:64/72 层 3D NAND 的良品率和产能增长使得供应大幅攀升,野村证券预测闪存芯片供应将增长 40% 到 50%;DRAM 1X/1Y 制程的比重持续增加和良品率的稳定提升使得 DRAM 整体供应有望增长 22%。

摩根士丹利研究认为,从半导体周期历史角度,市场通常经历 4-8 个季度下行周期,然后再经历 4-9 个的上行周期。

鉴于 DRAM 合约价格已经在 2017 年 9 月见顶,摩根士丹利认为本轮下行周期已经进行了一半。整体下行趋势在未来的 2-3 个季度里还将继续持续。这将导致相关公司的营收继续下滑。

这意味着至少要到 2019 年年中才能有望看到复甦的迹象。而随着未来经济增长的放缓,去两年推动该行业发展的超常增长因素在下一个上升周期可能不会那么强劲。

三星成立传感器业务部

三星成立传感器业务部

前不久小米曝光了一款4800万像素拍照的手机新品,此前爆料称它使用的图像传感器就是索尼IMX586 4800万像素,不过后者是华为Nova 4首发的,小米使用的可能是三星ISOCELL GM1传感器,同样是4800万像素。

这种情况也是三星与索尼在传感器市场上竞争的写照,现在三星正式成立了传感器事业组,主管三星LSI事业部的CIS图像传感器业务,在这个领域三星是仅次于索尼的存在,但市场份额与索尼相差很大,后者几乎一家独大。

移动设备目前是CIS传感器的最大市场,不过未来几年自动驾驶汽车、安防监控等市场对CIS图像传感器的需求也会继续增长。

2017年全球CIS市场规模为116.88亿美元,其中索尼以60.2亿美元的营收位列第一,市场份额超过51%,三星电子以24.5亿美元的营收位列第二,市场份额20.9%,由此也可以看到三星与索尼的差距,特别是索尼传感器牢牢掌握了高端市场,不论苹果还是华为,甚至是三星自家高端手机都在使用索尼的CIS传感器。

三星CIS事业组的项目组长由System LSI开发室长朴庸仁担任,他2014年加入三星LSI事业部,此前在LG、TI等公司工作过,加入三星之后主要致力于传感器开发。

三星7nm EUV工艺获IBM青睐,将代工Power处理器

三星7nm EUV工艺获IBM青睐,将代工Power处理器

今年8月底Globalfoundries公司(简称GF)突然宣布停止7nm及以下工艺的研发、制造,受此影响AMD公司宣布将7nm订单全部交给台积电代工。GF公司停止7nm工艺代工影响的不只是AMD公司,还有一个重要客户IBM,后者的Power 9处理器使用的也是GF的14nm工艺,因此IBM也要寻找新的代工厂了。

早前有消息称IBM也选择了台积电的7nm代工Power处理器,不过IBM、三星今天联合宣布扩大战略合作关系,三星将使用7nm EUV工艺为IBM代工Power处理器。

作为OpenPower及IBM研究联盟的一员,三星在半导体工艺方面跟IBM已经合作至少15年了,三星的FinFET工艺技术也同样受益于IBM技术,今天双方的合作还将扩展到下一个十年,IBM选择三星代工未来的Power处理器。

根据双方的合作信息,IBM将使用三星的7nm EUV工艺生产未来的Power处理器及其他HPC产品,该工艺今年10月份才量产,三星表示7nm LPP工艺可以减少20%的光学掩模流程,整个制造过程更加简单,节省了时间和金钱,又可以实现40%面积能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目标。

不过三星与IBM的合作还缺少细节,目前的Power 9使用的是14nm工艺,依然由GF代工,下一代的Power 10处理器规划使用10nm工艺,再下一代的Power 11月才会使用7nm工艺,由于代工厂的变动,现在不确定IBM是跳过10nm节点直接上7nm还是会继续使用10nm工艺。

对三星来说,由于台积电几乎垄断了所有7nm工艺订单,现在获得IBM这个大客户对他们扩展代工业务至关重要,而与IBM的合作也会成为三星7nm EUV工艺的广告宣传,未来可以从台积电那里抢更多的客户了。