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据《路透社》报导，全球化学品大厂杜邦（DUPONT）宣布，将斥资2,800万美元在韩国建立光阻剂工厂。而对于这样的消息，韩国媒体报导指出，如此一来三星等韩国大型科技厂商将不用再过度依赖日本供应相关产品，达到产品来源多元化的目的。

另外，就是三星在晶圆代工上大举采用EUV设备的情况下，杜邦也看好韩国市场的成长性，因此决心进行在韩国本地的投资。

《路透社》指出，目前杜邦在韩国已有2座工厂。而据韩国贸易部官员表示，杜邦公司除了将继续投资韩国的两座现有工厂，还将新设一座新工厂。至于投资的地点将是距离首尔南方92公里，已有杜邦厂房的忠清南道天安市，投资时间则为2020~2021年。

自2019年中开始，韩国与日本开始起贸易争端，使得日本开始限制对韩国出口包括光阻剂在内的3种关键半导体原材料，这让包括三星在内的韩国科技企业过去90%依赖日本供应的情况，后来必须寻找替代来源，还要加速发展自身半导体原材料的研发与供应。

不过，就在2019年12月，日本宣布部分取消对韩国光阻剂的出口限制。而对于日本就光阻剂出口的松绑，韩国方面则是表示，虽然日本最近松绑了对光阻剂的出口管制，但这不是根本解决方案。

韩国媒体《ETnews》报导，日本企业一直在EUV所使用的光阻剂生产上领先，包括日本JSR公司、信越化学、东京应化工业（TOK）等3家公司占全球供应量的90%以上。因此，随着日本政府在2019年限制EUV使用的光阻剂出口韩国之后，日本的垄断情况更加明显。

但是随着杜邦成为日本产品的替代方案，除了可以逐渐让韩国对光阻剂多元化来源的目标达成之外，也显示杜邦看到了韩国未来的市场成长性，填补韩国市场对光组剂需求的缺口。

报导进一步指出，目前杜邦的EUV光组剂技术尚未达到可以将其完整应用到相关制程上的地步，但是，藉韩国在科技制造业的成熟环境，预计杜邦的光阻剂生产技术将会快速的发展。

另外，由于杜邦在韩国的新投资，韩国国内的高科技材料供应也有望产生更大的变化，因为随着杜邦成为日本产品的替代者，韩国现有的企业似乎正在考虑以杜邦的替代方案来持续韩国的市场需求，这可能将成为韩国政府未来继续与日本谈判的筹码。

据国外媒体报道，韩国巨头三星电子副董事长Kim Ki-nam周二表示，内存芯片市场开始出现改善迹象，这使得三星电子需要仔细考虑其位于京畿道平泽市的第二季内存芯片工厂的启动时间。

这位三星电子副董事长在拉斯维加斯举行的CES展会上对媒体表示：“有迹象表明市场正在复苏。但是现在还很难预测市场复苏了多少，也很难预测哪些因素将会起作用。”

三星的第二座内存芯片生产工厂即将建成，其面积相当于400个足球场，该工厂计划在今年内投产。韩亚金融学院发表的一份报告称，芯片价格有可能在今年第一季度内趋向稳定，并且在第二季度中恢复。

Kim表示，三星有可能根据市场的动向，很快决定何时启动他们在平泽建设的第二家内存芯片工厂。他说到：“我们将根据不断变化的市场情况，以及我们的（业务）安排作出决定。“至于这家工厂是否会大量生产先进的NAND芯片，Kim表示：”这也需要取决于市场状况。“

该公司周三发布的初步财务报告显示，三星电子的半导体业务有望在今年上半年迎来反弹，结束去年的下降趋势。

今天早些时候，三星宣布该公司在2019年第四季度中获得了59万亿韩元（约502亿美元）的销售额，营业利润为7.1万亿韩元。

由于芯片需求以及价格的下跌，该公司的销量和营业利润分别下降了0.46%和34.26%。

2019年全年，该公司营业利润同比下降52.95%，至27.71万亿韩元；营收同比下降5.85%，至229.52亿韩元。这是该公司自2015年以来最低的营业利润，也是自2016年以来最低的营收。

市场观察者表示，芯片市场的疲软有望最早在今年第一季度有所缓解，并且指出三星发布的第四季度财报预测稍稍超出了市场预期。

半导体行业如今已经显示了复苏的迹象，同时，由于5G服务以及可折叠屏幕手机的推出，市场对智能手机的需求也迎来了提升。一些分析师预计，三星今年的运营利润最高可能提升40%。

三星电子发布四季度业绩指引，称运营利润将减少34%至60.9亿美元；年利润减少53%至240亿美元，创2015年最低，以及10年来最大降幅。此外，四季度营收下降0.5%至500亿美元。

三星电子表示，其第四季度营业利润降幅将小于预期，表明内存芯片价格触底反弹的速度快于此前分析师的预期。三星的这一展望，增强了其业务复苏的希望。

全球经济疲软抑制了数据中心客户的之处，内存芯片库存量上升影响了其价格，受此影响，此前持续繁荣了两年的内存芯片行业迎来寒冬，2018年末开始，作为全世界规模最大的内存芯片制造商，三星芯片业务的经营一直处于挣扎。

但是好消息是，芯片价格已经出现了反弹的势头，因此今年外界对于该行业的情绪较为乐观，预计市场对内存芯片需求今年将会回归。

在晶圆代工龙头台积电几乎通吃市场7纳米制程产品的情况下，竞争对手三星在7纳米制程上几乎无特别的订单斩获。为了再进一步与台积电竞争，三星则开始发展6纳米制程产线与台积电竞争，而且也在2019年12月开始进行量产。三星希望藉由6纳米制程的量产，进一步缩小与台积电之间的差距。

根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导指出，三星在发展出7纳米制程之后的8个月内就推出了6纳米制程产品，显示其在晶圆代工领域上的微缩时间开始缩短。并且藉由2019年12月就开始量产的6纳米制程，期望能进一步减少与台积电之间的差距。

报导还引用三星合作伙伴的说法指出，三星的6纳米制程产品已经开始交付给北美的大型客户使用。而根据韩国市场人士的推测，此北美大型客户极有可能为行动处理器龙头高通。

报导进一步指出，三星是在2019年12月在韩国京畿道的华城厂区S3线内开始量产内含EUV技术的6纳米制程。而在此之前，三星在2019年4月就开始向全球客户提供7纳米制程的产品。如今，再推出6纳米产品的时间仅差距8个月，显示其进行制程微缩的时间正在缩短。而与7纳米产品相比，6纳米产品提供了芯片更小的尺寸，更低的能耗，以及更高的运算效能。

事实上，虽然三星在2019年4月份就开始对全球客户进行7纳米制程产品的供应，不过随后的接单情况一直不尽理想。

根据集邦咨询半导体产业研究中心（DRAMeXchange）的最新报告指出，2019年第4季，台积电在全球晶圆代工市场的市占率为52.7%，与三星则仅有17.8%，双方之间的差距不紧没有缩小，而且还在扩大之中。而这情况连过去与三星关系颇佳的高通，也都在2019年技术高峰会上所发表的7款产品，其中4款交由台积电的7纳米制程来生产，其他三星则拿下3项产品，这情况就可以察觉，台积电的不断成长，对于三星的压力有多巨大。

报导还表示，三星过去未能追赶上台积电的主要原因是，是三星在14纳米和10纳米制程之后，开发7纳米制程的时间太晚。这使得台积电透过其成熟的7纳米制程，为苹果独家生产了A系列处理器。

而相较之下，三星在2014年首次将14纳米FinFET制程商业化之后，但在7纳米制程的开发中却失去了与台积电竞争的优势。目前，7纳米产品在三星销售中所占的比例很小。为了克服这个问题，三星正在加紧研发，以缩短7纳米以下先进制程的开发周期。

目前在大量生产6纳米制程产品之后，三星计划在2020年上半年推出5纳米制程产品。此外，三星电子可能会在2020年上半年量产3纳米制程产品。日前，三星已经宣布完成以GAA技术为基础的3纳米制程的开发工作，藉由GAA技术可以克服半导体制程微缩的瓶颈，进一步朝下个节点前进。

三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款3纳米GAA制程技术，副会长李在熔(Lee Jae-yong)上周四(1月2日)访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。

BusinessKorea、韩国先驱报(Korea Herald)报导，三星电子新开发的3纳米GAA制程技术，有望协助公司达成“2030年半导体愿景”(即于2030年在系统半导体、存储器芯片领域成为业界领导者)。GAA是当前FinFET技术的升级版，可让芯片商进一步缩小微芯片体积。

李在熔2日访问了华城芯片厂，听取3纳米制程技术的研发简报，并跟装置解决方案(device solutions, DS)事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。

跟5纳米相较，采用3纳米GAA制程技术的芯片尺寸小了35%、电力消耗量降低50%，但运算效能却能拉高30%。三星计画在2022年量产3纳米芯片。

三星去(2019)年发布了133万亿韩元(约1118.5亿美元)的投资计划，目标是在2030年成为全球顶尖的系统单芯片(SoC)制造商。

近日，据国外媒体报道，韩国产业通商资源部日前表示，韩国化工企业已确立能以高纯度大量生产氟化氢的制造技术。氟化氢被用于晶圆的清洗等方面。

外媒称，韩国化工企业“Soul Brain”新设和扩建了制造工厂，可将液体氟化氢的杂质减少至“1万亿分之一”。这一纯度可用于要求极高纯度的半导体制造。 

韩国经济媒体认为，生产规模将能满足韩国国内70至80％左右的需求。

去年9月，外媒曾报道，三星电子开始在半导体生产线上试用韩国企业加工的氟化氢。

外媒当时表示，在高纯度的氟化氢市场，日本厂商大约占据8至9成份额。三星电子对于是否全面采用日本造以外的氟化氢仍持谨慎态度。

Samsung因两款旗舰机Galaxy S10、Note 10屏下指纹识别引发信息安全问题，主要系若在屏幕上贴上保护贴，只要有残留保护贴上的指纹印，任何人按压指纹都可解锁，故传闻Samsung将放弃手机屏下指纹识别，改采用「飞时测距模块」(ToF)的3D人脸识别方案，但Samsung仍未下最后决定。

目前iPhone仍采用结构光方案的3D人脸识别系统，但也有传闻2020年iPhone将改回指纹识别。

屏下指纹识别相较3D人脸识别仍具方便、屏占比高及成本优势

目前屏下指纹识别有光学式及超声波式两种方案，Samsung本次出现问题的Galaxy S10、Note 10系采较高阶的超声波指纹识别，Samsung于中低阶的A系列及其他陆系品牌也已导入光学式指纹识别，预期未来屏下指纹验识将逐渐取代传统电容式。

虽然信息安全问题导致传闻Samsung将在2020下半年上市的Galaxy Note 11改采用TOF方案的3D人脸识别，但目前以Apple结构光方案来说，仍有屏幕刘海、成本较高及反应速度较慢等问题，且部分重要专利在Apple手上，也使得Android手机阵营采用困难，而Android手机阵营想采用的TOF方案则受限识别率较差及体积过大问题仍待改善。

屏下指纹识别由于不需指纹感测按键，可提高屏幕占比方便使用，且较3D人脸识别具成本优势，预期仍是未来主流发展，只是本次事件影响可能使Samsung 2020下半年旗舰机种改采用光学式指纹识别，或同时结合光式指纹识别及3D人脸识别，不至于在旗舰机种完全抛弃屏下指纹识别。

光学式屏下指纹识别渗透率提升仍待LCD方案出台

光学式屏下指纹识别于OLED机型渗透率逐渐提升，而LCD机型则受限技术限制无法量产。

OLED机型可采用光学式指纹识别系因OLED为自发光源，当光往上打到手指时，利用OLED可让2～3%反射光穿透屏幕特性，再被屏下指纹传感器接收进行解锁功能；LCD机型则受限LCD屏幕与指纹传感器间被背光模块隔开，需要解决透光问题而无法使用，故原先预期光学式屏下指纹识别无法使用在LCD机型上。

然而坊间已传出2019年华为开发者大会上由京东方制作的LCD屏下指纹工程机照片，而京东方于2019年10月29日在投资者关系互动平台上也表示，该厂商LCD屏下指纹识别已有解决方案，产品化方案已与手机品牌厂商持续沟通中，更早之前也曾于6月的2019全球显示菁英峰会上表示将于2019年底量产。

再加上汇顶科技于2019年第三季投资者交流会议上也表示针对LCD之光学屏下指纹识别方案将于2019年底推出，结合LCD领导厂商与指纹识别领导厂商说法，可预期LCD采用光学式指纹识别之技术已被克服。

只要LCD机型也能搭载光学式屏下指纹识别，将全面打开光学式屏下指纹识别市场，预期将加速取代电容式指纹识别，因此也预期2020～2021年光学式屏下指纹识别将持续呈现高成长态势。

继12月10日，西安三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资启动后，西安和三星的深化合作再次迈上一个新台阶。

据西安日报报道，12月15日，三星（中国）半导体有限公司12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式启动。

据了解，三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目。二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。

项目一期于2014年5月竣工投产，项目二期于2018年3月正式开工建设，其中第一阶段投资70亿美元。三星（中国）半导体有限公司董事长任伯均表示，三星电子二期第一阶段项目进展顺利，明年三月将实现量产。

二期项目建成后将新增产能每月13万片，占三星电子全球产量的40%，新增产值300亿元，成为全球规模最大的闪存芯片生产基地，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安形成较为完整的半导体产业链。

据西安日报报道，自2012年落户西安以来，三星电子建成了高端存储芯片、封装测试项目和电子研发中心，涉及金融、贸易、动力电池、建筑工程等多个领域，累计投资250亿美元，是三星海外投资历史上投资规模最大的项目。