三星Galaxy Note 10 将于8月发布，全机无按键及屏幕下镜头成亮点

三星Galaxy Note 10 将于8月发布，全机无按键及屏幕下镜头成亮点

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三星 Galaxy S10 系列全球刚开卖，另一系列的 Galaxy Note 10 已有消息曝光。根据南韩媒体《ETNews》报导，三星 Galaxy Note 10 系列将抢在苹果秋季发表会前的 8 月发表，且全机可能采用无物理按键设计。

报导指出，三星 Galaxy Note 10 将商用所谓的无按键技术，也就是这款手机预计取消电源和音量物理按键。为此三星开发了一种技术，无需触摸按钮就可开启和关闭电源，以及增大或降低音量，Galaxy Note 10 或会成为三星首款无按键设计手机。

三星始终致力于此技术应用到 Galaxy Note 系列智能手机，之前还向一家名为 NDT 的公司购买提供类似 3D Touch 压力感测器的无按键模块。未来三星不仅将无按键技术应用于 Galaxy Note 系列手机，还可能将技术下放到 Galaxy A 系列等中阶手机。

报导还指出，三星除了针对 Galaxy Note 10 研发无按键技术，还致力于消除前置镜头的开孔设计，也就是可望达成隐藏式屏幕下摄影镜头。如果三星 Galaxy Note 10 搭载该技术，这将使无按键手机时代正式来临，未来甚至会影响到整体供应链。

近几年随着手机屏幕尺寸扩大，三星 Galaxy S 系列和 Galaxy Note 系列定位变得模糊。部分市场人士认为，Galaxy Note 系列已没有存在的必要。如果不是还有 S Pen，Galaxy Note 系列和 Galaxy S 系列几乎没有太大差别。

不过，依照三星的定义，除了最初的大屏幕和商务手写定位，Galaxy Note 系列还承担三星新技术试水温的角色。如三星 Galaxy Note 3 试用 USB 3.0 界面，Galaxy Note edge 试用单边曲面屏幕，Galaxy Note 7 试用虹膜辨识。不过近两年 Galaxy Note 系列手机因过于注重销量稳定，缺乏亮点。

如 Galaxy Note10 真采用全机无按键设计，相信会和 Galaxy S10 系列形成更明显的定位差异，并吸引一批追求新技术的粉丝，也让市场有所期待。

三星将推自家 8 纳米打造 Exynos 9710 中阶处理器

三星将推自家 8 纳米打造 Exynos 9710 中阶处理器

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早在 2018 年 3 月，南韩三星就推出自家中阶处理器 Exynos 9610，这款号称抗衡高通骁龙 660 及更新骁龙 675 的处理器，但却一直到 2019 年才看到搭载的终端设备——Galaxy A50 智能型手机问世。

就出货状况来说，并不如预期。不过三星似乎仍不放弃中阶处理器的发展。据外媒指出，三星预计在 Exynos 9610 之后，推出新一代 Exynos 9710 中阶处理器。

新一代三星中阶处理器 Exynos 9710 依然采取 8 核心设计，包含 4 个 2.1GHz A76 大核心，以及 4 个 1.7GHz A55 小核心组成，并整合 ARM Mali——G76 MP8 650Mhz 的 GPU，将由三星自家 8 纳米制程技术打造。单凭 CPU 和 GPU 架构参数来说，Exynos 9710 性能原则上仍令人期待。Exynos 9710 同时搭配 A76 大核心 CPU，以及 G76 核心 GPU，如果在适当调整之下，性能超过华为海思上一代旗舰型处理器麒麟 970 几乎没有太大问题。

要是真要挑 Exynos 9710 处理器的性能缺失，恐怕就是采用三星自家 8 纳米制程了。报导表示，过去三星 8 纳米制程技术用在旗舰型 Exynos 9820 表现并不算好，原因当然是与 Exynos 9820 功耗太高有关。这主要是 8 纳米制程为 10 纳米制程的半节点提升，相较台积电采用 7 纳米制程全节点提升，使功耗有差距。市场人士认为，对 Exynos 9710 的未来实际作业采保留意见。

三星 Exynos 9710 中阶处理器虽然即将发表，依三星过往惯例，可能要有新一代中阶手机问世才有机会看到。至于其他品牌手机采用的机率，更是微乎其微，市场也只能体验到号称 Exynos 9710 的竞争对手——高通骁龙 660 或骁龙 675 等产品。

三星发财报预警 Q1获利恐不如预期

三星发财报预警 Q1获利恐不如预期

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根据彭博社报导，三星今 (26) 发出警告表示，第一季业绩可能不如市场预期，因为面板和存储器市场疲软。

三星将在下个月初公布业绩，而在业绩公布前提早宣布获利的警讯让市场大出意外，而三星股价在开盘时下滑约 1%。

三星指出，因其它面板厂产能扩张增加淡季面板供应，导致面板价格跌幅超出预期；此外，因存储器需求不振，其价格跌幅也超出预期，是业绩下滑主因。不过，三星强调将有效利用资源来提高价格竞争力。

这家全球最大存储器制造商突然示警，意味着在智能手机市场销售停滞的情况下，存储器价格下跌情况比预期更严重。同时，全球经济减缓和贸易局势不明更加深这不利局面，而这一向是三星重要的获利来源。

集邦咨询在 3 月初就指出，今年第一季，DRAM 价格下跌近 30%，是自 2011 年以来单季跌幅最大的一次，而原先预估的降价幅度为 25%。

此外，集邦咨询近期更表示 DRAM 价格下跌并未刺激需求回温，因此预估在库存尚未去化完成的影响下，DRAM 价格跌势恐将持续至今年第三季。

集邦咨询补充说道，DRAM 供应商累积的库存水平在第一季底已经普遍超过六周，而买方的库存水平虽受到不同产品类别的影响略有增减，但平均至少达五周，在服务器及 PC 客户端甚至超过七周。

除了 DRAM 业务陷入困境，三星还一直在努力对抗智能手机销售量的下滑，因为消费者更换新机的意愿降低。与此同时，为苹果供应手机荧幕的显示器部门也饱受打击，主要在于 iPhone 销售量同样不如预期，及面临来自中国手机面板制造商和电视面板制造商的激烈竞争。

 

三星宣布推出1Z纳米制程 DRAM，2019 年下半年开始大量生产

三星宣布推出1Z纳米制程 DRAM，2019 年下半年开始大量生产

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在动态随机存取存储器（DRAM）制程陆续进入 1X 及 1Y 制程领域之后，全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布，首次业界开发第 3 代 10 纳米等级（1Z 纳米制程）8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 纳米制程 DRAM 之后，经历 16 个月，再开发出更先进制程的 DRAM 产品。

据了解，新一代 1Z 纳米制程 DRAM，三星在不使用极紫外线光刻机（EUV）的情况下打造，这显示三星进一步提高了 DRAM 的生产极限，并拉高竞争对手的生产门槛。随着 1Z 纳米制程产品问世，并成为业界最小的存储器生产节点，目前三星已准备好用新的 1Z 纳米制程 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求，生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示，1Z 纳米制程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年，以因应下一代企业服务器需求，并有望能在 2020 年支援新高阶个人计算机。除了提供市场需求，三星还指出，跨入 1Z 纳米制程的 DRAM 生产，将为全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等预做准备。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米制程产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其高阶 DRAM 市场应用的领导地位，包括服务器、图形和行动装置等领域。

另市场消息指出，与一家 CPU 制造商就 8GB DDR4 模块全面验证后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将面世的存储器解决方案。为了满足目前的行业需求，三星计划增加主要存储器生产比重。

三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存 可用于GPU

三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存 可用于GPU

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三星推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。该公司新的Flashbolt存储器堆栈将性能提高了33%，并提供每个晶元双倍容量以及每个封装的双倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，这是一个合适的场合，因为NVIDIA因其广受欢迎的GV100处理器而成为HBM2内存最大的用户之一。

三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器晶元，这些晶元使用TSV（通过硅通孔）以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具有1024位总线，每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高达410GB/s的带宽。

三星将其Flashbolt KGSD定位瞄准下一代数据中心，HPC，AI/ML和图形应用程序。通过使用具有4096位存储器界面的处理器的四个Flashbolt堆栈，开发人员可以获得具有1.64TB/s峰值带宽的64GB内存，这对于容量和带宽需求大的晶元来说将是一个很大的优势。使用两个KGSD，它们可获得32GB的DRAM，峰值带宽为820GB/s。

三星表示自己尚未开始批量生产Flashbolt HBM2E内存，但是已完成该技术的开发。

三星联席CEO：今年面临挑战 仍将大胆投资半导体制造

三星联席CEO：今年面临挑战 仍将大胆投资半导体制造

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南韩三星电子今天举行股东大会，三星电子联席CEO金奇南（CEO Kim Ki-nam）在股东大会中报告时指出，今年三星集团将面临诸多困难，受到全球贸易关系紧张、经济成长速度放缓影响，加上数据中心企业对存储器芯片需求疲软，三星零组件业务将面临困难的一年，不过，面对强烈竞争，三星将持续大胆投资半导体制造。

三星在股东大会上发表「面临困难一年」的看法后，三星今日盘中股价重挫1.6%，接近午盘时，跌幅略为收敛至1.25%。

智能型手机市场趋近于饱和，整体供应链都明显受到影响，三星智能型手机销量已于去年出现下滑，三星也寻求在网络设备制造领域找到新机会。

三星在股东大会中表示，整体而言，高阶手机、高密度产品会带动DRAM需求成长，对于并购计划，金奇南表示，三星在各个领域都采取开放态度。

三星先前就预期智能型手机市场过于饱和，今年市场恐将维持冷风飕飕状态，然而，今年是三星推出智能型手机满十周年的日子，也因此，三星今年在智能型手机领域下了非常多功夫，希望藉由新产品、新规格来带动销售，折叠式手机就是其中一例，另外，S10系列机款也推出了诸多新功能，让消费者对于换机跃跃欲试。

只是，三星虽然积极挽救自家的智能型手机颓势，却无法挽救全球智能型手机发展态势，现在，包含新兴市场也都逐渐浮现饱和态势。

去年，中国智能型手机品牌厂虽然在新兴市场攻城掠地，但随着市场饱和，手机销量逐渐下滑也是必然趋势，自然而然，智能型手机品牌厂也会减少对零组件的拉货，影响零组件今年营运表现。

法人指出，全球智能型手机品牌厂都面临市场饱和问题，销量下滑、自然也使得获利不如以往，零组件厂是率先受到影响的族群，部分品牌厂因为早已发展软件内容或者周边商机，能藉由软件内容研发维持毛利表现，但是，零组件厂因为主攻制造，如果全球硬件需求下降，也会影响零组件厂营运表现。

第一季全球前十大晶圆代工营收排名出炉，台积电市占率达48.1%

第一季全球前十大晶圆代工营收排名出炉，台积电市占率达48.1%

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根据拓墣产业研究院最新报告统计，由于包含智能手机在内的大部分终端市场出现需求疲乏的现象，导致先进制程发展驱动力下滑，晶圆代工业者在2019年第一季就面临着相当严峻的挑战。

拓墣产业研究院预估第一季全球晶圆代工总产值将较2018年同期衰退约16%，达146.2亿美元。其中市占率排名前三的分别为台积电、三星与格罗方德。尽管台积电市占率达48.1%，但第一季营收年成长率衰退近18%。

拓墣产业研究院还指出，2019年第一季晶圆代工业者排名与去年相比变化不大，仅力晶因12英寸代工需求下滑而面临被高塔半导体反超的风险。

观察前十大晶圆代工业者第一季的表现，包括台积电(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、联电(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等业者，因12英寸晶圆代工市场需求疲软，第一季营收表现较去年同期下滑幅度均来到两位数。

反观以8英寸晶圆代工为主要业务的高塔半导体(TowerJazz)、世界先进(Vanguard)、华虹半导体(Hua Hong)、东部高科(Dongbu HiTek)等业者，尽管8英寸晶圆代工产能供不应求的现象已渐舒缓，年成长率表现仍不如去年同期亮眼。但相较于以12英寸为主力的晶圆代工厂第一季两位数的衰退幅度，可以说其在半导体市场相对不景气的第一季中稳住阵脚。

市占率第一的台积电虽受到光阻液事件导致晶圆报废，重要智能手机客户销售不如预期以及加密货币热潮消退等影响，但在第一季依旧稳居晶圆代工产业的龙头宝座。

展望台积电2019年市况，除原本应于第一季出货的订单延后至第二季外，与海思(Hisilicon)、高通(Qualcomm)、苹果(Apple)、超微(AMD)等客户间的合作也将陆续贡献营收，因此营收有望从第一季的谷底逐季攀升。

三星于2017年上半年将晶圆代工业务切割独立后，因为自家System LSI的助力，市占率排名第二。据拓墣产业研究院估算，三星来自外部客户的营收仅约四成左右。

三星近年力推多项目晶圆服务(Multi-Project Wafer，MPW)，除积极对外争取先进制程的服务外，位于韩国器兴(Giheung)的8英寸产线也将逐步对三星的晶圆代工的营收做出贡献。三星目标在2023年前拿下25%的市场占有率。

展望2019年，全球晶圆代工产业总产值将逼近七百亿美元大关。然而，2019年第一季影响市场需求的杂音仍然不断，除了受到传统淡季影响，消费性产品需求疲软、库存水位偏高、车市需求下滑、Intel CPU缺货以及中国经济成长降速等等因素影响外，全球贸易不稳定也让市场充满极大的不确定性。

若全球政经形势在上半年无法明显好转，拓墣产业研究院对于2019年全球晶圆代工产业的看法将转趋保守，甚至不排除总产值出现罕见的负成长。

三星强攻先进制程 智原进补

三星强攻先进制程 智原进补

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晶圆代工龙头台积电支援极紫外光（EUV）微影技术的7+纳米进入量产阶段，竞争对手韩国三星晶圆代工（Samsung Foundry）亦加快先进制程布局，包括8纳米及7纳米逻辑制程进入量产后，今年将推进至采用EUV技术的5/4纳米，以及支援嵌入式磁阻随机存取存储器（eMRAM）的28纳米全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）制程进入量产，并会在今年推进至18纳米。

IC设计服务厂智原与三星晶圆代工在先进制程上的合作，去年已拿下多款采用三星7纳米先进制程的委托设计（NRE）案，并会在今年转成特殊应用芯片（ASIC）进入量产。法人看好智原及三星晶圆代工的合作综效持续发酵，今年可望争取到更多5G新空中界面（5G NR）、人工智能及高效能运算（AI/HPC）、先进驾驶辅助系统（ADAS）、人工智能物联网（AIoT）等NRE及ASIC订单。

智原近年来积极调整NRE接案方向，不仅瞄准设计复杂度高及生命周期长的应用，同时也放大知识产权（IP）的优势，去年合并营收年减8.2%达49.05亿元（新台币，下同），归属母公司税后净利2.63亿元，每股净利1.06元。其中，智原因为与三星晶圆代工合作，不再受到合作晶圆代工厂制程无法推进的限制，去年NRE接案大幅成长107%达近13亿元，营收占比提高至26%，并顺利跨入7纳米NRE及ASIC市场。

智原第一季营运进入传统淡季，但前2个月合并营收6.94亿元，与去年同期相较成长约2.0%。智原第一季是营运谷底，第二季起业绩将逐季成长，全年来看，包括NRE、IP、ASIC等营收表现均会优于去年，法人看好智原今年营收及获利亦将优于去年。

智原去年与三星晶圆代工合作，不仅接单金额年增5成，接案量也成长25%，有超过100个案子将在今、明两年当中进入ASIC量产阶段。随着三星晶圆代工持续强攻先进制程市场，加上系统厂加快5G及AI/HPC等新市场布局，自行开发客制化ASIC已是产业新趋势，智原可望直接受惠。

三星晶圆代工先进制程已追上台积电，采用浸润式微影技术的8纳米及采用EUV技术的7纳米均已量产，今年则会转进采用EUV的5/4纳米世代，加上在FD-SOI制程上将在今年推进至18纳米并支援eMRAM，法人认为有利于智原争取5G、AI/HPC等NRE及ASIC订单。

因应手机存储器容量扩增需求，三星量产 12G LPDDR4X

因应手机存储器容量扩增需求，三星量产 12G LPDDR4X

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在当前智能型手机 DRAM 存储器容量需求越来越大的情况下，韩国存储器大厂三星 14 日宣布，已开始大规模生产业界首款 12G LPDDR4X 手机用行动式DRAM 存储器。新的行动式DRAM存储器具有比大多数超薄笔记型计算机更高的容量，可以让使用者能够充分利用下一代智能型手机的功能。

三星表示，随着新 LPDDR4X DRAM 存储器的大规模生产，三星现在提供全面的先进存储器产品阵容，为搭载 12GB 行动式DRAM 和 512GB eUFS 3.0 快闪存储器的智能型手机提供更高性能。

而受惠于 12GB 行动式DRAM 存储器的量产，智能型手机制造商可以最大限度的发挥 5 个以上摄影镜头，和不断增加的荧幕尺寸，以及人工智能和 5G 功能的终端设备潜力。因此，对于智能型手机用户而言，12GB DRAM 存储器可以在超大型高分辨率屏幕上浏览应用程序，以达到更流畅的多工处理和更快速的搜寻效能。

三星 12GB行动式DRAM 存储器使用的是第 2 代 1y 纳米的制程所打造，其模块上共有 6 颗 LPDDR4X 芯片，组合而成总和 12GB 的容量。此外，透过使用三星的第 2 代 1y 纳米制程，新的 12GB 行动型 DRAM 存储器可提供每秒 34.1GB 的资料传输速率，同时最大限度地降低因 DRAM 容量增加，而导致的功耗增加，以提升手机电池的使用续航力。

 

三星大规模生产下一代内存芯片MRAM，对半导体产业有何影响？

三星大规模生产下一代内存芯片MRAM，对半导体产业有何影响？

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据韩国媒体报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，能够应用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等，提升数据保存的能力。

报道指出，三星MRAM方案无需在数据记录期间擦除数据，并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示，由于它在断电时保存了存储的数据，并且不使用额外的备用电源，所以功耗也很优秀。

另外，这一方案结构简单，可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少的层数来实现，减轻了三星进行新设计的负担，并降低了生产成本。

随着三星大规模量产首款商用MRAM产品，业界开始猜测，具有低成本、更优速度和功率优势的MRAM是否会在未来取代DRAM与NAND，进而改变半导体产业格局？

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)认为，MRAM在电信特性上与现有的DRAM与NAND相似，但互有优劣。使用MRAM，需要改变平台的架构，因此未来MRAM可能会取代部分DRAM/NAND成为另一种分支型态的存储器解决方案，但不会完全取代DRAM/NAND。

此外，DRAMeXchange还看好MRAM与DRAM/NAND合作前景。一方面，MRAM与DRAM/NAND配合，可以取得省电以及性能的优势，另一方面，新的存储器加入，也能够避免原先存储器解决方案若有大缺货发生时的价格不稳定状况。