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近期，全球存储器产业似乎不平静。2019年12月31日，韩国三星旗下位于华城园区内的相关产线发生短暂跳电事件，使得全球DRAM及NAND Flash供应链绷紧神经。

如今，又传出原名为东芝存储器的铠侠(Kioxia)位于日本三重县四日市的产线发生火警的状况。

根据铠侠对客户所发布的通知显示，2020年1月7日上午6点10分，位于日本三重县四日市的Fab6工厂，内部设备发生了火警。目前火势已扑灭，没有造成任何人员伤亡。

至于相关的起火原因及工厂生产设备的损害状况，目前仍在进行调查与统计中。在相关损害统计资料完成后，对于客户的供货造成影响，将会在第一时间内通知。

市场分析人士指出，虽然火势很快被扑灭，但是因为火灾发生在工厂的无尘室内，有可能造成该厂短期内无法正常运作，对市场冲击恐大于先前三星跳电事件，加剧第一季合约价上涨走势。

据悉，Fab 6由Kioxia与Western Digital共同投资，在2018年9月才正式开幕，主要生产当今供给主流的64层及96层3D NAND。

事实上，铠侠位于日本三重县四日市的工厂，也在2019年6月15日发生大约13分钟的跳电情况。当时包含Fab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6在内的全体厂区皆受冲击，使得整个NAND Flash的供应链供货都受到了影响，而且时间长达一整季。

如今，在当前NAND Flash价格逐渐走出低档回温，韩国三星甚至宣布将在2020年进行扩产的情况下，再传出铠侠工厂的火灾事件，预料将使得NAND Flash的价格有进一步上涨的空间。至于，相关事件的后续变化，也将会持续进行掌握。

铠侠株式会社（Kioxia Corporation）近日宣布开发出创新的储存单元结构“Twin BiCS FLASH”。该结构将传统3D闪存中圆形存储单元的栅电极分割为半圆形来缩小单元尺寸以实现高集成化。新的单元的设计中采用浮栅电荷存储层（Floating Gate）代替电荷陷阱型电荷存储层（Charge Trap），尺寸也比传统的圆形单元更小。

铠侠已率先在此单元设计中实现了高写入斜率和宽写入/擦除窗口。同时，铠侠也证明这种新的单元结构可应用于进一步提高容量的超多值存储单元中。铠侠于12月11日（当地时间）在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上发表了上述成果。

截至目前，诸如BiCS FLASH之类的3D闪存通过增加单元的堆栈层数以实现大容量。但是，随着单元的堆栈层数超过100层，高纵宽比的加工越来越困难。为了解决这一问题，铠侠在新的单元结构中将常规圆形单元的栅电极分割为半圆形以减小单元尺寸，并且可以通过较少的单元堆叠层数实现更高的位密度。

得益于曲率效应，与平面单元相比，圆形存储单元可以确保写入窗口并有效抑制写入饱和。新的单元结构中采用了半圆形，可以继续利用曲率效应。此外，新的单元在电荷存储层中采用了高电荷捕获率的导体材料，并且在阻断膜（BLK Film）中采用了高介电常数的绝缘材料以减少漏电流（图1）。

图1.Fabricated semicircular FG cells (a) Cross-sectional view (b) Plane view

实验表明，与圆形存储单元相比，半圆形结构具有更小的单元尺寸，更高的写入斜率和更宽的写入/擦除窗口（图2）。

图2.Experimental program/erase characteristics comparing the semicircular FG cells with the circular CT cells

另外，仿真显示，得益于特性的改善，尺寸更小的半圆形存储单元预期可以取得与传统圆形单元中4位/单元（Quadruple-Level Cell）相等同的Vt分布。同时，通过采用低陷阱硅通道，更可实现5位/单元（Penta-Level Cell）的Vt分布（图3）。

图3.Simulated Vt distributions after programming using calibrated parameters

上述结果显示，半圆形存储单元是实现大容量超多值单元的可行方案。

今后铠侠将继续为该技术的实用化进行研发。此外，铠侠正在积极推进闪存技术的研发，在此次IEDM 2019，铠侠还发表了其他6篇论文。

来源：铠侠株式会社，截至2019年12月12日。

据日本经济新闻和共同通信报道，正进行营运重建的东芝（Toshiba）决定将旗下挂牌上市的 4 家子公司中的 3 家收编为完全子公司，分别为工程公司东芝工厂系统与服务株式会社（Toshiba Plant Systems & Services）、船舶电气系统制造商西芝电机株式会社（Nishishiba Electric），以及半导体制造设备生产商NuFlare Technology。

消息指出，东芝将在要约收购中投入2000亿日元，并通过股票公开买卖(TOB)的形式从其他股东手中收购这3家子公司的股票，同时将持股比重提高至100%，且预计3家子公司将会面临退市。

报道指出，东芝已于13日举行的董事会上决议进行上述TOB计划，而对象包含生产发电设备的Toshiba Plant Systems & Services、生产半导体制造设备的NuFlare Technology以及生产船舶产业的电机系统的西芝电机。

目前，东芝在这3家子公司的持股比重达50.0%~54.9%，接下来东芝将会以一定水平的溢价价格对这3家子公司实施TOB计划。

值得注意的是，东芝另一家上市子公司Toshiba TEC不在此次的TOB对象内。对此，东芝13日发布新闻稿表示，该公司目前正在召开董事会中，一旦做出相关决议将迅速对外公布。

9月25日，日本以经营基础设施建设的东芝基础设施三重工厂发生火警，火势在一个小时内随即扑灭，因为工厂内没有员工在工作，因此没有传出任何的伤亡情况。

根据日本媒体报导，25日下午1时30分左右，位在日本三重县朝日町的“东芝基础设施系统三重工厂”发生火警，火势大约在一个小时后就被扑灭。当地的警方表示，因为发生火警的工厂当时并没有东芝基础设施的员工在其中工作，因此这场火警并没有传出任何员工伤亡的消息。至于，相关的起火原因目前并不清楚，正由警方调查中。

有消息称，这次发生火警的地点，正是在全球市场举足轻重、以生产NAND Flash的东芝存储器工厂。并且传闻这是继6月份东芝工厂发生断电事件，进而造成3.2亿美元损失之后的最大事件。

不过，根据《彭博社》的报导，对于这场火警在网络上谣传的消息，东芝方面已经出面正式否认。东芝的相关对外发言窗口指出，这次发生火警的“东芝基础设施系统三重工厂”与东芝存储器工厂无关，目前东芝存储器工厂也都正常营运中。

根据Tom‘s Hardwared的报道，东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存，以及PLC的NAND开发。

东芝已经开始计划其BiCS闪存的第五代到第七代的研发。每一代新产品都将与新一代的PCIe标准相一致，BiCS 5将很快与PCIe 4.0同步上市，但该公司没有提供具体的时间表。BiCS5将具有更高的带宽1200 MT/s，而BiCS6将达到1600 MT/s， BiCS7将达到2000 MT/s。

该公司还开始研究5bit PLC的NAND闪存，新的闪存提供了更高的密度，每个单元可以存储5位，而目前的QLC只能存储4位。PLC将有更少的PE和更慢的性能，但新的NVMe协议特性以及Dram闪存和控制芯片会带来一些性能提升。

根据韩国媒体《KoreaBusiness》报导指出，之前因停电事件而造成东芝日本四日市NAND Flash快闪存储器产线生产暂停的状况，如今东芝已经排除，进一步加入量产的行列。不过，也因为东芝的重新恢复量产，让市场人士对NAND Flash的供过于求情况再次产生疑虑。

报导指出，随着日韩贸易战的升温，再加上自6月以来，东芝因为停电事件所造成全球NAND Flash产能约5%的缺口，使得过去一段时间以来，NAND Flash的市场价格由止跌回稳的情况。

根据统计，2019年7月份以来，128GB的NAND Flash市场价格已经上扬了2.04%，减缓了过去供过于求而造成跌价的压力，不过，这样的情况随着东芝产线的恢复生产，可能会有所改变。

东芝因为自6月中开始，因为停电的状况造成位于日本四日市的5条NAND Flash产线中的2条停摆，而这些产线所生产出来的NAND Flash快闪存储器不仅提供给东芝使用，也提供给西数（WD）来使用，停产的结果使得全球NAND Flash的供应量约产生了5%的缺口。

对于这样的情况，市场分析师认为有助于缓减过去NAND Flash市场供应过剩，进而造成价格下跌的情况。如今，在东芝产线恢复生产之后，还一并恢复了在停电事件前减少的15%到20%的产能利用率，使得市场忧虑心理再起。

报导进一步指出，东芝积极恢复产能的原因，在于东芝准备进行IPO计划。日前，东芝存储器已经确认将自2019年的10月1日改名为Kioxia，开始为IPO的计划进行布局。

不过，原定于2019年年底的IPO计划，因美中与日韩贸易战的升温，为市场投下许多不确定因素的影响，目前已经确定将延后至2020年第1季进行。市场分析师认为，随着之前其他NAND Flash的减产行动，让整体NAND Flash市场开始有所回温的情况，恐将因为东芝的恢复生产也重新打回原形。未来要如何解套，有待后续观察。

东芝存储器总部位于美国的子公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）今天宣布推出新的存储器（SCM）解决方案：XL-FLASH 。

XL-FLASH是基于该公司创新的BiCS FLASH 3D闪存技术，每单元1比特SLC，将为数据中心和企业存储带来低延迟和高性能的解决方案。样品将于9月开始出货，预计将于2020年开始量产。

介于DRAM和NAND Flash之间，XL-FLASH的速度快，延迟低，并且有更高的存储容量。和传统DRAM相比它的成本也更低。一开始XL-FLASH是被布局在SSD产品上，但之后也会应用在DRAM的产品上，比如未来行业标准的非易失性双列直插式内存模块(NVDIMMs)。

主要特点

128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封装） ；

4KB Page大小，高效的操作系统的读写 ；

16-plane更高效的并行架构 ；

快速的读取页面和编程时间，XL-Flash提供小于5微秒的低读取延迟，比现有TLC快10倍。

东芝存储器子公司TMA存储业务部高级副总裁兼总经理Scott Nelson表示，“借助XL-FLASH，我们为超大规模制造商和企业服务器/存储供应商提供了一种更具成本效益，更低延迟的存储解决方案，弥补了DRAM与NAND性能之间的差距。”

注：本文根据东芝官网文章编译，原文链接：https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/memory-20190805-1.html

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