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集邦咨询：日韩贸易战与东芝跳电影响DRAM/NAND短期价格走势，长期须关注原厂库存水位

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，继6月中旬东芝断电事件后，日本政府近日宣布从7月4日起，开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况，然而，由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，短期结构性供需反转的可能性低。

日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转，集邦咨询分析指出，因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑，下游模组厂的库存水位普遍偏低，也因此当前确实有观察到部分模组厂利用该原物料事件而开出上扬的价格或表示将停止生产。然而，目前现货市场占整体DRAM市场仅不到10%水平，中长期产业的供需态势仍需关注占比超过9成的合约市场为主。

从需求面来看，不论零售端的PC、智能手机，或是企业用服务器与数据中心建置，目前整体终端需求仍呈现十分疲弱的态势。然而，反观供给端目前DRAM供应商的库存水平仍普遍高于3个月，也导致PC、服务器内存及行动式内存的合约价在第三季初仍旧持续走跌，暂时未看见反转向上的迹象。集邦咨询认为，DRAM市况受此原物料事件而出现结构性供需反转的可能性低。

NAND Flash市场行情则受到日本材料出口审查趋严，以及东芝停电事件的影响。由于Wafer市场报价已经偏低，预计七月起各供应商报价将浮现涨势。然而，由于供应商普遍备有2-3个月的库存水位，多数模组厂不会第一时间接受涨价，后续则需视市场及供应端库存状况决定交易价是否上涨。至于对OEM的各类SSD、eMMC/UFS产品报价方面，目前虽有部分供应商暂停出货，但从供需状况分析，并考量OEM端的库存水位，集邦咨询认为，虽然NAND Flash价格短期将出现上扬，但长期仍有跌价压力。

时事通信社 20 日报导，从东芝（Toshiba）独立出去、已于 2018 年 6 月卖给以美国私募基金贝恩资本（Bain Capital）主导的「日美韩联盟」的全球第二大 NAND 型快闪存储器（Flash Memory）厂商「东芝存储器」（TMC）的 IPO（首次公开发行）计划生变，将无法如原先预期在 2019 年 9 月进行 IPO，主因为日美韩联盟之间的协商不顺；另外，关于变更公司名称一事，目前是考虑不再使用「东芝」的名称。

关系人士指出，TMC 原先表定会在 3 月内公布将在 2019 年 9 月 IPO 的计划，不过因日美韩联盟间，部分认为应早期 IPO，筹措资金，以追赶海外竞争对手，不过另一方面也有认为在存储器市况低迷环境下，不宜在不利的条件下进行 IPO。因此在上述意见纷歧情况下，TMC 已放弃 9 月 IPO 的计划，相关计划的发表时间也将顺延至 4 月份以后。

路透社 20 日报导，关系人士指出，TMC IPO 时间将从原先计划的 2019 年 9 月延后至 2019 年 11 月，且视市场环境而定、也有可能会进一步延后至 2020 年夏天。

对此，TMC 发言人向路透社指出，「尚未决定上市时间」。

路透社 20 日报导，据多位关系人士透露，从东芝（Toshiba）独立、2018 年 6 月卖给美国私募基金贝恩资本（Bain Capital）为主的「日美韩联盟」的全球第二大 NAND 型快闪存储器（Flash Memory）厂商「东芝存储器」（TMC）已着手进行准备，计划今年 9 月 IPO，预估 TMC 上市后市值将超过 2 兆日圆。

关系人士指出，「日美韩联盟」收购 TMC 后，原先计划 3 年后才 IPO，之所以计划大幅提前，目的除了让「日美韩联盟」早期回收收购 TMC 花费的部分资金，也是藉由 IPO 筹措设备投资资金。

报导指出，因上市时有必要调整股东结构，因此 TMC 也计划买回苹果（Apple）、Dell、金士顿（Kingston）和希捷（Seagate Technology）等 4 家美国企业持有的约 4,000 亿日圆优先股并注销，为了取得买回上述优先股的资金，TMC 计划将目前由三井住友银行等主要往来银行提供的 6,000 亿日圆融资转换成最高 1 兆日圆规模联贷。

另外，TMC 也将向政府系基金 INCJ 及日本政策投资银行（DBJ）寻求出资，规模 2,000 亿日圆，若 INCJ / DBJ 同意出资，TMC 向银行调度的资金金额有可能减少。

东芝宣布其OEM客户端NVMe SSD的第四次迭代，作为包含SSD控制器和NAND闪存的单个BGA芯片封装提供。东芝BG4是对BG3的重大升级：东芝的新型96层3D TLC取代了他们的64层NAND，可实现更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代，为更高的顺序I/O性能打开了大门。

BG4仍然是一款无DRAM的SSD，它依赖于NVMe主机内存缓冲区（HMB）功能来缓解无刷驱动器否则会遭受的性能损失。东芝增加了对HMB的使用，增加了SSD存储在主机DRAM中的数据的奇偶校验，即使主机系统不使用ECC内存，也能提供额外的数据保护层。

BG4的固件也经过调整，扩展了可以缓存在主机内存缓冲区中的用户数据映射信息范围，从而提高了复制大文件等用例的性能。这些变化意味着BG4会要求使用更大的主机内存来加速其操作，但所请求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重点是提高随机I / O性能并减少后台闪存管理对交互性能的影响。来自东芝的初步性能数据表明，随机写入性能几乎翻了一番，随机读取性能远远超过BG3的两倍。

东芝BG4容量128 GB，256 GB，512 GB，1TB，外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230单面，接口NVMe PCIe 3.0 x4，顺序读取性能2250 MB/s，顺序写入性能1700 MB/s，4KB随机读取380k IOPS，4KB随机写入190k IOPS。

更改为更宽的PCIe x4主机接口不需要BG4采用比其前辈更大的BGA封装尺寸，切换到96L 3D TLC具有更高的每个芯片容量，允许一些驱动器采用更薄的设计（对并且允许BG系列首次引入1TB容量。东芝是第一家推出采用96L NAND的SSD厂商，看起来BG4将成为第二款开始出货的96L SSD。