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近日，三星官方宣布，公司将量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要针对未来智能手机，优化其5G和AI功能。

此外，三星还表示，在7月底即将大量生产12Gb的LPDDR5模组，每个模组都包含8个12Gb芯片，总计达到96Gb的容量，以满足高端智能手机制造商对更高手机性能和容量的需求。

三星指出，采用第2代10纳米等级制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，传输速度可达到5500Mbps，是现有LPDDR 4X速率（4266Mbps）的1.3倍。

三星指出，在本次12Gb LPDDR5 DRAM大量生产之后，2020年将量产16Gb的LPDDR5 DRAM颗粒。因此，未来很有可能会出现16Gb LPDDR5规格的模组。

三星进一步指出，凭藉在产业中领先的速度和能效，三星的新型行动式DRAM可使下一代高端智能手机充分发挥5G和AI的功能，包括高画质影像的录制和机器学习功能，同时极大化电池的续航力。

日韩贸易战，引发存储器喊涨效应，存储器景气是否提早翻多，还待观察。

日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，引起后续材料恐短缺疑虑，激励DRAM与NAND Flash现货价应声上涨，带动南亚科、旺宏、华邦电等存储器族群昨股价带量上涨，这是存储器史上第一次因贸易战引发价格看涨，但存储器景气是否提早翻多还有待观察。

存储器模组大厂威刚董事长陈立白表示，日韩贸易战牵动存储器价格上涨，这种情况为史上第一次。1993年间，日本住友化学曾爆发环氧树脂厂爆炸、造成封装材料短缺，意外事件牵动南韩、日本、美国与台湾大厂DRAM价格大涨。

至于此次日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，业界传出，龙头大厂三星评估对上游材料料源还无法明确掌握，已对现货市场停止出货；美光近两天也已停止报价。陈立白原预估今年第三季DRAM可望因旺季出现现货价小涨，明年才可能大涨，但受到日韩贸易战冲击，他昨改口说，「7月提早起涨，8、9月也都看涨」。

业界看法分歧

但业界有的持保守看法。因存储器市况供过于求，加上三星电子副会长李在镕亲自赴日协商材料供货也传出有解，影响DRAM现货价昨仅出现小涨，存储器后续涨价效应还有待观察。

南亚科总经理李培瑛日前也指出，DRAM三大供应商库存仍偏高，预估第三季逢旺季到来，整体需求会增加，但因消化库存，合约价格将续跌，不过跌势会缩小。对于日韩贸易战，李培瑛说，到底会是短期或可能长期纷争还需观察，未来几周是关键。一位供应链业者表示，上半年因美中贸易大战，存储器价格大跌，最近只能说止跌，回升还要看后续发展而定。

旺宏预计7月25日举行法说会，公布第二季财报与第三季展望。

华邦集团旗下的微控制器大厂新唐科技 24 日公告指出，将由华邦电副总经理陈沛铭接替任期已满的华邦电董事长暨执行长焦佑钧，担任新唐科技的董事长。

根据华邦电的官网显示，毕业于成功大学电机系，并且取得美国底特律大学电机工程硕士学位的陈沛铭，曾经经历华邦电产品中心二协理，以及销售中心副总经理，目前担任 DRAM 产品事业群副总经理的职务。

另外，本届新唐科技新任董事当选名单，包括焦佑钧、陈沛铭、卢克修、魏启林、靳蓉等 5 位董事，及徐善可、杜书全、洪裕钧、许介立等 4 位独立董事。

英国兰开斯特大学研究人员最近宣布，他们和西班牙同行合作开发出一种新型数据存储设备，兼具当前内存和闪存两类设备的优点，并且能耗超低。

这所大学发布新闻公报说，新设备属于通用型存储器，既可充当供随时读写的活动内存，也能稳定长期保存数据。它有助节约能源，缓解“数字技术能源危机”，还可改善电子设备使用体验，比如电脑可以几秒钟内完成启动。

当前用作内存的动态随机存取存储器（DRAM）读写速度快，但有易失性，即突然断电后内容就会消失，即使不断电也必须每隔几十毫秒就刷新一次，总能耗非常高。闪存里的数据可以长期保存，代价是写入和擦除需要较高电压，能耗高、速度慢，且容易损坏。兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存储器，是当前的研究热点。

研究人员在新一期英国《科学报告》杂志上发表论文说，新设备采用与闪存类似的浮栅构造，但不像闪存那样使用金属氧化物半导体，而是由砷化铟、锑化铝和锑化镓三种材料组成。其底部是630纳米厚的锑化镓，上面是多个交错的锑化铝和砷化铟薄层，厚度从几纳米到几十纳米不等，呈现“千层饼”一样的异质结构。

实验发现，由于这三种半导体材料的量子力学特性，新设备能在低电压下运作，同时实现非易失性存储。由于电压和电容需求都很低，该设备的单位面积能耗分别是DRAM和闪存的百分之一和千分之一。此外，它需要进行刷新的时间间隔至少比DRAM长100万倍，数据保存期限理论上比宇宙的年龄还长。

随着信息技术发展，电脑和其他电子设备需要处理的数据越来越多，存储容量飞速增长，存储器能耗问题却对运行效率和使用体验构成严重制约。研究人员说，作为一种新型存储设备，该技术有很大潜力。